电子创新@@188足彩外@@围@@app 网@@ - 三菱电机@@ - 188足彩网

三菱电机@@将@@开始提供用于@@数字相干通信@@@@@@，内置波长@@监视器的@@@@DFB-CAN样品@@@@

judy — Fri, 22 Mar 2024 06:32:22 +0000

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2024年@@3月@@21日@@）宣布@@，将@@于@@@@4月@@1日@@开始提供其@@新型@@@@@@@@光器件@@样品@@@@@@——内置波长@@监视器的@@@@DFB^*1-CAN。这种创新的@@新型@@@@@@光源是业界率先使@@用@@@@TO-56CAN^*2封装@@进行高速@@、长距离传输的@@数字相干通信@@@@光源@@，有望为实现@@光收发模块@@的@@超小型@@@@、低功耗做出贡献@@。

伴随物联网@@技术@@、高分辨率视频流和@@生成式人工智能技术的@@进步@@，通信@@流量正在@@迅速增长@@，因此@@要@@求网@@络提供更高的@@@@速度和@@容量@@@@。然而@@@@，更快的@@光通信@@信号速度会因色散而@@导致波形失真@@，从而@@限制信号传输距离@@。数字相干通信@@@@使@@用@@数字信号处理技术纠正此类失真@@，与@@传统@@的@@强度调制方法相比@@@@，该@@方式允许光信号以更高的@@@@速度和@@更远的@@距离传输@@。同时@@@@，随着@@光通信@@流量的@@增长@@，光收发器@@@@模块@@的@@使@@用@@也在@@增加@@。这两种趋势都推动了对光收发器@@@@模块@@和@@@@相关组件的@@需求@@，兼具小尺寸@@和@@低功耗@@。

三菱电机@@的@@新型@@@@@@@@DFB-CAN的@@紧凑封装@@包含了一个@@DFB激光芯片@@和@@一个波长@@监测芯片@@@@。通过改进@@DFB激光芯片@@中@@用于@@温度控制的@@热交换@@188足彩外@@围@@app 并优化散热设计@@@@，实现@@了@@仅@@1W的@@低功耗@@。此外@@@@，新设计@@的@@波长@@监测芯片@@可对@@1,547.72nm的@@激光输出进行高精度波长@@控制@@。该@@器件@@有望为广泛部署的@@@@400Gbps^*3数字相干光收发器@@@@模块@@和@@@@@@光互联网@@论坛@@（OIF^*4）目前@@正在@@考虑的@@下@@一代@@@@800Gbps模块@@的@@小型@@化@@和@@低功耗做出贡献@@@@。

产@@品@@@@特@@点@@@@@@

新型@@@@DFB-CAN，实现@@用于@@数字相干通信@@@@的@@小型@@化@@@@、低功耗光收发器@@@@@@

紧凑型@@@@TO-56CAN封装@@，首次用于@@数字相干通信@@@@光源@@，与@@DFB激光芯片@@和@@波长@@监测芯片@@相结合@@@@，体积仅为@@0.2ml，比现有@@器件@@小@@80%*5。
减少了@@DFB激光芯片@@的@@热量@@，改进了用于@@调节@@DFB激光芯片@@温度的@@热电转换@@188足彩外@@围@@app ，优化了散热结构@@，将@@总功耗降低至@@仅@@1W，比现有@@器件@@低@@66%*5。

1,547.72nm波长@@，适用于@@下@@一代数字相干通信@@@@@@

固定波长@@为@@1,547.72nm的@@输出激光器@@@@，适用于@@现有的@@@@400Gbps数字相干光收发器@@@@模块@@和@@@@@@OIF正在@@考虑的@@下@@一代@@800Gbps模块@@
DFB激光芯片@@和@@波长@@监测芯片@@集成@@在@@同一封装@@中@@@@，可以精确测量输出激光波长@@@@，并可与@@波长@@误差校正电路@@结合@@使@@用@@@@，以实现@@高度稳定的@@激光输出@@。

主@@要@@规@@格@@@@

未来发展@@

数字相干通信@@@@系统的@@信号波长@@预计未来将@@扩展两个波段@@@@，如@@1,550nm和@@1,310nm波段@@，后者由@@于@@@@色散而@@表@@现出较少的@@波形失真@@，从而@@减少了@@校正所需的@@功率@@。展望未来@@，三菱电机@@预计将@@开发一种@@1,310nm波段@@的@@光源@@，并最终开始提供样品@@@@@@。

环保意识@@

本产@@品@@@@符合@@@@RoHS*6指令@@2011/65/EU和@@（EU）2015/863。

网@@站@@

有关光器件@@的@@更多信息@@，请访问@@www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/opt/

