judy -- 周二@@, 11/20/2018 - 09:38 村田的高密度硅电容器@@，通过应用半导体的@@MOS工艺实现三维化@@，大幅增加电容器表面积@@，从而提高@@了基板单位面积的静电容量@@。 利用先进的三维结构@@，不仅薄得惊人@@，只有@@100μm，而且使有效静电容量面积相当于@@80个陶瓷层@@。并且可以根据客户要求生产更薄的产品@@。采用线性低分散电介质缩小体积@@，优化了静电容量值和电气特性@@。
