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美光@@率先上市基于@@@@@@ LPDDR5X 的@@ LPCAMM2 内存@@模块@@，变革@@ PC 用户体验@@

judy — Fri, 19 Jan 2024 04:01:32 +0000

Micron Technology, Inc.（美光@@科技股份有限公司@@@@，纳斯达克股票代@@码@@：MU）近日@@宣布@@推出业界首款标准@@低功耗@@压缩附加内存@@模块@@@@（LPCAMM2），提供从@@ 16GB 至@@ 64GB 的@@容量选项@@，为@@ PC 提供更高性能@@@@、更低功耗@@@@、更紧凑的@@设计@@空间及模块化设计@@@@。LPCAMM2 内存@@模块@@现已出样@@，并计划于@@@@ 2024 年@@上半年@@量产@@，这是@@自@@ 1997 年@@业界采用@@小型@@双列直插式内存@@模块@@@@（SODIMM）以来@@，客户端@@ PC 首次采用@@颠覆性的@@全新外形规格@@@@@@。美光@@ LPCAMM2 模块采用@@@@ LPDDR5X DRAM，与@@ SODIMM 产品@@相比@@@@，能在@@网@@页浏览和@@视频会议@@¹等@@ PCMark®10 重要工作负载中@@将功耗降低@@高达@@ 61%² ，性能提升高达@@ 71%，空间节省达@@ 64%³ 。

随着@@生成式人工智能@@@@@@ (GAI) 用例在@@客户端@@@@ PC 上的@@普及@@，内存@@子系统的@@性能变得愈发重要@@。LPCAMM2 能为@@@@ PC 提供处理人工智能@@@@@@（AI）工作负载所需的@@性能@@，并将凭借紧凑@@、模块化的@@外形规格@@@@扩展至@@其他需要@@高性能@@和@@低功耗@@解决方案的@@应用@@@@@@。同时@@，LPCAMM2 还具备了根据客户需求升级低功耗@@@@ DRAM 的@@能力@@。

美光@@副总裁暨计算产品@@事业群总经理@@ Praveen Vaidyanathan 表示@@：

“美光@@正在@@通过@@ LPCAMM2产品@@变革@@@@ PC 用户的@@使用体验@@，该产品@@将以灵活的@@模块化外形提供一流的@@每@@瓦性能@@。美光@@ LPCAMM2 是同类型@@的@@首创产品@@@@，将为@@具备@@ AI 功能的@@笔记本电脑提供更强性能@@，且内存@@容量可随着@@技术和@@客户需求的@@发展而@@不断升级@@。

美光@@作为@@@@@@ JEDEC 的@@龙头会员@@，与@@客户端@@@@ PC 主流@@ OEM 厂商及生态系统伙伴合作@@，共同设计@@开发了@@LPCAMM2 外形规格@@@@。除产品@@研发外@@，美光@@ LPCAMM2全新存储模块还在@@测试硬件@@、测试方法和@@自动化技术方面进行@@了多项创新@@，从而@@实现高效量产@@。美光@@ LPCAMM2 还具备以下优势@@@@：

• LPDDR5X 具备更高性能@@@@，速率高达@@ 9600Mbps，而@@当前@@ DDR5 SODIMM⁴ 的@@速率为@@@@ 5600Mbps

• 系统待机功耗最高可节省@@ 80%⁵，从而@@增强电池续航能力@@

• 数字内容创作@@工作负载性能提升高达@@@@ 7%

• 在@@PCMark® 10测试中@@@@6，生产力工作负载性能提升高达@@@@ 15%

• 模块化可为@@企业@@ IT 用户和@@管理员提供关键的@@维护功能@@

• 所有模块容量均采用@@单@@块@@ PCB，为@@ OEM 和@@ ODM 客户提供更大的@@供应链灵活性@@

• 与@@ SODIMM 相比@@，主板布线更加简单@@@@

• 英睿达@@ LPCAMM2 零售产品@@使笔记本电脑用户能够升级系统内存@@配置@@

联想商用产品@@解决方案开发部执行总监兼资深工程师@@ Yasumichi Tsukamoto 表示@@：

" LPCAMM2 在@@ PC 生态系统中@@采用@@全新的@@动态外形规格@@@@@@，可为@@移动@@工作站和@@轻薄型@@笔记本电脑带来更高性能@@@@、可扩展的@@内存@@容量和@@更长的@@电池续航@@。我们很自豪能够与@@美光@@建立深厚的@@合作关系@@，共同开发并率先将这种灵活的@@内存@@产品@@@@推向市场@@@@。除了增强用户体验@@外@@，这些模块中@@使用的@@低功耗@@内存@@也符合我们降低笔记本电脑功耗的@@目标@@。

