器件采用@@PowerPAK® 1212‑8S封装@@，导通电阻低至@@0.95 mW，优异的@@@@FOM仅为@@@@29.8 mW*nC
日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号@@：VSH）推@@出多功能新型@@30 V n沟道@@TrenchFET®第五代功率@@MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和@@非隔离拓扑结构功率密度和@@能效@@。Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型@@3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装@@，10 V条件下导通电阻仅为@@@@@@0.95 mW，比上一代产品低@@5 %。此外@@， 4.5 V条件下器件导通电阻为@@@@1.5 mW，而@@4.5 V条件下导通电阻与栅极电荷乘积@@，即@@MOSFET开关应用重要优值系数@@（FOM）为@@29.8 mW*nC，是市场上优值系数最低的@@产品之一@@。
SiSS52DN的@@FOM比上一代器件低@@29 %，从而@@降低导通和@@开关损耗@@，节省功率转换应用的@@能源@@。
SiSS52DN适用于同步整流@@、同步降压转换器@@@@、DC/DC转换器@@、开关柜拓扑结构@@、OR-ring FET低边开关@@，以及服务器@@、通信@@和@@@@RF设备@@电源的@@负载切换@@。MOSFET可提高@@隔离和@@非隔离拓扑结构的@@性能@@，简化设计人员两种电路的@@器件选择@@。
器件经过@@100 % RG和@@UIS测试@@，符合@@RoHS标准@@，无卤素@@。
SiSS52DN现可提供样品并已实现量产@@，供货周@@期为@@@@12周@@。
VISHAY简介@@
Vishay 是全球最大的@@分立半导体和@@无源电子@@@@188足彩外围@@app 系列产品制造商之一@@，这些产品对于汽车@@、工业@@、计算@@、消费@@、通信@@、国防@@、航空航天和@@医疗市场的@@创新设计至关重要@@。服务于全球客户@@，Vishay承载着科技基因@@——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市@@（VSH）的@@“财富@@1,000 强企业@@”。有关@@Vishay的@@详细信息@@，敬请浏览网@@站@@ www.vishay.com。