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X-FAB推出针对@@近红外应用的@@新一代增强性能@@SPAD器件@@

judy — Fri, 17 Nov 2023 06:31:12 +0000

X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日@@宣布@@，推出专用近红外版本的@@单光子雪崩二极管@@@@（SPAD）器件@@组合@@。与@@2021年@@发布@@的@@前一代@@SPAD保持同步@@，新版本也是基于@@@@@@X-FAB 180纳米@@工艺@@的@@@@XH018平台@@。得益于@@在@@制造过程中增加的@@额外工艺@@流程@@，在@@保持同样低的@@本底噪声水平的@@同时@@，显著增强信号@@，而@@且不会对@@暗计数率@@、后脉冲和@@击穿电压等参数产生负面影响@@。

X-FAB通过推出这一最新版本的@@产品@@@@，成功丰富了其@@SPAD产品@@的@@选择范围@@，提升了解决众多视近红外功能至@@关重要的@@新兴应用能力@@@@。这些新兴应用涵盖了飞行时间@@传感@@、车辆@@LiDAR成像@@、生物光子学和@@@@FLIM研究工作@@，以及医疗领域各种不同的@@相关活动@@。新的@@单光子雪崩二极管@@@@（SPAD）器件@@可使得整个近红外@@（NIR）波段的@@灵敏度均得到@@加强@@，关键波长@@850纳米@@和@@@@905纳米@@的@@灵敏度分别提高@@40%和@@35%。

由@@于@@紫外线和@@可见光已被抑制@@，使用新型@@SPAD器件@@将@@降低可见光过滤的@@复杂度@@。因此@@，滤波器@@的@@设计@@将@@更加简单@@，所涉及的@@部件也会减少@@。此外@@，由@@于@@新的@@@@SPAD具备与@@前一代器件@@完全相同的@@基底面尺寸@@，使得客户在@@进行产品@@更迭这一过程中更为@@便捷@@：客户仅需将@@现有设计@@更换新器件@@@@，便能够获得显著的@@性能优势@@。

X-FAB为@@其近红外@@SPAD版本编制了全面的@@@@PDK，其中包括@@广泛的@@文档与@@应用说明@@。光学和@@电气仿真模型将@@为@@工程师带来所需的@@额外设计@@支持@@，让他们能够在@@短时间内将@@这些器件@@集成@@至@@电路@@中@@。

工业@@机器人使用@@SPAD进行飞行时间@@距离测量@@

正如@@@@X-FAB传感器@@产品@@营销经理@@Heming Wei所言@@：“我们的@@@@SPAD技术@@已经获得了非常积极的@@市场反馈@@，得到@@了众多客户的@@青睐@@。得益于@@工艺@@层面的@@持续创新@@，我们现已能够开发出一套解决方案@@，为@@我们在@@汽车@@、医疗保健和@@生命科学等各种近红外应用领域的@@业务发展推波助澜@@。”

全新@@近红外增强型@@SPAD现已上市@@。工程师可即刻开始使用新器件@@进行设计@@@@。

缩略语@@：
FLIM 荧光寿命成像@@显微镜@@
LiDAR 激光雷达@@
NIR 近红外线@@
PDK 工艺@@设计@@套件@@
SPAD 单光子雪崩二极管@@
ToF 飞行时间@@

关于@@@@X-FAB：
X-FAB是领先的@@模拟@@/混合信号@@和@@@@MEMS晶圆代工集团@@，生产用于@@汽车@@、工业@@、消费@@、医疗和@@其它应用的@@硅@@晶圆@@。X-FAB采用尺寸范围从@@1.0µm至@@110nm的@@模块化@@CMOS和@@SOI工艺@@，及其特色@@SiC与@@微机电系统@@（MEMS）长寿命工艺@@@@，为@@全球客户打造最高的@@质量标准@@、卓越的@@制造工艺@@和@@创新的@@解决方案@@。X-FAB的@@模拟数字集成@@电路@@@@@@（混合信号@@IC）、传感器@@MEMS在@@德国@@、法国@@、马来西亚和@@美国的@@六家生产基地生产@@，并在@@全球拥有约@@4,200名员工@@。www.xfab.com