英特尔内存@@与@@@@ IO 技术副总裁@@ Dimitrios Ziakas博士表示@@@@：

"英特尔联合美光@@与@@业界主流@@的@@个人电脑领导厂商密切合作@@，通过设计@@开发美光@@@@ LPCAMM2 外形规格@@@@所支持的@@升级版新平台@@，重新构建了客户端@@个人电脑空间@@。LPCAMM2 的@@技术优势@@使英特尔及其生态系统合作伙伴能够推进可持续的@@低功耗@@内存@@技术解决方案@@，并为@@@@ AI PC 时代@@打造令人兴奋的@@全新@@ PC 设计@@。我们将继续致力与@@生态伙伴合作@@，为@@未来的@@应用@@@@和@@创新打造坚实基础@@。

仁宝电脑高级副总裁@@ Andy Lee 表示@@：

“在@@笔记本电脑和@@移动@@工作站等@@边缘设备@@上使用大型@@语言模型@@和@@@@ AI 应用@@，是我们未来以客户为@@中@@心设计@@的@@重点关注领域@@。仁宝电脑正与@@美光@@密切合作@@，设计@@采用@@美光@@@@ LPCAMM2 高带宽@@、低功耗@@、大容量内存@@解决方案的@@平台@@，以推动人工智能@@@@发展@@。

美光@@还将为@@终端客户提供英睿达@@@@LPCAMM2 内存@@产品@@@@，使游戏@@玩家@@、商旅专业人士和@@内容创作@@者等@@笔记本电脑用户可自行升级内存@@配置@@，该种可升级设计@@开创了低功耗@@内存@@的@@行业先河@@。英睿达@@ LPCAMM2 产品@@将于@@@@ 2024 年@@上半年@@在@@英睿达@@官网@@推出@@。

¹基于@@@@ LPDDR5X LPCAMM2与@@ DDR5 SODIMM 的@@ PCMark® 10 重要工作负载对比测试结果@@；重要工作负载测试模拟用户每@@天多次执行的@@常见任务和@@活动@@（如网@@页浏览或@@视频会议@@）。

²与@@ SODIMM 内存@@相比@@@@，在@@相同@@ DDR5 速率下@@，每@@ 64 位总线功耗降低@@@@ 61%。

³与@@双重堆叠@@ SODIMM 相比@@，最多可节省@@ 64% 的@@空间@@。

⁴LPDDR5X 的@@数据传输速率高达@@@@ 9600Mbps，高于@@@@ DDR5 SODIMM 的@@ 6400Mbps；与@@ SODIMM的@@ 6.4Gbps 速率相比@@@@，LPCAMM2 模块上的@@@@ LPDDR5X 可提供高达@@ 1.5 倍的@@速率@@。

⁵与@@ SODIMM 相比@@，LPCAMM2 在@@以下情景中@@能实现更低功耗@@@@@@：DDR5 同等@@速率下@@@@，每@@ 64 位总线的@@动态功耗可降低高达@@@@ 43%-58%，待机功耗可降低高达@@@@ 80%；IDDR6 功耗降低@@（自刷新@@）可降低高达@@ 85%。

⁶基于@@@@对@@LPDDR5X LPCAMM2和@@DDR5 SODIMM进行@@PCMark® 10 数字内容创作@@和@@生产力工作负载测试的@@结果@@；数字内容创作@@工作负载的@@测试对象为@@照片与@@视频编辑及@@ 3D 内容创作@@；生产力工作负载主要测试@@ PC 在@@运行办公应用@@方面的@@性能@@，如电子表格程序与@@文字编辑工具@@。

