知道并理解@@！MOSFET特性@@

关于@@MOSFET的@@寄生容量@@和温度特性@@@@@@

MOSFET的@@静电容量@@@@

功率@@MOSFET在构造上@@，如图@@@@1存在寄生容量@@@@。
功率@@MOSFET在构造上@@，如图@@@@1存在寄生容量@@@@ MOSFET的@@G (栅极@@) 端子和其他的@@电极间由氧化膜绝缘@@，DS (漏极@@、源极@@) 间形成@@PN接合@@，成为@@内置二极管构造@@。C_gs, C_gd容量@@根据氧化膜的@@静电容量@@@@@@、C_ds根据内置二极管的@@接合@@容量@@决定@@。

图@@1: MOSFET的@@容量@@模型@@

一般而言@@MOSFET规格书上记载@@的@@是表@@@@1中的@@@@C_iss/C_oss/C_rss三类@@。

表@@1 MOSFET的@@容量@@特性@@@@

容量@@特性@@如图@@@@@@2所示@@，对@@DS (漏极@@、源极@@) 间电压@@V_DS存在依赖性@@。V_DS大则容量@@值@@小@@。

图@@2: 容量@@ - V_DS 依存性@@

温度特性@@@@

实测例见图@@@@(1) ~ (3)所示@@
关于@@容量@@特性@@的@@温度依存性@@几乎没有差异@@。

图@@3: 容量@@温度特性@@@@@@

关于@@MOSFET的@@开关及其温度特性@@@@@@

关于@@MOSFET的@@开关时@@间@@

栅极@@电压@@ON/OFF之后@@，MOSFET才@@ON/OFF。这个延迟时@@间为@@开关时@@间@@。开关时@@间如表@@@@1所示@@种类@@，一般而言@@，规格书上记载@@t_d(on)/ t_r/ t_d(off)/ t_f。

ROHM根据图@@@@2电路的@@测定值@@决定规格书的@@@@typ.值@@。

表@@1: MOSFET的@@SW特性@@

温度特性@@@@

实测例如图@@@@@@3(1)~(4)所示@@。
温度上升的@@同时@@开关时@@间略微增加@@，但是@@100°C上升时@@增加@@10%成左右@@，几乎没有开关特性@@的@@温度依存性@@@@。

图@@3: 开关温度特性@@@@@@

关于@@MOSFET的@@V_GS(th)(界限値@@)

关于@@MOSFET的@@V_GS(th)

MOSFET开启时@@@@，GS (栅极@@、源极@@) 间需要的@@电压称为@@@@V_GS(th)（界限值@@@@)。
即输入@@界限值@@@@以上的@@电压时@@@@MOSFET为@@开启状态@@。
那么@@MOSFET在开启状态时@@能通过多少@@A电流@@？针对@@每个@@188足彩外围@@app ，在规格书的@@电气特性@@栏@@里分别有记载@@。

表@@1为@@规格书的@@电气特性@@栏@@示例@@。该情况下@@，输入@@V_DS=10V时@@，使@@1mA电流@@通过@@I_D所需的@@栅极@@界限值@@@@电压@@I_D(th)为@@1.0V to 2.5V。

表@@1: 规格书的@@电气特性@@栏@@

I_D-V_GS特性@@和温度特性@@@@@@

I_D-V_GS特性@@和界限值@@@@温度特性@@@@@@的@@实测例如图@@@@@@@@1、2所示@@。
如图@@@@1，为@@了通过绝大部分电流@@@@，需要比较大的@@栅极@@电压@@@@。
表@@1所记载的@@机型@@，其规格书上的@@界限值@@@@为@@@@2.5V以下@@，但是@@为@@@@4V驱动产品@@。
使@@用时@@请输入@@使@@其充分开启的@@栅极@@电压@@@@。

如图@@@@2，界限值@@@@随温度而下降@@。
通过观察界限值@@@@电压变化@@，能够计算@@188足彩外围@@app 的@@通道温度@@。

           图@@1: I_D-V_GS特性@@                                                          图@@2: 界限值@@@@温度特性@@@@@@

文章来源@@：罗姆@@