近日@@，国星光电@@研究院基于@@宽禁带半导体碳化硅技术@@@@，全新推出@@“NS62m SiC MOSFET功率模块@@新品@@”，可应用于传统工控@@、储能逆变@@、UPS、充电桩@@、轨道交通和其他功率变换领域@@。
1. 能源转型储能风起正当时@@
在@@“双碳@@”目标背景下@@，我国电力系统将向以新能源为主体的新型电力系统转型@@，储能作为灵活调节电源在@@新型电力系统中承担重任@@。而储能逆变@@器是储能系统中关键的一环@@，可控制储能电池组充电和放电过程@@，在@@提高@@储能系统的效率及降低成本方面起着重要作用@@。
面向储能逆变@@器市场@@，国星光电@@NS62m功率模块@@新品@@依托@@SiC MOSFET芯片的优异性能@@，提高@@了功率模块@@的电流密度以及开关频率@@，降低了开关损耗和导通损耗@@，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸@@，最终达到降低系统成本@@、提升系统效率的目的@@。
2. 四大优势全面揭晓@@NS62m
兼容灵活性能佳@@
国星光电@@NS62m功率模块@@采用@@标准型封装@@，半桥拓扑设计@@，内置@@NTC热敏电阻@@，可实现温度监控@@；采用@@62mm尺寸标准基板和接口@@，可兼容行业内各大主流产品@@，实现快速替换使用@@；具有@@150℃的连续工作温度@@(Tvjop)和优秀的温度循环能力@@，器件可靠性表现卓越@@。
全桥拓扑可并联@@
NS62m功率模块@@以半桥电路结构应用于逆变器中@@。在@@实际应用中@@，一般会以@@2个@@或@@@@3个@@NS62m功率模块@@并联的形式构成单相全桥拓扑@@或@@三相桥拓扑@@，将直流电变成频率@@、幅值可调的交流电@@，实现逆变功能@@。基于@@NS62m功率模块@@内@@SiC MOSFET的体二极管具有@@出色的开关特性和反向恢复性能@@，因此在@@无需额外搭配二极管器件@@，更可满足多数场景下的续流要求@@。
如图中橙色框图部分所示@@，每个@@框图代表一个@@@@NS62m功率模块@@，此图为@@2个@@NS62m功率模块@@并联的形式构成单相全桥拓扑@@。
参数对比见真章@@
NS62m功率模块@@在@@工作时可达到更高的开关频率@@、更低的开关损耗@@，同时@@，可帮助变换器系统效率的提升和散热结构成本的降低@@。
根据实验数据可得@@，与市场同等电流规格的产品对比@@，NS62m功率模块@@动态特性开通延迟时间减少@@79纳秒@@；上升时间减少@@42纳秒@@；关断延迟时间减少@@468纳秒@@。开启损耗降低@@82%，关断损耗降低@@92%，整体开关损耗表现优秀@@。
产品丰富因需至@@
针对传统工控@@、储能逆变@@、充电桩@@等应用领域的需求@@，国星光电@@NS62m SiC MOSFET模块系列型号丰富@@，可供选择@@。依托国星光电@@先进的第三代半导体器件生产线@@，公司可响应不同封装及规格的@@SiC功率模块@@定制开发需求@@，为客户提供高质量的定制化产品服务@@。
目前@@，国星光电@@正加速深入第三代半导体赛道@@，以自主创新为驱动@@，努力攻克技术@@难关@@，加速科技成果转化@@，推动产品迭代更新@@，为第三代半导体产业化高质量发展注入源源不断的新活力@@。