MOSFET是一种在@@模拟电路和@@数字电路中都应用的@@非常广泛的@@一种场效晶体管@@@@。三极管@@@@也成为双极型晶体管@@@@，他能够控制电流@@的@@的@@流动@@，将较小@@的@@信号放大成为幅值较高的@@电信号@@。MOSFET和@@三极管@@@@@@都有@@ON状态@@，那么在@@处于@@ON状态@@时@@@@，这两者有什么区别呢@@@@？
MOSFET和@@三极管@@@@@@，在@@ON状态@@时@@@@，MOSFET通常用@@Rds，三极管@@@@通常用@@饱和@@@@Vce。那么是否存在@@能够反过来的@@情况@@，三极管@@@@用饱和@@@@@@Rce，而@@MOSFET用饱和@@@@Vds呢@@？
三极管@@@@ON状态@@时@@@@工作于饱和@@区@@，导通电流@@@@Ice主要由@@@@Ib与@@Vce决定@@，由@@于三极管@@@@的@@基极驱动电流@@@@Ib一般不能保持恒定@@，因@@而@@@@Ice就不能简单的@@仅由@@@@Vce来决定@@@@，即不能采用饱和@@@@@@Rce来表示@@@@(因@@Rce会变化@@)。由@@于饱和@@状态@@下@@@@Vce较小@@，所以@@三极管@@@@一般用饱和@@@@@@Vce表示@@。
MOS管@@在@@@@ON状态@@时@@@@工作于线性区@@(相当@@于三极管@@@@的@@饱和@@区@@)，与@@三极管@@@@相似@@，电流@@Ids由@@Vgs和@@Vds决定@@，但@@MOS管@@的@@驱动电压@@Vgs一般可保持不变@@，因@@而@@@@Ids可仅受@@Vds影响@@，即在@@@@Vgs固定的@@情况下@@，导通阻抗@@Rds基本保持不变@@，所以@@MOS管@@采用@@Rds方式@@。
电流@@可以双向流过@@MOSFET的@@D和@@S，正是@@MOSFET这个突出的@@优点@@，让同步整流中没有@@DCM的@@概念@@，能量可以从输入传递到输出@@，也可以从@@输出返还给输入@@。能实现能量双向流动@@。
接下来我们往深入一点来进行讨论@@，
第一点@@、MOS的@@D和@@S既然可以互换@@，那为什么又定义@@@@DS呢@@？
对@@于@@IC内部的@@@@MOS管@@，制造时@@肯定是完全对@@称的@@@@，定义@@D和@@S的@@目的@@是为了讨论电流@@流向和@@计算的@@时@@候方便@@。
第二点@@、既然定义@@@@D和@@S，它们到底有何区别呢@@@@？
对@@于@@功率@@MOS，有时@@候会因@@为特殊的@@应用@@，比如@@耐压或@@者别的@@目的@@@@，在@@NMOS的@@D端做一个轻掺杂区耐压@@，此时@@@@D,S会有不同@@。
第三点@@、D和@@S互换之后@@@@，MOS表现出来的@@特性@@，跟原来有何不同呢@@@@？比如@@Vth、弥勒效应@@、寄生电容@@、导通电阻@@、击穿电压@@Vds。
DS互换后@@，当@@Vgs=0时@@，只要@@Vds>0.7V管@@子也可以导通@@,而@@换之前@@不能@@。当@@Vgs>Vth时@@，反型层沟道已形成@@，互换后@@两者特性相同@@。
D和@@S的@@确定@@
我们只是说电流@@可以从@@D--to--S ，也可以从@@S----to---D。但@@是并不意味着@@：D和@@S 这两个端子的@@名字可以互换@@。
DS沟道的@@宽度是靠@@GS电压控制的@@@@。当@@G固定了@@，谁是@@S就唯一确定了@@。
如果将上面确定为@@S端的@@@@，认为是@@D。
将原来是@@D的@@认为是@@@@S ，并且给@@G和@@这个@@S施加电压@@，结果沟道并不变化@@，仍然是关闭的@@@@。
当@@Vgs没有到达@@Vth之前@@，通过驱动电阻@@R对@@Cgs充电@@，这个阶段的@@模型就是简单的@@@@RC充电@@过程@@。
当@@Vgs充到@@Vth之后@@，DS导电沟道开始开启@@，Vd开始剧烈下降@@。按照@@I=C*dV/dt,寄生电容@@Cgd有电流@@流过@@ 方向@@：G-->D。按照@@G接点@@KCL Igd电流@@将分流@@IR，大部分驱动电流@@转向@@Igd，留下小部分继续流到@@Cgs。因@@此@@，Vgs出现较平坦变化的@@一小段@@。这就是@@miler平台@@。
本篇文章主要介绍了在@@@@ON状态@@下@@，MOSFET和@@三极管@@@@@@的@@区别@@。并对@@其中的@@一些细节进行了深入的@@分析和@@讲解@@。希望大家在@@阅读过本篇文章之后@@能对@@着两种晶体管@@在@@@@@@ON状态@@下@@的@@区别的@@有所了解@@。
转载自@@：电源研发精英圈@@