MOSFET和@@IGBT等功率半导体作为开关@@188足彩外围@@app 已被广泛应用于各种电源应用和@@电力线路中@@@@。其中@@@@，SiC MOSFET在近年来@@的应用速度与日俱增@@，它的工作速度非常快@@@@，以至于开关时的电压和@@电流的变化已经无法忽略@@SiC MOSFET本身的封装电感和@@外围电路@@的布线电感的影响@@。特别是@@栅极@@@@-源极间电压@@，当@@SiC MOSFET本身的电压和@@电流发生变化时@@，可能会发生意想不到的正浪涌或@@负浪涌@@，需要对此采取对策@@。
在本文中@@@@，我们将对相应的对策进行探讨@@。
什么是栅极@@@@－源极电压@@产生的浪涌@@？
下面的电路@@图@@是在桥式结构中@@使用@@SiC MOSFET时最简单的同步升压@@@@（Boost）电路@@。在该电路@@中@@@@，高边@@（以下称@@“HS”）SiC MOSFET与低边@@（以下称@@“LS”）SiC MOSFET的开关同步进行开关@@。当@@LS导通@@时@@，HS关断@@，而当@@@@LS关断@@时@@，HS导通@@，这样交替导通@@和@@关断@@@@。
由于这种开关工作@@，受开关侧@@LS电压和@@电流变化的影响@@，不仅在开关侧的@@LS产生浪涌@@，还会在同步侧的@@HS产生浪涌@@。
下面的波形@@图@@表示该电路@@中@@@@LS导通@@时@@和@@关断@@时@@的漏极@@@@－源极电压@@（VDS）和@@漏极@@电流@@（ID）的波形@@，以及@@栅极@@@@－源极电压@@（VGS）的动作@@。横轴表示时间@@，时间范围@@Tk（k=1～8）的定义如下@@：
T1: LS导通@@、SiC MOSFET电流变化期间@@
T2: LS导通@@、SiC MOSFET电压变化期间@@
T3: LS导通@@期间@@
T4: LS关断@@、SiC MOSFET电压变化期间@@
T5: LS关断@@、SiC MOSFET电流变化期间@@
T4～T6: HS导通@@之前的死区时间@@
T7: HS导通@@期间@@（同步整流期间@@）
T8: HS关断@@、LS导通@@之前的死区时间@@
在栅极@@@@－源极电压@@VGS中@@，发生箭头所指的事件@@@@（I）～（IV）。每条虚线是没有浪涌的原始波形@@。这些事件@@是由以下因素引起的@@：
事件@@(I)、(VI) → 漏极@@电流的变化@@（dID/dt）
事件@@(II)、(IV) →漏极@@－源极电压@@的变化@@（dVDS/dt）
事件@@(III)、(V) →漏极@@－源极电压@@的变化@@结束@@
在这里探讨的@@“栅极@@-源极电压@@产生的浪涌@@”就是指在这些事件@@中@@尤其影响工作的@@LS导通@@时@@HS发生的事件@@@@（II）以及@@ LS关断@@时@@HS发生的事件@@@@（IV）。
关键要点@@
・近年来@@，SiC MOSFET被越来越多地用于电源和@@电力线路中@@的开关应用@@，SiC MOSFET工作速度非常快@@，快到已经无法忽略由于@@SiC MOSFET其自身封装电感和@@外围电路@@布线电感带来的影响@@。
・因此@@，特别是@@SiC MOSFET，可能会在栅极@@@@@@-源极间电压@@中@@产生意外的浪涌@@，需要对此采取对策@@。