电子创新@@188足彩外围@@app 网@@ - 英诺赛科@@ - 188足彩网

英诺赛科@@发布@@100V车规级@@GaN，持续推进汽车激光雷达@@市场@@

judy — Thu, 28 Dec 2023 09:34:24 +0000

英诺赛科@@宣布推出@@100V车规级@@氮化镓@@器件@@@@INN100W135A-Q，该器件@@已通过@@@@AEC-Q101 认证@@，适用于自@@动驾驶及其他先进驾驶辅助系统@@应用@@中@@的@@车规级@@激光雷达@@@@、高@@功率密度@@@@DC-DC变换器@@、D类音频@@。

在@@激光雷达@@领域@@，氮化镓@@器件@@的@@@@Qg、Qoss等参数相比@@硅器件@@@@提升@@@@1.5~3倍@@；与@@早期激光雷达@@产品@@相比@@@@，采用@@氮化镓@@能够将开关速度提升@@@@@@13倍@@，脉冲宽度减小五分之一@@。当前@@，L2辅助驾驶@@使用@@MOS方案识别距离只有@@100m，L2+/L3辅助驾驶@@必须达到@@@@@@200m/300m的@@中@@远距离识别@@，只有使用窄脉冲@@、大峰值电流@@、高@@功率的@@氮化镓@@方案@@，才能为@@自@@动驾驶激光雷达@@提供高@@性能保障@@。

LiDAR System

产品@@特性@@

通过@@AEC-Q101认证@@，车规级@@

极低的@@栅极电荷@@

超小封装@@@@ WLCSP 2.13mm x 1.63mm

零反向恢复充电电荷@@

应用@@领域@@

激光雷达@@

高@@功率密度@@@@DC-DC变换器@@

D类音频@@

高@@强度前照灯@@

产品@@优势@@

相比@@硅器件@@@@，Qg、Qoss等参数有@@1.5~3倍@@的@@提升@@@@

相比@@硅器件@@@@，开关速度提升@@@@13倍@@，脉冲宽度减小到@@硅器件@@的@@@@1/5

达到@@@@200m/300m的@@中@@远距离识别@@，满足@@L2+/L3辅助驾驶@@

INN100W135A-Q 规格书首页@@

2021年@@，英诺赛科@@（珠海@@）通过@@ IATF 16949 车规级@@认证@@@@，采用@@InnoGaN的@@激光雷达@@产品@@成功@@“上车@@”；2023年@@，英诺赛科@@（苏州@@）通过@@ IATF 16949 车规级@@认证@@@@，新一代@@100V 低压@@GaN 完成@@AEC-Q101认证@@并成功量产@@，批量订单交付中@@@@。

INN100W135A-Q 产品@@规格书与@@仿真模型@@均可在@@英诺赛科@@官网@@@@@@（www.innoscience.com）获取@@，样品需求请联系销售或后台私信小编@@。

英诺赛科@@是全球领先的@@@@第三代半导体高@@新技术企业@@@@，致力于硅基氮化镓@@@@ (GaN-on-Si) 的@@研发与@@制造@@@@。拥有全球最大规模的@@@@8英寸硅基氮化镓@@晶圆生产基地@@，当前@@产能@@15000片@@/月@@，产品@@设计@@及性能处于国际先进水平@@。英诺赛科@@提供从@@30V-700V的@@高@@@@、中@@、低压@@全功率氮化镓@@产品@@@@，涵盖晶圆@@、分立器件@@@@、合封芯片@@@@三大品类@@，并为@@客户提供全氮化镓@@方案设计@@参考@@。自@@2015年@@成立至今@@，英诺赛科@@已获专利@@700多项@@，累计出货量突破@@4亿颗@@@@。产品@@可广泛应用@@于@@消费电子@@、数据中@@心@@、汽车电子及新能源等前沿领域@@。

