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一文揭秘@@OPC技术@@在@@光刻@@@@工艺@@中的@@细微探究@@

judy — Thu, 14 Dec 2023 02:37:16 +0000

OPC，英文全称为@@Optical Proximity Correction，指的@@是光学邻近矫正@@，同时也是一种光刻@@@@增强技术@@@@，修正图@@形产生的@@畸变@@。OPC主要在@@半导体@@器件的@@生产过程中使用@@，目的@@是为了@@保证生产过程中设计@@的@@图@@形的@@边缘得到完整的@@刻@@蚀@@，基于这样的@@目的@@@@，就@@不得不谈到在@@现代芯片制造工艺中@@的@@重要@@环节@@——光刻@@@@。

光刻@@@@是芯片制造过程中最重要@@的@@一个步骤@@，就@@像是用@@“光刀@@”在@@晶圆上@@@@“雕刻@@@@”一样@@。“雕刻@@@@”需要@@“刻@@”出特定的@@图@@案@@。这个图@@案首先要呈现在@@掩模版@@@@（photomask）上@@。掩膜板就@@像是漏字板@@@@，激光@@照射@@，通过镜头@@，“漏字板@@”上@@的@@图@@案也就@@落到了@@硅片上@@@@。

OPC是如何诞生的@@@@

简单来说@@，芯片制造需要@@将设计@@好的@@电路图@@案通过光刻@@@@机@@转印到晶圆上@@才能完成@@。而当我们在@@纸上@@直接画上@@需要@@印出的@@图@@案@@，再将图@@案@@印在@@晶圆上@@@@@@，印出来的@@结果@@，并不会直接原样呈现@@，而会得到不一样@@的@@图@@案@@。

为什么会这样呢@@？这是因为在@@半导体@@快速发展的@@过去几十年里@@，晶体管和@@互联间距变得越来越小@@@@，光学衍射对图@@形产生的@@影响越来越严重@@。这种效应会导致晶体管成像变得模糊@@，从而影响芯片制造的@@精度和@@质量@@。

因此@@，在@@芯片制造的@@流程中@@，精细光刻@@@@十分关键@@，像上@@文提及的@@光刻@@@@偏差@@，芯片制造出来是远不会合格的@@@@，为了@@解决这个问题@@，OPC就@@“华丽登场@@”了@@！

OPC是如何解决问题的@@@@

OPC的@@作用是通过预设芯片图@@案的@@微小偏差来解决衍射效应导致的@@畸变问题@@。那@@OPC的@@过程就@@好比在@@纸上@@画好图@@案@@，但在@@印上@@晶圆前@@，将图@@案@@“微调@@”了@@。通过这种@@“微调@@”，芯片制造的@@精度和@@质量得以@@大大提高@@，从而使得芯片更加稳定和@@可靠@@。那@@OPC是如何解决问题的@@@@呢@@？

如上@@图@@@@，理想的@@图@@案不能直接光刻@@@@完成@@，在@@使用@@OPC技术@@印刻@@后@@出来的@@效果@@，反而得到了@@最初理想的@@结果@@。那@@如何得到计算好的@@图@@案呢@@？

工程师们在@@设计@@@@OPC的@@过程中@@，需要@@对光刻@@@@机@@的@@控制精度@@、光源参数@@、光刻@@@@胶@@材料等多个因素进行模拟和@@优化@@，从而达到最佳的@@修正效果@@。计算光刻@@@@技术@@包括对掩膜@@、光源的@@正向或反演优化@@，采用计算机软件模拟@@、仿真光刻@@@@工艺@@的@@光化学反应和@@物理过程@@，从理论上@@指导光刻@@@@工艺@@参数的@@优化和@@设计@@版图@@图@@案@@。

芯天成@@光学邻近矫正平台@@EsseOPC

在@@现代芯片制造工艺中@@，OPC已经@@成为一项不可或缺的@@技术@@@@，为芯片制造提供了@@更高的@@精度和@@质量保障@@。国微芯@@OPC工具团队自主创新@@，开发出了@@一整套性能卓越的@@@@OPC系统架构@@，并自主拥有独立完整的@@相关知识产权@@，推出芯天成@@光学邻近矫正平台@@@@EsseOPC。

