什么是导通电阻@@@@？

MOSFET工作@@（启动@@）时@@，漏极和源极间的阻值称为导通电阻@@@@ （RDS(ON)）。数值越小@@@@，工作@@时@@的损耗@@（功率@@损耗@@）越小@@。

关于导通电阻@@的电气特性@@

晶体管的消耗功率@@用@@集电极饱和电压@@@@ （V_CE(sat)） 乘以集电极电流@@@@（I_C）表示@@。

（集电极损耗@@P_C））＝（集电极饱和电压@@V_CE(sat) ）x（集电极电流@@I_C）

MOSFET的消耗功率@@是用@@漏极源极间导通电阻@@@@ （R_DS(ON)） 计算@@。

MOSFET消耗的功率@@@@P_D用@@MOSFET自身具有的导通电阻@@乘以漏极电流@@@@（I_D)的平方表示@@@@。

（功率@@P_D）＝（导通电阻@@R_DS(ON) ） x （漏极电流@@I_D）²

此功率@@将变成热量散发出去@@。

MOSFET的导通电阻@@一般@@在@@Ω极以下@@，与一般@@的晶体管相比@@，消耗功率@@小@@。即发热小@@，散热对策简单@@。

如左上图所示@@，栅极源极间电压越高@@，导通电阻@@越小@@@@。另外@@，栅极源极间电压相同的条件下@@，导通电阻@@因电流不同而不同@@。计算@@功率@@损耗@@时@@@@，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流@@@@，选择适合的导通电阻@@@@。

另外@@，如右上图所示@@，导通电阻@@因温度变化而变化@@，因此需要注意这一特性@@。

导通电阻@@比较@@

一般@@MOSFET的芯片尺寸@@（表面面积@@）越大@@，导通电阻@@越小@@@@。
下图显示了不同尺寸的小型封装条件下@@，罗姆@@最小导通电阻@@值的比较@@。
封装尺寸越大@@可搭载的芯片尺寸@@就越大@@@@，因此导通电阻@@越小@@@@@@。
罗姆@@针对各种不同的封装尺寸@@，备@@有低导通电阻@@的产品@@。
选择更大尺寸的封装@@，导通电阻@@会更小@@。

各封装的搜索页请点这里@@

DFN0604 (0.6x0.6mm)

DFN1006 (1.0x0.6mm）

DFN2020 (2.0x2.0mm）

文章来源@@：罗姆@@