英诺赛科@@，用氮化镓@@打造绿色高@@效@@新世界@@！

英诺赛科@@推出@@100V VGaN，支持@@48V BMS应用@@

judy — Thu, 12 Oct 2023 06:03:49 +0000

英诺赛科@@宣布推出@@ 100V 双向@@导通器件@@@@ INV100FQ030A，可在@@电池管理系统@@@@@@@@、双向@@变换器@@的@@高@@@@侧负荷开关@@、电源系统@@中@@的@@开关电路@@等领域实现高@@效@@应用@@@@。

英诺赛科@@产品@@部@@Shawn表示@@：“一颗@@@@ VGaN 可以替代两颗@@共漏连接@@的@@背靠背@@Si MOSFET，实现电池充电和@@放电双向@@开关@@，进一步减小导通电阻@@，降低损耗@@。VGaN 器件@@采用@@单@@ Gate 设计@@，通过@@控制@@ Gate到@@ Drain1/Drain2 的@@逻辑@@，实现充电保护@@可放电@@、放电保护@@可充电@@；同时大幅减少器件@@数量@@，缩小占板面积@@，降低整体系统@@成本@@。”

为@@便于客户验证和@@导入@@，英诺赛科@@同步提供@@ BMS 系统@@解决方案@@，设计@@方案涵盖低边同口@@、高@@边同口@@、高@@边分口等@@。INV100FQ030A 在@@电池管理系统@@@@@@ (BMS) 中@@体现出明显优势@@，具备巨大的@@市场潜力@@。

产品@@特性@@

支持@@双向@@导通@@，双向@@截止@@，无反向恢复@@

极低的@@栅极电荷@@

超低的@@导通电阻@@ 100V/3.2mΩ

超小的@@封装@@体积@@ FCQFN封装@@ 4x6mm

应用@@领域@@

电池管理系统@@@@ (BMS)

双向@@变换器@@的@@高@@@@侧负荷开关@@

电源系统@@中@@的@@开关电路@@

性能与@@优势@@

INV100FQ030A与@@先前推出的@@@@100V单管器件@@@@INN100FQ016A，150V系列@@ INN150FQ032A 和@@ INN150FQ070A 三款产品@@采用@@兼容引脚设计@@@@@@，均为@@@@ FCQFN 4x6mm 封装@@，客户可以根据不同的@@应用@@需求进行规格选型@@。

INV100FQ030A 规格书首页@@

英诺赛科@@100V 氮化镓@@系列@@产品@@@@已量产三款@@WLCSP 封装@@产品@@@@（INN100W032A、INN100W027A 和@@ INN100W070A），两款@@ FCQFN 封装@@产品@@@@（INN100FQ016A、INN100FQ025A）。当前@@新增一款@@FCQFN 封装@@双向@@导通@@ VGaN 芯片@@@@ INV100FQ030A，进一步丰富了@@ 100V InnoGaN 系列@@，扩大应用@@范围@@，也为@@更广泛的@@场景提供选择@@。基于@@持续创新与@@核心技术的@@提升@@@@，英诺赛科@@8英寸氮化镓@@@@IDM模式将加速应用@@系统@@小型化@@、更高@@效@@@@、更节能@@。

目前@@，INV100FQ030A 已进入小批量试产@@，如需申请样品@@，或查询详细的@@产品@@规格书@@@@、可靠性报告@@、仿真模型@@、VGaN BMS系统@@Demo方案等资料@@，可以通过@@微信公众号私信@@/留言联系获取@@@@。

英诺赛科@@是全球领先的@@@@第三代半导体高@@新技术企业@@@@，致力于硅基氮化镓@@@@ (GaN-on-Si) 的@@研发与@@制造@@@@。拥有全球最大规模的@@@@8英寸硅基氮化镓@@晶圆生产基地@@，当前@@产能@@15000片@@/月@@，产品@@设计@@及性能处于国际先进水平@@。英诺赛科@@提供从@@30V-700V的@@高@@@@、中@@、低压@@全功率氮化镓@@产品@@@@，涵盖晶圆@@、分立器件@@@@、合封芯片@@@@三大品类@@，并为@@客户提供全氮化镓@@方案设计@@参考@@。自@@2015年@@成立至今@@，英诺赛科@@已获专利@@700多项@@，累计出货量超@@3亿颗@@@@。产品@@可广泛应用@@于@@消费电子@@、数据中@@心@@、汽车电子及新能源等前沿领域@@。

