目前最具发展潜力的材料即为具备@@高功率及高频率特性的宽禁带@@（Wide Band Gap；WBG）半导体@@，包含碳化硅@@（SiC）与氮化镓@@（GaN），主要应用大宗为电动车@@@@、快充市场@@。
据@@TrendForce集邦@@咨询@@研究推估@@，第三代功率半导体@@@@产值将从@@2021年的@@9.8亿美元@@，至@@2025年将成长至@@@@47.1亿美元@@，年复合成长率达@@48%。
Source：TrendForce集邦@@咨询@@
SiC适合高功率应用@@，如@@储能@@、风电@@、光伏@@、电动车@@、新能源车等对电池系统具高度要求的产业@@。
其中@@，电动车@@备@@受市场关注@@，不过目前市售电动车@@所搭载的功率半导体@@@@多数为硅基材料@@（Si base），如@@Si IGBT、Si MOSFET，但由于电动车@@电池动力系统逐步往@@800V以上的高电压发展@@，相较于@@Si，SiC在高压的系统中有更好的性能体现@@，有望逐步替代部分@@Si base设计@@，大幅提高@@汽车性能并优化整车架构@@，预估@@SiC功率半导体@@@@至@@@@2025年可达@@33.9亿美元@@。
GaN适合高频率应用@@，包括@@通讯装置@@，以及用于手机@@、平板@@、笔电的快充@@。相较于@@传统快充@@，GaN快充拥有更大的功率密度@@，故充电速度更快@@，且体积更小便于携带@@，吸引不少@@OEM、ODM业者加入而开始高速发展@@，预估@@GaN功率半导体@@@@至@@@@2025年可达@@13.2亿美元@@。
TrendForce集邦@@咨询@@特别提到@@，相较传统@@Si base，第三代功率半导体@@@@衬底制造难度较高且成本较为昂贵@@，目前在各大衬底供应商的开发下@@，包括@@Wolfspeed、II-VI、Qromis等业者陆续扩增产能@@，并将在@@2022下半年量产@@8吋衬底@@，预期第三代功率半导体@@@@未来几年产值仍有成长的空间@@@@。
本文转载自@@：TrendForce集邦@@