最大化减少研发和@@成本的@@投入@@，以及确保中压氮化镓@@（GaN）开关的@@稳健和@@高@@效运行@@，是现代电力电子@@系统设计的@@几个核心要求@@。英飞凌科技股份公司@@（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）依照其战略性设计@@GaN产品组合@@，不断加强全系统解决方案@@，推出@@EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V单通道门极驱动器@@@@IC系列产品@@。新的@@系列产品@@不仅提升了@@CoolGaN™肖特基栅@@（SG）HEMT的@@性能@@，同时也可兼容其他@@GaN HEMT和@@硅@@MOSFET。该门极驱动器@@系列产品@@可广泛应用于@@@@ DC-DC转换器@@、 电机驱动器@@、 电信@@、 服务器@@、 机器人@@、 无人机@@、 电动工具和@@@@ D类音频放大器等领域@@。
1EDN71x6G系列产品@@具有可选上拉和@@下拉驱动强度特性@@，无需栅极电阻即可实现波形和@@开关速度优化@@，因此可使功率级电路布局面积更小@@，BOM元器件数量更少@@。驱动能力最强和@@开关速度最快的@@的@@驱动器产品@@（1EDN7116G）适用于@@多并联的@@半桥组合电路@@。驱动能力最小和@@开关速度最慢的@@驱动产品@@（1EDN7146G）可用于@@需求@@dv/dt变化缓慢的@@应用@@，如电机驱动或@@小晶片@@GaN（高@@RDS(on)、低@@Qg）HEMTs。不仅如此@@，每款产品都有不同的@@消隐时间@@，并与最小建议死区时间@@、最小脉冲宽度和@@传播延迟成正比@@。
真差分逻辑输入@@（TDI）功能不仅可消除低@@边应用中由于接地反弹电压而造成的@@错误触发风险@@，还能让@@1EDN71x6G能够处理高@@边侧应用@@。此外@@，所有系列产品@@均采用有源米勒钳位技术@@@@，该技术@@有非常强的@@下拉功能@@，可以避免感应开启@@。这为抵抗栅极驱动器回路中的@@毛刺电压提供了更强的@@鲁棒性@@，尤其是在驱动具有高@@米勒比的@@晶体管时@@。
此外@@，1EDN71x6G提供有源自举钳位@@，以避免在死区时间时对自举电容过度充电@@。这实现了自举电源电压调节@@，无需额外的@@调节电路即可对高@@边侧晶体管的@@栅极形成保护@@。如有需要@@（如在无法完全优化@@PCB布局的@@情况下@@），该产品系列还可提供带有可调负关断电源的@@可编程电荷泵@@，以此取得额外的@@米勒感应导通抗扰度@@。
供货情况@@
用于@@CoolGaN SG HEMT的@@1EDN7116G、1EDN7126G、1EDN7136G和@@1EDN7146G四款@@EiceDRIVER HS 200 V单通道栅极驱动器@@IC，现在可在@@PG-VSON-10套装中订购@@。更多相关信息请访问@@ www.infineon.com/eicedriver-1edn71x6x。
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