英诺赛科@@，用氮化镓@@打造绿色高@@效@@新世界@@！

英诺赛科@@推出@@2.4KW Buck/Boost，应用@@于@@48V轻混系统@@@@

judy — Fri, 25 Aug 2023 02:55:49 +0000

与@@Si基系统@@相比@@@@，采用@@GaN功率器件@@的@@新型变换器@@拥有更高@@的@@功率输出密度和@@更高@@的@@能量转换@@效率@@@@，可以使系统@@小型化@@、轻量化@@，能够有效降低车载设备的@@体积和@@重量@@。

据行业预测@@，汽车电子将成为@@@@GaN 的@@下一个蓝海市场@@。当前@@，新能源汽车的@@续航@@、充电速度@@、轻量化@@是持续需要优化的@@方向@@。其中@@@@，逆变器@@、OBC、DC-DC、48V轻混系统@@@@、BMS等场景将是@@GaN的@@发挥空间@@。

针对汽车电子中@@的@@@@48V轻混系统@@@@应用@@@@，英诺赛科@@推出@@了@@2.4kW 双向@@buck/boost 参考设计@@@@，为@@48V轻混系统@@@@提供先进解决方案@@。

主要参数@@

尺寸@@
165mm×155mm×25mm

效率@@
Boost 满载效率@@@@：96.53%
Buck 满载效率@@@@：97.33%

功率密度@@
61.5W/in^3

InnoGaN
INN100W032A × 16

拓扑结构@@

效率@@数据@@
实测数据显示@@，英诺赛科@@48V轻混方案在@@@@Buck模式下@@，最大输出功率@@@@2400W，效率@@为@@@@97.3%，Boost 模式下@@，最大输出功率@@@@2200W，效率@@96.5%。

与@@同等@@ Si 方案相比@@@@，在@@Buck模式输出@@ 1800W 的@@条件下@@@@，效率@@提升@@@@ 0.5%，损耗下降约@@ 9.6W；输出功率@@2400W条件下@@，效率@@提升@@@@1.8%,损耗下降约@@ 46.5W，同等功率情况下@@，可以减少散热措施@@，降低变换器@@的@@体积和@@重量@@。

与@@同等@@ Si 方案相比@@@@，在@@输出@@ 1800W 的@@条件下@@@@，Boost 效率@@提升@@@@ 0.4%，损耗下降约@@ 7.7W。

器件@@性能@@
2.4kW buck/boost 采用@@16颗@@ InnoGaN - INN100W032A 实现低功耗效率@@转换@@@@。

INN100W032A 是一颗@@@@耐压@@ 100V，导阻@@ 3.2mΩ 的@@增强型@@ InnoGaN 器件@@，采用@@ WLCSP 3.5mmx2.13mm 封装@@，与@@Si 器件@@相比@@@@，INN100W032A 具备更低的@@导通电阻@@、极低的@@栅极电荷@@以及无反向恢复@@损耗等特性@@，体积十分小巧@@。与@@目前@@主流的@@@@ Si MOSFET 相比@@， INN100W032A 的@@硬开关品质因数仅为@@@@其@@ 16%，软开关品质因数也仅为@@@@其@@ 39%，可大大降低在@@@@ Buck/Boost 应用@@中@@开关器件@@的@@损耗@@，提升@@效率@@@@。

