问@@：普通硅二极管@@与肖特基二极管@@@@的异同@@？
答@@：两种@@二极管都是@@单向导电@@，可用于整流@@场合@@。
区别是@@普通硅二极管@@的耐压可以做得较高@@@@，但是@@@@它的恢复速度低@@，只能用在@@低频的整流@@上@@，如果是@@高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电@@，最后导致管子严重发热烧毁@@；肖特基二极管@@的耐压能常较低@@，但是@@@@它的恢复速度快@@，可以用在@@高频场合@@，故开关电源采用@@此种二极管作为整流@@输出用@@，尽管如此@@，开关电源上的整流@@管温度还是@@很高的@@。
肖特基二极管@@是@@以其发明人肖特基博士@@（Schottky）命名的@@，是@@肖特基势垒二极管@@（Schottky Barrier Diode，缩写成@@SBD）的简称@@@@。
和其他的二极管@@比起来@@，肖特基二极管@@有@@什么特别的呢@@？
SBD不是@@利用@@P型@@半导体@@@@与@@N型@@半导体@@@@接触@@形成@@PN结原理制作的@@，而是@@利用金@@属@@与半导体@@接触@@形成的金@@属@@@@-半导体@@结原理制作的@@@@。因此@@，SBD也称为金@@属@@@@-半导体@@(接触@@)二极管或@@表面势垒二极管@@，它是@@一种热载流子二极管@@。
典型@@的肖特基整流@@管的内部电路结构@@是@@以@@N型@@半导体@@@@为基片@@，在@@上面形成用砷作掺杂剂的@@N-外延层@@。阳极使用钼@@或@@铝等材料制成阻档层@@。用二氧化硅@@(SiO2)来消除边缘区域的电场@@，提高@@管子的耐压值@@@@@@。N型@@基片具有@@很小的通态电阻@@，其掺杂浓度较@@H-层要高@@100%倍@@。在@@基片下边形成@@N+阴极层@@，其作用是@@减小阴极的接触@@电阻@@。通过调整结构@@参数@@，N型@@基片和阳极金@@属@@之间便形成肖特基势垒@@，如图@@所示@@@@。当@@在@@肖特基势垒两端加上正向偏压@@（阳极金@@属@@接电源正极@@，N型@@基片接电源负极@@）时@@，肖特基势垒层变窄@@，其内阻变小@@；反之@@，若在@@肖特基势垒两端加上反向偏压时@@@@，肖特基势垒层则变宽@@，其内阻变大@@。
肖特基整流@@管仅用一种载流子@@（电子@@）输送电荷@@，在@@势垒外侧无过剩少数载流子的积累@@，因此@@，不存在@@电荷储存问@@题@@（Qrr→0），使开关特性获得时@@显改善@@。其反向恢复时@@间@@已能缩短到@@@@10ns以内@@。但它的反向耐压值@@@@较低@@@@，一般不超过去时@@@@100V。因此@@适宜在@@低压@@、大电流@@情况下工作@@。利用其低压降这特点@@，能提高@@低压@@、大电流@@整流@@@@（或@@续流@@）电路的效率@@。
利用金@@属@@与半导体@@接触@@形成肖特基势垒构成@@的微波二极管称为肖特基势垒二极管@@。这种器件对外主要呈现非线性电阻特性是@@构成@@微波混频器@@、检波器和微波开关等的核心@@188足彩外围@@app 。
结构@@：
肖特基势垒二极管有@@两种@@管芯结构@@@@：点接触@@型@@和面结合型@@@@，如下图@@所示@@@@：
