三@@极管@@和@@@@MOSFET选型规范@@

一@@、三@@极管@@和@@@@MOSFET器件选型原则@@@@

1、三@@极管@@及@@@@MOSFET分类简介@@@@

类型@@	类型@@细分@@	应用场景@@
三@@极管@@	射频信号三@@极管@@@@	射频开关及@@射频小信号@@放大@@@@
三@@极管@@	普通小信号@@三@@极管@@@@	小信号@@回路开关@@及@@信号放大@@@@
三@@极管@@	功率@@三@@极管@@@@	功率@@回路开关@@，推挽放大@@@@
MOSFET	小信号@@MOSFET	小信号@@回路开关@@
MOSFET	功率@@MOSFET（<=250V）	AC-DC,DC-DC电源模块@@@@
MOSFET	功率@@MOSFET（600V~650V）	AC-DC电源模块@@@@
MOSFET	功率@@MOSFET（800V~1000V）	AC-DC电源模块@@@@，UPS，逆变器@@
MOSFET	功率@@MOSFET（1000V~1700V）	空调压缩机驱动电路@@@@
MOSFET	功率@@MOSFET（SIC）>=600V	AC-DC电源模块@@@@（高效率@@）
MOSFET	功率@@MOSFET（GAN）（100V~600V）	超高频领域@@（1Mhz以@@上@@），更高@@Power density的@@应用领域@@。

（1）三@@极管@@选型原则@@@@

行业发展总趋势为@@@@：小型化@@、表贴化@@，高频化@@，高效率@@化@@，集成化@@，绿色化@@。重点突出小型化@@和@@表贴化@@@@。

近年来@@，随着@@MOSFET的@@发展@@，在@@低功率@@高速开关领域@@，MOSFET正逐步替代@@三@@极管@@@@，行业主流厂家对@@三@@极管@@的@@研发投入也逐年减少@@，在@@芯片技术@@方面基本没有@@投入@@，器件的@@技术@@发展主要体现在@@晶圆工艺的@@升级@@@@（6inch wafer转@@8inch wafer）及@@封装@@小型化@@及@@表贴化@@上@@。另外@@，相对@@普通三@@极管@@@@，RF三@@极管@@的@@主要发展方向是@@低压电压供电@@，低噪声@@，高频及@@高效@@。

选型原则@@如@@下@@@@：

1）禁选处于生命周期末期的@@插件封装@@器件@@，如@@TO92；

2）优选行业主流小型化@@表贴器件@@，如@@SOT23，STO323，SOT523等@@，对@@于@@多管应用@@，优先考虑双管封装@@如@@@@SOT363及@@SOT563；

3）对@@于@@开关应用场景@@@@，优先考虑选用@@MOSFET；

4）射频三@@极管@@优选低电压供电@@，低噪声@@，高频及@@高效@@器件@@。

（2）MOSFET选型原则@@

行业技术@@发展总趋势为@@@@：小型化@@、表贴化@@，高频化@@，高功率@@密度化@@，高效率@@化@@，高可靠性@@，集成化@@，绿色化@@。重点突出高频化@@@@，高功率@@密度化@@，高可靠性@@及@@集成化@@@@。

行业技术@@发展趋势主要体现在@@@@MOSFET芯片材料@@，晶圆技术@@@@，芯片技术@@及@@封装@@技术@@的@@演进及@@发展@@。选型原则@@如@@下@@@@：

禁止选用处于生命周期末期的@@插件封装@@器件@@（能源用@@TO220，TO247除外@@）及@@封装@@为@@@@@@SO8，DPAK的@@表贴器件@@。

对@@于@@信号@@MOSFET推荐选用栅极集成@@TVS保护的@@小型化@@表贴器件@@。

1）对@@于@@Vds<=250V的@@功率@@@@MOSFET

单管@@优选行业主流无@@引脚表贴功率@@封装@@@@POWERPAK 5X6及@@POWERPAK3X3，在@@散热不满足要求的@@情况下@@可考虑翼型带引脚表贴封装@@@@D2PAK；

