器件@@采用@@@@MPS结构@@设计@@，额定电流@@4 A~ 40 A，正向压降@@、电容电荷和@@反向漏电流低@@
日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号@@：VSH）宣布@@，推出@@17款新型@@第三代@@650 V 碳化硅@@（SiC）肖特基二极管@@。Vishay Semiconductors器件@@采用@@@@混合@@PIN Schottky（MPS）结构@@设计@@，具有高浪涌电流保护能力@@，正向压降@@、电容电荷和@@反向漏电流低@@，有助于提升开关电源设计能效和@@可靠性@@。
日前@@发布的@@新一代@@SiC二极管包括@@4A至@@40A器件@@，采用@@TO-22OAC 2L和@@TO-247AD 3L 插件封装和@@@@D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装@@。由于采用@@@@MPS结构@@，器件@@正向压降@@比上一代解决方案低@@0.3V，正向压降@@与电容电荷乘积@@，即电源能效重要优值系数@@（FOM），相比上一代解决方案降低@@17%。
与接近的@@竞品解决方案相比@@，二极管室温下典型反向漏电流低@@30%，高温下低@@70%。因此降低了导通损耗@@，确保系统轻载和@@空载期间的@@高能效@@。与超快恢复二极管不同@@，第三代器件@@几乎没有恢复拖尾@@，从而能够进一步提升效率@@。
与击穿电压相当的@@硅二极管相比@@，SiC二极管热导率高@@，反向电流低@@，反向恢复时间短@@。二极管反向恢复时间几乎不受温度变化的@@影响@@，可在@@+175 C高温下工作@@，不会因开关损耗造成能效变化@@。
器件@@典型应用包括发电和@@勘探应用领域@@FBPS和@@LLC转换器中的@@@@AC/DC功率因数校正@@（PFC）和@@ DC/DC超高频输出整流@@。器件@@具有高可靠性@@，符合@@RoHS标准@@，无卤素@@，通过@@2000小时高温反偏@@（HTRB）测试和@@@@2000次热循环温度循环测试@@，测试时间和@@循环次数是@@AEC-Q101规定的@@两倍@@。
新型@@SiC二极管现可提供样品并已实现量产@@，供货周期为八周@@。
VISHAY简介@@
Vishay 是全球最大的@@分立半导体和@@无源电子@@@@188足彩外围@@app
系列产品制造商之一@@，这些产品对于汽车@@、工业@@、计算@@、消费@@、通信@@、国防@@、航空航天和@@医疗市场的@@创新设计至@@关重要@@。服务于全球客户@@，Vishay承载着科技基因@@——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市@@（VSH）的@@“财富@@1,000 强企业@@”。有关@@Vishay的@@详细信息@@，敬请浏览网@@站@@ www.vishay.com。