pSemi推出新型@@Sub-6 GHz射频开关@@ 支持@@在@@5G大规模@@MIMO基站@@中创建混合波束成形架构@@

SP4T开关可为混合波束成形系统@@提供业界领先的性能@@

村田旗下公司@@、专注于半导体集成技术@@的@@pSemi® Corporation扩大旗下@@RF SOI开关产品组合@@,旨在为最新的@@5G无线基础设施建设项目和@@大规模@@@@MIMO基站@@部署项目提供支持@@@@。通过在混合波束成形架构拓扑中使用新型的高线性度开关@@,基站@@设计人员可以@@节省电路板上宝贵的空间@@并改善系统@@热耗散@@,降低整套系统@@的成本@@、重量和@@功耗@@。pSemi先进的@@SP4T开关可提供同类产品最佳的线性度@@、插入损耗和@@功率处理性能@@,从而提高@@@@sub-6 GHz有源天线系统@@的频谱效率@@。

sub-6 GHz频段的@@5G基站@@有助于网@@络提供商快速便捷地增加带宽和@@提高@@数据吞吐量@@。鉴于@@3-5 GHz频段频谱的最新分配以@@及天线设计复杂度的增加@@,人们需要使用全新的混合波束成形和@@移相拓扑架构@@。大规模@@MIMO系统@@采用@@混合架构@@,以@@最大限度地降低高能耗数字处理需求和@@减少功率放大器组件的数量@@。这些混合架构可在数字和@@模拟@@之间实现绝佳平衡@@,因而既能获得数字波束成形的灵活性@@,又能受益于模拟@@射频前端@@(RFFE)的功率效率和@@简单设计@@。

采用@@两个背靠背@@pSemi SP4T开关选择不同的移相步进@@,使混合波束成形架构中使用的模拟@@波束控制成为可能@@。这种移相拓扑架构可高效改善有源天线系统@@中的天线波束控制方式@@。

pSemi销售和@@营销副总裁@@Vikas Choudhary表示@@:“有源天线系统@@正在推动@@RFFE组件需求急剧增长@@,同时对先进@@5G网@@络的@@FR1开关性能要求也越来越高@@。作为射频和@@毫米波开关领域的行业领导者@@,pSemi将继续推动@@SOI技术@@的发展@@,并设计射频集成电路解决方案@@,为基站@@基础设备@@制造商提供支持@@@@,满足@@5G及更先进网@@络的@@需求@@。”

高线性度射频开关@@的特点和@@优势@@

支持@@1.8-5 GHz频率范围的每个@@UltraCMOS® PE42443和@@PE42444开关在@@n41、n77、n78和@@n79频段均提供业界领先的射频性能@@。PE42443(需正负电源电压供电@@)和@@PE42444(仅需正电源电压供电@@)采用@@4 x 4 mm LGA封装@@,可设计成管脚到管脚兼容配置@@。

  • 频谱效率高@@——高线性度和@@高功率处理@@,可最大限度地提高@@数据吞吐量@@。
  • 节能@@——低插入损耗可提高@@整体系统@@效率@@。
  • 波束管理灵活@@——开关速度快@@,可支持@@符号级模拟@@波束调整@@,便于设计实现大规模@@@@MIMO系统@@。
  • 更多信息@@

    欲了解@@更多与这些高线性度开关相关的信息@@,请联系@@ pSemi团队@@。

    关于@@pSemi

    pSemi Corporation隶属于村田@@,致力于推动半导体集成@@。pSemi以@@Peregrine Semiconductor 长达@@30年的技术@@传承以@@及强大的知识产权组合为基础@@,肩负起全新使命@@,即助力增强村田在提供世界一流的高性能射频@@、模拟@@、混合信号和@@光学解决方案方面的能力@@。凭借在射频集成@@(RF)方面的坚实基础@@,pSemi的产品组合目前涵盖电源管理@@、互联传感器@@、天线调谐和@@射频前端等领域@@。这些智能和@@高效半导体产品为用于智能手机@@、基站@@、个人计算机@@、电动汽车@@、数据中心@@、物联网@@@@(IoT)设备@@和@@医疗保健等领域的先进模块提供支持@@@@。pSemi总部位于圣迭戈@@,办事处遍布全球各地@@,公司团队@@致力于探索以@@全新方式创造更小@@、更薄@@、更快@@、更好的电子@@@@188足彩外围@@app ,从而为实现互联世界提供支持@@@@。欲了解@@pSemi在半导体技术@@领域的进展或@@加入@@pSemi团队@@,敬请访问@@www.psemi.com