Buck上下@@管集成方案优选下@@管@@sourcing down POWERPAK5X6 dual封装@@；

电源模块@@@@考虑到器件散热问题@@，可选行业主流插件封装@@@@TO220；

对@@于@@缓起及@@热插拔应用@@，选用器件时@@请重点评估器件是@@否工作在@@其@@安全工作区域@@

开关应用需同缓起@@，热插拔及@@@@ORing应用区分选型@@；

超高频领域@@（1MHz以@@上@@），可考虑用@@GANMOS替代@@，从而@@提高@@效率@@降低系统面积@@。

2）对@@于@@Vds介于@@600V~650V的@@高压@@功率@@@@MOSFET，其@@用于@@AC电源模块@@@@优先考虑选用@@@@Vds为@@650V的@@器件@@；

封装@@根据电源模块@@@@散热及@@结@@构设计要求推荐选用表贴器件@@POWERPAK 8X8及@@插件@@TO247，未来还可考虑表贴器件@@POWERPAK5X6；

对@@于@@在@@电路@@中工作频率不高的@@场景如@@当前@@PFC电路@@，优选寄生二@@极管不带快恢复特性的@@@@MOSFET（如@@INFINEON C3，C6，P6系类@@），对@@于@@电路@@中工作频率较高的@@场景如@@@@LLC电路@@，优选寄生二@@极管带恢复特性的@@@@MOSFET（如@@INFINEON CFD系列@@）；

对@@于@@电源效率要求不是@@特别高的@@场景@@，部分@@MOSFET可以@@考虑用高速@@IGBT替换@@，达到降成本的@@目的@@@@。对@@于@@高效模块@@@@，可考虑选用@@SIC MOSFET替代@@传统@@Si MOSFET，达到提升电源工作效率的@@目的@@@@；

对@@于@@Vds高于@@800V的@@MOSFET，如@@果@@Id大@@于@@5A，建议考虑选用@@IGBT，如@@果@@Id小于@@5A，建议选用行业主流封装@@@@TO247，TO220或@@D2PAK；

原则上禁止选用耗尽性@@JFET，如@@遇到特殊电流需使用@@，请在@@行业主流封装@@@@SOT23Z中选择@@。

二@@、三@@极管@@和@@@@MOSFET器件选型关键要素@@@@

1、三@@极管@@选型关键要素@@@@

三@@极管@@在@@电路@@中有@@放大@@和@@开关两种作用@@，目前@@在@@我司的@@电路@@中三@@极管@@主要起开关作用@@。在@@选择三@@极管@@的@@时@@候@@，从以@@下@@@@几个方面进行考虑@@：参数@@、封装@@、性能@@（低压降@@、低阻抗@@、高放大@@倍@@数@@、高开关效率@@）

1）参数@@的@@选择@@：三@@极管@@有@@很多参数@@@@，选型对@@于@@三@@极管@@的@@参数@@没有@@特殊的@@要求@@，需要关注@@的@@参数@@有@@@@Vceo、Vcbo、Vebo、Ic(av)、Pd、Hef。比较重要的@@参数@@是@@@@Vceo、Ic(av)，对@@于@@Vceo的@@值@@@@有@@时@@厂家会给@@Vces的@@值@@@@，不能用@@Vces的@@值@@@@作为@@@@Vceo，因为@@@@Vces=Vcbo>Vceo。如@@果@@器件的@@电压和@@电流值@@在@@降额后@@满足需求@@，Pd可以@@不用过多的@@去考虑@@（三@@极管@@做放大@@用@@、作电压线性转@@化以@@及@@三@@极管@@功率@@比较大@@的@@场合需要考虑@@Pd）。

在@@满足降额规范要求的@@前提下@@@@，考虑输出电流和@@相应的@@耗散功率@@@@，击穿电压大@@小@@，放大@@倍@@数等@@参数@@@@。同时@@@@，应尽量选用热阻@@小@@，允许结@@温高的@@器件@@@@。

2）封装@@：三@@极管@@的@@封装@@的@@发展@@趋势是@@小型化@@@@、表贴化@@、平脚化@@、无@@引脚化@@。

封装@@质量优劣的@@是@@用芯片面积与@@封装@@面积的@@比值@@来判断的@@@@，比值@@越接近@@1越好@@。目前@@三@@极管@@最小封装@@是@@@@sot883（DFN1006-3），优选封装@@有@@@@sot883、sot663、sot23、sot89、sot223、sot666。由于@@三@@极管@@的@@功率@@@@需求越来越小@@，所以@@小封装@@三@@极管@@是@@其@@引进的@@一@@个方向@@，在@@参数@@满足规格的@@前提下@@尽量选择小封装@@@@。