*1：Distributed Feedback laser diodes 分布式反馈@@激光二极管@@@@

*2：一种价格@@低廉的@@封装@@形式@@，通常用于@@具有@@低速光信号的@@光网@@络@@，例如@@@@无源光网@@络@@

*3：Giga (one billion) bits per second

*4：致力于@@标准@@化光网@@络的@@电气@@、光学和@@控制互操作性的@@非营利性行业组织@@

*5：与@@三菱电机@@现有蝶形波长@@可调谐光源比较@@@@（已停产@@@@的@@@@FU-679PDF）

*6：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。截止@@2023年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@50036亿@@日@@元@@（约@@合美元@@373亿@@）。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@68年@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

三菱电机@@发布@@商用手持双@@向无线电@@用@@6.5W硅射频@@高功率@@@@MOSFET样品@@@@

judy — Fri, 01 Mar 2024 01:12:18 +0000

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2024年@@2月@@27日@@）宣布@@，将@@于@@@@2月@@28日@@开始提供其@@新型@@@@@@@@6.5W硅射频@@（RF）高功率金属氧化物半导体@@场效应晶体管@@（MOSFET）样品@@@@，用于@@商用手持式双@@向无线电@@@@（对讲机@@）的@@射频高功率@@放大器@@@@。该@@型@@号@@采用@@@@3.6V单节锂离子电池@@，可实现@@业界先端的@@@@6.5W输出功率@@，有望扩大商用无线电@@设备的@@通信@@范围并降低功耗@@。

硅射频@@高功率@@@@MOSFET（RD06LUS2）

随着@@3.6V锂离子电池在@@智能手机中@@的@@日@@益普及@@@@，商业无线电@@行业也期望以比传统@@7.2V电池更低的@@成本开发出更高功率的@@产@@品@@@@@@。但到目前@@为止@@@@，3.6V电池的@@使@@用@@导致商用无线电@@放大器@@的@@输出功率@@降低@@，因此@@在@@与@@智能手机相比@@需要@@更高输出的@@商用无线电@@放大器@@市场中@@@@，一直在@@等待能够提高@@@@3.6V电池输出功率@@的@@@@MOSFET。

为此@@，三菱电机@@现已开发出一种高功率硅@@MOSFET（RD06LUS2），可为工作电压为@@3.6V的@@商用无线电@@提供无与@@伦比的@@功率输出和@@高漏极效率@@@@*1。此外@@@@，内置两个@@MOSFET芯片@@的@@封装@@可以节省商用无线电@@印刷电路@@板@@上@@的@@空间@@@@，有助于@@降低组装成本@@。

产@@品@@@@特@@点@@@@@@

行业先端的@@@@6.5W输出功率@@，有助于@@扩展无线电@@通信@@范围@@

. 通过针对@@@@3.6V工作电压优化的@@结构降低导通电阻@@，提高@@了功率密度@@@@。

. 内置两个@@MOSFET芯片@@的@@封装@@为@@3.6V无线电@@实现@@了@@无与@@伦比的@@@@6.5W输出功率@@。

. 与@@现有@@型@@号@@@@*2相比@@，输出功率@@的@@增加将@@通信@@范围扩大了@@27%。

行业先端的@@@@65%漏极效率@@，实现@@低功耗@@

. 针对@@3.6V工作电压的@@优化@@，实现@@65%漏极效率@@。

. 漏极效率@@的@@提高@@可降低无线电@@功耗@@，从而@@延长运行时@@间@@。

双@@MOSFET封装@@，可节省空间并降低组装成本@@

. 与@@两个单芯片@@产@@品@@@@相比@@@@，带有两个@@MOSFET芯片@@的@@新型@@@@@@封装@@@@可减少@@33%的@@空间@@。

. 兼容@@表@@面贴装技术@@（SMT），可降低封装@@组装成本@@。

主@@要@@规@@格@@@@

未来发展@@

新款@@@@RD06LUS2 MOSFET将@@于@@@@2024年@@7月@@发售@@。同时@@@@，配套的@@@@MOSFET驱动器@@(RD00LUS2)将@@于@@@@2024年@@3月@@开始提供样品@@@@@@，预定于@@@@2024年@@8月@@发售@@。此外@@@@，为了提供支持@@，将@@于@@@@2024年@@5月@@推出配备@@RD06LUS2 MOSFET和@@RD00LUS2驱动器@@的@@两级评估板@@以及@@非线性仿真模型@@@@。