X-FAB在@@制造工艺@@上的@@突破为@@电隔离@@解决方案增加@@CMOS集成@@选项@@

judy — Fri, 03 Nov 2023 02:22:11 +0000

X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日@@宣布@@，在@@电隔离@@技术@@领域取得重大进展@@——X-FAB在@@2018年@@基于@@@@其先进工艺@@@@XA035推出针对@@稳健的@@分立电容@@或电感耦合器优化之后@@，现又在@@此平台@@上实现了将@@电隔离@@@@188足彩外围@@app 与@@有源电路@@的@@直接集成@@@@。这是@@X-FAB对@@半导体制造工艺@@上的@@又一重大突破@@。这一集成@@方法使隔离产品@@的@@设计@@更加灵活@@，从而@@应对@@可再生能源@@、EV动力系统@@、工厂自动化和@@工业@@电源领域的@@新兴机遇@@。

XA035基于@@@@350纳米@@工艺@@节点@@，非常适合制造车用传感器@@和@@高压@@工业@@设备@@；XA035目前@@支持的@@高压@@信号隔离能力@@意味着即使在@@苛刻的@@环境中也能保持持续稳定的@@运行性能@@。该技术@@可以制造符合@@AEC-Q100 0级标准和@@工业@@等级的@@坚固@@188足彩外围@@app ，如@@数字隔离器@@、隔离栅极驱动器和@@隔离放大器@@IC。X-FAB提供全面的@@@@PDK，支持所有主要@@EDA供应商全新@@及改进的@@工艺@@技术@@@@。

“我们看到@@电隔离@@产品@@设计@@领域客户对@@强大代工解决方案@@的@@需求日@@益增长@@，X-FAB在@@分立耦合器实施方面的@@高可靠性隔离层也已投产数年@@@@。”X-FAB高压@@产品@@市场经理@@Tilman Metzger表示@@，“通过利用@@相同的@@工艺@@模块@@，我们现能够在@@同一裸片上直接集成@@@@CMOS电路@@，从而@@为@@此类产品@@的@@设计@@打造更大灵活性@@。我们也十分高兴看到@@客户的@@首批集成@@型产品@@即将@@投产@@。”

缩略语@@：
CMOS 互补金属氧化物@@半导体@@
EDA 电子设计@@自动化@@
EV 电动汽车@@
IC 集成@@电路@@@@
PDK 工艺@@设计@@套件@@

X-FAB最新的@@无源器件@@@@集成@@技术@@拥有改变通信行业游戏规则的@@能力@@@@

judy — Thu, 14 Sep 2023 02:29:41 +0000

高度优化的@@解决方案实现主要小型化目标@@，且不受生产批量的@@局限@@

全球公认的@@卓越的@@模拟@@/混合信号@@晶圆代工厂@@X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日@@宣布@@，新增集成@@无源器件@@@@@@@@（IPD）制造能力@@@@，进一步增强其在@@射频@@@@（RF）领域的@@广泛实力@@。公司在@@欧洲微波展@@（9月@@17至@@22日@@，柏林@@）举办前夕推出@@XIPD工艺@@；参加此次活动的@@人员可与@@@@X-FAB技术@@人员@@（位于@@@@438C展位@@）就这一创新进行交流@@。

X-FAB XIPD晶圆上的@@电感器@@测试结构@@

XIPD源自广受欢迎的@@@@X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺@@——该技术@@利用@@工程基底和@@厚铜金属化层@@，让客户能够在@@其器件@@设计@@中直接集成@@无源@@188足彩外围@@app （电感器@@、电容@@器和@@电阻@@器@@），从而@@显著节省空间及成本@@。借助公司在@@铜金属化技术@@领域的@@丰富经验@@，相关生产制造将@@在@@@@X-FAB位于@@@@法国@@科尔贝@@—埃索讷@@（Corbeil-Essonnes）的@@工厂进行@@。

5G蜂窝基础设施的@@不断推出@@、6G通信的@@发展@@，以及最新一代雷达和@@卫星通信技术@@的@@涌现@@，均需要能够支持更宽频率的@@器件@@@@。基于@@@@XIPD平台@@，可制造出具有更高性能特征的@@全集成@@高质量无源@@188足彩外围@@app ，从而@@满足对@@更紧凑@@RF/EMI滤波器@@、匹配网@@络@@@@、平衡器和@@耦合器的@@需求@@。