3）性能@@：选择低@@Vce（sat）的@@、低阻抗@@的@@器件@@@@。目前@@NXP、ON、ZETEX等@@均推出了低饱和@@压降的@@器件@@@@，在@@选型时@@可以@@优先考虑@@。

2、MOSFET选型关键要素@@

（1）电压极限参数@@@@

1）漏源击穿电压@@V(BR)DSS

漏源击穿电压@@V(BR)DSS一@@般是@@在@@结@@温@@Tj=25℃下@@，VGS=0V，ID为@@数百@@A下@@的@@@@测试值@@@@，由于@@V(BR)DSS和@@Rds(on)成反比@@，因此@@多数厂家@@MOSFET的@@上限为@@@@1000V。V(BR)DSS与@@温度有@@关@@，Tj上升@@100℃，V(BR)DSS约线性增加@@@@10%。反之@@，Tj下@@降时@@@@，V(BR)DSS以@@相同@@比例下@@降@@。这一@@特性可以@@看作@@MOSFET的@@优点之一@@@@，它保证了内部成千上万个元胞在@@雪崩击穿时@@@@，难以@@使雪崩电流密集于某一@@点而@@导致器件损坏@@@@（不同于功率@@三@@极管@@@@@@）。

2）最大@@额定栅源电压@@VGS

栅源之间@@的@@@@SiO2氧化层很薄@@，因此@@在@@二@@者之间@@加上不高的@@电压就会在@@内部形成很高的@@电场@@，而@@电场超过@@SiO2材料的@@承受能力便发生击穿导致器件失效@@。

最大@@额定栅源电压@@VGS多数厂家资料为@@@@20V，（对@@于@@低驱动电压的@@低压@@MOSFET一@@般为@@@@10V）。目前@@很多厂对@@于@@高驱动电压@@MOSFET已将此极限电压提高@@到@@@@30V。SIC MOSFET则多为@@@@10V~25V间@@，启动电压不对@@称@@，选用时@@需注@@意驱动部分@@的@@设计@@。

（2）影响损耗的@@主要参数@@@@

对@@于@@MOSFET，当频率小于@@@@100KHz时@@，主要是@@导通损耗占的@@比重最大@@@@。因此@@影响损耗的@@主要参数@@@@为@@通态电阻@@Rds(on)。一@@般厂家给出的@@@@Rds(on)值@@，是@@在@@规定的@@@@VGS（如@@10V）ID（一@@般为@@@@标称电流值@@@@）、Tj（一@@般为@@@@25℃）条件下@@的@@@@值@@@@@@。

对@@于@@Rds(on)，有@@以@@下@@@@特性@@：对@@生产厂家来说@@，在@@相同@@设计及@@工艺条件下@@@@，如@@果@@提高@@@@MOSFET的@@Rds(on)值@@，会导致@@Rds(on)升高@@。Rds(on)值@@随着@@结@@温升高@@@@而@@近似线性升高@@@@。其@@结@@果是@@导致损耗增加@@@@，例如@@下@@图@@@@IRF640的@@Rds(on)与@@Tj关系图@@@@，如@@果@@结@@温在@@@@120℃时@@，Rds(on)值@@将是@@@@25℃时@@的@@@@1.8倍@@。因此@@导通损耗@@I2*Rds(on)也将增加@@到@@1.8倍@@；相对@@于@@@@Si MOSFET，SiC MOSFET由于@@其@@禁带宽@@度较@@Si MOSFET宽@@，所以@@其@@温度特性明显优于@@Si MOSFET。在@@150℃的@@条件下@@@@，SIC MOSFET的@@Rds(on)仅仅比在@@@@25℃条件下@@增加@@@@20%。

图@@1  Rds(on)与@@Tj关系图@@@@

与@@VGS的@@关系@@：为@@了将@@Rds(on)降低到最小@@，至少@@VGS要提高@@到@@@@10V（4V驱动的@@产品@@约外加@@5V）才可降到最小@@。此外@@，即使将@@VGS提高@@到@@12V~15V以@@上@@，也不会对@@@@Rds(on)的@@降低起多大@@作用@@（如@@果@@在@@占空比小的@@情况下@@有@@接近或@@超出直流额定电流的@@运用@@，另当别论@@），不必要地增大@@@@这种栅压@@，会加大@@充电电流@@，增加@@驱动损耗@@，并容易在@@栅源间@@发生尖峰电压@@。增加@@栅源击穿的@@失效概率@@。因此@@对@@于@@一@@般的@@@@MOSFET，12V驱动即可@@。

