MEMS是@@Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统@@）的缩写@@，具有@@微小的立体结构@@（三维结构@@），是@@处理各种输入@@、输出信号的系统的统称@@。
是@@利用微细加工技术@@@@，将机械零零件@@、电子@@电路@@、传感器@@、执行机构集成在@@一块电路板上的高附加值@@188足彩外围@@app 。
MEMS工艺@@
MEMS工艺@@以成膜@@工序@@、光刻工序@@、蚀刻@@工序等@@常规半导体工艺@@流程为基础@@。
下面介绍@@MEMS工艺@@的部分关键技术@@@@。
晶圆@@
SOI晶圆@@
SOI是@@Silicon On Insulator的缩写@@，是@@指在@@氧化膜上形成了单晶硅层的硅晶圆@@@@。已广泛应用于功率@@188足彩外围@@app
和@@MEMS等@@，在@@MEMS中可以使用氧化膜层作为硅蚀刻@@的阻挡层@@，因此能够形成复杂的三维立体结构@@。
TAIKO磨削@@ “TAIKO”是@@DISCO株式会社的商标@@
TAIKO磨削@@是@@@@DISCO公司开发的技术@@@@，在@@磨削@@晶圆@@@@时保留最外围的边缘@@，只对其内侧进行磨削@@@@。
TAIKO磨削@@与通常的磨削@@相比@@，具有@@“晶圆@@曲翘减少@@”、“晶圆@@强度更高@@”、“处理容易@@”、“与其他工艺@@的整合性更高@@”等@@优点@@。
晶圆@@粘合@@/热剥离片工艺@@@@
通过使用支撑晶圆@@和@@热剥离片@@，可以轻松对薄化晶圆@@进行处理等@@@@。
晶圆@@键合@@
晶圆@@键合@@大致分为@@“直接键合@@”、“通过中间层键合@@”2类@@。
直接键合@@不使用粘合剂等@@@@，是@@利用热处理产生的分子间力使晶圆@@相互粘合的键合@@，用于制作@@SOI晶圆@@等@@@@。
通过中间层键合@@是@@借助粘合剂等@@使晶圆@@互相粘合的键合方法@@。
蚀刻@@
各向同性蚀刻@@与各向异性蚀刻@@@@
通过在@@低真空中放电使等@@离子体产生离子等@@粒子@@，利用该粒子进行蚀刻@@的技术@@称为@@反应离子蚀刻@@@@@@。
等@@离子体中混合存在@@着携带电荷的离子和@@中性的自由基@@，具有@@利用自由基的各向同性蚀刻@@@@、利用离子的各向异性蚀刻@@两种蚀刻@@作用@@。
硅深度蚀刻@@@@
集各向异性蚀刻@@和@@各向同性蚀刻@@的优点于一身的博世工艺@@技术@@已经成为了硅深度蚀刻@@@@的主流技术@@@@。
通过重复进行@@Si蚀刻@@⇒聚合物沉积@@⇒底面聚合物去除@@，可以进行纵向的深度蚀刻@@@@。
侧壁的凹凸因形似扇贝@@，称为@@“扇贝形貌@@”。
成膜@@
ALD（原子层沉积@@）
ALD是@@Atomic Layer Deposition（原子层沉积@@）的缩写@@，是@@通过重复进行@@材料供应@@（前体@@）和@@排气@@，利用与基板之间的表面反应@@，分步逐层沉积原子的成膜@@方式@@。
通过采用这种方式@@，只要有成膜@@材料可以通过的缝隙@@，就能以纳米等@@级的膜厚控制@@，在@@小孔侧壁和@@深孔底部等@@部位成膜@@@@，在@@深度蚀刻@@时的聚合物沉积@@等@@@@MEMS加工中形成均匀的成膜@@@@。
文章来源@@：罗姆官网@@@@