除了在@@@@ buck/boost 中@@应用@@@@，该器件@@在@@@@ Class-D、通信基站@@、电机驱动@@等应用@@中@@也具备较大优势@@。

方案优势@@
2.4kW buck/boost 方案是英诺赛科@@为@@轻混汽车@@48V系统@@提供的@@基于@@氮化镓@@的@@先进解决方案@@，与@@当前@@的@@@@ Si 解决方案相比@@@@@@，Buck满载效率@@@@（2400W）提升@@1.8%，整机损耗减小@@41%。

应用@@领域@@
2.4kW buck/boost 将高@@性能@@ GaN 与@@先进的@@方案设计@@相结合@@，不仅能够有效地提升@@新能源车@@ 48V 系统@@的@@整体效率@@@@，而且还可以广泛应用@@于@@储能领域@@，为@@新能源汽车和@@储能产品@@提供了可靠@@、高@@效@@、节能的@@解决方案@@。

英诺赛科@@是全球领先的@@@@第三代半导体高@@新技术企业@@@@，致力于硅基氮化镓@@@@ (GaN-on-Si) 的@@研发与@@制造@@@@。拥有全球最大规模的@@@@8英寸硅基氮化镓@@晶圆生产基地@@，当前@@产能@@15000片@@/月@@，产品@@设计@@及性能处于国际先进水平@@。英诺赛科@@提供从@@30V-700V的@@高@@@@、中@@、低压@@全功率氮化镓@@产品@@@@，涵盖晶圆@@、分立器件@@@@、合封芯片@@@@三大品类@@，并为@@客户提供全氮化镓@@方案设计@@参考@@。自@@2015年@@成立至今@@，英诺赛科@@已获专利@@700多项@@，累计出货量超@@3亿颗@@@@。产品@@可广泛应用@@于@@消费电子@@、数据中@@心@@、汽车电子及新能源等前沿领域@@。

英诺赛科@@，用氮化镓@@打造绿色高@@效@@新世界@@！

文章来源@@：英诺赛科@@

英诺赛科@@100V GaN 再添新品@@，采用@@FCQFN封装@@

judy — Thu, 10 Aug 2023 02:28:17 +0000

英诺赛科@@宣布推出@@两款@@@@ 100V 新品氮化镓@@功率器件@@@@，旨在@@提高@@电源功率转换@@效率@@@@，降低系统@@损耗与@@成本@@。产品@@可应用@@于@@太阳能光伏逆变@@、光伏优化器@@、高@@频@@DC-DC转换@@器@@及电机驱动@@等场景@@。

此前@@，英诺赛科@@已相继发布了@@ INN100W032A、INN100W027A、INN100W070A 等采用@@@@ WLCSP 封装@@的@@@@ 100V 产品@@，并获得市场良好反馈@@。基于@@终端@@应用@@多样化@@，英诺赛科@@再次推出@@ INN100FQ016A 和@@ INN100FQ025A，采用@@ FCQFN 小体积封装@@@@，延续了低导阻@@@@、低栅极电荷@@、低开关损耗和@@极低的@@反向恢复电荷等特性@@，具有良好的@@效率@@表现@@。

值得注意的@@是@@，INN100FQ016A 与@@英诺赛科@@@@150V系列@@产品@@@@ INN150FQ032A 和@@ INN150FQ070A 采用@@兼容引脚设计@@@@，客户可以根据不同的@@应用@@需求进行规格选型@@。

产品@@特性@@

极低的@@栅极电荷@@

超低的@@导通电阻@@

100V/1.8mΩ，100V/2.8mΩ

超小的@@封装@@体积@@

FCQFN封装@@ 4mmx6mm，3mmx5mm

与@@Si MOS相比@@，INN100FQ025A的@@Ciss为@@1500pF（仅为@@@@Si MOS的@@1/5），Qg为@@14nC（仅为@@@@Si MOS的@@1/6），器件@@开关速度和@@开关损耗具备显著优势@@。

