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长鑫存储@@准备@@生产@@HBM内存@@ 采购设备@@已获美国批准@@

长鑫存储@@(CXMT)已经开始准备@@必要设备@@@@，计划制造自己的@@HBM高带宽内存@@@@，以满足迫切的@@AI、HPC应用需求@@

日本东芝@@公司宣布@@，开发出了不含金属钴的锂离子电池@@@@，可以显著抑制电池副反应产生的气体@@，从而提升电池性能@@

该芯片在@@智能视觉@@目标识别任务方面的算力可达目前高性能商用芯片的@@3000余倍@@@@，为超高性能芯片的研发开辟全新路径@@。

三星@@公司发布了新款@@ 5000 万@@像素@@ ISOCELL GNK 传感器@@，该传感器@@具有更强的视频@@拍摄能力和更宽的静态动态范围@@

芬兰阿尔托大学的工程师们已经开发出一种经改进的长距离无线充电@@方法@@。通过增强发射和接收天线之间的相互作用@@

2023-11-02 | 无线充电@@

该芯片采用@@8核@@CPU，拥有@@8采样通道@@、9Bit采样深度@@，采样率达@@1GHz，号称@@“功耗降低@@50%，延迟降低@@30%，每秒@@点云处理能力@@800万@@/秒@@”。

高带宽内存@@@@（HBM）的首次迭代受到一定限制@@，每个堆栈的速度最高只能达到@@@@ 128 GB/s。

本文先讲解电阻降压电路的计算@@

汽车仪表是驾驶员与汽车进行信息交流的重要接口@@，随着汽车电子@@技术@@的发展@@，汽车行驶状况和各机构@@、零部件的信息量显著增加@@

在@@WWDC 2023 开发者大会上@@，苹果宣布了其操作系统和产品的一系列升级@@。但最大亮点是@@Apple Vision Pro，苹果的首款混合现实设备@@@@，一经发布就成为世界热议的焦点@@。

功率@@MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管有三个管脚@@，分别为栅极@@（Gate），漏极@@（Drain）和源极@@（Source）

2023-06-05 | MOSFET

如何开发出有效的边缘终端结构@@，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓@@肖特基二极管@@研究的热点@@。

从快充和低温性能来看@@，在@@充电@@15分钟的情况下就能达到@@@@80%的容量@@，在@@零下@@20℃的低温环境下@@，仍能保持@@90%以上的放电保持率@@

SEMI 预计@@到@@ 2025 年的时候@@，全球@@ 300 mm 半导体晶圆@@厂的产能将再创新高@@。

2022-10-12 | 晶圆@@, SEMI

由三位@@伯克利校友创办的@@ Jitx，就致力于为电路板设计@@的数字化方法带来重大变革@@。其提出了一种设计电路板的新思路@@ —— 使用代码来描述电路板的外观@@。