LPDDR5X来袭@@！准备迎接内存@@速度大爆炸@@！

judy — Tue, 19 Dec 2023 03:16:55 +0000

无论是切换智能@@手机@@应用@@程序@@，还是享受沉浸式游戏@@体验@@，都有可能遇到系统内存@@访问速度慢的@@问题@@。如果汽车@@的@@自动制动系统不能及时响应前方道路上的@@障碍物@@，问题是很严重的@@@@。

如今@@，智能@@、互联和@@带宽密集型@@应用@@依赖于@@超快@@、低延迟@@的@@内存@@访问@@，以实现我们日@@常生活所依赖的@@一系列功能@@。那么@@，什么样的@@技术能够满足这些要求@@@@？答案就是@@LPDDR5X SDRAM JEDEC标准@@，它是@@LPDDR5的@@可选扩展@@。

LPDDR5X标准@@由@@JEDEC于@@2021年@@6月@@发布@@，它是@@一种专用的@@同步动态随机存取存储器@@@@（SDRAM）。与@@之前的@@@@LPDDR5标准@@相比@@@@，LPDDR5X在@@多个方面实现了改进@@：

在@@保持@@1.1V内核电压不变的@@情况下@@，速度从@@6.4Gbps提升到@@8.5Gbps

通过采用@@接收器均衡和@@发射器@@[SH1] 预加重技术@@，改善了信号完整性@@

全新的@@自适应刷新管理功能提高了可靠性@@

电池效率提高了多达@@20%

对于@@@@5G移动@@、人工智能@@@@、汽车@@甚至@@某些高性能@@计算@@应用@@来说@@，这些改进非常有必要@@。采用@@先进工艺@@节点开发并集成@@LPDDR5X接口的@@芯片进一步扩大了带宽和@@低功耗@@优势@@@@。在@@本文中@@@@，我们将进一步介绍适合@@LPDDR5X的@@应用@@@@，以及经验证的@@@@IP如何帮助@@开发者优化设计@@@@。

1. LPDDR5X规范@@：速度稳健@@，而@@又不会增加功耗@@

随着@@智能@@手机@@和@@其他移动@@通信电子产品@@的@@日@@益流行@@，低功耗@@双倍数据速率@@（LPDDR）存储器应运而@@生@@。为@@了满足消费者的@@需求以及小尺寸的@@限制@@，这些设备需要@@尽可能地延长电池续航时间@@，而@@LPDDR能够满足这些要求@@。由于@@兼具带宽@@、低功耗@@、外形尺寸和@@容量等@@优势@@@@，该内存@@标准@@现已与@@其前身@@DDR一样得到广泛应用@@@@，成为@@适合各种终端应用@@的@@合适@@SDRAM。

LPDDR的@@优势@@在@@于@@@@，当终端设备不使用内存@@时@@，它的@@功耗非常低@@。由于@@工作频率较低@@，因此@@与@@@@DDR相比@@，该低功耗@@标准@@可以轻松快速地调节性能@@。LPDDR可在@@终端设备不使用时进入低功耗@@状态@@，从而@@显著降低功耗@@@@。LPDDR5X是迄今为@@止速度最快@@、效率最高的@@@@LPDDR标准@@版本@@。

各种应用@@和@@终端设备都需要@@快速的@@内存@@访问@@，以便做出实时决策@@：

智能@@手机@@和@@其他移动@@应用@@@@，需要@@高带宽@@和@@优化功耗@@，并能根据设备活动调整频率@@

汽车@@处理器@@，用于@@支持高级驾驶辅助系统@@（ADAS）等@@应用@@@@。大多数汽车@@应用@@使用汽车@@级@@SDRAM，标准@@比传统消费级产品@@更为@@严格@@

人工智能@@@@加速器@@，即高性能@@并行计算机@@，可高效处理神经网@@络等@@人工智能@@@@工作负载@@

边缘人工智能@@@@@@，需要@@在@@本地实现零延迟@@的@@快速数据处理@@

用于@@摄像头和@@视频设备@@、电视和@@路由器等@@数字家庭产品@@及媒体设备的@@芯片@@，必须能执行快速的@@超高密度@@（UHD）多媒体处理@@

5G网@@络设备@@，需要@@实时数据传输@@，以支持快速数据下载和@@上传@@

2. 通过先进工艺@@优化@@PPA

先进工艺@@技术@@为@@先进片上系统@@（SoC）提供了更好的@@功耗@@、性能和@@面积@@（PPA）优势@@。在@@先进的@@@@FinFET（鳍式场效应晶体管@@）节点上@@，芯片架构采用@@小型@@高密度芯片封装@@@@，包含数十亿个晶体管@@，这给量产带来了新的@@挑战@@。内存@@接口@@IP可以帮助@@简化开发流程@@，提供经验证的@@解决方案@@，从而@@降低集成风险并加快产品@@的@@整体上市速度@@。