相同@@的@@结@@温下@@@@，随着@@ID增大@@@@，Rds(on)有@@轻微增大@@@@@@。计算功耗@@时@@@@，可以@@忽略该变化@@。在@@实际使用中@@，如@@果@@增大@@@@@@ID值@@，导致发热上升@@@@，那是@@因为@@@@散热条件@@（热阻@@）不变@@，ID增加@@，功耗@@P= I2* Rds(on)增加@@，结@@温升高@@@@，Rds(on)随之升高@@@@，进一@@步加大@@功耗@@@@。

另外@@，当频率超过@@100KHz后@@，开关损耗所占的@@比例不能忽视@@，这时@@就必须注@@意@@器件本身的@@栅极电荷@@@@Qg，输出电容@@Coss，以@@及@@栅极驱动电阻对@@开关损耗的@@影响@@。特别是@@通态电阻越小的@@@@MOSFET，通常其@@元胞密度就越大@@@@，因此@@Qg、Coss就会越大@@@@，这就会增大@@@@开关损耗@@。

近来@@，由于@@MOSFET的@@应用频率进一@@步提高@@@@，在@@低压大@@电流的@@@@MOSFET生产上@@，还需注@@意从工艺设计上改善@@MOSFET内部寄生的@@@@Rg，以@@降低@@MOSFET的@@开关损耗@@，提高@@应用频率@@（或@@提高@@电流@@）

（3）电流处理能力参数@@@@

限制电流处理能力的@@最终因素是@@最大@@可允许结@@温@@@@（通常厂家规定为@@@@150℃）。一@@般用可持续直流漏极@@电流@@@@ID、额定峰值@@电流@@IDM来表征@@。

1）可持续直流漏极@@电流@@ID

实际可允许最大@@@@ID值@@是@@决定于@@Rds(on)、结@@-壳热阻@@@@RJC（它决定于器件的@@芯片封装@@材料及@@工艺水平@@）、最大@@可允许结@@温@@Tj，以@@及@@壳温@@Tc等@@机构参数@@@@。它们满足一@@下@@公式@@：I2* Rds(on)*Rjc=Tjmax-Tc

其@@中@@Rds(on)、Rjc、Tjmax由器件本身的@@特性决定@@，Tc则与@@设计有@@关@@，如@@散热条件@@、功耗@@等@@@@（注@@：可允许最大@@漏极@@功耗@@@@Pd= I2*Rds(on)=(Tjmax-Tc)/Rjc）。一@@般厂家资料给出的@@是@@壳温下@@的@@@@@@ID值@@，另外@@有@@些厂家还给出了最大@@@@ID和@@Tc之间@@的@@关系@@曲线@@。

图@@2  ID与@@Tc关系图@@@@

以@@IRF640为@@例@@，电流标称值@@为@@@@@@18A（Tc=25℃下@@），其@@ID和@@Tc的@@关系@@如@@上图@@@@@@。由图@@可见@@，当壳温有@@@@25℃变到@@125℃时@@，可见最大@@直流漏极@@电流由@@18A下@@降到@@8A。必须注@@意@@，Tc=25℃下@@的@@@@ID仅仅具有@@参考意义@@（可以@@进行不同管子之间@@的@@比较@@），因为@@@@它是@@假定散热条件足够的@@好@@，外壳温度始终为@@@@25℃（在@@实际应用中@@，根本不可能@@），从而@@根据公式@@I2* Rds(on)*Rjc=Tjmax-Tc推算出来的@@@@。但在@@实际应用情况下@@@@，由于@@环境温度和@@实际散热条件的@@限制@@，壳温通常远远大@@于@@@@25℃，且最高结@@温通常要保持在@@@@20℃以@@上@@的@@降额@@。因此@@，可允许直流漏极@@电流必须随温度升高@@而@@降额使用@@。

