与@@Si基系统相比@@@@，采用@@GaN功率器件@@的新型变换器拥有更高的功率输出密度和更高的能量转换效率@@@@，可以使系统小型化@@、轻量化@@，能够有效降低车载设备@@的体积和重量@@。
据行业预测@@，汽车电子@@将成为@@@@GaN 的下一个蓝海市场@@。当前@@，新能源汽车的续航@@、充电速度@@、轻量化@@是持续需要优化的方向@@。其中@@@@，逆变器@@、OBC、DC-DC、48V轻混系统@@、BMS等场景将是@@GaN的发挥空间@@@@。
针对汽车电子@@中@@的@@48V轻混系统@@应用@@，英诺赛科@@推出@@了@@2.4kW 双向@@buck/boost 参考设计@@，为@@48V轻混系统@@提供先进解决方案@@。
主要参数@@
尺寸@@
165mm×155mm×25mm
效率@@
Boost 满载效率@@@@：96.53%
Buck 满载效率@@@@：97.33%
功率密度@@
61.5W/in^3
InnoGaN
INN100W032A × 16
拓扑结构@@
效率@@数据@@
实测数据显示@@，英诺赛科@@48V轻混方案在@@@@Buck模式下@@，最大输出功率@@@@2400W，效率@@为@@@@97.3%，Boost 模式下@@，最大输出功率@@@@2200W，效率@@96.5%。
与@@同等@@ Si 方案相比@@@@，在@@Buck模式输出@@ 1800W 的条件下@@@@，效率@@提升@@@@ 0.5%，损耗下降约@@ 9.6W；输出功率@@2400W条件下@@，效率@@提升@@@@1.8%,损耗下降约@@ 46.5W，同等功率情况下@@，可以减少散热措施@@，降低变换器的体积和重量@@。
与@@同等@@ Si 方案相比@@@@，在@@输出@@ 1800W 的条件下@@@@，Boost 效率@@提升@@@@ 0.4%，损耗下降约@@ 7.7W。
器件@@性能@@
2.4kW buck/boost 采用@@16颗@@ InnoGaN - INN100W032A 实现低功耗效率@@转换@@。
INN100W032A 是一颗@@耐压@@ 100V，导阻@@ 3.2mΩ 的增强型@@ InnoGaN 器件@@，采用@@ WLCSP 3.5mmx2.13mm 封装@@，与@@Si 器件@@相比@@@@，INN100W032A 具备@@更低的导通电阻@@、极低的栅极电荷以及无反向恢复损耗等特性@@，体积十分小巧@@。与@@目前主流的@@ Si MOSFET 相比@@， INN100W032A 的硬开关品质因数仅为@@其@@ 16%，软开关品质因数也仅为@@其@@ 39%，可大大降低在@@@@ Buck/Boost 应用中@@开关器件@@的损耗@@，提升@@效率@@@@。
除了在@@@@ buck/boost 中@@应用@@，该器件@@在@@@@ Class-D、通信基站@@、电机驱动等应用中@@也具备@@较大优势@@。
方案优势@@
2.4kW buck/boost 方案是英诺赛科@@为@@轻混汽车@@48V系统提供的基于氮化镓的先进解决方案@@，与@@当前@@的@@ Si 解决方案相比@@@@@@，Buck满载效率@@@@（2400W）提升@@1.8%，整机损耗减小@@41%。
应用领域@@
2.4kW buck/boost 将高性能@@ GaN 与@@先进的方案设计相结合@@，不仅能够有效地提升@@新能源车@@ 48V 系统的整体效率@@@@，而且还可以广泛应用于@@储能领域@@，为@@新能源汽车和储能产品提供了可靠@@、高效@@、节能的解决方案@@。
英诺赛科@@是全球领先的第三代半导体高新技术@@企业@@，致力于硅基氮化镓@@ (GaN-on-Si) 的研发与@@制造@@。拥有全球最大规模的@@8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地@@，当前@@产能@@15000片@@/月@@，产品设计及性能处于国际先进水平@@。英诺赛科@@提供从@@30V-700V的高@@、中@@、低压全功率氮化镓产品@@，涵盖晶圆@@、分立器件@@@@、合封芯片@@三大品类@@，并为@@客户提供全氮化镓方案设计参考@@。自@@2015年成立至今@@，英诺赛科@@已获专利@@700多项@@，累计出货量超@@3亿颗@@@@。产品可广泛应用于@@消费电子@@@@、数据中@@心@@、汽车电子@@及新能源等前沿领域@@。
英诺赛科@@，用氮化镓打造绿色高效@@新世界@@！
文章来源@@： 英诺赛科@@