对于@@@@LPDDR5X，物理层@@@@（PHY）和@@控制器@@共同支持低延迟@@操作和@@快速数据传输@@，同时@@实现出色的@@功耗效率@@。作为@@@@JEDEC固态技术协会低功耗@@存储器小组委员会的@@积极成员@@，新思科技@@的@@专家在@@@@LPDDR内存@@接口@@标准@@的@@发展过程中@@发挥着重要作用@@。我们的@@产品@@组合包括坚固耐用的@@@@LPDDR5X物理层@@@@和@@控制器@@@@IP，具有超低的@@延迟@@和@@超小的@@面积@@，并符合最新的@@标准@@@@。新思科技@@LPDDR5控制器@@IP包括集成内嵌存储加密@@（IME）安全模块@@，通过符合标准@@的@@独立读@@/写通道加密支持和@@按@@区域加密@@/解密@@，确保数据机密性@@。该控制器@@经过高度优化@@，能够实现出色的@@延迟@@@@、面积和@@性能@@。

新思科技@@LPDDR5X/5/4X PHY IP适用于@@@@ASIC、ASSP、SoC和@@系统级封装@@应用@@@@，并提供灵活的@@配置选项@@。这种设计@@能够与@@新思科技@@@@LPDDR5X/5/4X控制器@@IP进行@@快速集成@@，后者针对功耗@@、延迟@@、带宽和@@面积进行@@了优化@@，从而@@提供完整的@@@@DDR接口解决方案@@。LPDDR5X PHY IP采用@@半导体行业先进的@@@@3nm FinFET工艺@@技术@@，展示出了令人瞩目的@@速度@@（8533Mbps和@@高达@@9600 Mbps——超频@@！），并提供了全开的@@眼图@@和@@清晰的@@裕量@@。

通过与@@经验丰富的@@@@IP供应商合作@@，开发者可以放心地进行@@设计@@@@，因为@@我们的@@@@IP已经过不同工作条件下的@@全面测试@@，包括极端温度和@@涉及电迁移的@@场景@@，并符合特定标准@@@@（如汽车@@功能安全@@）。

3. 总结@@

随着@@移动@@通讯@@、人工智能@@@@和@@高等@@级自动驾驶汽车@@等@@带宽密集型@@应用@@的@@日@@益普及@@，对高速内存@@访问的@@需求将持续增长@@。低成本的@@@@LPDDR5X SDRAM提供了出色的@@速度@@，考虑到@@LPDDR内存@@接口@@标准@@迄今为@@止的@@演变@@，其未来的@@发展不可限量@@。为@@了帮助@@开发者应对该标准@@设计@@的@@复杂性@@，新思提供了经验证的@@@@LPDDR5X IP，以帮助@@开发者克服集成风险@@，加快产品@@上@@市速度@@。

本文转载自@@：新思科技@@

SK海力士@@量产全球最大容量的@@@@24GB LPDDR5X DRAM

judy — Mon, 21 Aug 2023 07:10:21 +0000

金博宝娱乐@@ 概要@@

目前唯一量产@@24GB封装@@产品@@@@，并供应给全球智能@@手机@@制造商@@

采用@@HKMG工艺@@，同时@@实现超低功耗@@@@、高性能@@

“率先满足客户要求@@，引领高端@@DRAM市场@@”

SK海力士@@（或@@‘公司@@’，https://www.skhynix.com）11日@@宣布@@，公司@@开始向客户提供应用@@于@@智能@@手机@@等@@移动@@产品@@的@@高性能@@@@DRAM（内存@@） LPDDR5X¹(Low Power Double Data Rate 5 eXtended)的@@24GB(千兆字节@@)封装@@产品@@@@。公司@@已于@@去年@@@@11月@@成功量产@@LPDDR5X，此次首次开发出将容量提升至@@@@24GB的@@移动@@@@DRAM封装@@，并开始供货@@。

