知道并理解@@!MOSFET特性@@

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关于@@MOSFET的@@寄生容量@@和温度特性@@@@@@

MOSFET的@@静电容量@@@@

功率@@MOSFET在构造上@@,如图@@@@1存在寄生容量@@@@。
功率@@MOSFET在构造上@@,如图@@@@1存在寄生容量@@@@ MOSFET的@@G (栅极@@) 端子和其他的@@电极间由氧化膜绝缘@@,DS (漏极@@、源极@@) 间形成@@PN接合@@,成为@@内置二极管构造@@。Cgs, Cgd容量@@根据氧化膜的@@静电容量@@@@@@、Cds根据内置二极管的@@接合@@容量@@决定@@。

图@@1: MOSFET的@@容量@@模型@@

图@@1: MOSFET的@@容量@@模型@@

一般而言@@MOSFET规格书上记载@@的@@是表@@@@1中的@@@@Ciss/Coss/Crss三类@@。

表@@1 MOSFET的@@容量@@特性@@@@

表@@1 MOSFET的@@容量@@特性@@@@

容量@@特性@@如图@@@@@@2所示@@,对@@DS (漏极@@、源极@@) 间电压@@VDS存在依赖性@@。VDS大则容量@@值@@小@@。

图@@2: 容量@@ - VDS 依存性@@

图@@2: 容量@@ - VDS 依存性@@

温度特性@@@@

实测例见图@@@@(1) ~ (3)所示@@
关于@@容量@@特性@@的@@温度依存性@@几乎没有差异@@。

图@@3: 容量@@温度特性@@@@@@

图@@3: 容量@@温度特性@@@@@@

关于@@MOSFET的@@开关及其温度特性@@@@@@

关于@@MOSFET的@@开关时@@间@@

栅极@@电压@@ON/OFF之后@@,MOSFET才@@ON/OFF。这个延迟时@@间为@@开关时@@间@@。开关时@@间如表@@@@1所示@@种类@@,一般而言@@,规格书上记载@@td(on)/ tr/ td(off)/ tf

ROHM根据图@@@@2电路的@@测定值@@决定规格书的@@@@typ.值@@。

表@@1: MOSFET的@@SW特性@@

表@@1: MOSFET的@@SW特性@@

开关波形@@

温度特性@@@@

实测例如图@@@@@@3(1)~(4)所示@@。
温度上升的@@同时@@开关时@@间略微增加@@,但是@@100°C上升时@@增加@@10%成左右@@,几乎没有开关特性@@的@@温度依存性@@@@。

图@@3: 开关温度特性@@@@@@

图@@3: 开关温度特性@@@@@@

关于@@MOSFET的@@VGS(th)(界限値@@)

关于@@MOSFET的@@VGS(th)

MOSFET开启时@@@@,GS (栅极@@、源极@@) 间需要的@@电压称为@@@@VGS(th)(界限值@@@@)。
即输入@@界限值@@@@以上的@@电压时@@@@MOSFET为@@开启状态@@。
那么@@MOSFET在开启状态时@@能通过多少@@A电流@@?针对@@每个@@188足彩外围@@app ,在规格书的@@电气特性@@栏@@里分别有记载@@。

表@@1为@@规格书的@@电气特性@@栏@@示例@@。该情况下@@,输入@@VDS=10V时@@,使@@1mA电流@@通过@@ID所需的@@栅极@@界限值@@@@电压@@ID(th)为@@1.0V to 2.5V。

表@@1: 规格书的@@电气特性@@栏@@

表@@1: 规格书的@@电气特性@@栏@@

ID-VGS特性@@和温度特性@@@@@@

ID-VGS特性@@和界限值@@@@温度特性@@@@@@的@@实测例如图@@@@@@@@1、2所示@@。
如图@@@@1,为@@了通过绝大部分电流@@@@,需要比较大的@@栅极@@电压@@@@。
表@@1所记载的@@机型@@,其规格书上的@@界限值@@@@为@@@@2.5V以下@@,但是@@为@@@@4V驱动产品@@。
使@@用时@@请输入@@使@@其充分开启的@@栅极@@电压@@@@。

如图@@@@2,界限值@@@@随温度而下降@@。
通过观察界限值@@@@电压变化@@,能够计算@@188足彩外围@@app 的@@通道温度@@。

图@@1: ID-VGS特性@@ 图@@2: 界限值@@@@温度特性@@@@@@

           图@@1: ID-VGS特性@@                                                          图@@2: 界限值@@@@温度特性@@@@@@

文章来源@@:罗姆@@

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