点接触@@型@@管芯用一根金@@属@@丝压接在@@@@N型@@半导体@@@@外延层@@表面@@上形成金@@半接触@@@@@@。面结合型@@管芯先要在@@@@N型@@半导体@@@@外延层@@表面@@上生成二氧化硅@@（SiO2）保护层@@，再用光刻的办法腐蚀出一个小孔@@，暴露出@@N型@@半导体@@@@外延层@@表面@@，淀积一层金@@属@@膜@@（一般采用@@金@@属@@钼@@或@@钛@@，称为势垒金@@属@@@@）形成金@@半接触@@@@，再蒸镀或@@电镀一层金@@属@@@@（金@@、银等@@）构成@@电极@@。
两种@@管芯结构@@的半导体@@一侧都采用@@重掺杂@@N+层作衬底@@，并在@@@@其上形成欧姆接触@@的电极@@。面结合型@@管性能要优于点接触@@管@@。
主要原因在@@于@@：
（1）点接触@@管表面不易清洁@@，针点压力会造成半导体@@表面畸变@@。其接触@@势垒不是@@理想的肖特基势垒受到@@机械震动时@@还会产生颤抖噪声@@。面结合型@@管金@@半接触@@界面比较平整不暴露而较易清洁其接触@@势垒几乎是@@理想的肖特基势垒@@。
（2）不同的点接触@@管在@@生产时@@压接压力不同@@，使得肖特基结的直径不同@@。因此@@性能一致性差可靠性也差@@。面结合型@@管采用@@平面工艺@@，因此@@性能稳定@@，一致性好@@，不易损坏@@。
图@@中给出一种面结合型@@二极管的结构@@图@@和@@等效电路@@。从@@中可以看出各部分的结构@@尺寸量级@@。通常@@这种管芯要进行封装才能方便地使用@@。肖特基势垒二极管的典型@@封装结构@@可采用@@@@“炮弹@@”式@@、微带式@@@@、SOT贴片式@@等如图@@@@2-30所示@@：
问@@：肖特基二极管@@与普通@@二极管从@@外观上如何区分@@？肖特基二极管@@与普通@@二极管标识有@@何区别@@？
答@@：除了型@@号@@，外形上一般没什么区别@@，但可以测量正向压降进行区别@@，直接用数字万用表测@@（小电流@@）普通二极管在@@@@0.5V以上@@，肖特基二极管@@在@@@@0.3V以下@@，大电流@@时@@普通二极管在@@@@@@0.8V左右@@，肖特基二极管@@在@@@@0.5V以下@@；SR350 就是@@表示@@3A50V。另肖特基二极管@@耐压一般在@@@@100V以下@@，没有@@@@150V以上@@的@@。
什么是@@快恢复@@二极管@@@@？
快恢复@@二极管@@（简称@@FRD）是@@一种具有@@开关特性好@@、反向恢复时@@间@@短特点的半导体@@二极管@@，主要应用于开关电源@@、PWM脉宽调制器@@、变频器等电子@@电路中@@，作为高频整流@@二极管@@、续流二极管或@@阻尼二极管使用@@。
快恢复@@二极管@@的内部结构@@@@：
与普通@@PN结二极管不同@@，它属于@@PIN结型@@二极管@@，即在@@@@P型@@硅材料与@@N型@@硅材料中间增加了基区@@I，构成@@PIN硅片@@。因基区很薄@@，反向恢复电荷很小@@，所以@@快恢复@@二极管@@的反向恢复时@@间@@@@较短@@，正向压降较低@@，反向击穿电压@@（耐压值@@@@）较高@@
通常@@，5~20A的快恢复@@二极管@@管采用@@@@TO–220FP塑料封装@@，20A以上@@的@@大功率快恢复@@二极管@@采用@@顶部带金@@属@@散热片的@@TO–3P塑料封装@@，5A以下@@的快恢复@@二极管@@则采用@@@@DO–41、DO–15或@@DO–27等规格塑料封装@@@@。
采用@@TO–220或@@TO–3P封装的@@大功率快恢复@@二极管@@@@，有@@单管@@和双管之分@@。双管的管脚引出方式@@又分为共阳和共阴@@。
性能特点@@：
（1）反向恢复时@@间@@