并发布了@@@@3款点工具产品@@，分别是基于规则的@@版图@@修正工具@@EsseRBOPC；基于规则的@@辅助图@@形工具@@EsseRBAF；以@@及最近@@发布的@@新品@@——基于模型的@@版图@@修正工具@@EsseMBOPC，它们都支持制造端@@EDA共用高速数据底座@@，model 参数可定制@@，加快@@model tune 周期@@，保障芯片制造的@@高效@@@@、精准与可靠性@@。

其中@@EsseRBOPC可为各类技术@@节点提供稳定@@、准确@@、高效@@的@@工业级别全芯片版图@@修正方案@@，以@@应对在@@先进制程的@@半导体@@工艺中所发生光学衍射而导致的@@误差@@@@，大幅提升芯片良率@@。EsseRBAF则能够为工业级芯片版图@@开发全面@@、精确的@@亚分辨率辅助图@@形@@，使芯片在@@光刻@@@@工艺@@中获得更大的@@工艺窗口@@，得到更稳定的@@晶圆成像@@。EsseMBOPC为公司本年度@@“芯天成@@”系列发布的@@新品@@，能帮助客户高效@@进行基于模型的@@高效@@光学临近效应修正@@、定制化局部热点区域修正@@、全部技术@@节点的@@刻@@蚀效应补偿@@。

在@@芯片制程逐渐升级的@@今天@@，计算光刻@@@@的@@地位将不断的@@提升@@，凭借经@@验丰富的@@国微芯@@@@OPC团队的@@专业支持@@，国微芯@@能够为客户提供量身定制的@@最佳@@OPC解决方案@@，帮助客户加速产品开发周期@@@@、提高测试效率@@、降低成本@@、保障芯片可靠性@@，并缩短产品上@@市时间@@，提升产品的@@市场竞争力@@。国微芯@@始终秉持着@@“助力芯产业@@”的@@使命@@，为芯片成功流片前的@@@@“最后@@@@一公里@@”保驾护航@@。

关于国微芯@@@@

深圳国微芯@@科技有限公司是一家具备国际竞争力的@@@@EDA创新企业@@，依托自主可控的@@核心技术@@优势@@，建立了@@@@EDA+ IP +设计@@服务一体化平台@@，向全球芯片厂商提供安全@@、高效@@、便捷的@@国产@@EDA工具系统@@和@@服务@@。公司拥有超@@500人的@@强大研发团队@@，硕博比超@@80%，核心成员均有@@20年以@@上@@海内外从业经@@历@@。

未来国微芯@@将秉持@@“自主研发@@、吸收引进@@、产学研结合@@、投资并购@@”策略来构建数字芯片设计@@与制造的@@@@“桥梁@@”，深度打造国产数字芯片全流程@@ EDA 工具系统@@，并实现规模化应用@@，支撑集成电路产业的@@持续@@、健康发展@@。

[半导体@@前端工艺@@：第三篇@@] 光刻@@@@——半导体@@电路的@@绘制@@@@

judy — Wed, 11 Jan 2023 02:04:19 +0000

绘制@@精细电路的@@第一步@@

金属@@-氧化物半导体@@场效应晶体管@@（MOSFET）的@@革命@@，让我们可以@@在@@相同面积的@@晶圆上@@@@同时制造出更多晶体管@@。MOSFET体积越小@@@@，单个@@ MOSFET的@@耗电量就@@越少@@，还可以@@制造出更多的@@晶体管@@，让其发挥作用@@，可谓是一举多得@@。可见@@，制造更小的@@@@MOSFET成了@@关键因素@@，并且想制成微细的@@电路@@，第一步就@@是@@“绘制@@”。