由@@于@@使用表面贴装或分立无源@@188足彩外围@@app 可能会因@@188足彩外围@@app 在@@高频率下的@@偏差或@@188足彩外围@@app 采购复杂性的@@增加而@@带来不便@@，XIPD提供了一种更为@@有效的@@途径@@，可简化整体系统设计@@@@@@、加快开发周期@@、简化制造过程@@，并降低相关工程费用@@，还可以适应从@@sub—6GHz频段一直到@@毫米波高频段的@@广泛频率范围@@。

X-FAB技术@@的@@独特之处在@@于@@可为@@任何批量的@@集成@@无源器件@@@@@@制造提供代工服务@@。我们推出全面的@@工艺@@设计@@套件@@@@（PDK），同时支持@@Cadence和@@Keysight ADS设计@@环境@@，使客户能够进行完整@@RF子系统的@@精确仿真@@，并获得首次成功@@@@（first-time-right）设计@@。目前@@，与@@几家主要客户的@@初步原型设计@@现已启动@@。

“虽然@@RF半导体器件@@不断缩小@@，但与@@之配套的@@无源@@188足彩外围@@app 仍相对@@较大@@。两者间的@@这种不匹配占用了过多的@@电路@@板面积@@，不符合对@@更时尚电子设备的@@需求@@。”X-FAB首席执行官@@Rudi De Winter指出@@，“通过采用我们的@@@@@@XIPD技术@@，不仅可以节省多个数量级的@@空间@@，还可以降低相关成本@@。这对@@于@@@@我们的@@@@客户群而@@言@@，有可能真正改变行业的@@游戏规则@@，允许有源和@@无源芯片共同封装@@，同时实现高产量@@。”

X-FAB射频@@技术@@总监@@Greg U'Ren补充说@@：“此外@@，目前@@基于@@@@声学技术@@的@@滤波解决方案无法实现毫米波频率工作@@，难以满足下一代通信标准的@@要求@@。我们的@@@@XIPD解决方案使客户能够实现紧凑的@@@@RF系统设计@@@@，并通过完全集成@@的@@硬件最大限度地减少损耗@@，从而@@为@@市场创造价值@@。我们已经在@@开展@@70—80GHz频段的@@工作项目@@，而@@使用分立式无源方案是无法想象的@@@@。”

缩略语@@：
ADS Keysight的@@先进设计@@系统@@
EMI 电磁干扰@@（Electromagnetic Interference）
IPD 集成@@无源器件@@@@@@
RF 射频@@
SOI 绝缘体上硅@@@@

X-FAB率先向@@市场推出@@110纳米@@BCD-on-SOI代工解决方案@@

judy — Fri, 02 Jun 2023 02:52:22 +0000

新一代针对@@数字设计@@占比高的@@车规级工艺@@@@

全球公认的@@卓越的@@模拟@@/混合信号@@晶圆代工厂@@X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日@@宣布@@，X-FAB成为@@业界首家推出@@110纳米@@BCD-on-SOI解决方案的@@代工厂@@，由@@此加强了其在@@@@BCD-on-SOI技术@@领域的@@突出地位@@。全新@@XT011 BCD-on-SOI平台@@反映了模拟应用中对@@更高数字集成@@和@@处理能力@@日@@益增长的@@需求@@。其将@@@@SOI和@@DTI极具吸引力的@@特性结合在@@一起@@，因此@@与@@传统@@Bulk BCD工艺@@相比@@@@，高密度数字逻辑和@@模拟功能可以更容易地集成@@至@@单个芯片@@。

X-FAB采用首个@@110纳米@@BCD-on-SOI技术@@实现下一代汽车应用@@

通过转移到@@较低的@@工艺@@节点@@，X-FAB XT011产品@@的@@标准单元库密度达到@@其成熟的@@@@XT018 180纳米@@BCD-on-SOI半导体平台@@的@@两倍@@；对@@于@@@@SONOS嵌入式闪存@@的@@实现@@，相较于@@@@XT018，其面积也减少了@@35%；此外@@，超低导通电阻@@@@（R(ds)on）高压@@N沟道器件@@的@@性能是另一个重要特性@@（相比@@XT018工艺@@有超过@@25%的@@改进@@）。显著增强的@@热性能意味着可以更好地解决大电流应用的@@难题@@——这点通常与@@对@@@@Bulk BCD工艺@@的@@期望相匹配@@。

