专有的@@“低门槛电压@@”技术@@带来更好的温控效果@@，第五代@@GeneSiC™碳化硅@@(SiC)二极管实现更高速@@、更高效的@@性能@@
唯一全面专注的下一代功率半导体公司@@ — 纳微半导体@@（纳斯达克股票代码@@：NVTS）宣布推出第五代@@高速@@GeneSiC碳化硅@@(SiC)功率二极管@@，可有效满足数据中心@@@@、工业电机驱动@@、太阳能@@和消费电子@@@@等要求严格的应用需求@@。
这款@@650伏的混合式@@PIN-肖特基@@ (MPS™)二极管采用独特的@@PiN-Schottky结构@@，提供低内置电压偏置@@（低门槛电压@@）以实现在各种负载条件下的最高效率和卓越的鲁棒性@@。应用领域包括服务器@@/电信电源的@@PFC电路@@、工业电机驱动@@、太阳能@@逆变器@@、LCD/LED电视和照明@@。
部分@@GeneSiC功率器件应用场景@@
GeneSiC MPS的独特设计@@，结合了@@PiN和肖特基@@二极管结构@@的优点@@，产生仅有@@1.3V的最低正向压降@@、高浪涌电流@@（IFSM）和开关损耗随温度变化小@@。专有的@@薄片技术@@进一步降低了正向电压@@，并很好地提升散热性能@@GeneSiC二极管先期提供表面贴装@@QFN的封装@@。
为确保能在关键应用中可靠运行@@，第五代@@650 V MPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性@@ ，具备@@高浪涌电流@@和雪崩@@能力@@，并通过@@100%雪崩@@（UIL）生产测试@@。
从@@4A到@@24A的容量@@，采用表贴封装@@（QFN，D2-PAK）和插件@@（TO-220，TO-247）封装形式@@，GExxMPS06x系列@@MPS二极管覆盖了从@@@@300W到@@3000W的应用范围@@，并适用于多种电路@@@@，如太阳能@@电池板升压转换器以及游戏机中的连续电流模式的功率因数校正电路@@@@（PFC）。TO-247-3封装形式@@是@@“共阴极@@”配置@@，为交错式@@PFC拓扑结构@@的高功率密度和材料降本提供了很大的灵活性@@。
“纳微正在为类似于@@AI，ChatGPT等火热应用背后的数据中心@@电源提供可靠@@，领先的解决方案@@。高效的@@、温控良好的@@、可靠的器件运行能力@@，保证了更长使用寿命@@，从@@而让电源设计师更放心地发挥@@，进一步缩短他们的原型设计周期@@，加快产品上市时间@@。”——纳微半导体@@副总裁兼中国区总经理@@ 查莹杰@@
关于纳微半导体@@@@
纳微半导体@@（纳斯达克股票代码@@: NVTS）成立于@@2014年@@，是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司@@。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动@@、控制@@、感应及保护集成在一起@@，为市场提供充电更快@@、功率密度更高和节能效果更好的产品@@。性能互补的@@GeneSiC™碳化硅@@功率器件是经过优化的高功率@@、高电压@@、高可靠性碳化硅@@解决方案@@。重点市场包括移动设备@@@@、消费电子@@@@、数据中心@@、电动汽车@@、太阳能@@、风力@@、智能电网@@和工业市场@@。纳微半导体@@拥有超过@@185项已经获颁或@@正在申请中的专利@@，其中@@，氮化镓功率芯片已发货超过@@7500万颗@@，碳化硅@@功率器件发货超@@1000万颗@@。纳微半导体@@于业内率先推出唯一的氮化镓@@20年@@质保承诺@@，也是全球首家获得@@CarbonNeutral®认证的半导体公司@@。