首款采用新技术@@的@@@@STM32微控制器@@将于@@2024下半年开始向部分客户出样片@@
18nm FD-SO制造工艺与嵌入式相变存储器@@（ePCM）组合@@，实现性能和@@功耗双飞跃@@
意法半导体@@（简称@@ST）发布了一项基于@@18纳米全耗尽绝缘体上硅@@（FD-SOI）技术@@并整合嵌入式相变存储器@@（ePCM）的@@先进制造工艺@@，支持下一代嵌入式处理器升级进化@@。这项新工艺技术@@是@@意法半导体@@和@@三星晶圆代工厂共同开发@@，使嵌入式处理应用的@@性能和@@功耗实现巨大飞跃@@，同时可以集成@@容量更大的@@存储器和@@更多的@@模拟和@@数字@@外设@@。基于新技术@@的@@下一代@@STM32微控制器@@的@@首款产品将于@@ 2024下半年开始向部分客户提供样片@@，2025年下半年排产@@。
意法半导体@@微控制器@@@@、数字@@IC和@@射频产品部总裁@@Remi El-Ouazzane表示@@：“作为处于半导体行业前沿的@@创新企业@@，意法半导体@@率先为客户带来汽车级和@@航天级@@FD-SOI和@@PCM技术@@。我们的@@下一步行动是@@@@，从下一代@@STM32微控制器@@开始@@，让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术@@带来的@@诸多好处@@。”
技术@@优势@@
与目前在用的@@@@ST 40nm嵌入式非易失性存储器@@@@（eNVM）技术@@相比@@，集成@@ ePCM的@@18nm FD-SOI制造工艺极大地提高@@了关键的@@品质因数@@：
性能功耗比提高@@@@50%以上@@
非易失性存储器@@（NVM）密度是@@现有技术@@的@@@@2.5倍@@，可以在片上集成@@容量更大的@@存储器@@
数字@@电路密度是@@现有技术@@的@@@@三倍@@@@，可以集成@@人工智能@@、图形加速器等数字@@外设@@，以及最先进的@@@@安全保护功能@@
噪声系数改善@@3dB，增强了无线@@@@MCU的@@射频性能@@
该技术@@的@@工作电源电压是@@@@3V，可以给电源管理@@、复位系统@@、时钟源和@@数字@@@@/模拟转换器等模拟功能供电@@，是@@20纳米以下唯一支持此功能的@@半导体工艺技术@@@@。
该技术@@的@@耐高温工作@@、辐射硬化和@@数据保存期限已经过汽车市场的@@检验@@，能够满足工业应用对可靠性的@@严格要求@@。
FD-SOI和@@PCM技术@@详情访问意法半导体@@官网@@@@ST.com。
能为@@STM32微控制器@@开发者和@@客户带来哪些益处@@？
这种具有成本竞争力的@@技术@@将给开发人员带来新型的@@高性能@@、低功耗@@、无线@@ MCU。大存储容量支持市场对边缘人工智能处理@@、多射频协议栈@@、无线@@更新和@@高级安全功能的@@日益增长的@@需求@@。高处理性能和@@大存储容量将激励目前正在使用微处理器开发产品的@@开发者转向集成@@度更高且成本效益更高的@@微控制器@@@@。这项新技术@@将进一步提高@@超低功耗@@设备@@的@@能效@@，意法半导体@@的@@产品组合@@目前在这个市场处于优势地位@@。
基于该技术@@的@@首款微控制器@@将集成@@@@ARM最先进的@@@@ARM® Cortex®-M内核@@，为机器学习和@@数字@@信号处理应用带来更强的@@运算性能@@。该产品将具有快速@@、灵活的@@外部存储器接口@@、先进的@@图形功能@@，并将集成@@众多模拟和@@数字@@外设@@，还将有意法半导体@@最新@@MCU上已经引入的@@先进的@@经过认证的@@安全功能@@。