如今@@,许多市场都受益于碳化硅@@(SiC)技术@@所带来的@@优势@@@@,尤其是汽车行业@@。相对于传统硅@@(Si)组件@@,SiC 的@@性能更高@@,使系统的@@开关速度@@、工作温度@@、功率密度@@、整体效率更高@@,同时功耗更低@@。Wolfspeed SiC 器件产品组合涵盖广泛的@@功率水平和@@应用场景@@,从用于@@低功率的@@分立器件产品@@,到行业标准尺寸以及优化尺寸的@@高功率模块@@@@产品@@,实现了功率连续性@@。EAB450M12XM3 是该大功率模块@@@@器件产品系列@@的@@最新成员@@(见下方图@@@@ 1)。
图@@ 1:满足车规要求的@@@@ EAB450M12XM31200 V 450A SiC 半桥模块@@@@
Wolfspeed 功率模块@@@@产品线@@(如图@@@@ 2 所示@@)包括@@ WolfPACK 模块@@,这些@@模块@@提供符合行业标准的@@无基板式封装@@,工作电压@@和@@电流分别高达@@ 1.2 kV 和@@ 200 A。更高功率的@@模块@@采用优化程度更高的@@封装@@,适用于@@要求苛刻的@@应用场景@@。该组合中@@的@@所有模块@@都旨在@@实现相同的@@目标@@,即最大@@限度地提高@@功率密度@@@@、简化布局@@/组装@@、实现可扩展的@@系统和@@平台@@、最大@@限度降低人工和@@系统组件@@成本@@,同时提供最高级别的@@可靠性@@。
图@@ 2:Wolfspeed 功率模块@@@@产品组合@@
1、XM3 系列@@
XM3 半桥模块@@@@充分利用@@ SiC 的@@优势@@,同时保持简单@@、可扩展特性@@且具有成本效益的@@尺寸@@,其重量和@@体积仅为行业标准@@ 62 毫米对等产品的@@一半@@。这些@@ XM3 模块@@可最大@@限度提高@@功率密度@@@@,同时尽可能降低回路电感和@@开关损耗@@@@。此外@@,它们还配备@@低电感母线@@互连@@、集成式温度传感器@@、配置电压@@采样引脚@@,以及具有增强功率循环能力的@@高可靠性功率基板@@。此封装可实现@@ 175 ˚C 最高结温@@,高可靠性氮化硅@@(SiN4)基板确保了在@@极端条件下的@@机械强度@@。封装为易模组化和@@可扩展性而设计@@,寄生电感低至@@ 6.5 nH(与@@类似模块@@相比@@,最多可将电感减少@@ 50%)。因此@@,XM3 非常适合用于@@各种苛刻的@@恶劣条件@@,如牵引驱动器@@、直流快速充电机和@@汽车测试设备@@等汽车应用场景@@。与@@ SemiTrans 3 或@@ EconoDual 等类似功率模块@@@@相比@@,内置@@领先@@ SiC 技术@@的@@@@ XM3 封装可以使系统设计更加紧凑@@,而且两种功率模块@@@@具有相似的@@额定电压@@和@@电流@@(在@@ 1200 V 时高达@@ 450 A)。图@@ 3 显示了@@解封状态下@@ XM3 半桥模块@@@@的@@俯视图@@@@@@。
图@@ 3:Wolfspeed XM3 半桥模块@@@@,俯视图@@@@
2、EAB450M12XM3
表@@ 1 列出了@@ EAB450M12XM3 模块@@的@@最大@@参数@@@@(摘自数据表@@@@)。
表@@ 1:EAB450M12XM3 最大@@参数@@
亮点包括@@@@ 1200 VDS max 450 A 连续漏极电流和@@@@ 175 ˚C 虚拟结温@@(在@@开关期间@@),这些@@特性@@都已经过设计验证@@。下面的@@表@@@@ 2 中@@列出了@@@@ MOSFET 特性@@(每个@@桥臂@@)的@@摘要@@。
表@@ 2:EAB450M12XM3 MOSFET 特性@@