反向恢复时@@间@@tr的定义是@@@@：电流通过零点由正向转换到@@规定低值@@的时@@间间隔@@。它是@@衡量高频续流及整流@@器件性能的重要技术@@指标@@。反向恢复电流的波形如图@@@@1所示@@。IF为正向电流@@@@，IRM为最大反向恢复电流@@。Irr为反向恢复电流@@，通常@@规定@@Irr=0.1IRM。当@@t≤t0时@@，正向电流@@I=IF。当@@t＞t0时@@，由于整流@@器件上的正向电压突然变成反向电压@@，因此@@正向电流@@迅速降低@@，在@@t=t1时@@刻@@，I=0。然后整流@@器件上流过反向电流@@IR，并且@@IR逐渐增大@@；在@@t=t2时@@刻@@达到@@最大反向恢复电流@@IRM值@@。此后受正向电压的作用@@，反向电流逐渐减小@@，并在@@@@t=t3时@@刻@@达到@@规定值@@@@Irr。从@@t2到@@t3的反向恢复过程与电容器放电过程有@@相似之处@@。
（2）快恢复@@、超快恢复@@二极管@@的结构@@特点@@
快恢复@@二极管@@的内部结构@@@@与普通@@二极管不同@@，它是@@在@@@@P型@@、N型@@硅材料中间增加了基区@@I，构成@@P-I-N硅片@@。由于基区很薄@@，反向恢复电荷很小@@，不仅大大减小了@@trr值@@，还降低了瞬态正向压降@@，使管子能承受很高的反向工作电压@@。快恢复@@二极管@@的反向恢复时@@间@@@@一般为几百纳秒@@@@，正向压降约为@@0.6V，正向电流@@是@@几安培至几千安@@培@@，反向峰值@@电压可达几百到@@几千伏@@。超快恢复@@二极管@@的反向恢复电荷进一步减小@@，使其@@trr可低至几十纳秒@@@@。
20A以下@@的快恢复@@及超快恢复@@二极管@@大多采用@@@@TO-220封装形式@@@@。从@@内部结构@@看@@，可分成单管@@@@、对管@@（亦称双管@@）两种@@。对管@@内部包含两只快恢复@@二极管@@@@，根据两只二极管接法的不同@@，又有@@共阴对管@@@@@@、共阳对管@@@@之分@@。图@@2(a)是@@C20-04型@@快恢复@@二极管@@@@（单管@@）的外形及内部结构@@@@。(b)图@@和@@(c)图@@分别是@@@@C92-02型@@（共阴对管@@@@）、MUR1680A型@@（共阳对管@@@@）超快恢复@@二极管@@的外形与构造@@。它们均采用@@@@TO-220塑料封装@@，几十安的快恢复@@二极管@@一般采用@@@@TO-3P金@@属@@壳封装@@。更大容量@@（几百安@@～几千安@@）的管子则采用@@螺栓型@@或@@平板型@@封装形式@@@@@@。
问@@：肖特基二极管@@和快恢复@@二极管@@又什么区别@@？
答@@：快恢复@@二极管@@是@@指反向恢复时@@间@@很短@@的二极管@@@@（5us以下@@），工艺上多采用@@掺金@@措施@@，结构@@上有@@采用@@@@PN结型@@结构@@@@，有@@的采用@@改进的@@PIN结构@@。其正向压降高于普通二极管@@（1-2V），反向耐压多在@@@@1200V以下@@。从@@性能上可分为快恢复@@和超快恢复@@两个等级@@。前者反向恢复时@@间@@为数百纳秒@@或@@更长@@，后者则在@@@@100纳秒@@以下@@@@。
肖特基二极管@@是@@以金@@属@@和半导体@@接触@@形成的势垒为基础的二极管@@@@，简称@@肖特基二极管@@@@(Schottky Barrier Diode），具有@@正向压降低@@（0.4--0.5V）、反向恢复时@@间@@很短@@（10-40纳秒@@），而且反向漏电流较大@@，耐压低@@，一般低于@@150V，多用于低电压场合@@。