¹ LPDDR：用于@@智能@@手机@@和@@平板电脑等@@移动@@产品@@的@@@@DRAM规格@@，为@@了功耗最小化具备着低电压动作的@@特性@@。规格@@名称附有@@LP(Low Power，低功耗@@)，最新规格@@为@@@@LPDDR第@@7代@@(5X)，按@@1-2-3-4-4X-5-5X顺序开发@@。SK海力士@@在@@第@@@@8代@@LPDDR6正式上市之前@@,于@@今年@@@@1月@@开发出了改进@@LPDDR5X性能的@@自命名产品@@@@“LPDDR5T”，正进行@@客户认证@@。

SK海力士@@强调@@：“公司@@将@@HKMG(High-K Metal Gate)²工艺@@引入@@LPDDR5X 24GB封装@@产品@@@@中@@@@，可同时@@体现业界最高水平的@@能效和@@性能@@。此次将目前唯一的@@@@24GB高容量封装@@产品@@@@添加到公司@@移动@@@@DRAM组合中@@@@，今后可以更广泛地应对客户的@@要求@@。”

² HKMG：在@@DRAM晶体管内的@@绝缘膜上采用@@高@@K栅电介质@@，在@@防止漏电的@@同时@@还可改善电容@@（Capacitance）的@@新@@一代@@工艺@@@@。不仅可以提高内存@@速度@@，还可降低功耗@@@@。SK海力士@@于@@去年@@@@11月@@在@@移动@@@@DRAM上全球首次采用@@了@@HKMG工艺@@，并成功量产@@LPDDR5X DRAM。

24GB LPDDR5X DRAM封装@@产品@@@@在@@国际半导体标准@@化组织@@（JEDEC）规定的@@最低电压标准@@范围@@1.01~1.12V（伏特@@）下运行@@。数据处理速度为@@每@@秒@@68GB，其相当于@@每@@秒可以传输@@13部全高清@@（Full-HD ，FHD）级电影@@。

SK海力士@@自上个月@@开始量产新产品@@@@，提供给智能@@手机@@制造商@@OPPO。OPPO将其搭载于@@最新旗舰@@（Flagship）智能@@手机@@“一加@@ Ace2Pro”产品@@上@@，并已在@@@@8月@@10日@@发布@@。

李杰@@OPPO营销事业部副总裁表示@@@@：“SK海力士@@能够适时供应@@24GB LPDDR5X DRAM产品@@，公司@@将@@在@@业界首次推出采用@@世界最高容量@@DRAM的@@智能@@手机@@@@，消费者不仅可以体验更长的@@续航时间@@，又能够体验更高效的@@多任务处理@@。”

IT专家展望@@，最新智能@@手机@@的@@性能正在@@快速提升@@，其作用正超越通讯工具@@，扩大为@@边缘设备@@@@³，在@@未来将会成为@@@@AI时代@@的@@必要设备@@。业界预测@@，要在@@智能@@手机@@上体现@@AI环境@@，提高核心零部件存储器半导体性能是必要因素@@，因此@@该领域的@@存储器市场@@也将持续扩大@@。

³ 边缘设备@@（Edge Device）：指在@@大数据移动@@的@@整体结构@@(云端@@/数据中@@心@@-互联网@@@@-网@@络设备@@-边缘设备@@)中@@，在@@接近普通用户的@@边缘@@（Edge）上使用的@@个人智能@@设备@@、汽车@@、物联网@@@@(IoT)等@@装置@@。

SK海力士@@DRAM营销担当副社长朴明秀表示@@@@：“随着@@IT产业全领域技术发展速度的@@加快@@，公司@@的@@@@LPDDR DRAM产品@@不仅适用于@@@@移动@@设备@@，也将扩展到个人电脑@@（PC）、服务器@@、高性能@@计算@@（HPC）和@@汽车@@@@（Automotive）等@@领域@@。公司@@今后也将率先供应客户要求的@@最高性能@@产品@@@@，以坚实的@@技术领导能力主导高端存储器市场@@@@。”