我们以@@饼干烘培做比喻来说明一下@@。假设想在@@面饼上@@压出数百个@@“幸福之翼@@”形状的@@饼干@@，一个一个做显然是很费力的@@@@，那@@要采用什么样的@@方法呢@@？

图@@1：在@@面饼上@@快速压出相同造型饼干的@@方法@@

最好的@@办法就@@是利用模具@@@@，先把面饼擀平擀宽烘培后@@@@，用饼干模具@@@@@@（印章@@）压出想要的@@形状来@@。这样一来@@，一次压出@@100个饼干也不会太吃力@@。

再想一想@@，如果想把做好的@@饼干卖给@@孩子们@@，就@@得把饼干做得更小@@，那@@要怎么办@@@@？当然@@，饼干模具@@@@就@@要变得更小@@。本篇文章的@@主角就@@是相当于@@“饼干模具@@@@”的@@“光刻@@@@机@@”。半导体@@制造与饼干烘培的@@最大区别在@@于@@，MOSFET越小@@，在@@相同面积的@@晶圆上@@@@，就@@可以@@制造出越多的@@@@MOSFET，这也就@@越受客户的@@青睐@@。两个小的@@@@MOSFET远比一个大的@@@@MOSFET更实用@@。

半导体@@的@@@@制造其实就@@是不断重复上@@述工艺@@。继续以@@做饼干为例@@@@，如果糕点师想给@@@@“幸福之翼@@”饼干上@@色@@，要怎么办@@？

图@@2：给@@“幸福之翼@@”饼干上@@色@@的@@顺序@@

图@@3：如果能成批向数十个饼干喷涂色素@@，速度就@@会更快@@。

图@@2和@@3揭示了@@快速做出更多饼干的@@方法@@：先在@@面饼上@@压出许多造型相同的@@饼干@@，然后@@遮盖不想上@@色的@@部位@@，再向整个面饼喷涂色素@@。这样就@@可以@@轻松快速地做出特定造型和@@颜色的@@饼干了@@@@。说到这里@@，也许善于思考的@@读者就@@要发问@@：这么多的@@双翼内侧黑色遮盖物@@@@（见图@@@@3），要怎么制作@@？下面我们会说到这一点@@，这其实就@@是光刻@@@@工艺@@的@@核心@@。

饼干只有面饼和@@色素@@（红色@@、橘黄色@@）两层@@，但半导体@@结构却复杂得多@@，由数十层堆叠组成@@：包括电子@@188足彩外围@@app 层还有层层堆叠的@@金属@@布线层等@@。这也是我们说光刻@@@@是半导体@@制程关键工艺的@@原因@@。

模具@@的@@制作过程@@：光刻@@@@工艺@@

半导体@@制造商把上@@面我们所说的@@制作饼干模具@@@@@@（遮盖物@@）的@@过程叫做光刻@@@@工艺@@@@。光刻@@@@工艺@@的@@第一步就@@是@@涂覆光刻@@@@胶@@@@@@（Photoresist）。光刻@@@@胶@@经@@曝光@@后@@@@@@化学性质会发生变化@@。具体而言@@，就@@是在@@晶圆上@@@@涂覆光刻@@@@胶@@@@后@@@@，用光@@（激光@@）照射晶圆@@，使光刻@@@@胶@@的@@指定部分的@@性质发生改变@@。

图@@4：光刻@@@@工艺@@基本步骤@@

如果直接用激光@@照射@@整个晶圆@@，那@@么光刻@@@@胶@@的@@所有部分都会发生质变@@，所以@@@@需要@@使光源通过特定形状的@@母版@@，再照射到晶圆上@@@@，这个母版就@@叫掩模版@@@@（Photomask）。光源通过掩模版@@照射到晶圆上@@@@，即可将掩模版@@的@@图@@案转印到晶圆上@@@@。

