随着@@PC、服务器@@等@@应用@@终端不断升级迭代@@，其在数据存储上对低延迟@@、低功耗@@、高速度@@、大带宽等提出了越来越高的@@要求@@，导入拥有更高性能@@、更稳定可靠的@@@@DDR5内存模组@@或@@将成为更好的@@存储解决方案@@。近期@@，佰维@@新推出高品质@@DDR5 UDIMM、SODIMM内存模组@@，以更好应对市场挑战@@。
佰维@@DDR5内存产品@@特点@@
1. 数据传输速率大幅提升@@，轻松实现多任务处理@@
佰维@@DDR5 UDIMM和@@SODIMM内存模组@@数据传输速率达@@4800Mbps，突发长度和@@预取长度扩展到@@16位@@，使得存储器单一读写指令可存取的@@数据量是@@DDR4的@@两倍@@；此外@@，DDR5每@@个模块均拥有两个独立的@@@@32位@@I/O子通道@@，双通道设计在保证大带宽的@@同时@@，可提高@@存储器存取效率@@，大幅缩短存取延迟@@，提高@@信号完整性@@，保障@@PC等终端轻松实现多任务处理@@@@。
2. 更低电压与崭新电源架构@@，有效降低功耗@@@@
佰维@@DDR5模组工作电压从@@DDR4的@@1.2V降低至@@1.1V，将电源管理系统从主板拆分@@，集成@@IC至模组本身@@（PMIC），可更高效控制系统电源负载@@，调节电源纹波@@、电压和@@上下电时序@@，提升信号完整性与兼容性@@，并有效降低功耗@@@@@@。
3. 芯片单元容量翻倍@@，提供更多容量选择@@
佰维@@DDR5采用八个@@Bank Group组成的@@@@32 Banks，相较于@@DDR4的@@16 Banks增加一倍@@，提升了单片芯片存储密度@@，单条容量相应提升@@，为内存模组@@容量提供@@8GB~32GB的@@多种选择@@。
4. On-Die ECC纠错@@+智能温感控制@@，高稳定@@、高可靠@@
佰维@@DDR5模组采用高品质晶圆颗粒@@，支持片内纠错@@@@（On-Die ECC）机制@@，每@@128位@@元数据就附带@@8位@@元纠错@@码@@；产品@@使用一组差分信号@@（DQS_t和@@DQS_c）来捕获数据@@，一组差分时钟@@（CK_t和@@CK_c）来捕获命令@@、地址和@@控制信号@@，差分时钟和@@数据选通确保了这些信号的@@特殊抗噪性@@，并提供精确的@@触发沿来捕获输入信号@@，大大提高@@了模组的@@数据传输可靠性@@；此外@@，佰维@@DDR5模组支持智能温感控制@@@@，可有效避免存储器因过度发热@@、温度过高造成数据丢失@@。
未来@@展望@@
当下@@，除传统应用@@终端@@（如手机@@、PC、服务器@@等@@）迅速更新迭代外@@，5G、AI等新兴技术@@亦不断发展@@，随之而生的@@各种应用@@终端迅速占领市场@@，对高效能运算提出要求@@。DDR5在性能上的@@巨大飞跃使其能广泛应用@@于上述领域@@（PC、服务器@@、AIoT、5G应用@@），并为@@AR/VR设备@@@@、边缘计算@@、工控等各种高性能@@、高可靠@@需求领域终端赋能@@。
佰维@@积极布局@@DDR5内存模组@@，构建全栈产品@@线@@，公司的@@全栈测试能力也为@@DDR5产品@@提供量产品@@质保证@@。未来@@，佰维@@将继续充分发挥研发封测一体化优势@@，在已量产的@@@@DDR5 UDIMM、SODIMM产品@@基础上@@，开发生产@@DDR5 RDIMM产品@@，全力推动@@DDR5时代的@@到来@@。