此种全新@@@@BCD-on-SOI技术@@能够实现符合@@AEC-Q100 Grade 0等级的@@设计@@需求@@，具有高度稳健性@@。其工作温度范围为@@@@-40℃至@@175℃，还表现出较高的@@抗@@EMI能力@@。由@@于@@没有寄生双极效应@@，发生闩锁的@@风险完全消除@@，从而@@确保最高程度的@@操作@@可靠性@@。

X-FAB为@@XT011提供了全面的@@工艺@@设计@@套件@@@@（PDK）以及广泛的@@@@IP元素@@，如@@SRAM、ROM和@@基于@@@@@@SONOS的@@闪存@@和@@嵌入式@@EEPROM。因此@@，客户将@@拥有实现@@“首次成功@@（first-time-right）”设计@@所需的@@所有手段@@，并将@@转化为@@更短的@@上市时间@@。

XT011工艺@@主要针对@@需要更高级别数据处理能力@@的@@下一代车载应用@@。此外@@，它将@@为@@现有的@@工业@@和@@医疗产品@@提供通往更小几何尺寸的@@路径@@。

“X-FAB已经作为@@@@@@BCD-on-SOI技术@@的@@首选晶圆厂而@@广为@@人知@@；此次成为@@首家过渡至@@@@110纳米@@的@@晶圆厂@@，进一步突出了我们在@@这一领域无与@@伦比的@@专业知识@@。”X-FAB的@@首席技术@@官@@Joerg Doblaski表示@@，“通过此新一代车规级工艺@@@@，我们将@@为@@客户构建生产更复杂且高度集成@@智能模拟产品@@所需的@@坚实基础@@。”

采用全新@@@@XT011 110纳米@@BCD-on-SOI半导体工艺@@器件@@将@@在@@@@X-FAB位于@@@@巴黎附近的@@科尔贝@@-埃索讷@@（Corbeil-Essonnes）工厂制造@@。量产将@@于@@@@2023年@@下半年@@启动@@。

缩略语@@：
BCD Bipolar-CMOS-DMOS
CMOS 互补金属氧化物@@半导体@@
DTI 深槽隔离@@
EDA 电子设计@@自动化@@
SOI 绝缘体上硅@@@@
SONOS 硅@@-氧化物@@-氮化物@@-氧化物@@-硅@@

X-FAB
XT011

是谁在@@拉动嵌入式存储@@@@的@@技术@@革新和@@市场扩张@@？

judy — Tue, 19 Jul 2022 03:47:29 +0000

作者@@：Nando Basile, X-FAB NVM与@@AI方案市场经理@@

近年@@来@@，受到@@全球半导体产能短缺@@、新冠疫情以及季节性需求等因素的@@影响@@，存储@@器@@件的@@价格呈现出较大的@@波动态势@@。

J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行业分析机构的@@分析师都预测了半导体产能的@@短缺将@@持续整个@@2022年@@，甚至@@更长@@。根据@@WSTS的@@数据分析@@，2022年@@全球存储@@器@@件市场的@@规模将@@达到@@@@1716.82亿美元@@，较之前预估的@@@@2022年@@增加@@135.21亿美元@@，同比增长将@@会达到@@@@8.5%。

图@@ | WSTS的@@电子元器件@@市场预测@@（2021年@@11月@@）
图@@源@@：WSTS

作为@@@@占半导体芯片行业大约@@30%的@@存储@@器@@件@@，其需求增长速度是快于@@半导体行业的@@@@。是什么在@@拉动存储@@器@@件的@@市场需求@@？目前@@来看@@，类似于@@@@5G、物联网@@@@、云存储@@等主流应用将@@继续成为@@传统存储@@市场的@@助推器@@；电动车市场的@@爆发推动了汽车电子市场对@@于@@@@存储@@的@@需求@@；可穿戴医疗应用又对@@于@@@@存储@@的@@尺寸@@、功耗和@@品质提出极为@@苛刻的@@要求@@；人工智能的@@快速崛起则将@@传感@@、存储@@和@@运算牢牢地绑在@@了一起@@。这些新兴的@@应用场景@@无疑将@@要更加依赖于@@嵌入式存储@@@@的@@技术@@发展@@。