2）额定峰值@@电流@@IDM

如@@果@@电流脉冲或@@占空比较小时@@@@，则允许其@@超过@@ID值@@，但其@@脉冲宽@@度或@@占空比需要受到最大@@可允许结@@温@@的@@限制@@。一@@般厂家资料规定@@25℃下@@的@@@@额定峰值@@电流@@@@IDM值@@为@@@@ID值@@的@@四倍@@@@，并且是@@在@@@@VGS=20V下@@得到的@@@@。

（4）与@@栅极驱动有@@关的@@参数@@@@

由于@@在@@@@G、D、S各极之间@@存在@@不可避免的@@寄生电容@@@@。因此@@，在@@驱动时@@@@，该电容器有@@充放电电流和@@充放电时@@间@@@@，这便是@@驱动损耗@@、开关损耗产生的@@根本原因@@。器件的@@开关特性通常以@@@@Qg来衡量@@。

1）输入电容@@Ciss、反向传输电容@@Crss、输出电容@@Coss

由于@@在@@@@G、D、S各极之间@@存在@@不可避免的@@寄生电容@@@@，因此@@，在@@驱动时@@@@，改电容器有@@充放电电流和@@充放电时@@间@@@@，这便是@@驱动损耗@@、开关损耗产生的@@根本原因@@。器件的@@开关特性通常以@@@@Qg来衡量@@。

图@@3  MOSFET寄生电容@@

如@@上图@@@@，Ciss=Cgd+Cgs，Crss=Cgd，Coss=Cds+Cgd

2）总的@@栅极电荷@@@@Qg

它表示在@@开通过程中要达到规定的@@栅极电压所需要的@@充电电荷@@。是@@在@@规定的@@@@VDS、ID及@@VGS（一@@般为@@@@10V）条件下@@测得的@@@@。

由于@@弥勒效应的@@存在@@@@，Cgd虽然比@@Cgs小很多@@，但在@@驱动过程中它起的@@作用最大@@@@，因此@@客观来讲@@，考察@@MOSFET的@@Qg比考察@@@@Ciss等@@来得更为@@准确一@@些@@。

另外@@还有@@栅极电荷@@@@Qge、栅极电荷@@（弥勒电荷@@）Qgd两个参数@@@@。

如@@下@@图@@以@@@@IRF640为@@例@@，示意它们的@@波形@@。

图@@4  栅极电荷@@与@@@@VG

3）栅极电阻@@Rg，开通延迟时@@间@@@@td(on)、上升@@时@@间@@@@tr、关断延迟时@@间@@@@td(off)、下@@降时@@@@间@@@@tf

同样描述的@@是@@器件的@@开关性能@@@@，同时@@@@关系到器件的@@驱动损耗@@。其@@具体值@@与@@测试条件密切相关@@。比较不同的@@管子时@@尤其@@要引起注@@意@@。否则容易为@@厂家所误导@@。

（5）与@@可靠性有@@关的@@参数@@@@

1）最大@@可允许结@@温@@Tjmax

这是@@可靠性最为@@重要的@@参数@@@@，对@@MOSFET，一@@般厂家都标为@@@@150℃，也有@@@@125℃和@@175℃的@@特殊半导体器件@@。

2）雪崩额定值@@@@

由于@@漏感和@@分布电感以@@及@@关断时@@的@@@@@@di/dt，可能会产生电压尖峰从而@@强制@@MOSFET进入雪崩击穿区@@，VDS被钳制在@@实际的@@击穿电压点@@，但如@@果@@进入雪崩击穿区@@的@@实际很短@@，能量很小@@，器件本身则可以@@将其@@消耗掉而@@不至于损坏@@@@。

有@@三@@个参数@@能表征这一@@特性@@，即可允许单次脉冲雪崩能量@@EAS、可允许重复脉冲雪崩能量@@EAS（脉宽@@受到最大@@结@@温限制@@）、发生雪崩时@@的@@@@初始最大@@雪崩电流@@IAR。雪崩能量额定值@@随结@@温升高@@@@而@@显著下@@降@@，随发生雪崩时@@起始电流的@@增加@@而@@下@@降@@。

如@@果@@器件工作时@@有@@雪崩情况@@，注@@意在@@老化工程中@@，由于@@结@@温会相应升高@@@@，雪崩能力会相应下@@降@@，如@@果@@下@@降到@@一@@定程度则有@@可能是@@器件损坏@@@@，并且这种损坏@@通常只呈现一@@定的@@比例@@。（当然也有@@@@可能是@@其@@它原因引起@@MOSFET损坏@@，如@@变压器在@@高温大@@电流下@@的@@@@磁饱和@@@@）

