关于@@负载@@开关@@@@ON时@@的@@浪涌电流@@
负载@@开关@@Q1导通瞬间会暂时@@流过比稳态电流大得多的@@电流@@。输出侧的@@负载@@容量@@CL的@@电荷接近零时@@@@，向输出@@VO施加电压的@@瞬间会流过大充电电流@@。
这种流过大电流的@@现象称作浪涌电流@@（Flash Current）。
浪涌电流的@@峰值大体可以通过输入@@电压@@@@VI、MOSFET Q1的@@RDS(on)和负载@@侧负载@@容量@@CL的@@ESR确定@@，输入@@电压@@VIN变大时@@@@，电流也相应变大@@。
浪涌电流显著变大时@@@@@@，有可能会引起误动作和系统问题@@。
而且@@，在超过最大额定电流时@@@@，有导致破坏的@@危险@@。通过与@@MOSFET Q1的@@栅极@@、源极间电阻@@R1并联追加电容器@@C2， 并缓慢降低@@Q1的@@栅极@@电压@@，可以缓慢地使@@RDS(on)变小@@，从@@而可以抑制浪涌电流@@。
负载@@开关@@等效电路图@@
关于@@Nch MOSFET负载@@开关@@ON时@@的@@浪涌电流@@应对措施@@
Nch MOSFET负载@@开关@@等效电路图@@
Nch MOSFET 负载@@开关@@：RSQ020N03
VIN=5V, IO=1A, Q1_1G=1V→12V
Q2 OFF时@@，负载@@SWQ1 ON。（Q1的@@栅极@@电压@@设定在@@VO(VGSQ1)之上@@。）
Q2 ON时@@，负载@@SWQ1 OFF。
Q1 ON时@@，由于@@会流过浪涌电流@@，所以作为应对措施追加@@C2。
关于@@负载@@开关@@@@OFF时@@的@@逆电流@@
即使在负载@@开关@@@@Q1从@@ON到@@OFF时@@，由于@@存在输出侧负载@@容量@@CL，所以输出@@VO引脚的@@电压会残留一定时@@间@@。
输入@@VI侧比输出@@VO侧电压低时@@@@，由于@@MOSFET Q1的@@漏极@@、源极间存在寄生二极管@@，所以有时@@寄生二极管导通会发生从@@输出@@VO侧到@@输入@@@@VIN侧的@@逆电流@@。
要注意@@，不要超过@@MOSFET Q1的@@额定电流值@@。
关于@@输入@@旁路电容器@@CIN的@@容量值@@，请在充分探讨负载@@侧条件@@、上升时@@间后再决定@@。
负载@@开关@@等效电路图@@
文章来源@@：罗姆@@