环保意识@@

本产@@品@@@@符合@@@@RoHS*3指令@@2011/65/EU和@@（EU）2015/863。

*1：从电池电源到射频功率输出的@@转换效率@@

*2：三菱电机@@现有的@@@@4W 射频高功率@@MOSFET（RD04LUS2）

*3：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@发布@@J3系列@@SiC和@@Si功率模块@@@@样品@@@@@@

judy — Wed, 24 Jan 2024 06:28:37 +0000

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2024年@@1月@@23日@@）宣布@@即将@@推出六款@@用于@@各种电动汽车@@@@（xEV）的@@新型@@@@@@J3系列@@功率半导体@@@@模块@@@@@@，这些@@模块@@采用@@碳化硅@@金属氧化物半导体@@场效应晶体管@@ （SiC-MOSFET）或@@ RC-IGBT （Si）*1，具有@@紧凑的@@设计@@和@@可扩展性@@，可用于@@电动汽车@@@@ （EV）和@@插电式混合动力汽车@@ （PHEV）的@@逆变器@@@@。所有六款@@@@J3系列@@产@@品@@@@将@@于@@@@@@3月@@25日@@起提供样品@@@@@@。

高效@@转换电力的@@功率半导体@@@@因应脱碳举措而@@扩张和@@多样化@@，对可显著降低功率损耗@@的@@@@SiC功率半导体@@@@的@@需求正在@@增加@@。在@@xEV领域@@，功率半导体@@@@模块@@@@广泛用于@@功率转换设备@@，例如@@@@xEV驱动电机的@@逆变器@@@@@@。除@@了延长@@xEV的@@续航里程外@@@@，还需要@@紧凑@@、大功率@@、高效@@率的@@@@模块@@来进一步实现@@电池和@@逆变器@@的@@小型@@化@@@@。此外@@@@，由@@于@@@@为@@xEV设定了很高的@@安全@@标准@@@@，驱动电机中@@使@@用@@的@@功率半导体@@@@必须比一般工业@@应用中@@使@@用@@的@@功率半导体@@@@更可靠@@。

自@@1997年@@率先开始量产@@用于@@@@xEV的@@功率半导体@@@@模块@@@@以来@@，三菱电机@@已为提高@@耐热循环性等可靠性并解决逆变器@@小型@@化@@等问题的@@@@xEV提供了大量功率模块@@@@@@，并已搭载在@@各种@@EV和@@HEV中@@。

此次@@，三菱电机@@将@@推出配备@@SiC-MOSFET或@@RC-IGBT（Si）的@@J3系列@@紧凑型@@@@模块@@@@，作为在@@汽车@@市场得到广泛应用的@@@@T-PM的@@最新一代产@@品@@@@@@，这两种模块@@使@@用@@相同的@@封装@@@@，使@@xEV驱动电机逆变器@@能够进一步缩小尺寸@@@@。此外@@@@，三菱电机@@拥有覆盖宽容量逆变器@@的@@全@@面功率模块@@@@阵容@@@@，有助于@@延长@@EV和@@PHEV的@@续航里程和@@降低电力成本@@，从而@@为汽车电动化的@@进一步普及@@做出贡献@@。

新的@@功率模块@@@@于@@@@1月@@24日@@至@@@@26日@@在@@日@@本东京国际展览中@@心举行的@@第@@@@38届电子研发@@、制造@@和@@封装@@技术博览会@@（NEPCON JAPAN 2024）上@@展出@@，以及@@北美@@、欧洲@@、中@@国等地点@@的@@其@@他展览@@。

这些@@SiC产@@品@@@@的@@开发得到了日@@本新能源@@和@@工业@@技术开发机构@@（NEDO）的@@部分支持@@。

产@@ 品@@ 特@@ 点@@

与@@现有@@产@@品@@@@相比@@尺寸@@缩小约@@@@@@@@60%

. J3压注模功率模块@@@@@@（J3-T-PM）可以焊接到散热器上@@@@，与@@可比现有@@功率模块@@@@@@*2*3相比@@，热阻降低约@@@@30%，尺寸@@缩小约@@@@@@60%，有助于@@实现@@更小的@@@@xEV逆变器@@。

. 由@@于@@@@尺寸@@缩小@@，J3-T-PM的@@电感比现有@@模块@@@@*2的@@电感小约@@@@@@30%，支持高速开关@@。并联使@@用@@多个@@J3-T-PM能够进一步降低电感@@。

SiC-MOSFET可以为@@EV和@@PHEV提供更长的@@续航里程和@@更低的@@电力成本@@——使@@用@@两种类型@@的@@半导体@@@@188足彩外@@围@@app ：SiC-MOSFET和@@RC-IGBT（Si）

. 沟槽@@SiC-MOSFET结合@@了低损耗和@@高速驱动@@，使@@逆变器@@体积更小功率损耗更低@@，从而@@使@@@@EV和@@PHEV提供更长的@@续航里程和@@更低的@@电力成本@@。

