村田制作所的高容量密度硅电容器采用半导体@@MOS工艺开发@@，并使用三维技术@@来大幅增加电容器表面积@@，从而在不增加电容器占位面积的情况下@@，尽可能增加电容量@@。Murata硅技术@@是基于嵌在单晶基材中的单片结构@@（单层@@MIM和多层@@MIM -- 金属绝缘体金属@@）。
更小尺寸@@，更高性能@@
这种先进的@@3D拓扑结构可在惊人的@@100 μm厚度内实现相当于@@80层陶瓷层的有效容值@@区域@@（可根据要求提供低容值@@）。 由于其使用了非常线性和低色散的电介质@@，因此在小型化尺寸@@，电容值和电气性能等方面实现了优化@@。
目标细分市场@@
网@@络@@（RF电源和宽带@@），医疗@@，汽车和通信等需要高可靠性的应用场景@@。
以下视频@@介绍了@@3D硅电容器的用途@@、性能和小型化方面等主要优势@@