一文认识晶体管的@@逆向电流@@、封装功率@@、频率特性@@

judy -- 周四@@, 08/05/2021 - 14:18

关于晶体管@@ON时的@@逆向电流@@

在@@NPN晶体管中@@，基极@@ (B) 被偏置为@@正@@，集电极@@@@ (C) 被偏置为@@负@@，由发射极@@ (E) 流向@@C的@@是逆电流@@。

电极@@

1. 不用担心劣化和@@损坏@@，在@@使@@用上是没有问题的@@@@

2. NPN-Tr的@@B和@@C对称@@、和@@E极同样是@@N型@@。
也就是说@@，逆接@@C、E也同样有晶体管的@@功效@@。即@@电流由@@E→C流动@@。

电极@@

3. 逆向晶体管有如下特点@@。

  • hFE低@@（正向约@@10%以下@@）
  • 耐压低@@@@ (7 to 8Ｖ 与@@VEBO一样低@@@@)
    ↑通用@@TR的@@情况@@，除此之外@@，还有@@5V以下@@
    (突破此耐压范围@@，会发生@@hFE低@@下等特性的@@劣化@@，请注意@@。)
  • VCE(sat)及@@VBE(ON)的@@特性没有太大的@@变化@@

关于封装功率@@容许功@@

定义@@：是指由于输入晶体管的@@电压@@、电流产生的@@功耗在@@@@188足彩外围@@app 发热时@@，结温@@Tj为@@绝对最大额定值限定的@@温度@@(Tj＝150°C)时的@@功率@@。

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这里@@，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定@@时的@@设定值或@@测定@@结果直接得出@@，但是@@只有@@Tj不能直接得出@@。因此@@，如下列出使@@用@@VBE的@@测试方法@@。

VBE测定@@法@@ 硅晶体管的@@情况@@下@@@@ 基极@@-发射极间电压@@：VBE根据温度变化@@。

热电阻测量电路@@

图@@1. 热电阻测量电路@@

由此@@，通过测定@@@@VBE，可以推测结温@@@@。
通过图@@@@1的@@测定@@电路@@，对晶体管输入封装功率@@@@：PC(max)。
(假设@@1W晶体管的@@情况@@下@@，输入条件为@@@@VCB=10V IE=100mA)

如图@@@@2:

  • 测定@@VBE的@@初始值@@VBE1
  • 对晶体管输入功率@@，使@@PN结热饱和@@@@
  • VBE的@@后续值@@：测定@@VBE2

从这个结果得出@@△VBE=VBE2-VBE1。

这里@@，硅晶体管根据温度具有一定的@@温度系数@@。约为@@@@ー2.2mV/ºC。
（达林顿晶体管为@@@@ー4.4mV/ºC）
因此@@，根据由输入功率得出@@△VBE，可以由以下@@算式得出上升的@@结温@@@@。

图@@2. 进度表@@

图@@2. 进度表@@

fT：增益带宽积@@、截止频率@@

fT：增益带宽积@@指晶体管能够动作的@@极限频率@@。
所谓极限@@，即@@基极@@电流对集电极@@@@电流的@@比为@@@@1（即@@hFE=1）的@@情况@@。

频率特效@@

提高@@基极@@输入频率@@，hFE变低@@@@。
这时@@，hFE为@@1时的@@频率叫做@@fT（增益带宽积@@）。
fT指在@@该频率下能够工作的@@极限值@@。
但是@@，实际使@@用时能够动作的@@只有@@fT值的@@@@1/5 to 1/10左右@@。

测定@@条件如下@@
f： 根据测定@@装置而定@@。为@@测定@@的@@标准频率@@。
VCE：任意设定@@。我公司为@@一般值@@。
IC：任意设定@@。我公司为@@一般值@@。

文章来源@@：罗姆@@

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