3）栅极漏电流@@IGSS、漏极@@断态漏电流@@IDSS

这两个参数@@@@在@@具体设计时@@可能用不到@@，但它限制了器件内部工艺@@、材料的@@好坏@@，其@@值@@尽管可能是@@小到@@mA级@@或@@@@uA级@@，但比较器件时@@@@，通过测试它随电压变化@@（尤其@@是@@高温下@@@@）的@@情况也可以@@比较判断器件的@@优劣@@。

（6）与@@寄生源漏二@@极管有@@关的@@参数@@@@

在@@某些电路@@可能要运用到体内二@@极管进行续流@@，此时@@则需要考察@@二@@极管的@@参数@@@@。

1）的@@dv/dt值@@

体寄生二@@极管续流时@@@@，少子空穴也参与@@了导电@@，并且浓度很高@@，当二@@极管导通周期结@@束@@，外电路@@使二@@极管反转@@时@@@@，如@@果@@D、S之间@@的@@电压上升@@过快@@，大@@量少子空穴有@@一@@部分@@来不及@@复合掉@@，引起横向流过体区的@@电流@@，该电流在@@@@P+区和@@源区@@N+之间@@形成的@@压降可能使寄生的@@三@@极管@@导通@@，（漏极@@D相当于寄生@@NPN三@@极管@@的@@集电极@@、P+相当于基极@@，源极@@S极相当于发射极@@，基极发射极有@@正向压降@@时@@@@，由于@@dv/dt大@@，电压上升@@快@@，集电极与@@发射极之间@@也有@@@@正电压@@，因此@@寄生三@@极管@@导通@@），电流会密集于第一@@个导通的@@元胞@@，从而@@使器件热击穿损坏@@@@。

2）其@@它参数@@@@

a.反向恢复特性@@，有@@反向恢复电荷@@、反向恢复时@@间@@@@。续流运用时@@要考虑匹配@@。

b.电流电压参数@@@@，有@@正向压降@@VSD，其@@电流参数@@@@IS、ISM与@@ID、IDM相同@@，相对@@于@@@@SI MOSFET，SIC MOSFET的@@寄生二@@极管的@@正向压降@@，这是@@因为@@@@@@SIC的@@拐点电压@@（Knee voltage：point at which diode turn on）是@@Si的@@3倍@@，这非常近似于它们禁带宽@@度的@@比值@@@@，因此@@SIC MOSFET的@@VSD约为@@@@2.5V，而@@Si MOSFET的@@VSD约为@@@@0.8V。

（7）封装@@

封装@@选用主要结@@合系统的@@结@@构设计@@，热设计@@，单板加工工艺及@@可靠性考虑@@，选择具有@@合适封装@@形式及@@热阻@@的@@封装@@@@。常见功率@@@@MOSFET封装@@为@@@@DPAK、D2PAK、PowerPAK 5X6、PowerPAK 3X3、DirectFET、TO220、TO247，小信号@@MOSFET对@@应的@@@@SOT23，SOT323等@@，后@@继引进中主要考虑@@PowerPAK 8X8，PowerPAK SO8 5X6 Dual，PowerPAK 5X6 dual cool，SO8封装@@器件在@@行业属退出@@期器件@@，选型时@@禁选@@，DPAK封装@@器件在@@行业属饱和@@期器件@@，选型时@@限选@@；插件封装@@在@@能源场景应用中优选@@，比如@@@@TO220，TO247。

