先进的@@GeneSiC碳化硅@@技术@@将实现从@@@@10千瓦到@@兆瓦级别的应用扩展@@，包括铁路@@、电动汽车@@、工业@@、太阳能@@、风能@@和@@储能等领域@@，加速实现@@“Electrify Our World™”使命@@
纳微半导体@@（纳斯达克股票代码@@：NVTS）宣布其采用了全新@@SiCPAK™模块@@和@@裸片的领先碳化硅@@功率产品已扩展到@@更高功率市场@@，包括铁路@@、电动汽车@@、工业@@、太阳能@@、风能@@和@@能量储存等领域@@。
目标应用领域涵盖集中@@式和@@组串式太阳能@@逆变器@@、能量储存系统@@（ESS）、工业@@运动控制@@@@，电动汽车@@（EV）车载充电器@@、电动汽车@@快速充电桩@@、风能@@、UPS、双向微电网@@@@、DC-DC转换器以及固态断路器@@。
*部分@@GeneSiC功率器件使用场景@@
从@@650V到@@6500V，纳微半导体@@覆盖了最全面的碳化硅@@电压范围@@。从@@最初的分立封装系列@@-从@@8 x 8毫米的表贴@@QFN封装到@@插件@@TO-247，GeneSiC SiCPAK模块@@打通了直接进入高功率应用领域的初始入口@@。纳微至此形成了包括功率模块@@@@，高电压@@SiC MOSFETs和@@MPS二极管@@、GaN功率集成电路@@、高速数字隔离器和@@低压硅控制@@集成电路的全方位的功率技术@@路线图@@。
SiCPAK™模块@@采用@@“压接@@”技术@@，为功率电路提供紧凑的外形尺寸@@，并向最终用户提供经济实惠@@、高功率密度的解决方案@@。这些模块@@基于纳微半导体@@@@GeneSiC芯片建造@@，GeneSiC凭借着卓越的性能@@、可靠性和@@坚固性而广为人知@@。
其中@@@@一个显著的例子是@@SiCPAK半桥模块@@@@，额定为@@6毫欧@@、1,200伏@@，并采用了行业领先的沟槽辅助平面栅的@@SiC MOSFET技术@@。纳微将提供多种@@SiC MOSFETs和@@MPS二极管@@的配置可用于制定针对特定应用的模块@@@@，以实现优异的系统性能@@。初期发布的产品为额定@@1,200伏@@的半桥模块@@@@@@，6、12、20和@@30毫欧@@的多款产品@@。
在无铅@@SiCPAK中@@，每颗@@SiC芯片都用银浆@@（Ag）焊接到@@模块@@基板上@@，以实现优秀的冷却性能和@@可靠性@@。基板本身是@@“直接键合铜@@”（DBC），使用活性金属钎焊@@（AMB）技术@@在氮化硅@@（Si3N4）陶瓷上制造@@，非常适合于功率循环@@。这种结构具有优异的强度和@@柔韧性@@、抗断裂性和@@良好的热导性@@，以实现冷却@@、可靠和@@长寿命的运行@@。
对于希望自行制造大功率模块@@的客户@@，所有@@GeneSiC MOSFET和@@MPS二极管@@都提供裸片@@，并带有金@@（Au）和@@铝@@（Al）顶部金属层@@。
目前纳微已可以向符合要求的客户提供样品@@，详细信息欢迎您发送电子@@邮件至@@
china_distributor@navitassemi.com以获取更多信息@@。
“凭借完整@@、领先的电力@@、控制@@和@@隔离技术@@的系列产品@@，纳微半导体@@将加速客户从@@依赖化石燃料和@@传统硅功率产品向新型可再生能源和@@下一代半导体的转变@@，实现更强大@@、更高效@@、更快的能源转化系统@@。”——纳微半导体@@副总裁兼中@@国区总经理@@ 查莹杰@@
关于纳微半导体@@@@
纳微半导体@@（纳斯达克股票代码@@: NVTS）成立于@@2014年@@，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司@@。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动@@、控制@@、感应及保护集成在一起@@，为市场提供充电更快@@、功率密度更高和@@节能效果更好的产品@@。性能互补的@@GeneSiC™碳化硅@@功率器件是经过优化的高功率@@、高电压@@、高可靠性碳化硅@@解决方案@@。重点市场包括移动设备@@@@、消费电子@@@@、数据中@@心@@、电动汽车@@、太阳能@@、风力@@、智能电网@@和@@工业@@市场@@。纳微半导体@@拥有超过@@185项已经获颁或@@正在申请中@@的专利@@，其中@@@@，氮化镓功率芯片已发货超过@@7500万颗@@，碳化硅@@功率器件发货超@@1000万颗@@。纳微半导体@@于业内率先推出唯一的氮化镓@@20年@@质保承诺@@，也是全球首家获得@@CarbonNeutral®认证的半导体公司@@。