嵌入式存储@@@@在@@和@@传统存储@@器@@件的@@对@@比中@@，有着一些自己独有的@@优势@@。而@@不同的@@应用环境对@@于@@@@嵌入式存储@@@@的@@方案有着各自的@@需求@@。X-FAB，这家总部位于@@@@欧洲@@，全球领先的@@模拟@@、混合信号@@半导体晶圆厂@@，给出了他们自己在@@这个市场的@@答卷@@---成为@@一家一站式提供全系列嵌入式存储@@@@解决方案的@@车规级晶圆代工厂@@：其中包括@@OTP/MTP/EEPROM/EFLASH等不同存储@@@@IP，并且所有的@@嵌入式存储@@@@@@IP都通过了最高规格的@@车规级别@@，工作温度能达到@@@@-40℃到@@+175℃之间@@。

目前@@，全球半导体产能都处于@@极为@@短缺的@@状态@@，对@@于@@@@那些使用独立式存储@@器@@件@@，并通过后端@@SiP集成@@的@@设计@@公司来说@@，他们不得不面对@@来自多家供应商潜在@@的@@产能风险@@。从更好地分配芯片产能的@@角度来讲@@，利用@@SoC的@@系统设计@@@@@@，同时加入嵌入式存储@@@@@@IP，无疑将@@获得更有效的@@产能利用@@@@。嵌入式解决方案搭配产能的@@提前布局@@，将@@极大地增加新产品@@第一时间投入市场量产的@@信心@@，从而@@抢占市场先机@@。同时比起@@SiP的@@方案来讲@@，嵌入式方案更省面积@@，这也意味着整体设计@@的@@总成本也能得到@@相应优化@@。

能解决存储@@芯片市场供不应求的@@燃眉之急@@，又能获得更优的@@时间和@@价格成本@@，同时还能顺应系统方案小型化趋势@@，如@@此一举三得的@@嵌入式存储@@@@到@@底是什么东西@@？

以嵌入式非易失性存储@@器@@为@@例@@，也就是我们常说的@@@@eNVM，它是存储@@芯片的@@一种类型@@。相对@@于@@@@独立存储@@器@@而@@言@@，嵌入式非易失性存储@@器@@芯片被嵌入芯片内部作为@@@@其功能的@@一部分@@。按原理结构的@@不同@@，嵌入式存储@@@@器又可分为@@一次可编程@@（OTP）存储@@器@@，多次可编程@@（MTP）存储@@器@@，闪存@@（Flash）和@@电可擦可编程只读存储@@器@@@@（EEPROM），每种嵌入式存储@@@@器由@@于@@特性不同@@，适用的@@领域也有所不同@@。

图@@ | 不同类型@@eNVM性能及应用场景@@&写入次数对@@比@@
图@@源@@：东方证券研究所@@

前面我们提到@@@@，驱动存储@@器@@市场不断增长的@@有@@5G、AI、云端@@、车用电子和@@物联网@@@@@@，那么拉动嵌入式存储@@@@器增长的@@@@“三驾马车@@”又是什么呢@@？下面我们就来聊聊嵌入式存储@@@@的@@真切市场需求与@@技术@@变革@@。

如@@果要问这个世界的@@信息处理机制是怎样的@@@@？那么最简化的@@流程无非就是感知@@、存储@@、计算和@@通信@@，而@@说到@@近些年@@最热的@@词@@，一定是传感和@@人工智能@@（Edge-AI），我们不妨从这两个角度来探讨一下嵌入式传感器@@的@@优势和@@发展趋势@@。

首先是传感器@@@@，今天越来越多的@@应用正在@@依赖智能传感设备@@，而@@智能传感器@@对@@于@@@@智能化@@的@@要求也在@@不断增加@@，这个趋势通常被称为@@@@“智能传感器@@迁移@@”。当传感器@@不再是简单的@@传感后@@，对@@SoC芯片的@@要求也不再是仅仅简单执行传感或者驱动这类的@@执行操作@@@@，而@@是需要有能力@@第一时间直接处理从外界捕捉来的@@数据@@——通过支持现场自适应处理@@，实现或者能够快速转换和@@优化准备传输@@的@@数据@@（使数据适合在@@总线网@@络@@或者@@RF广播上传播@@），从而@@方便数据在@@后端得到@@进一步处理@@。

