佰维发布@@CXL 2.0 DRAM,赋能高性能计算@@
judy -- 周三@@, 12/27/2023 - 11:31佰维成功研发并发布了支持@@CXL 2.0规范的@@@@CXL DRAM内存@@扩展模块@@。CXL 2.0 DRAM采用@@EDSFF(E3.S)外形规格@@,内存@@容量高达@@96GB
佰维成功研发并发布了支持@@CXL 2.0规范的@@@@CXL DRAM内存@@扩展模块@@。CXL 2.0 DRAM采用@@EDSFF(E3.S)外形规格@@,内存@@容量高达@@96GB
美光推出基于@@ 32Gb 单裸片@@的@@@@ 128GB DDR5 RDIMM 内存@@,具有高达@@ 8,000 MT/s 速率的@@一流性能@@,可支持当前及未来的@@数据中心工作负载@@。
本文将举例说明如何借助虚拟制造评估@@ DRAM 电容器图形化工艺@@的@@工艺@@窗口@@
LPDDR5T的@@16 GB容量套装产品@@可在国际半导体标准化组织@@(JEDEC)规定的@@最低电压@@1.01至@@1. 12V(伏特@@)标准范围下运行@@
在相同封装尺寸下@@,容量是@@16Gb内存@@模组@@的@@两倍@@,功耗降低@@10%,且无需硅通孔@@(TSV)工艺@@即可生产@@128GB内存@@模组@@
本文将探讨消费类@@DRAM和工业@@DRAM之间的@@差异@@,并揭示不正确使用@@DRAM的@@风险@@
SK海力士@@21日宣布@@,公司成功开发出面向@@AI的@@超高性能@@DRAM新产品@@@@HBM3E1,并开始向客户提供样品进行性能验证@@@@。
TechInsights发现了四种@@EUV光刻@@(EUVL)工艺@@,用于阵列有源切割@@/外围有源@@(有源修剪@@)、位线接触@@(BLC)、存储节点接触垫@@(SNLP)/外围第一金属层@@ (M1)和存储节点@@(SN)管图形化@@
动态随机存取存储器@@ (DRAM) 是一种集成电路@@,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存@@的@@数字电子@@设备@@@@
半导体公司正在推动@@ DRAM 的@@进步@@,突破性能@@、密度和效率的@@界限@@。这是最近的@@一些例子@@