应用@@领域@@

电机驱动@@

LLC同步整流@@

高@@频@@DC-DC转换@@器@@

POL 开关转换@@器@@@@

PC充电器@@

移动电源@@

目前@@，INN100FQ016A 和@@ INN100FQ025A 两款@@产品@@均已成功量产@@，详细的@@产品@@规格书@@、可靠性报告@@、仿真模型@@均可在@@英诺赛科@@官网@@@@（www.innoscience.com）获取@@。

INN100FQ016A 规格书首页@@

INN100FQ025A 规格书首页@@

随着氮化镓@@技术及供应链的@@不断成熟@@，其优越特性和@@成本优势逐渐显现@@。英诺赛科@@ 100V GaN 系列@@新增的@@两款@@@@ FCQFN 封装@@芯片@@@@@@，以其不同的@@导通电阻及不同的@@封装@@类型@@，拓展了更广泛的@@功率场景@@，不仅为@@@@客户提供了更多选择@@，还进一步扩大了氮化镓@@在@@多个领域的@@应用@@@@。基于@@大规模@@8英寸硅基氮化镓@@技术@@的@@研发@@、制造与@@迭代@@，英诺赛科@@的@@产品@@质量和@@交付能力也将为@@合作伙伴提供强有力的@@支持@@与@@保障@@。

英诺赛科@@是全球领先的@@@@GaN IDM高@@新技术企业@@，汇集了半导体行业资深的@@研发与@@应用@@团队@@，致力于第三代半导体硅基氮化镓@@@@ (GaN-on-Si) 研发与@@制造@@。拥有全球最大的@@@@8英寸硅基氮化镓@@晶圆生产能力@@，产品@@设计@@及性能处于国际先进水平@@，为@@客户提供从@@15V到@@700V的@@高@@@@、低压@@全功率氮化镓@@芯片@@@@@@。自@@2015年@@成立至今@@，英诺赛科@@已获专利@@700多项@@，累计出货量超@@2.7亿颗@@@@。产品@@可广泛应用@@于@@消费电子@@、服务器电源@@、汽车电子及新能源领域等前沿领域@@。

英诺赛科@@，用氮化镓@@打造绿色高@@效@@新世界@@！

英诺赛科@@多款@@TO封装@@GaN强势出货@@，为@@电源设计@@@@提供丰富选择@@

judy — Wed, 26 Jul 2023 06:50:29 +0000

英诺赛科@@推出@@多款采用@@@@TO252 / TO220 封装@@的@@@@直驱氮化镓@@芯片@@@@@@，基于@@先进的@@@@8英寸硅基氮化镓@@技术@@，耐压从@@650V升级到@@@@700V，并迅速量产出货@@，为@@终端@@产品@@的@@电源设计@@@@提供了丰富选择@@。

主要产品@@介绍@@

INN700TK140C

INN700TK140C是一颗@@@@耐压@@700V，导阻@@140mΩ的@@增强型@@氮化镓@@芯片@@@@@@，采用@@T0252封装@@，具备超高@@开关频率@@、无反向恢复@@电荷@@，低栅极电荷@@和@@低输出电荷@@@@，符合@@JEDEC标准的@@工业应用@@要求@@，内置@@ESD保护@@，符合@@RoHS、无铅@@、欧盟@@REACH法规@@。

该产品@@可应用@@于@@交直流变换器@@@@，DC-DC转换@@器@@，图腾柱@@PFC，高@@功率密度@@@@和@@高@@效@@率@@的@@电源功率转换@@@@。

INN700TK190B

INN700TK190B是一颗@@@@耐压@@700V，导阻@@190mΩ的@@增强型@@氮化镓@@芯片@@@@@@，同样采用@@@@T0252封装@@，具备超高@@开关频率@@、无反向恢复@@电荷@@，低栅极电荷@@和@@低输出电荷@@@@，符合@@JEDEC工业应用@@标准@@，内置@@ESD保护@@，符合@@RoHS、无铅@@、欧盟@@REACH法规@@。

