SiC

本@@文主要针对驱动电压@@Vgs和@@栅极电压阈值@@Vgs(th)本@@身对@@SiC MOSFET在使用@@过程中的影响做出讨论@@。

碳化硅@@（SiC）技术@@能在大幅提高@@当前电力系统效率的同时降低其尺寸@@、重量和@@成本@@@@，因此市场需求不断攀升@@。但是@@SiC解决方案并不是硅基解决方案的直接替代品@@，它们并非完全相同@@。

本@@SiC FET用@@户指南@@介绍了使用@@含快速开关@@SiC器件的@@RC缓冲电路的实用@@解决方案和@@指南@@。该解决方案经过实验性双脉冲测试@@（DPT）结果验证@@。缓冲电路损耗得到精确测量@@，可协助用@@户计算缓冲电路电阻的额定功率@@。

3.3 kV碳化硅@@MOSFET和@@肖特基势垒二极管@@（SBD）扩大了设计人员对交通@@、能源和@@工业系统中的高压电力电子@@产品的选择范围@@

物理法则无法击败@@。电阻必然消耗电能@@，并产生热量和@@压降@@。电容器要消耗时间存储电荷@@，再花时间释放电荷@@。电感器要花时间制造电磁场并让其坍塌@@。

意法半导体新推出@@的两款双通道电隔离@@IGBT和@@碳化硅@@@@(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和@@工业应用@@中节省空间@@@@，简化电路设计@@。

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关@@，电压过冲和@@振铃开始成为问题@@。适用@@于@@SiC FET的简单@@RC缓冲电路可以解决这些问题@@，并带来更高的效率增益@@。

从本@@文开始@@，我们将进入@@SiC功率元器件基础知识应用@@篇的第一@@弹@@“SiC MOSFET：桥式结构中栅极@@－源极间电压的动作@@”。

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道@@，尽管其工艺复杂@@，单元一@@致性比平面结构差@@。但是@@，沟槽结构可以增加单元密度@@，没有@@JFET效应@@，寄生电容更小@@，开关速度快@@，开关损耗非常低@@

机械断路器损耗低@@，但是@@速度慢而且会磨损@@。采用@@@@SiC FET的固态断路器可以解决这些问题且其损耗开始降低@@。