在@@晶圆上@@@@绘制@@图@@形后@@@@，还要经@@显影@@@@（Develop）处理@@，即在@@曝光@@后@@@@，除去曝光@@区光刻@@@@胶@@化学性质发生变化的@@部分@@，从而制作出所需的@@@@“饼干模具@@@@”。简言之@@，光刻@@@@工艺@@可以@@概括为使光源通过掩模版@@照射到涂敷光刻@@@@胶@@的@@晶圆表面@@，以@@将掩模版@@图@@形转印到晶圆上@@的@@工艺@@。

光刻@@@@胶@@（Photoresist）

如上@@所述@@，光刻@@@@胶@@经@@曝光@@后@@@@@@，其化学性质会发生改变@@。更准确@@地说@@，经@@曝光@@后@@@@，光刻@@@@胶@@在@@显影@@液中的@@溶解度发生了@@变化@@：曝光@@后@@溶解度上@@升的@@物质称作正性光刻@@@@胶@@@@@@（正胶@@），反之则为负性光刻@@@@胶@@@@（负胶@@）。为了@@更好区分@@，我们可以@@把最直观可见@@的@@物质理解为正胶@@@@。正胶@@经@@显影@@处理@@后@@@@，被曝光@@的@@区域溶于显影@@液@@，在@@后@@续的@@刻@@蚀@@、沉积等工艺中@@，质变的@@部分会被刻@@蚀去除掉@@，而没有被曝光@@部分不会受后@@续工艺的@@影响@@。

半导体@@制造商一般会根据工艺的@@目的@@选择合适的@@光刻@@@@胶@@@@。例如@@，负胶@@经@@曝光@@而固化的@@部分@@，在@@显影@@过程中@@，因吸收部分显影@@液而容易膨胀@@、变形@@，不适合绘制@@精细图@@形@@。因此@@，绘制@@精细图@@形通常采用正胶@@@@。但负胶@@却具有成本低以@@及在@@刻@@蚀@@（Etching）工艺中抗刻@@蚀能力更强的@@的@@优点@@。

图@@5：正性光刻@@@@胶@@@@（正胶@@）与负性光刻@@@@胶@@@@（负胶@@）

选好光刻@@@@胶@@后@@@@，就@@得用涂布机@@（Coater）涂抹光刻@@@@胶@@@@。通过涂布机的@@高速旋转@@，滴落到晶圆的@@光刻@@@@胶@@可均匀伸展到整个晶圆表面@@。

光刻@@@@胶@@涂好后@@@@，应去除沾染在@@晶圆背面或边缘的@@多余胶水@@@@，再放入烘箱内加热烘烤@@，使溶剂蒸发@@，为下一道工艺做准备@@。

随着时代的@@发展@@，光刻@@@@胶@@的@@结构也变得越来越复杂@@。我们通常说@@“涂覆光刻@@@@胶@@@@”，但其实@@，大部分的@@光刻@@@@胶@@并不是一层@@，而是多层结构@@。底部抗反射涂层@@（BARC，Bottom Anti-reflective Coatings）就@@是其中@@的@@一种@@。随着微细化技术@@的@@进一步升级@@，光刻@@@@机@@照射的@@光在@@晶圆表面被反射@@，进而影响到图@@形的@@绘制@@@@。为解决这一技术@@问题@@，在@@涂覆光刻@@@@胶@@@@前@@，可先将抗反射涂层涂覆在@@晶圆表面@@，以@@减少底部光的@@反射@@（因涂覆在@@光刻@@@@胶@@的@@底部@@，故称为@@Bottom）。此外@@，随着以@@水@@为介质的@@浸没式光刻@@@@设备@@ArF Immersion1问世@@，可以@@抖出水@@分并且不会损伤的@@防水@@涂层@@（顶部抗反射涂层@@，Top Anti-Reflective Coat）便应运而生@@。

在@@此我们要把重点放在@@理解如何克服引进新技术@@后@@的@@新挑战@@。以@@EUV光刻@@@@机@@2为例@@，高能量的@@极紫外线击中光刻@@@@胶@@并发生反应后@@会污染掩模版@@@@。为解决这一技术@@难题@@，一方面应深入研究光刻@@@@胶@@材料@@，另一方面@@要通过引进掩模版@@保护膜@@（Pellicle）解决这一问题@@。