可用于@@PFC开关电源@@，对称半桥@@/LLC/反激开关电源@@应用@@@@，DC-DC转换@@，LED照明@@，电池快充@@，笔记本电脑适配器@@，电脑以及电动工具电源等高@@能效高@@功率密度@@@@功率转换@@应用@@@@。

该系列@@@@ InnoGaN 还囊括了@@240mΩ/350mΩ/480mΩ/600mΩ等不同导阻@@@@，相同封装@@的@@@@产品@@@@，极大满足@@了不同应用@@终端@@的@@需求@@。

INN700TH240B

INN700TH240B 是一颗@@@@耐压@@700V，导阻@@240mΩ的@@增强型@@氮化镓@@芯片@@@@@@，采用@@TO220封装@@。基于@@氮化镓@@的@@特性@@，该产品@@支持@@超高@@开关频率@@，无反向恢复@@电荷@@，低输出电荷@@，同时符合@@@@JEDEC工业应用@@标准@@，内置@@ESD保护@@，符合@@RoHS、无铅@@、欧盟@@REACH法规@@。

该产品@@可用于@@开关电源@@@@PFC图腾柱@@、AC-DC转换@@、DC-DC转换@@、电池快充@@等高@@能效@@、高@@功率密度@@@@的@@功率转换@@应用@@场景@@。

采用@@TO220封装@@的@@@@InnoGaN 同样集齐了@@140mΩ/190mΩ/240mΩ/350mΩ等不同导阻@@@@，为@@多场景应用@@提供高@@效@@支持@@@@。

TO 封装@@优势@@

从材料特性上看@@，相较于相同规格@@TO封装@@的@@@@Si MOS，InnoGaN 具备更高@@的@@开关速度@@，更低导通阻抗@@，且无反向恢复@@电荷@@等特性@@，能够提高@@方案的@@整体效率@@@@。

从结构上看@@，GaN TO封装@@的@@@@散热@@PAD连接@@source端@@，Si MOS连接@@Drian，这就使得在@@系统@@设计@@上@@，InnoGaN的@@Cpe 可以减小@@ 5/6，共模噪音减小@@5/6。

从系统@@上看@@，TO252封装@@使得@@GaN器件@@可用于@@红胶工艺@@。客户可通过@@使用单面板进行设计@@生产@@，进一步降低系统@@成本@@。TO220封装@@可与@@传统散热方案结合@@，令产品@@适用于更多场景的@@开关电源@@产品@@@@。

InnoGaN

Si MOS

基于@@8英寸硅基氮化镓@@的@@研发工艺和@@大规模量产能力@@，英诺赛科@@产品@@得到@@迅速迭代和@@商用@@。截至@@2023年@@上半年@@@@，高@@、中@@、低压@@ InnoGaN 的@@封装@@形式日渐丰富@@，已从早期的@@@@DFN拓展到@@@@ Toll，TO 252/220，FCQFN，LGA，WLCSP 等多种样式@@，同时也推出了@@ Solid GaN 合封系列@@@@，加速氮化镓@@市场的@@应用@@@@，为@@高@@效@@能源助力@@。

英诺赛科@@是全球领先的@@@@GaN IDM高@@新技术企业@@，汇集了半导体行业资深的@@研发与@@应用@@团队@@，致力于第三代半导体硅基氮化镓@@@@ (GaN-on-Si) 研发与@@制造@@。拥有全球最大的@@@@8英寸硅基氮化镓@@晶圆生产能力@@，产品@@设计@@及性能处于国际先进水平@@，为@@客户提供从@@15V到@@700V的@@高@@@@、低压@@全功率氮化镓@@芯片@@@@@@。自@@2015年@@成立至今@@，英诺赛科@@已获专利@@700多项@@，累计出货量超@@2.5亿颗@@@@。产品@@可广泛应用@@于@@消费电子@@、服务器电源@@、汽车电子及新能源领域等前沿领域@@。

英诺赛科@@，用氮化镓@@打造绿色高@@效@@新世界@@！