从芯片架构的@@角度来讲@@，任何智能传感目前@@都需要@@on-board的@@MCU用来数据运算和@@处理@@，而@@MCU又离不开@@SRAM和@@NVM（主要是@@EEPROM和@@Flash）。SoC最基本的@@功能是把传感器@@从外界捕捉的@@信号@@（主要是@@模拟信号@@）转换成数字信号@@，然后根据@@后端不同的@@协议转换数据以备后续的@@传输@@@@。整个系统中关于@@@@存储@@端必须要考虑的@@关键点是该存储@@单元的@@性能参数@@，大多数情况下这取决于@@整个@@SoC的@@应用场景@@。因此@@，所用到@@的@@存储@@方案@@，在@@确保与@@系统中其余应用能够完美集成@@在@@一起的@@同时@@，也必须要有能力@@承受整个系统相同的@@工作条件@@，还要具备与@@传感器@@或者@@MCU本身要求相当的@@可靠性水平@@。

从这点来讲@@，嵌入式存储@@@@解决方案的@@优势将@@会非常明显@@。举一个典型的@@例子@@——汽车和@@航天领域@@：在@@这些领域中@@，传感器@@必须适应极限的@@高温和@@低温@@，同时能够承受高电压@@，有时甚至@@需要具备对@@辐射的@@恢复能力@@@@。类似其他的@@应用对@@于@@@@环境的@@要求虽然@@可能没有那么苛刻@@，但仍需要有比较高的@@安全标准@@，比如@@说生物医疗@@。

而@@对@@于@@@@上述提及的@@这些应用情况@@，嵌入式解决方案的@@现有替代方案都不具有成本优势@@，更不利于@@管理@@，甚至@@无法匹配传感器@@@@/MCU的@@运行环境条件@@。因此@@，在@@汽车电气化@@、自动驾驶@@、远程医疗等全球趋势的@@引领下@@，嵌入式解决方案在@@这些市场都有望在@@未来稳步增长@@。

当然@@，提到@@传感器@@@@，我们就不得不提到@@低功耗@@@@。便携式传感器@@在@@我们的@@@@日@@常生活中变得越来越普遍@@，用户们在@@平日@@生活中除了依然要求这些传感器@@足够聪明之外@@，还要求@@“能够将@@感知的@@数据转化为@@有用的@@用户体验@@，或者压缩数据用以有线或者无线网@@络@@@@（如@@蓝牙@@、蜂窝网@@络@@等@@）传输@@”。在@@这一过程中@@，用户会更关注整个系统的@@功耗@@，这里指的@@是电源驱动或者能源回收@@。而@@嵌入式存储@@@@器@@在@@这一点上非常具有自己的@@优势@@。

嵌入式方案可以确保一颗@@SoC平滑集成@@低功耗@@方案@@（例如@@栅极供电@@），缩短互联路径@@，较大程度地减少可能产生的@@天线问题@@。嵌入式方案也将@@更少受到@@寄生漏电或者其他缺陷的@@影响@@（或根本不受影响@@）。对@@于@@@@这些缺陷@@，设计@@者在@@选择多封装组件的@@异构方法时是需要做额外处理的@@@@。

此外@@，在@@小型化趋势中@@，许多便携式设备都会面临严格的@@空间限制@@，比如@@医疗可穿戴应用@@。因此@@，电子元器件@@的@@尺寸大小也变得非常关键@@。嵌入式存储@@@@在@@空间节省上也有着不可替代的@@优势@@。类似的@@应用@@，如@@3D集成@@，会极大地引领嵌入式存储@@@@的@@发展@@，其中包含了电阻@@@@RAM或者自旋电子存储@@@@。

图@@ | eNVM下游主要应用@@
图@@源@@：信达证券研发中心@@

讲完传感的@@智能化@@和@@低功耗@@趋势@@，我们再来聊聊有机会重塑我们未来的@@人工智能@@（Edge-AI）。事实上@@，从长远看@@，这一趋势正逐步将@@当前的@@智能传感转变为@@新一代智能传感@@。更多的@@分析和@@决策将@@由@@传感器@@来完成@@，模仿人类的@@感觉和@@反射@@。如@@前所述@@，为@@了使新型应用或现有的@@应用更高效@@，“智能化@@”与@@“低功耗@@”需要获得完美的@@结合@@。目前@@来看@@，尤其在@@面对@@电源驱动的@@方案时@@，图@@像识别和@@音频识别这两大应用将@@为@@这一转变提供无穷尽的@@动力@@。当然@@，随着人工智能的@@不断发展@@，我们一定还会看到@@更多超乎我们想象的@@新应用的@@到@@来@@。