¹ArF浸没式光刻@@@@机@@@@（ArF immersion）：以@@水@@取代光刻@@@@机@@内光的@@介质@@（空气@@），从而进一步改善性能@@

²EUV光刻@@@@机@@ ：采用极紫外线绘制@@超精细图@@形的@@光刻@@@@机@@@@

掩模版@@（Photomask）

图@@6：光刻@@@@机@@运作图@@示@@

涂覆好光刻@@@@胶@@后@@@@，下一步就@@是在@@光刻@@@@胶@@上@@绘制@@图@@形@@。为此@@，需要@@一种名为掩模版@@的@@透明版@@。掩模版@@分为光可通过的@@透明区和@@遮光的@@不透明区@@。光源通过掩模版@@把图@@形投射到光刻@@@@胶@@上@@@@，从而将掩模图@@形转印到晶体上@@@@。设计@@掩模图@@形时会考虑光的@@干涉效果@@，因此@@，掩模版@@的@@图@@形与我们实际想绘制@@的@@图@@形会有所不同@@。

掩模版@@的@@图@@形设计@@其实就@@是半导体@@设计@@@@，这决定了@@半导体@@的@@@@用途@@。比如@@，用于@@DRAM、NAND闪存等存储器制造的@@掩模版@@@@会有很多肉眼看不到@@、非常有规律的@@重复的@@图@@形@@；而用于@@@@CPU、GPU等逻辑半导体@@@@（Logic Semiconductor）的@@掩模版@@@@，结构则相当复杂@@。

此外@@，半导体@@制造需要@@多个掩模版@@@@。使用掩模版@@曝光@@后@@@@，在@@随后@@的@@刻@@蚀@@、沉积和@@氧化工艺@@中再经@@多种处理@@@@，然后@@再重复上@@述过程@@@@，堆叠半导体@@的@@@@下一层@@。可见@@，所谓@@“设计@@”，其实就@@是为赋予芯片一定功能@@，不断制作用于@@绘制@@半导体@@各层的@@掩模版@@@@的@@过程@@。

掩模版@@是事先预备好的@@@@。因此@@，下一步就@@是找准曝光@@的@@起始位置@@，即对准@@（Alignment）。在@@之前的@@文章中我们也说过@@，在@@半导体@@制程工序中@@，光刻@@@@工艺@@可能需要@@反复数十次@@。半导体@@内细微图@@形的@@间隔仅为数十纳米@@，因此@@，误差@@一旦累积数十次@@，就@@很可能造成严重不良@@。因此@@，需要@@在@@曝光@@之前@@，寻找在@@前端工艺已形成的@@对准标志@@（Alignment Mark）。

曝光@@（Exposure）

终于到了@@曝光@@阶段@@，这是实际投射光源的@@阶段@@。把光@@（激光@@）投射到晶圆一个芯片@@大小的@@狭窄区域@@，待曝光@@一定时间后@@@@，光刻@@@@机@@将向旁边稍加移动@@，重复上@@述过程@@。

光刻@@@@机@@分辨两物点的@@能力叫做@@“物镜的@@分辨能力@@（鉴别率@@）”。物镜分辨能力的@@公式为@@d=λ/(2NA) （λ：入射光的@@波长@@，NA：表示物镜的@@数值孔径@@）。物镜的@@分辨能力@@越高@@，两物点间最小距离@@d越小@@，即两物体仿佛重合为一个物体@@，很难分辨@@。因此@@，掩模版@@绘制@@再精细的@@版图@@也无法转印到实际的@@晶圆表面上@@@@。