上表@@中@@值@@得注意的@@参数包括@@@@ 25 ˚C 条件下的@@极低@@ RDS(on) 值@@ 2.6 mΩ 和@@低结壳热阻@@值@@@@ 0.110 ˚C/W。图@@ 4 展示了@@ MOSFET 的@@开关损耗@@@@。请注意@@,即使结温较高@@,开关损耗@@也相当恒定@@。
图@@ 4:EAB450M12XM3 MOSFET 开关损耗@@
MOSFET 的@@体二极管的@@正向电压@@值@@为@@ 4.7 V,恢复时间值@@为@@ 52 ns(有关反向恢复性能@@及其低损耗@@的@@图@@表@@@@,请参见图@@@@ 5)。这一快速恢复时间和@@低恢复损耗特性@@大幅提高@@了@@ MOSFET 在@@开关期间@@的@@性能@@。
图@@ 5:EAB450M12XM3 反向恢复性能@@
3、 原理@@、引脚和@@性能图@@@@
图@@ 6 显示了@@ EAB450M12XM3 的@@内部接线@@@@。
图@@ 7:各种漏极电流和@@结温所产生的@@特性@@@@(左@@)和@@ RDS(on)(右@@)
图@@ 9. 输出电流@@能力与@@开关频率@@(逆变器应用@@)
图@@ 10:CRD300DA12E-XM3 300 kW 高性能三相逆变器@@
参考设计@@,功率密度@@为@@ 32 kW/L [CRD300DA12E-XM3](左@@)和@@ Wieland MicroCool 冷板@@(右@@)]
KIT-CRD-CIL12N-XM3(图@@ 11)是一个@@评估平台@@@@,使设计人员能够在@@发生电感负载开关事件时准确测量@@ Wolfspeed XM3 功率模块@@@@的@@电压@@和@@电流波形@@。这使得可以在@@精确的@@测试条件下计算开关损耗@@能量@@,以动态地评估模块@@@@,并便于进行模块@@内比较操作@@。它对应的@@栅极驱动器@@@@(也显示在@@图@@@@ 11 中@@)是直接安装的@@双通道隔离栅极驱动器@@@@,已专门针对@@ XM3 功率模块@@@@进行了优化@@。
图@@ 11. 用于@@ MX3 半桥模块@@@@(左@@)和@@ CDG12HBXMP XM3
栅极驱动器@@的@@@@ KIT-CRD-CIL12N-XM3 评估平台@@
此外@@,SpeedFit 2.0 设计仿真软件有助于加速设计过程@@,其仿真结果基于计算的@@损耗@@、估计的@@结温和@@实验室数据@@,适用于@@从简单降压@@/升压转换器到完全双向图@@腾柱@@ PFC 设计的@@各种常见拓扑结构@@。这有助于验证满足应用场景的@@模块@@和@@器件@@,同时为不同的@@器件和@@配置提供真正的@@比较性能@@。
5. 总结@@
概括而言@@,符合汽车标准的@@@@ EAB450M12XM3 半桥全@@ SiC 模块@@中@@包括@@具有优化的@@散热设计的@@高功率密度@@封装@@,可满足各种应用场景@@(如电机和@@牵引驱动器@@、车辆快速充电机和@@汽车测试设备@@@@)的@@要求@@。设计人员能在@@一个@@易于使用的@@封装中@@实现@@ SiC 的@@各种优势@@(高开关频率@@、低损耗@@、更高功率和@@额定温度以及更佳效率和@@可靠性@@)。该封装提供的@@端子设计@@,可以直接连接母排@@,而无需折弯或@@套管@@,实现了简单的@@低电感设计@@。其它与@@@@ EAB450M12XM3 相配合的@@车规级@@元器件可以通过新设立的@@@@ Power Applications Forum (功率应用在@@线讨论平台@@)查询@@。此外@@,还提供一些参考设计@@@@、应用说明和@@设计资源@@(如仿真软件@@),以帮助加速开发流程并为设计人员建立信心@@。敬请访问@@ Wolfspeed 网@@站@@,了解更多@@ XM3 功率模块@@@@、访问参考设计@@有关的@@信息@@。
文章来源@@: WOLFSPEED