中国领先的@@存储企业长鑫存储@@@@(CXMT)已经开始准备@@必要设备@@@@，计划制造自己的@@@@HBM高带宽内存@@@@，以满足迫切的@@@@AI、HPC应用需求@@。报道称@@，长鑫已经在向美国@@、日本的@@供应商下单采购制造@@、组装@@、测试@@HBM内存@@的@@必要设备@@@@。
这说明@@，相关开发设计工作已经完成@@，可以转入投产阶段@@。
消息人士称@@，早在@@2023年中@@，Applied Materials、Lam Research等美国设备@@供应商就获得了美国政府的@@许可@@，可以向长鑫出口@@HBM制造设备@@@@。
考虑到@@HBM内存@@需要先进@@、复杂的@@制造和封装技术@@@@，这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破@@。
目前@@，长鑫已经在合肥有了一座@@DRAM内存@@工厂@@，正在筹钱建设第二座@@，会导入更先进的@@工艺@@，有可能会同时用来制造@@HBM。
暂时还不清楚长鑫要生产的@@@@HBM是第几代@@，可能是@@HBM3，而国际上已经有了更先进的@@@@HBM3E，SK海力士还计划在@@2026年抢先投产@@HBM4。
根据规划@@，HBM4将抛弃用了将近十年的@@@@1024-bit位宽@@，首次升级到@@2048-bit位宽@@，并有望堆叠更多层级@@，从而在容量@@、带宽上都实现一次重大飞跃@@。
文章来源@@：快科技@@