Nexperia首款@@SiC MOSFET提高@@了工业电源开关应用的@@安全性@@、稳健性和@@可靠性标准@@
judy -- 周四@@, 11/30/2023 - 09:441200 V分立器件提供@@出色的@@性能@@,有助于加速全球能源转型@@<
1200 V分立器件提供@@出色的@@性能@@,有助于加速全球能源转型@@<
三菱电机集团近日宣布@@,将与@@@@Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系@@,共同开发面向电力电子@@市场的@@碳化硅@@(SiC)功率半导体@@
650 V、20 A碳化硅整流器模块适用于@@3 kW至@@11 kW功率堆栈设计的@@高频电源应用@@,以满足工业电源@@、EV充电站和@@板载充电器等应用的@@需要@@。
采用超紧凑型@@DFN2020(D)-6封装@@,并集成@@BJT和@@电阻@@,加倍节省空间@@@@
在本@@188金宝搏@@ 中@@, Nexperia(安世半导体@@)讨论了其焊线封装@@和@@夹片粘合封装@@的@@散热通道@@,以便设计人员选择更合适的@@封装@@@@。
NPS4053是一款高密度集成电路@@(IC),凭借小巧的@@尺寸提供@@优异的@@系统保护性能@@,可帮助提高@@系统可靠性@@,保障系统安全@@。
实现长达@@10倍电池寿命@@,扩展在物联网@@设备@@中@@的@@应用范围@@
Nexperia的@@600 V IGBT采用稳健@@、经济高效的@@载流子储存沟槽栅场截止@@(FS)结构@@,在最高@@175℃的@@工作温度下可提供@@超低导通和@@开关损耗性能与@@高耐用性@@
本文介绍@@Nexperia(安世半导体@@)如何将先进的@@器件结构@@与@@创新工艺技术@@结合在一起@@,以进一步提高@@@@ SiC 肖特基二极管的@@性能@@。
Nexperia的@@新产品包括五款额定电压为@@650 V的@@E-mode GaN FET(RDS(on)值介于@@80 mΩ至@@190 mΩ之间@@),提供@@DFN 5x6 mm和@@DFN 8x8 mm两种封装@@@@