作者@@：周利伟@@，来源@@： 英飞凌工业半导体微信公众号@@@@
继英飞凌@@1200V IGBT7 T7芯片@@在@@中小功率模块@@@@产品@@相继量产并取得客户认可后@@，英飞凌最新推出了适用于大功率@@应用场景的@@@@1200V IGBT7 P7芯片@@，并将其应用在@@@@PrimePACK™模块@@中@@，再次刷新了该封装@@的@@@@功率密度上限@@。
目标应用领域@@：
1200V P7模块@@首发型号有以@@下两个@@：
相比@@于以@@前的@@@@IGBT4或@@IGBT5产品@@，新的@@@@IGBT7产品@@进一步拓展了@@PrimePACK™封装@@电流等级@@，而且极大地提升了模块@@的@@功率密度@@，从下表就可以@@直观看出@@。
以@@IGBT7 1600A PrimePACK™ 2封装@@为例@@@@，相对于@@IGBT4的@@同封装@@里最大的@@@@900A模块@@，其电流密度提升达到@@77%，而即使相对于@@@@IGBT4的@@PrimePACK™ 3封装@@里电流最大的@@@@1400A模块@@，其电流密度也提升了@@14%。
因此@@，采用新的@@@@@@IGBT7 P7 PrimePACK™模块@@，可以@@带来以@@下三点优势@@：
另外@@，模块@@内采用了最新的@@@@@@1200V TRENCHSTOP™ IGBT7大功率@@P7芯片@@，和@@上一代的@@@@P4芯片@@相比@@@@，P7芯片@@有以@@下突出特性@@：
下面我们以@@@@FF1600R12IP7为例@@，通过与@@@@IGBT4的@@对应模块@@在@@规格书参数及实际工况下仿真结果的@@对比@@，来看其实际性能表现@@。
首先@@，规格书关键参数对比结果如下@@，可以@@看出新模块@@的@@@@Vcesat和@@Vf降幅都非常大@@。比如@@FF1600R12IP7在@@1400A电流下的@@饱和@@压降@@Vcesat，仅有@@1.31V，比上一代@@FF1400R12IP4的@@2.15V，降低了@@0.84V，而二极管正向压降@@VF也降低了@@@@0.28V。
其次@@，我们基于@@如下的@@通用变频器典型工况@@，对上述三个器件型号在@@同一工况下仿真其最大输出电流能力及损耗@@，得到如下结果@@：
仿真工况@@：
仿真结果之最大输出电流能力对比@@：
从以@@上结果可以@@看出@@，在@@开关频率@@fsw=1~2.5kHz的@@范围内@@，新的@@@@FF1600R12IP7虽然是@@PP2的@@小封装@@@@，但其输出电流能力可以@@与@@上一代采用@@PP3封装@@的@@@@FF1400R12IP4相媲美@@，或@@者能输出更大的@@电流@@，且开关频率越低@@FF1600R12IP7的@@优势越明显@@。
总之@@，搭载@@1200V IGBT7 P7芯片@@的@@@@PrimePACK™模块@@，“小身材大能量@@”，相比@@P4模块@@，相同封装@@额定电流大幅提升@@，极大拓展了功率密度@@，甚至可以@@用单个模块@@替代之前需要两个或@@三个模块@@并联的@@应用场合@@，解决并联不易均流的@@设计烦恼@@，使系统设计更加紧凑@@，缩短产品@@上市时间@@，为您的@@系统设计提供更优的@@方案选择@@。
TRENCHSTOP™ IGBT7在@@工业驱动中的@@应用@@
IPAC精彩回放@@ | 新一代@@IGBT7的@@技术@@和@@应用@@
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