可见@@，降低分辨能力非常重要@@@@。上@@述公式给@@我们揭示了@@两种方法@@：一是通过调节入射光的@@波长@@来克服@@。增加激光@@的@@能量可缩短入射光的@@波长@@@@。我们经@@常在@@金博宝娱乐@@ 中听到的@@极紫外线@@（EUV，Extreme Ultraviolet Lithography）光刻@@@@机@@正是通过将深紫外线@@（DUV，Deep Ultraviolet Lithography）光刻@@@@机@@的@@波长缩短至@@1/14（=提高光能@@），实现精细图@@形绘制@@的@@@@；另一方面@@，还可通过提高物镜的@@数值孔径@@（NA）来寻找突破口@@。提高光源镜头数值孔径@@，或使用高折射率的@@介质增加物镜的@@数值孔径@@。高数值孔径极紫外线@@（High NA EUV）光刻@@@@机@@就@@是采用了@@提高光源镜头数值孔径@@的@@方法@@，而常用的@@深紫外线光刻@@@@机@@@@（ArF immersion）则采用了@@高折射率介质的@@方法@@。

物镜的@@数值孔径其实很难直观去理解@@，<图@@7>揭示了@@一种相对较通俗的@@理解方法@@。相信读者可以@@从中理解光源镜头变大@@，分辨率就@@会提高@@（变小@@）的@@原理@@。

图@@7：物镜的@@数值孔径与物镜的@@分辨能力@@@@

寻找光刻@@@@机@@的@@光源可非同小可@@。直到@@21世纪初@@，科研人员们还在@@不断发现更好的@@光源@@。但从找到@@193nm的@@氟化氩@@（ArF）激光@@，到发现@@13.5nm的@@极紫外线作为光源@@，科学家们足足花了@@@@10多年的@@时间@@。这主要缘于光的@@性质@@，光的@@波长越短@@，越不容易发生折射@@，且容易被材料吸收@@。

此外@@，曝光@@对半导体@@的@@@@生产量也非常重要@@@@。从上@@述讲解中可以@@看出@@，曝光@@与氧化工艺@@不同@@@@，无法同时处理@@数十个晶圆@@，即无法打造可以@@一次处理@@直径为@@300mm的@@晶圆的@@均匀光源@@，光刻@@@@机@@每次只能曝光@@@@1~4个芯片@@。最新版光刻@@@@机@@每台约@@1000亿韩元以@@上@@@@，相当昂贵@@，但每小时也只能处理@@@@100张左右的@@晶圆@@。仅投入到曝光@@工艺的@@资金就@@是氧化工艺@@的@@@@12倍@@。对于极紫外线来说@@，与其说@@“是否能作为光源@@”重要@@，不如说@@“是否能提高处理@@量@@，实现商业价值@@”更加重要@@@@。为解决这一问题@@@@，不仅要从光源入手@@，还要从材料方面入手@@，寻找对少量光也能敏感反应的@@光刻@@@@胶@@材料@@。

曝光@@结束后@@@@，就@@要检测晶圆的@@套刻@@@@@@（Overlay）误差@@。套刻@@@@，是为测量光刻@@@@机@@的@@对准精度而在@@晶圆上@@@@做的@@小标识@@。每次曝光@@时围绕同一个中心@@，以@@不同大小的@@标记套刻@@@@标识@@，就@@可测量曝光@@的@@对准程度或晶圆是否有所偏离等@@。但套刻@@@@工艺与对准@@（Alignment）工艺不同@@，不会检测每一个晶圆的@@套刻@@@@精度@@。

显影@@（Develop）

光刻@@@@胶@@曝光@@后@@@@，曝光@@区光刻@@@@胶@@的@@化学性质会发生改变@@。这些变质的@@光刻@@@@胶@@要用显影@@液溶解后@@去除@@，这一工艺被称作显影@@@@（Develop）。

当然@@，在@@进入显影@@工艺前@@，要把晶圆放入烘箱烘烤@@，这样可以@@进一步促进曝光@@区光刻@@@@胶@@的@@性质变化@@，这一过程被称作曝光@@后@@烘烤@@（PEB，Post Exposure Bake）。

