Qorvo® （纳斯达克代码@@：QRVO）近日发布一款符合车规标准的碳化硅@@@@（SiC）场效应晶体管@@（FET）产品@@；在@@紧凑型@@D2PAK-7L封装@@中实现业界卓越的@@9mΩ 导通电阻@@RDS(on)。此款@@750V SiC FET作为@@Qorvo全新引脚兼容@@SiC FET系列的首款产品@@@@，导通电阻@@值最高可达@@60mΩ，非常适合车载充电器@@、DC/DC转换器和@@正温度系数@@（PTC）加热器模块等电动汽车@@（EV）类应用@@。
UJ4SC075009B7S 在@@25°C时的典型导通电阻@@值为@@9mΩ，可在@@高压@@、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高@@效率@@。其小型表面贴装封装@@可实现自动化装配流程@@，降低客户的制造成本@@。全新的@@750V系列产品@@是对@@Qorvo现有的@@1200V和@@1700V D2PAK封装@@车用@@SiC FET的补充@@，打造了完整的产品@@组合@@，可满足@@400V和@@800V电池架构电动汽车的应用需求@@。
Qorvo电源产品@@线市场总监@@Ramanan Natarajan表示@@：“这一全新@@SiC FET系列的推出@@彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进@@、高效解决方案的承诺@@，以助力其应对独特的车辆动力挑战@@。”
这些第四代@@SiC FET采用@@Qorvo独特的共源共栅结构@@电路配置@@，将@@SiC JFET与硅基@@MOSFET合并封装@@@@，从而制造出具备@@宽带隙开关技术@@效率优势和@@硅基@@MOSFET简单栅极驱动的器件@@。SiC FET的效率取决于传导损耗@@；得益于业界卓越的低导通电阻@@和@@体二极管反向压降@@，Qorvo的共源共栅结构@@/JFET方式带来了更低的传导损耗@@。
UJ4SC075009B7S的主要特性包括@@：
. 阈值电压@@VG(th)：4.5V (典型值@@)，允许@@0至@@15V驱动电压@@
. 较低的体二极管@@VFSD：1.1V
. 最高工作温度@@：175°C
. 出色的反向恢复能力@@：Qrr = 338nC
. 低栅极电荷@@：QG = 75nC
. 通过汽车电子@@委员会@@AEC-Q101认证@@
有关@@Qorvo先进功率应用@@SiC解决方案的更多信息@@，请点击@@：https://cn.qorvo.com/innovation/power-solutions/sic-power/gen4-sic-fets