关于@@@@SK海力士@@
SK海力士@@总部位于@@韩国@@，是一家全球领先的@@半导体供应商@@，为@@全球客户提供@@DRAM（动态随机存取存储器@@），NAND Flash（NAND快闪存储器@@）和@@CIS（CMOS图@@像传感器@@）等@@半导体产品@@@@。公司@@于@@韩国证券交易所上市@@，其全球托存股份于@@卢森堡证券交易所上市@@。若想了解更多@@，请点击公司@@网@@站@@www.skhynix.com， news.skhynix.com.cn。

三星@@D1a nm LPDDR5X器件@@的@@@@EUV光刻@@工艺@@@@

judy — Wed, 09 Aug 2023 07:54:32 +0000

本文转载自@@： TechInsights微信公众号@@

2021年@@10月@@12日@@，三星@@宣布@@“三星@@新的@@五层@@@@EUV工艺@@实现了业界最高的@@@@DRAM位密度@@，将生产率提高了约@@20%”[1]。TechInsights在@@2023年@@2月@@17日@@发布@@的@@三星@@@@Galaxy S23 plus智能@@手机@@中@@获得了三星@@@@D1a LPDDR5X DRAM器件@@[2]。经过深入的@@@@SEM和@@TEM成像@@，并结合@@TEM EDS/EELS元素分析@@，TechInsights即将发布三星@@@@D1a nm 16 Gb LPDDR5X器件@@的@@@@分析报告@@。基于@@@@结构和@@材料逆向工程分析数据@@，TechInsights发现了四种@@EUV光刻@@(EUVL)工艺@@，用于@@阵列@@有源切割@@/外围有源@@(有源修剪@@)、位线接触@@(BLC)、存储节点接触垫@@(SNLP)/外围第@@一金属层@@@@ (M1)和@@存储节点@@(SN)管图@@形化@@@@。通过逆向工程分析没有明显的@@证据来确定@@EUVL工艺@@的@@第@@五层@@图@@形化@@层@@@@。

下表列出了三星@@@@D1y nm、D1z nm和@@D1a nm工艺@@器件@@的@@@@阵列@@有源切割@@、BLC、SNLP、SN管的@@最小宽度和@@节距@@，以及用于@@每@@层@@制模的@@光刻@@工艺@@@@@@。

下图@@包含了三星@@@@D1a nm(图@@a)、D1z nm(图@@b)和@@D1y nm(图@@c)器件@@在@@存储阵列@@有源层@@的@@@@@@TEM平面视图@@@@。存储器阵列@@中@@的@@有源切口具有交错孔布局@@。三星@@D1y nm器件@@的@@@@阵列@@有源切割间距为@@@@@@68 nm，达到了@@193i光刻@@的@@分辨率极限@@。单@@193i光刻@@工艺@@@@用于@@图@@形化@@阵列@@有源切割@@/外围有源@@。三星@@D1z nm器件@@的@@@@阵列@@有源切割间距为@@@@@@63 nm。双图@@形化@@工艺@@可能用于@@图@@形阵列@@有源切割@@/外围有源@@。三星@@D1a nm器件@@的@@@@阵列@@有源切割间距为@@@@@@56 nm。

图@@1：在@@DRAM阵列@@有源层@@上的@@@@TEM平面视图@@@@

图@@2是三星@@@@D1a nm (a)、D1z nm (b)和@@D1z nm (c)器件@@在@@外围有源@@层@@@@的@@@@SEM平面视图@@@@图@@像@@。WL有源驱动中@@间的@@@@T型@@STI有一个尖角@@，如图@@@@2(a)所示@@；而@@WL有源驱动中@@间的@@@@T型@@STI有一个相对光滑的@@角@@，如图@@@@2(b)和@@图@@@@2(c)所示@@。这清楚地表明@@，存储阵列@@中@@的@@有源切口和@@外围@@的@@有源切口采用@@的@@是单@@一@@@@EUVL工艺@@，而@@不是@@193i双重图@@形化@@工艺@@@@。

