MOS管@@具有三个内在@@的寄生电容@@@@：Cgs、Cgd、Cds。这一点在@@@@MOS管@@的@@规格书中可以体现@@（规格书常用@@Ciss、Coss、Crss这三个参数代替@@）。MOS管@@之所以@@存在@@米勒效应@@，以及@@ＧＳ之间要并电阻@@@@，其源头都在@@于这三个寄生电容@@@@。
MOS管@@内部寄生电容@@示意@@
IRF3205寄生电容@@参数@@
1.MOS管@@的@@米勒效应@@
MOS管@@驱动之理想与现实@@
理想的@@MOS管@@驱动波形应是方波@@，当@@Cgs达到门槛电压之后@@， MOS管@@就会进入饱和导通@@状态@@。而@@实际上在@@@@MOS管@@的@@栅极驱动过程中@@，会存在@@一个米勒平台@@。米勒平台实际上就是@@MOS管@@处于@@“放大区@@”的典型标志@@，所以@@导致@@开通损耗很大@@。由此可见@@，米勒效应是一个对电路不利的却又客观存在@@的现象@@，在@@设计电路时需要加以考虑@@。
米勒平台形成的详细过程@@：
MOS管@@开启过程@@
将@@MOS管@@开启时间分解@@：
t0→t1：当@@GS两端电压达到门限电压@@Vgs(th)的时候@@（可以理解为@@对@@Cgs进行充电@@@@），MOS管@@开始导通@@@@，这之前@@MOS管@@处于@@截止区@@；
t1→t2：随着@@Vgs继续增大@@，Id开始增大@@，Vds开始下降@@，此时@@MOS管@@工作在@@饱和区@@（如何判断是在@@饱和区@@？直接通过公式可知@@：Vds>Vgs-Vth，Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍@@），Id主要由@@Vgs决定@@，这个过程中@@Vds会稍微有点降低@@，主要是@@△I导致@@G极端一些寄生感抗等形成压降@@；
t2→t3：Vgs增大到一定程度后@@，出现米勒效应@@，Id已经达到饱和@@，此时@@Vgs会持续一段时间不再增加@@，而@@Vds继续下降@@，给@@Cgd充电@@，也正是因为@@需要给@@@@Cgd充电@@，所以@@Cgs两端电压变化就比较小@@（MOS管@@开通时@@，Vd>Vg，Cdg先通过@@MOS管@@放电@@，而@@后再反向充电@@@@，夺取了给@@@@Cgs的充电@@电流@@，造成了@@Vgs的平台@@）；
t3→t4：Vgs继续上升@@，此时@@进入可变电阻@@区@@，DS导通@@，Vds降来下来@@（米勒平台由于限制了@@Vgs的增加@@，也就限制了导通@@电阻@@的降低@@@@，进而@@限制了@@Vds的降低@@，使得@@MOS管@@不能很快进入开关状态@@）。
2.MOS管@@G极与@@S极之间的电阻@@作用@@
反激电源图@@：R3为@@GS电阻@@
用一个简单的实验证明@@GS间电阻@@的重要性@@：取一只@@mos管@@,让它的@@G极悬空@@,然后在@@@@DS上加电压@@,结果发现输入电压才三四十伏的时候@@@@,MOS管@@的@@DS就会直接导通@@@@，如果不限流则可能损坏@@。按说此时@@没有驱动@@，MOS管@@不应导通@@@@。但其实由于@@MOS管@@寄生电容@@的存在@@@@,当@@在@@@@DS之间加电压时@@，加在@@@@DS之间电压会通过@@Cdg给@@Cgs充电@@,这样@@G极的电压就会抬高直到@@mos管@@导通@@@@。（假如采用变压器驱动@@,变压器绕组可以起到放电作用@@,所以@@即使不加@@GS电阻@@,在@@驱动没有的情况下@@,管@@子也不会自己导通@@@@）
在@@GS之间并联一个电阻@@@@（阻值约为@@几@@K到几十@@K），可以有效保障@@MOS管@@正常工作@@。首先@@，门极悬空@@时@@DS之间电压不会导致@@@@MOS管@@导通@@@@损坏@@，同时在@@没有驱动时能将@@@@MOS管@@的@@门极钳在@@低位@@，不会误动作@@，能可靠通断@@。
免责声明@@：本文转载于网@@络@@，转载此文目的在@@于传播相关技术@@知识@@，版权归原作者所有@@，如涉及侵权@@，请联系小编删除@@(联系邮箱@@：service@eetrend.com )。