SK海力士@@（或@@‘公司@@’，https://www.skhynix.com）20日宣布@@，再次超越了现有@@最高性能@@@@DRAM（内存@@）——HBM31的@@技术@@界限@@，全球首次实现垂直堆叠@@12个单品@@DRAM芯片@@，成功开发出最高容量@@24GB（Gigabyte，千兆字节@@）2的@@HBM3 DRAM新产品@@@@，并正在@@接受客户公司@@的@@性能验证@@。
1HBM(High Bandwidth Memory)：垂直连接多个@@DRAM，与@@DRAM相比显著提升数据处理速度的@@高附加值@@、高性能@@产品@@@@。HBM DRAM产品@@以@@HBM（第一代@@）、HBM2（第二代@@）、HBM2E（第三代@@）、HBM3（第四代@@）的@@顺序开发@@。
2现有@@HBM3 DRAM的@@最大容量是垂直堆叠@@8个单品@@DRAM芯片@@的@@@@16GB。
SK海力士@@强调@@“公司@@继去年@@6月全球首次量产@@HBM3 DRAM后@@，又成功开发出容量提升@@50%的@@24GB套装产品@@@@。”,“最近随着人工智能聊天机器人@@（AI Chatbot）产业的@@发展@@，高端存储器需求也随之增长@@，公司@@将从今年下半年起将其推向市场@@，以满足市场需求@@。”
公司@@技术@@团队在@@此次此新产品@@@@采用了先进@@（Advanced）MR-MUF3和@@TSV4技术@@。SK海力士@@表示@@，通过先进@@MR-MUF技术@@加强了工艺效率和@@产品@@性能的@@稳定性@@，又利用@@TSV技术@@将@@12个比现有@@芯片@@薄@@40%的@@单品@@DRAM芯片@@垂直堆叠@@，实现了与@@@@16GB产品@@相同的@@高度@@。
3MR-MUF：将半导体芯片@@堆叠后@@@@，为了保护芯片@@和@@芯片@@之间的@@电路@@，在@@其空间@@中注入液体形态的@@保护材料@@，并固化的@@封装工艺技术@@@@。与@@每堆叠一个芯片@@时@@，铺上薄膜型材料的@@方式对比工艺效率高@@，散热方面也更有效@@。
4TSV（Through Silicon Via， 硅通孔技术@@@@）在@@DRAM芯片@@打上数千个细微的@@孔@@，并通过垂直贯通的@@电极连接上下芯片@@的@@@@先进封装@@（Advanced Packaging）技术@@。采用该技术@@的@@@@SK海力士@@HBM3 DRAM可每秒@@传输@@163部全高清@@（Full-HD）电影@@，最大速度可达@@819GB/s（每秒@@819千兆字节@@）。
SK海力士@@于@@2013年在@@世界上首次开发的@@@@HBM DRAM是实现需要高性能@@计算的@@生成式@@AI所必要的@@存储器半导体产品@@@@，因此在@@受到业界的@@高度关注@@。
最新规格的@@@@HBM3 DRAM被评价为能够快速处理庞大数据的@@首选产品@@@@，从而大型科技公司@@的@@需求也在@@逐渐扩大@@。
公司@@已向数多全球客户公司@@提供了@@24GB HBM3 DRAM样品正在@@进行性能验证@@，据悉客户对此产品@@抱有极大的@@期待@@。
SK海力士@@封装测试@@（P&T）担当副社长洪相后@@表示@@：“公司@@以全球顶级后@@端工艺技术@@力为基础@@，接连开发出了超高速@@、高容量的@@@@HBM DRAM产品@@。将在@@今年上半年内完成新产品@@@@的@@量产准备@@@@，以巩固人工智能时代尖端@@DRAM市场的@@主导权@@。”
关于@@SK海力士@@
SK海力士@@总部位于韩国@@，是一家全球领先的@@半导体供应商@@，为全球客户提供@@DRAM(动态随机存取存储器@@)，NAND Flash(NAND快闪存储器@@)和@@CIS(CMOS图像传感器@@)等半导体产品@@@@。公司@@于韩国证券交易所上市@@，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市@@。若想了解更多@@，请点击公司@@网@@站@@www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。