英诺赛科@@100V GaN 再添新品@@,采用@@FCQFN封装@@

英诺赛科@@宣布推出两款@@ 100V 新品氮化镓@@功率器件@@,旨在提高@@电源功率转换效率@@,降低系统损耗与@@成本@@。产品@@可应用于太阳能光伏逆变@@、光伏优化器@@、高频@@DC-DC转换器@@及电机驱动@@等场景@@。

此前@@,英诺赛科@@已相继发布了@@ INN100W032A、INN100W027A、INN100W070A 等采用@@@@ WLCSP 封装@@的@@@@ 100V 产品@@,并获得市场良好反馈@@。基于终端应用多样化@@,英诺赛科@@再次推出@@ INN100FQ016A 和@@ INN100FQ025A,采用@@ FCQFN 小体积封装@@@@,延续了低导阻@@、低栅极电荷@@、低开关损耗和@@极低的@@反向恢复电荷等特性@@,具有良好的@@效率表现@@。

值得注意的@@是@@,INN100FQ016A 与@@英诺赛科@@@@150V系列产品@@@@ INN150FQ032A 和@@ INN150FQ070A 采用@@兼容引脚设计@@,客户可以根据不同的@@应用需求进行规格选型@@。

产品@@特性@@

  • 极低的@@栅极电荷@@
  • 超低的@@导通电阻@@
  • 100V/1.8mΩ,100V/2.8mΩ

  • 超小的@@封装@@体积@@
  • FCQFN封装@@ 4mmx6mm,3mmx5mm

    与@@Si MOS相比@@,INN100FQ025A的@@Ciss为@@1500pF(仅为@@@@Si MOS的@@1/5),Qg为@@14nC(仅为@@@@Si MOS的@@1/6),器件开关速度和@@开关损耗具备@@显著优势@@。

    应用领域@@

  • 电机驱动@@
  • LLC同步整流@@
  • 高频@@DC-DC转换器@@
  • POL 开关转换器@@@@
  • PC充电器@@
  • 移动电源@@
  • 目前@@,INN100FQ016A 和@@ INN100FQ025A 两款产品@@均已成功量产@@,详细的@@产品@@规格书@@、可靠性报告@@、仿真模型均可在英诺赛科@@官网@@@@(www.innoscience.com)获取@@。

    INN100FQ016A 规格书首页@@@@

    INN100FQ025A 规格书首页@@@@

    随着氮化镓@@技术@@及供应链的@@不断成熟@@,其优越特性和@@成本优势逐渐显现@@。英诺赛科@@ 100V GaN 系列新增的@@两款@@ FCQFN 封装@@芯片@@,以其不同的@@导通电阻及不同的@@封装@@类型@@,拓展了更广泛的@@功率场景@@,不仅为@@@@客户提供了更多选择@@,还进一步扩大了氮化镓@@在多个领域的@@应用@@。基于大规模@@8英寸硅基氮化镓@@技术@@的@@研发@@、制造与@@迭代@@,英诺赛科@@的@@产品@@质量和@@交付能力也将为@@合作伙伴提供强有力的@@支持与@@保障@@。

    英诺赛科@@是全球领先的@@@@GaN IDM高新技术@@企业@@,汇集了半导体行业资深的@@研发与@@应用团队@@,致力于第三代半导体硅基氮化镓@@@@ (GaN-on-Si) 研发与@@制造@@。拥有全球最大的@@@@8英寸硅基氮化镓@@晶圆生产能力@@,产品@@设计及性能处于国际先进水平@@,为@@客户提供从@@15V到@@700V的@@高@@、低压全功率氮化镓@@芯片@@。自@@2015年成立至今@@,英诺赛科@@已获专利@@700多项@@,累计出货量超@@2.7亿颗@@。产品@@可广泛应用于消费电子@@@@、服务器电源@@、汽车电子@@及新能源领域等前沿领域@@。

    英诺赛科@@,用氮化镓@@打造绿色高效新世界@@!