这两种@@管子通常@@用于开关电源@@。
肖特基二极管@@和快恢复@@二极管@@区别@@：前者的恢复时@@间比后者小一百倍@@左右@@@@，前者的反向恢复时@@间@@@@大约为几纳秒@@@@。
前者的优点还有@@低功耗@@，大电流@@，超高速@@；电气特性当@@然都是@@二极管@@。
快恢复@@二极管@@在@@制造工艺上采用@@掺金@@@@，单纯的扩散等工艺@@，可获得较高@@的开关速度@@，同时@@也能得到@@较高@@的耐压@@。目前@@，快恢复@@二极管@@主要应用在@@逆变电源中做整流@@@@188足彩外围@@app
。
肖特基二极管@@：反向耐压值@@@@较低@@40V-50V，通态压降@@0.3-0.6V，小于@@10nS的反向恢复时@@间@@@@。它是@@具有@@肖特基特性的@@“金@@属@@半导体@@结@@”的二极管@@。其正向起始电压较低@@。其金@@属@@层除材料外@@，还可以采用@@金@@@@、钼@@、镍@@、钛等材料@@。其半导体@@材料采用@@硅或@@砷化镓@@，多为@@N型@@半导体@@@@。这种器件是@@由多数载流子导电的@@，所以@@，其反向饱和电流较以少数载流子导电的@@PN结大得多@@。由于肖特基二极管@@中少数载流子的存贮效应甚微@@，所以@@其频率响仅为@@RC时@@间常数限制@@，因而@@，它是@@高频和快速开关的理想器件@@。其工作频率可达@@100GHz。并且@@，MIS（金@@属@@－绝缘体@@－半导体@@）肖特基二极管@@可以用来制作太阳能电池或@@发光二极管@@。
快恢复@@二极管@@：有@@0.8-1.1V的正向导通压降@@，35-85nS的反向恢复时@@间@@@@，在@@导通和截止之间迅速转换@@，提高@@了器件的使用频率并改善了波形@@。快恢复@@二极管@@在@@制造工艺上采用@@掺金@@@@,单纯的扩散等工艺@@,可获得较高@@的开关速度@@,同时@@也能得到@@较高@@的耐压@@.目前@@快恢复@@二极管@@主要应用在@@逆变电源中做整流@@@@@@188足彩外围@@app 。
快速恢复二极管@@，顾名思义@@，是@@比普通二极管@@PN结的单向导通阀门恢复快的二极管@@@@！用途也很广@@。
问@@：肖特基二极管@@的主要应用场景是@@什么@@？
虽然肖特基二极管@@已经上市有@@几十年了@@，新的发展和产品却不断增强了它的特性并扩展了应用的可能性@@。除了太阳能电池板和汽车@@，它们现在@@也被用于笔记本电脑@@、智能手机和平板电脑的电池充电器@@。但是@@@@，哪些肖特基二极管@@适合于何种用途呢@@？
肖特基二极管@@主要用于以下@@两个领域@@：
（1）整流@@，换句话说@@，在@@开关电源@@（开关模式@@电源@@，SMPS）或@@电源整流@@器内部的交流至直流转换@@，以及直流电压转换@@。
（2）阻止直流电流和相反极性的直流的反向流动@@，例如当@@电池插入不正确时@@@@。
由于其较高@@的开关速度@@，肖特基二极管@@主要用于高达微波范围的高频应用@@。这也是@@由于它们的低饱和能力@@。因此@@，它们通常@@在@@开关电源@@中以续流二极管或@@整流@@器二极管的形式@@用作降低感应电压的保护二极管@@，还可用作检测电路的解调器@@。
问@@：为什么有@@的二极管@@是@@三个管教@@？
有@@些用于全波整流@@的二极管@@外形象三极管@@，是@@两个二极管反向联接@@（负极并在@@@@一起@@）封装的@@，一般中间为负极@@，是@@为节约地方@@，使电路板更紧蔟@@。
来源@@：硬件十万个为什么@@