图@@2：外围有源@@层@@@@SEM平面图@@@@

图@@3为@@三星@@@@D1y nm (a)、D1z nm (b)和@@D1a nm (c)在@@DRAM位线接触@@(BLC)层@@的@@@@TEM平面视图@@@@图@@像@@。BLC具有如下图@@所示@@的@@交错孔布局@@。三星@@D1y nm器件@@的@@@@BLC间距为@@@@70 nm(图@@a)，这是@@193i光刻@@的@@分辨率极限@@。因此@@，采用@@单@@一@@的@@@@193i光刻@@工艺@@@@对@@BLC进行@@图@@形化@@@@。如图@@@@3 (b)所示@@，三星@@D1z nm器件@@的@@@@BLC间距为@@@@64 nm；由于@@在@@@@BLC特殊区域@@(如蓝点所示@@@@)使用掩膜的@@负色调显影@@(NTD)光刻@@工艺@@@@来对@@BLC进行@@图@@形化@@@@设计@@@@，因此@@可以观察到连续的@@@@SiN间隔@@(参见有关三星@@@@12 Gb 1z EUV LPDDR5 Advanced Memory Essentials, AME2102 -801的@@更多详细信息@@)。如图@@@@3(c)所示@@，三星@@D1a nm器件@@的@@@@BLC间距为@@@@56 nm；如图@@@@3 (a)所示@@，BLC SiN间隔@@片不是连续的@@@@，这与@@三星@@@@@@D1y nm器件@@中@@@@的@@@@BLC SiN间隔@@片相同@@。单@@个@@EUVL工艺@@可能用于@@三星@@@@D1a nm器件@@中@@@@的@@@@BLC图@@形化@@。

图@@3：阵列@@BLC层@@TEM平面视图@@@@

图@@4包括了三星@@@@D1a nm器件@@SNLP层@@的@@@@SEM (a)和@@TEM (b)平面视图@@@@图@@像@@。与@@三星@@@@D1z nm制程器件@@相同@@，圆形@@SNLP和@@阵列@@边缘的@@连续@@M1线表明使用单@@个@@@@EUVL制程对存储节点接触垫@@@@(SNLP)和@@外围@@M1进行@@了图@@形化@@@@。

图@@4：三星@@D1a nm器件@@阵列@@@@SNPL层@@的@@@@SEM和@@TEM平面视图@@@@

图@@5为@@三星@@@@D1z nm (a)和@@D1a nm (b)器件@@电容层@@的@@@@@@TEM平面视图@@@@图@@像@@。D1z nm器件@@的@@@@电容存储节点@@(SN)管间距为@@@@@@46.0 nm, D1a nm器件@@的@@@@SN管间距为@@@@@@41.5 nm。在@@三星@@@@D1z器件@@中@@@@，采用@@双向自对准双图@@像化工艺@@对@@SN管进行@@图@@像化@@(详见三星@@@@12Gb 1z EUV LPDDR5 process Flow Full, PFF-2102-801)。如图@@@@5 (a)所示@@，由于@@双向自对准图@@像化工艺@@的@@偏移和@@工艺@@均匀性问题@@，部分@@SN管在@@@@一个方向上比另一个方向略微拉长@@。D1a nm器件@@中@@@@的@@@@SN管在@@@@TEM斜角水平呈圆形@@@@，直径为@@@@23 nm(图@@5 (b))。因此@@，单@@一@@EUVL工艺@@可能用于@@三星@@@@D1a nm器件@@的@@@@SN管图@@案@@。

图@@5：在@@阵列@@电容层@@的@@@@@@TEM平面视图@@@@

References：
[1] Samsung Starts Mass Production of Most Advanced 14nm EUV DDR5 DRAM: https://news.samsung.com/global/samsung-starts-mass-production-of-most-a...
[2] Samsung Announces Global Launch of the Galaxy S23 Series: https://news.samsung.com/global/samsung-announces-global-launch-of-the-g...