在@@人工智能@@（Edge-AI）这个应用领域@@，不同类型@@的@@神经网@@络@@架构大都通过硅@@来实现@@——所有这些实现都是基于@@@@半导体阵列的@@@@，并在@@推理演绎和@@机器学习的@@基础上实现这些基本的@@@@MAC操作@@。这种半导体单元阵列在@@概念上与@@嵌入式存储@@@@阵列非常相似@@，这预示着一种未来技术@@的@@趋势@@：那就是从目前@@的@@逻辑阵列@@（易失性或非易失性@@）向@@multi-bit多位元或@@“近似模拟化@@”的@@一种升级@@。

整个人工智能@@（Edge-AI）的@@核心点在@@于@@@@：这种类似存储@@架构的@@网@@络@@连结结构将@@不再是@@CPU的@@附属@@，而@@是将@@成为@@整个应用的@@计算中心@@。这与@@传统的@@基于@@@@@@MCU的@@方法不同@@，传统的@@方法使用存储@@阵列从@@CPU来回传输@@数据@@（在@@这个过程中消耗大量的@@电力@@，并产生额外的@@热量@@）。在@@Edge-AI的@@架构中@@，关于@@@@计算所有的@@一切都在@@阵列内部进行@@，实现真正的@@存内计算@@。正如@@@@人类大脑的@@工作模式@@，所有的@@决策过程都在@@内部通过神经元和@@突触阵列之间@@的@@电子路径产生@@。

由@@于@@人工智能被广泛认为@@是继手机革命之后@@，又一个未来几年@@会以两位数的@@复合增长率增长的@@大事件@@，并且能够大大改善我们的@@@@生活方式@@。因此@@在@@这个赛道上@@，对@@嵌入式存储@@@@器以及其集成@@方案有充分了解的@@公司将@@在@@市场上抢得先机@@。在@@人工智能@@这个应用上@@，一些关键技术@@参数更多取决于@@@@：
• bit-cell的@@操作@@框架@@
• 整体低功耗@@的@@竞争力@@
• 面向@@多个@@NVM方案的@@设计@@灵活度@@
• 选用@@Foundry平台@@的@@通用性@@

综合来看@@，对@@于@@@@许许多多需要智能化@@支持的@@传感器@@来讲@@，嵌入式存储@@@@是完美的@@解决方案@@。而@@嵌入式存储@@@@器@@，尤其是非易失性存储@@器@@@@，不管从中期还是长期来看都将@@迎来一个极为@@光明的@@应用前景@@。从短期来看@@，嵌入式存储@@@@的@@解决方案可以有助于@@缓解近期全球半导体短缺的@@问题@@，成为@@汽车和@@便携式应用@@（特别是医疗健康@@）创新的@@关键推动者@@。从长远来看@@，嵌入式存储@@@@能够为@@@@Edge-AI实现大规模推广和@@普及铺平道路@@。从某种意义上来讲@@，嵌入式存储@@@@将@@有助于@@人类进入下一个文明时代@@。

图@@ | X-FAB嵌入式非易失性内存@@（e-NVM）解决方案组合@@

值得一提的@@是@@，为@@了满足日@@益增长的@@嵌入式存储@@@@的@@需求@@，X-FAB能够提供非常灵活的@@一站式解决方案@@。整体方案具备一流的@@可靠性品质@@、多样化且具有弹性的@@搭配选择以及持续稳定的@@@@NVM平台@@，可以满足客户的@@不同需求@@。而@@X-FAB的@@专业能力@@以及完善的@@技术@@路线图@@更将@@帮助其客户从其竞争对@@手中脱颖而@@出@@。

关于@@@@X-FAB：
X-FAB是领先的@@模拟@@/混合信号@@和@@@@MEMS晶圆代工集团@@，生产用于@@汽车@@、工业@@、消费@@、医疗和@@其它应用的@@硅@@晶圆@@。X-FAB采用尺寸范围从@@1.0µm至@@130nm的@@模块化@@CMOS和@@SOI工艺@@，及其特色@@SiC与@@微机电系统@@（MEMS）长寿命工艺@@@@，为@@全球客户打造最高的@@质量标准@@、卓越的@@制造工艺@@和@@创新的@@解决方案@@。X-FAB的@@模拟数字集成@@电路@@@@@@（混合信号@@IC）、传感器@@MEMS在@@德国@@、法国@@、马来西亚和@@美国的@@六家生产基地生产@@，并在@@全球拥有约@@4,000名员工@@。www.xfab.com

