相较于主要用在@@PC上的@@@@DDR DRAM模组产品@@@@，LPDDR提供了一种功耗显著降低的@@高性能@@解决方案@@，而降低功耗@@是平板电脑@@@@、超薄笔记本@@、智能手机和@@汽车等移动应用的@@重点要求@@。从@@2009年第一代开始@@，LPDDR持续迭代升级@@，来满足移动终端不断迭代产生的@@更先进@@、高速的@@存储需求@@。
LPDDR迭代升级过程@@
佰维@@在@@LPDDR产品@@领域起步早@@、积累深@@，从@@LPDDR2代便开始积极投入技术@@研发@@，不断推陈出新@@。尤其是公司在@@2016年推出的@@@@LPDDR4存储芯片@@，获得了智能手机@@、平板等这些移动智能终端市场的@@热烈反响@@，在客户中积累了良好口碑@@。近期@@，佰维@@在@@LPDDR4/4X产品@@的@@基础上@@，推出更高性能@@@@、更低功耗@@@@、更多容量选择的@@@@LPDDR5产品@@。
传输速率跨越式升级@@，性能提升@@50%
首先@@，LPDDR5支持多@@Bank Group模式@@。相比@@于@@LPDDR4/4X的@@Single Bank Group模式@@，LPDDR5将数据传输从@@单通路变成了多通路并行@@，传输速率从@@@@4266Mbps提升至@@6400Mbps，传输带宽从@@@@34GB/s提升到了@@51GB/s。
其次@@，LPDDR5采用@@WCK信号设计@@，数据总线用差分时钟@@WCK采样@@，WCK源同步于数据@@（DQ），因此@@WCK信号的@@频率会随着数据的@@读写而起停@@，让存储器在写入时无时延@@，从@@而提升传输速率@@。
此外@@，为保障读信号完整@@（Read SI），减少冗余信号干扰@@，LPDDR5支持非目标性片内终结@@（ NT-ODT）技术@@，进一步提升数据传输速率@@。
多组电压动态调节@@，功耗降低@@30%
LPDDR5内部有三组电压@@，VDD1/VDD2/VDDQ，其中@@VDD2又分为@@VDD2H和@@VDD2L。相比@@LPDDR4X，LPDDR5的@@VDD2H由@@1.1V降至@@1.05V，VDDQ由@@0.6V降至@@0.5V。通过动态电压调节@@ （DVFS）功能@@，LPDDR5可在低速工作时切换至更低电压@@，节省更多功耗@@；待机时@@，LPDDR5 会进入深度睡眠模式@@@@（Deep-sleep mode），将功耗降低@@到最小@@。
此外@@，LPDDR5 引入了数据复制@@（Data-Copy）和@@写@@X（Write-X），Data-Copy可将单个针脚的@@数据直接复制到其它针脚@@，使数据传输速率提升@@，通过高速运转来充分释放处理器的@@性能@@，让它以更快的@@速度处理数据@@，从@@而更早地进入深度睡眠模式@@@@（Deep-sleep mode），不用长时间@@、高负荷地工作@@；Write X 则是一种省电功能@@@@，允许系统将特定的@@位@@模式@@@@（例如全零模式@@@@）转变成连续的@@存储器位@@置@@，而无需切换通道上的@@@@数据@@（DQ）位@@，减少了@@SoC芯片和@@@@RAM传递数据时的@@耗电@@。
先进测试技术@@加持@@，提供多容量可靠方案@@
DRAM芯片产品@@的@@核心技术@@之一在于测试@@，公司基于对半导体存储器的@@全维度深入理解@@，搭配行业先进半导体测试机台@@Advantest T5503HS2与自研的@@自动化测试设备@@@@，自主开发测试软件平台@@、核心测试算法@@，有效地确保了@@LPDDR5产品@@量产品@@质@@。
高性能@@、低功耗@@、更安全可靠和@@多容量选择@@，佰维@@LPDDR5内存方案将有效满足智能手机@@、平板电脑@@、汽车等各种智能终端对内存芯片的@@需求@@。未来@@，佰维@@将不断深化研发封测一体化布局@@，构筑公司在产品@@竞争力@@、定制化开发@@、产能及质量保证等方面的@@重要优势@@，不断提升自身技术@@实力@@，助力智能终端应用存储快速升级迭代@@。