什么是导通电阻@@@@?

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MOSFET工作@@(启动@@)时@@,漏极和源极间的阻值@@称为导通电阻@@@@ (RDS(ON))。数值@@越小@@@@,工作@@时@@的损耗@@(功率@@损耗@@)越小@@。

关于导通电阻@@的电气特性@@

晶体管的消耗功率@@用@@集电极饱和电压@@@@ (VCE(sat)) 乘以集电极电流@@@@(IC)表示@@。

(集电极损耗@@PC))=(集电极饱和电压@@VCE(sat) )x(集电极电流@@IC

MOSFET的消耗功率@@是用@@漏极源极间导通电阻@@@@ (RDS(ON)) 计算@@。

MOSFET消耗的功率@@@@PD用@@MOSFET自身具有的导通电阻@@乘以漏极电流@@@@(ID)的平方表示@@@@。

(功率@@PD)=(导通电阻@@RDS(ON) ) x (漏极电流@@ID2

此功率@@将变成热量散发出去@@。

MOSFET的导通电阻@@一般@@在@@Ω极以下@@,与一般@@的晶体管相比@@,消耗功率@@小@@。即发热小@@,散热对策简单@@。

电压特性@@

如左上图所示@@,栅极源极间电压越高@@,导通电阻@@越小@@@@。另外@@,栅极源极间电压相同的条件下@@,导通电阻@@因电流不同而不同@@。计算@@功率@@损耗@@时@@@@,需要考虑栅极源极间电压和漏极电流@@@@,选择适合的导通电阻@@@@。

另外@@,如右上图所示@@,导通电阻@@因温度变化而变化@@,因此需要注意这一特性@@。

导通电阻@@比较@@

一般@@MOSFET的芯片尺寸@@(表面面积@@)越大@@,导通电阻@@越小@@@@。
下图显示了不同尺寸的小型封装条件下@@,罗姆@@最小导通电阻@@值@@的比较@@。
封装尺寸越大@@可搭载的芯片尺寸@@就越大@@@@,因此导通电阻@@越小@@@@@@。
罗姆@@针对各种@@不同的封装尺寸@@,备@@有低导通电阻@@的产品@@。
选择更大尺寸的封装@@,导通电阻@@会更小@@。

导通电阻@@比较@@

各封装的搜索@@页请点这里@@

DFN0604 (0.6x0.6mm)

DFN1006 (1.0x0.6mm)

DFN2020 (2.0x2.0mm)

文章来源@@:罗姆@@

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