Integra今天推出业界首创的@@@@100V射频氮化镓@@(GaN)/碳化硅@@(SiC)技术@@，此技术@@适用的@@应用领域非常广泛@@，包括雷达@@、航空电子@@@@、电子@@战@@、工业@@、科研和医疗系统@@。在@@100V工作时@@，此项技术@@通过单个氮化镓晶体管即可实现@@3.6千瓦@@(kW)的@@输出功率@@@@，打破了射频功率的@@性能屏障@@。与更常见的@@@@50V/65V氮化镓技术@@相比@@，Integra的@@100V氮化镓技术@@使设计师能够大幅提高@@系统的@@功率水平和功能@@，同时还能采用更低功率的@@组合电路来简化系统架构@@。客户最终可以受益于更小的@@系统占用空间@@和更低的@@系统成本@@。
Integra总裁兼首席执行官@@Suja Ramnath表示@@：“Integra的@@100V射频氮化镓@@技术@@@@的@@问世是高功率市场的@@一个重要里程碑@@。此项创新技术@@可以消除目前限制系统性能的@@障碍@@，并支持采用以前无法实现的@@新架构@@。我们很高兴这种颠覆性技术@@将使我们的@@客户能够提供新一代高性能@@、多千瓦@@射频功率解决方案@@，同时减少他们的@@设计周期时间和降低产品成本@@。”
航空航天与国防雷达系统架构师@@、技术@@主管@@Mahesh Kumar博士表示@@@@：“市场首创的@@@@Integra 100V射频氮化镓@@技术@@@@将彻底重新定义高功率射频系统的@@可能性@@。”此项技术@@与单个封装的@@@@50V氮化镓晶体管相比@@，可以提供约为其两倍的@@功率@@，因此可以去除大量的@@合成器和相关的@@电子@@电路@@，从而缩小系统体积@@，减轻重量@@和降低成本@@，同时提高@@系统效率@@@@。
Integra的@@首款@@100V射频氮化镓@@产品是@@IGN1011S3600，专为航空电子@@@@应用而设计@@。IGN1011S3600输出功率@@为@@3.6千瓦@@，增益@@19dB，效率@@70%，在@@业界领先@@。IGN1011S3600基于@@Integra的@@100V射频氮化镓@@技术@@@@，对于需要改进尺寸@@、重量@@、功率和成本@@(SWAP-C)的@@项目来说@@，是一款极具吸引力的@@解决方案@@。可以向具有资质的@@客户提供@@IGN1011S3600 100V射频氮化镓@@/碳化硅@@产品的@@样品@@。
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器件型号@@ |
IGN1011S3600 |
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频率范围@@ |
1030-1090 MHz |
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输出功率@@ |
3600W |
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效率@@ |
70% |
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大信号增益@@@@ |
19 dB |
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漏极偏压@@ |
100V |
关于@@INTEGRA TECHNOLOGIES, INC.
Integra成立于@@1997年@@，是射频和微波高功率半导体和放大器模块解决方案的@@领先创新者@@，其解决方案适用于众多任务关键型应用领域@@，包括先进的@@雷达@@、电子@@战@@和高级通信系统@@。欲了解更多信息@@，请访问@@www.integratech.com。