经@@PEB后@@，在@@晶片涂覆显影@@液@@，去除变质的@@光刻@@@@胶@@部分@@，必要时还可进行清洗@@（Rinse）。清洗时@@，要根据光刻@@@@胶@@的@@材料选择合适的@@清洗溶液@@。而清洗设备也是种类繁多@@，且往往要在@@处理@@速度和@@良率之间做权衡@@。

经@@上@@述一系列过程@@，半导体@@的@@@@“饼干模具@@@@”终于制成了@@@@。最后@@@@，在@@这@@“模具@@”的@@缝隙涂覆所需的@@材料@@，或削减不需要@@的@@部分等@@，经@@一番完善工作后@@在@@表面雕刻@@@@晶体管和@@金属@@布线即可@@。

光刻@@@@机@@的@@发展与纵向思考@@

从上@@述对光刻@@@@工艺@@的@@讲解中@@，相信读者已经@@明白以@@死记硬背的@@方式去学习一门技术@@有多么地徒劳@@。在@@193nm的@@氟化氩@@（ArF）激光@@光源遇到瓶颈时@@，科学家们还没有发现@@EUV，但微细化的@@脚步又不能停止@@。所以@@@@，研究人员们就@@试图@@缩短相同光源的@@波长@@，进而研发出了@@氟化氩浸没式光刻@@@@机@@@@@@，从而使半导体@@行业向@@100nm以@@下级别迈出了@@一步@@。当然@@，这不是仅通过光刻@@@@工艺@@就@@可以@@解决的@@@@，还需要@@前后@@端工艺的@@共同努力@@。

图@@8：为研发@@ArF浸没式光刻@@@@机@@@@所引进的@@新技术@@@@

使用浸没式光刻@@@@设备@@，就@@要在@@晶圆上@@@@滴落高折射率的@@液体@@（水@@）。问题是半导体@@工艺非常精细@@，小小的@@误差@@也会@@“酿成大错@@”，比如@@，液体的@@不纯物有可能导致半导体@@产品的@@瑕疵@@，或光刻@@@@胶@@被水@@溶解后@@被清洗掉等@@。为攻克这些技术@@难关@@，人们进一步研发了@@可以@@制成高纯度水@@的@@技术@@以@@及在@@光刻@@@@胶@@上@@形成易去除的@@防水@@涂层的@@技术@@@@。在@@光刻@@@@胶@@上@@新涂覆了@@一层防水@@层后@@@@，显影@@工艺当然@@也要相应做出改变@@。

这些改变@@，需要@@由半导体@@行业持续努力解决@@。最近@@，SK海力士@@与材料公司联手@@，共同研发了@@干法光刻@@@@工艺@@流程@@。

我们在@@前一篇@@（氧化工艺@@）中也曾说到@@，干法工艺@@，顾名思义就@@是没有水@@的@@介入@@。也就@@是说@@，这是一种与之前完全不同的@@崭新工艺技术@@@@。它像沉积工艺那@@样在@@光刻@@@@胶@@表面上@@形成薄膜@@，在@@显影@@过程中@@也不清洗@@。需研发这些技术@@的@@理由不胜枚举@@，但最重要@@的@@@@，就@@是微细化水@@平已经@@达到了@@极致@@，光刻@@@@机@@绘制@@出的@@精细图@@形@@，在@@涂覆和@@清洗光刻@@@@胶@@的@@过程中@@会被破坏@@。

结语@@ ：成功绘制@@不等于结束@@

在@@本篇文章中@@，我们快速浏览了@@光刻@@@@工艺@@@@，通过该工艺@@，图@@形的@@绘制@@已经@@完成@@。下一步就@@需要@@在@@绘制@@的@@图@@形上@@添加点什么或削减不需要@@的@@部分@@。虽说光刻@@@@工艺@@很重要@@@@，但也不能忽视其他工艺@@。因为制作微细模具@@@@（光刻@@@@工艺@@）和@@利用这个模具@@完成所需的@@操作可是完全不同的@@问题@@。

※ 本文为外部专家对半导体@@@@/ICT的@@见解@@，并不代表@@SK海力士@@的@@立场@@。

文章来源@@：SK海力士@@