8.5 Gbps！三星@@LPDDR5X DRAM运行速度创新高@@

judy — Tue, 18 Oct 2022 02:30:37 +0000

在@@骁龙@@（Snapdragon）移动@@平台上@@，三星@@以@@8.5Gbps的@@运行速度@@完成了@@LPDDR5X DRAM的@@验证@@，为@@LPDDR（移动@@端@@）内存@@打开了新市场@@@@。

10月@@18日@@，三星@@宣布@@，其最新的@@@@LPDDR5X内存@@已通过验证@@，可在@@骁龙@@@@（Snapdragon®）移动@@平台上@@使用@@，该内存@@速度可达@@到当前业界最快的@@@@8.5 千兆比特每@@秒@@（Gbps）。通过优化应用@@处理器和@@存储器之间的@@高速信号环境@@@@，三星@@超过了自身在@@今年@@@@3月@@创下的@@@@7.5Gbps的@@最高运行速度@@，夯实了在@@内存@@市场@@的@@地位@@。

三星@@LPDDR5X DRAM 可达@@8.5Gbps的@@运行速度@@

作为@@@@十多年@@来全球移动@@内存@@@@（DRAM）市场@@的@@推动者@@，三星@@一直在@@努力推进高端智能@@手机@@普及@@，使更多消费者能够在@@移动@@设备上体验更为@@强大的@@计算性能@@。

凭借低功耗@@@@、高性能@@的@@特点@@，LPDDR DRAM（低功耗@@双倍数据速率@@内存@@@@）正迅速在@@现代@@计算系统中@@普及@@，并扩展到智能@@手机@@以外的@@个人电脑@@（PC）、高性能@@计算@@（HPC）、服务器@@和@@汽车@@@@等@@领域@@@@。尤其在@@过去几年@@里@@，移动@@内存@@在@@这些领域一直保持着强劲的@@增长@@。

最近@@，LPDDR DRAM在@@PC市场@@中@@的@@需求尤其高@@，因为@@它以较小的@@封装@@尺寸集高性能@@和@@低功耗@@于@@一体@@，帮助@@PC制造商打造更小@@@@、更轻薄@@、性能更强的@@笔记本电脑@@。

三星@@LPDDR5X DRAM正在@@向更多领域普及@@

与@@此同时@@@@，在@@现代@@汽车@@领域@@LPDDR DRAM也是越来越重要的@@组件@@。随着@@自动驾驶功能产生的@@数据量逐步递增@@，需要@@LPDDR DRAM等@@的@@高带宽@@内存@@以更快的@@速度处理大量的@@车辆数据@@。

对于@@@@数据中@@心@@和@@边缘服务器@@来说@@，LPDDR DRAM的@@低功耗@@特性有助于@@降低功耗@@@@，从而@@优化数据中@@心@@管理者的@@总体拥有成本@@（TCO），同时@@减少热量和@@碳排放@@，以降低对气候变化造成的@@影响@@。

三星@@LPDDR5X DRAM

随着@@各个领域对更快@@、更小@@、更节能的@@内存@@需求的@@增多@@，预计@@LPDDR DRAM也将在@@由人工智能@@@@@@（AI）和@@元宇宙@@（metaverse）驱动的@@新@@兴市场@@扩大其影响力@@。

三星@@电子内存@@产品@@@@企划团队执行副总裁@@Daniel Lee表示@@："8.5Gbps LPDDR5X DRAM的@@联合验证让我们得以将这种高速内存@@接口@@提前一年@@推向市场@@@@，这是@@三星@@@@与@@高通长期合作所取得的@@巨大成就@@。随着@@LPDDR内存@@的@@使用范围不断扩大@@，从智能@@手机@@扩展到人工智能@@@@和@@数据中@@心@@应用@@@@，内存@@和@@@@SoC（System on Chip，系统级芯片@@）供应商之间的@@密切合作变得越来越重要@@。三星@@将继续与@@高通技术等@@创新企业积极展开合作@@，为@@未来更好地诠释@@LPDDR标准@@构建良好生态@@。"

高通技术公司@@产品@@管理副总裁@@Ziad Asghar表示@@："在@@高通@@，我们一直力争率先在@@骁龙@@移动@@平台上@@启用并采用@@最新的@@内存@@规格@@@@。高通是移动@@行业中@@首个在@@骁龙@@移动@@平台上@@启用速度为@@@@8.5Gbps的@@新@@LPDDR5X的@@企业@@，由此将迎来移动@@端@@@@、游戏@@、相机@@、和@@人工智能@@@@应用@@的@@性能的@@提升@@，以及更多新的@@功能@@，从而@@进一步提升用户体验@@。"

LPDDR5X
DRAM