英诺赛科@@推出@@100V VGaN，支持@@48V BMS应用@@

judy -- 周四@@, 10/12/2023 - 14:03

英诺赛科@@宣布推出@@ 100V 双向导通器件@@ INV100FQ030A，可在电池管理系统@@@@@@@@、双向变换器的高@@侧负荷开关@@、电源系统@@中@@的开关电路@@等领域实现高效应用@@@@。

英诺赛科@@产品部@@Shawn表示@@：“一颗@@ VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背@@Si MOSFET，实现电池充电和@@放电双向开关@@，进一步减小导通电阻@@，降低损耗@@。VGaN 器件采用单@@ Gate 设计@@，通过控制@@ Gate到@@ Drain1/Drain2 的逻辑@@，实现充电保护可放电@@、放电保护可充电@@；同时大幅减少器件数量@@，缩小占板面积@@，降低整体系统@@成本@@。”

为便于客户验证和@@导入@@，英诺赛科@@同步提供@@ BMS 系统@@解决方案@@，设计@@方案涵盖低边同口@@、高边同口@@、高边分口等@@。INV100FQ030A 在电池管理系统@@@@@@ (BMS) 中@@体现出明显优势@@，具备@@巨大的市场潜力@@。

产品特性@@

  • 支持@@双向导通@@，双向截止@@，无反向恢复@@
  • 极低的栅极电荷@@
  • 超低的导通电阻@@ 100V/3.2mΩ
  • 超小的封装@@体积@@ FCQFN封装@@ 4x6mm

    • 应用@@领域@@

  • 电池管理系统@@@@ (BMS)
  • 双向变换器的高@@侧负荷开关@@
  • 电源系统@@中@@的开关电路@@

    • 性能与优势@@

    INV100FQ030A与先前推出的@@100V单管器件@@INN100FQ016A，150V系列@@ INN150FQ032A 和@@ INN150FQ070A 三款产品采用兼容引脚设计@@@@，均为@@ FCQFN 4x6mm 封装@@，客户可以根据不同的应用@@需求进行规格选型@@。

    INV100FQ030A 规格书首页@@@@

    英诺赛科@@100V 氮化镓系列@@产品已量产三款@@WLCSP 封装@@产品@@（INN100W032A、INN100W027A 和@@ INN100W070A），两款@@ FCQFN 封装@@产品@@（INN100FQ016A、INN100FQ025A）。当前新增一款@@FCQFN 封装@@双向导通@@ VGaN 芯片@@@@ INV100FQ030A，进一步丰富了@@ 100V InnoGaN 系列@@，扩大应用@@范围@@，也为更广泛的场景提供选择@@。基于持续创新与核心技术@@的提升@@，英诺赛科@@8英寸氮化镓@@IDM模式将加速应用@@系统@@小型化@@、更高效@@、更节能@@。

    目前@@，INV100FQ030A 已进入小批量试产@@，如需申请样品@@，或@@查询详细的产品规格书@@、可靠性报告@@、仿真模型@@、VGaN BMS系统@@Demo方案等资料@@，可以通过微信公众号@@私信@@/留言联系获取@@。

    英诺赛科@@是全球领先的第三代半导体高新技术@@企业@@，致力于硅基氮化镓@@ (GaN-on-Si) 的研发与制造@@。拥有全球最大规模的@@8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地@@，当前产能@@15000片@@/月@@，产品设计@@及性能处于国际先进水平@@。英诺赛科@@提供从@@30V-700V的高@@、中@@、低压全功率氮化镓产品@@，涵盖晶圆@@、分立器件@@、合封芯片@@@@三大品类@@，并为客户提供全氮化镓方案设计@@参考@@。自@@2015年成立至今@@，英诺赛科@@已获专利@@700多项@@，累计出货量超@@3亿颗@@。产品可广泛应用@@于消费电子@@@@、数据中@@心@@、汽车电子@@及新能源等前沿领域@@。

    英诺赛科@@，用氮化镓打造绿色高效新世界@@！

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