三@@、附录@@A：厂商@@分析@@

厂商@@	国别@@	简介@@
INFINEON	德国@@	1999年从西门子拆分出来@@，主力提供半导体和@@系统解决方案@@，解决在@@高能效@@、移动性和@@安全性方面带来的@@挑战@@，其@@高压@@功率@@@@MOSFET及@@IGBT技术@@优势明显@@，加上收购了@@IR（IR在@@LV/MV MOS行业技术@@领先且占有@@率第一@@@@），因此@@INFINEON可提供功率@@@@MOSFET及@@IGBT全系列@@产品@@@@，目前@@已收购@@CREE，后@@续在@@@@SIC功率@@器件将占主导地位@@。
三@@菱电机@@ （VINCOTECH）	日本@@	1921年成立@@，综合性企业@@，2012年收购德国@@厂家@@VINCOTECH，非功率@@@@MOSFET厂商@@，其@@在@@@@IGBT模块@@领域有@@完整的@@产业链@@，其@@模块@@主要用于机车牵引领域@@，电动汽车@@，电机控制领域@@。VINCOTECH为@@逆变器@@@@IGBT模块@@主流厂家@@，内部芯片外购@@@@。
ST	意法@@	2000年成立@@，有@@SGS和@@汤姆逊公司合并@@，半导体综合类厂家@@，其@@高压@@功率@@@@MOSFET及@@IGBT单管@@技术@@领先@@，不提供@@IGBT模块@@。
ON	美国@@	1999年成立@@，前身为@@@@motorala半导体元器件部@@，其@@功率@@@@MOSFET以@@中低压@@为@@主@@@@，现收购了@@FSC（中高压@@@@），虽在@@中压部分@@有@@重合@@，但已开始进军高压@@领域@@，2012年起开始发展@@IGBT单管@@及@@@@IGBT模块@@业务@@。
VISHAY	美国@@	1962年成立@@，老牌分立器件厂家@@，其@@中@@低压@@MOSFET行业占有@@率高@@，仅提供如@@@@SOT227封装@@的@@少量模块@@@@，目前@@已有@@部分@@高压@@@@MOS产品@@
RENESAS	日本@@	2003年由三@@菱@@，日立及@@@@NEC合资成立@@，半导体综合厂商@@@@，其@@2013年宣布功率@@@@MOSFET退出@@PC市场@@，目前@@重点发展@@IGBT单管@@。
TOSHIBA	日本@@	1939年成立@@，日本@@最大@@半导体厂商@@@@，其@@功率@@@@MOSFET产品@@系列@@全@@（从高压@@到低压@@），IGBT重点业务在@@单管@@@@，主要市场@@家电@@，封装@@同业界主流不同@@，以@@TO3为@@主@@，后@@续会发展模块@@@@
FUJI	日本@@	1923年由日本@@古河同西门子合资成立@@@@，其@@功率@@@@OSFET产品@@线较窄@@，仅提供部分@@高压@@@@MOS，IGBT/模块@@产业链完整有@@自有@@芯片@@。
IXYS	美国@@	1983年成立@@，功率@@半导体行业技术@@领先公司@@，产品@@主要用于工业@@，其@@功率@@@@MOSFET，IGBT单管@@规格偏@@，且价格高@@
MICROSEMI	美国@@	1995年成立@@，时@@一@@家专注@@高可靠性@@的@@功率@@@@半导体公司@@，自收购@@APT后@@涉足工业及@@通信领域@@，其@@功率@@@@MOSFET/IGBT/模块@@价格高@@，性能@@优势不明显@@，主要做军品@@。
NXP	荷兰@@	2006年成立@@，前身为@@@@飞利浦事业部之一@@@@，半导体综合类公司@@，其@@功率@@@@MOSFET产品@@聚焦在@@@@100V以@@下@@@@，高压@@MOSFET，IGBT及@@IGBT模块@@
PANASONIC	日本@@	1918年成立@@，是@@日本@@最大@@的@@电机制造商@@，分立器件产品@@线管@@，功率@@MOSFET以@@中低为@@主@@@@，无@@IGBT/模块@@，功率@@GaN FET行业领先@@
ROHM	日本@@	1958年成立@@，综合类半导体公司@@，尤其@@擅长器件小型化@@@@，MOSFET以@@小信号@@为@@主@@@@，SIC器件行业领先@@@@，IGBT芯片产品@@线较窄@@@@。
SEMIKRON	德国@@	1951年成立@@，专注@@于功率@@半导体模块@@的@@封装@@@@，其@@封装@@技术@@优势明显@@@@，无@@功率@@@@MOSFET，IGBT单管@@，IGBT模块@@产品@@线齐全@@，芯片外购@@
TI	美国@@	1951年成立@@，半导体综合类厂商@@@@，行业地位高@@，功率@@MOSFET以@@中低压@@100V以@@下@@@@为@@主@@@@，无@@IGBT单管@@及@@@@模块@@@@

文章来源@@：硬件十万个为@@什么@@

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