从人工智能@@（AI）到@@5G、物联网@@@@（IoT）、再到@@自动驾驶汽车@@，半导体不知不觉已经成为第四次工业革命时代的核心技术@@之一@@。随着半导体技术@@的先进化和复杂化@@，半导体工艺也在@@快速发展@@。
随着下一代设备@@越来越小@@，半导体也逐渐小型化@@，集成度越来越高@@，超微工艺技术@@变得更加重要@@。
FinEFT，开启@@3D晶体管@@时代@@
晶体管@@是构成半导体的主要@@188足彩外围@@app ，起到@@控制电流的大小与@@开关的作用@@。其工作原理是通过对栅极@@（Gate）施加电压来控制源极@@（Source）和漏极@@（Drain）之间的沟道@@（Channel）能否产生有效电流@@，从而使晶体管@@处于开启@@或@@者关闭的状态@@。
平面型晶体管@@是一个平面@@（2D）结构@@，栅极和沟道与@@同一个表面接触@@。如果缩小晶体管@@尺寸@@，那么源极和漏极@@之间的距离变近@@，会导致栅极无法正常工作@@，发生漏电的短沟道效应等问题@@，因此@@，在@@降低工作电压方面存在@@局限性@@。
为改善这一点@@，一种叫@@“FinFET”的三维@@（3D）结构@@工艺技术@@得以开发@@。因为这种结构@@看上去像鱼鳍的形状@@，所以被称为鳍式场效应晶体管@@@@。栅极和通道间的接触面越大@@，效率越高@@。FinFET通过采用@@3D结构@@，使栅极和通道拥有三个接触面@@，增大了接触面积@@，提升了半导体性能@@。
新一代晶体管@@结构@@@@——GAA
在@@半导体工艺中@@，鳍式场效应晶体管@@虽一直被使用@@。但在@@@@4nm以下的工艺中@@，它存在@@工作电压无法持续降低的局限性@@。
为了解决这些问题@@，创建了新一代@@3nm GAA（全环绕式栅极@@）结构@@。在@@3nm及以下超精细电路中@@，引入@@GAA结构@@晶体管@@@@，其栅极包围着电流流经通道的四个侧面@@，从而将通道的调节能力最大化@@，能更精准控制电流流动@@，实现更高的电源效率@@。
MBCFET™（多桥通道场效晶体管@@@@）是一种改进的@@GAA结构@@。它改进了横截面直径约为@@1nm的线形通道@@，提升了获取足够电流的能力@@。
与@@7nm FinFET相比@@，MBCFET™能将晶体管@@体积减少@@45%，还能根据特性调节纳米片@@（nanosheet）宽度@@，因而具有很高的设计灵活性@@。此外@@，它与@@@@FinFET工艺高度兼容@@，能充分利用现有设施和制造技术@@@@。
文章来源@@：三星半导体@@