X-FAB宣布升级其衬底耦合@@分析工具@@，将@@BCD-on-SOI工艺@@纳入其中@@

judy — Thu, 21 Apr 2022 06:37:41 +0000

全球公认的@@卓越的@@模拟@@/混合信号@@晶圆代工厂@@X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日@@宣布@@，扩展其@@SubstrateXtractor工具应用范围@@，让用户可以借助这一工具检查不想要的@@衬底耦合@@效应@@。作为@@@@全球首家为@@@@BCD-on-SOI工艺@@提供此类分析功能的@@代工厂@@，X-FAB将@@这一最初面向@@@@XH018和@@XP018 180nm Bulk CMOS工艺@@开发的@@工具@@，新增了其对@@@@XT018 180nm BCD-on-SOI工艺@@的@@支持@@，作为@@@@Bulk CMOS工艺@@外的@@一项补充@@。通过使用新的@@@@SubstrateXtractor升级版本@@，可以加速@@SOI相关的@@产品@@开发@@，避免多次迭代@@。

图@@为@@@@X-FAB工程师正在@@使用衬底耦合@@分析工具@@

最初的@@@@SubstrateXtractor由@@X-FAB与@@EDA合作伙伴@@PN Solutions（基于@@@@其广泛使用的@@@@PNAware产品@@）合作开发@@，于@@2019年@@发布@@。利用@@这一工具@@，客户能够解决半导体衬底内有源和@@无源@@188足彩外围@@app 间相互作用所造成的@@耦合问题@@（无论这些@@188足彩外围@@app 作为@@@@电路@@本身的@@一部分@@，还是以寄生方式存在@@@@）---其所带来的@@显著优势使客户的@@项目能够更迅速地进入市场@@。PN Solutions的@@PNAwareRC工具支持@@SOI工艺@@，由@@此进一步增强了平台@@的@@功能并扩大了其吸引力@@。

X-FAB的@@XT018工艺@@BOX/DTI功能可以将@@芯片上的@@组成功能模块相互隔离@@，适用于@@需要与@@数字模块去耦合的@@敏感模拟模块@@，或必须与@@高压@@驱动电路@@隔离的@@低噪声放大器@@。此工艺@@也使得多通道的@@设计@@实现更加容易@@，因为@@@@XT018中的@@电路@@被有效地放置在@@其自身独立的@@衬底中@@，从而@@减少了串扰@@。

在@@基于@@@@@@SOI的@@集成@@电路@@@@中@@，利用@@SubstrateXtractor实现衬底耦合@@分析的@@能力@@对@@于@@@@客户来说极具价值@@。虽然@@SOI工艺@@中的@@有源部分可以通过@@BOX和@@DTI完全介电隔离@@@@，有源部分被隔离之后就如@@同各自孤立一般@@，但无源@@R和@@C耦合仍然可能存在@@@@。得益于@@这一升级版新工具@@，可以为@@@@DTI和@@BOX产生的@@横向@@和@@纵向@@耦合路径提取无源@@RC网@@络@@，并经由@@对@@无源耦合网@@络@@的@@仿真@@，评估它们对@@集成@@电路@@@@的@@影响@@。此类新增的@@版图@@后抽取寄生的@@关键应用@@，包括工业@@及汽车系统中使用的@@大电流和@@高电压器件@@等@@。

“消除衬底耦合@@是一项具有挑战性的@@任务@@。通过支持对@@我们@@XT018 BCD-on-SOI工艺@@相关的@@寄生元素@@的@@提取@@，客户将@@能够模拟电路@@模块的@@耦合@@，并识别对@@性能不利的@@干扰因素@@。”X-FAB设计@@支持总监@@Lars Bergmann表示@@，“在@@涉及非常大的@@干扰电压或在@@个位数@@GHz范围内的@@高频情况下@@，这一功能扩展将@@极具意义@@。”

缩略语@@：
BOX 埋入式氧化物@@@@
BCD Bipolar CMOS DMOS
DTI 深槽隔离@@
EDA 电子设计@@自动化@@
RC 电阻@@-电容@@
SOI 绝缘体上硅@@@@