. RC-IGBT（Si）采用@@了一种新的@@结构@@，将@@IGBT和@@续流二极管@@@@（FWD）结合@@在@@一个芯片@@上@@@@，用于@@更小的@@模块@@@@，提高@@了散热性能@@，有助于@@实现@@更小的@@@@xEV逆变器@@。

具有@@各种@@J3-T-PM组合的@@全@@面阵容@@，用于@@可扩展的@@@@xEV逆变器@@设计@@@@

. J3-HEXA-S有三个@@@@J3-T-PM，J3-HEXA-L有六个@@J3-T-PM，两者都配备专有的@@新型@@@@@@针脚型@@铝散热片@@，以适应@@xEV逆变器@@的@@各种设计@@@@。

. J3-HEXA-L与@@现有@@同类功率模块@@@@@@*3相比@@，热阻降低了@@约@@@@20%，比另一个现有同类功率模块@@@@@@*4小约@@@@65%，而@@J3-HEXA-S比现有@@同类模块@@@@*5小约@@@@60%。

主@@ 要@@ 规@@ 格@@

*1：Reverse conducting IGBT with one IGBT and one diode on a single chip 在@@单个芯片@@上@@使@@用@@一个@@ IGBT 和@@一个二极管@@的@@反向传导@@ IGBT

*2：2in1 J系列@@ T-PM(CT300DJH120)

*3：6in1 J1系列@@绝缘基板@@集成@@铝散热片功率模块@@@@@@（CT700CJ1A060-A）

*4：六个相距@@2mm安装的@@@@2in1 J系列@@T-PM（CT300DJH120；64.0x84.0mm[LxW]）

*5：三个@@相距@@2mm安装的@@@@2in1 J系列@@T-PM（CT300DJH120；64.0x84.0mm[LxW]）

*6：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。截止@@2023年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@50036亿@@日@@元@@（约@@合美元@@373亿@@）。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@60余年@@@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

三菱电机@@与@@@@Nexperia合作开发@@SiC功率半导体@@@@

judy — Tue, 14 Nov 2023 03:31:59 +0000

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2023年@@11月@@13日@@）宣布@@，将@@与@@@@Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系@@，共同开发面向电力电子市场的@@碳化硅@@@@（SiC）功率半导体@@@@。三菱电机@@将@@利用其@@宽禁带半导体@@技术为@@Nexperia开发和@@供应@@SiC MOSFET芯片@@，用于@@其@@开发@@SiC分立器件@@@@。

全@@球范围内的@@电动汽车@@市场正在@@不断扩大@@，有望推动@@SiC功率半导体@@@@的@@指数级增长@@，与@@传统@@硅功率半导体@@@@相比@@@@，SiC功率半导体@@@@具有@@更低的@@损耗@@、更高的@@@@工作温度和@@更快的@@开关速度@@。SiC功率半导体@@@@的@@高效@@率有望为全@@球脱碳和@@绿色转型@@做出重大贡献@@。

三菱电机@@在@@高速列车@@、高压工业@@应用和@@家用电器@@等领域@@占据先端地位@@， 2010年@@推出了用于@@空调的@@@@SiC功率模块@@@@， 2015年@@成为新干线子弹头列车全@@@@SiC功率模块@@@@的@@首家供应商@@。三菱电机@@在@@开发和@@制造@@@@SiC功率半导体@@@@方面积累了丰厚的@@专业技术@@，生产@@的@@@@SiC功率模块@@@@以其@@高性能和@@高可靠性而@@闻名@@@@。

展望未来@@，三菱电机@@希望加强与@@@@Nexperia的@@合作伙伴关系@@。Nexperia在@@各种分立器件@@@@的@@设计@@@@、制造@@、品@@质保证和@@供应方面拥有数十年@@经验@@。Nexperia器件@@用于@@汽车@@、工业@@、移动和@@消费市场@@，为低碳和@@可持续发展做出贡献@@。三菱电机@@将@@继续提高@@其@@@@SiC芯片@@的@@性能和@@质量@@，并专注于@@功率模块@@@@的@@开发@@。

Nexperia双@@极性分立器件@@@@事业部高级副总裁兼总经理@@Mark Roeloffzen表@@示@@：“与@@三菱电机@@的@@这种互惠互利战略伙伴关系代表@@着@@Nexperia在@@碳化硅@@的@@发展道路上@@迈出了重要@@一步@@。三菱电机@@作为技术成熟的@@@@SiC器件@@和@@模块@@供应商@@，有着良好的@@业绩记录@@。结合@@Nexperia在@@分立器件@@@@产@@品@@@@和@@封装@@方面的@@高质量标准@@和@@专业知识@@，我们一定会在@@两家公司之间产@@生积极的@@协同效应@@——最终使@@我们的@@客户能够在@@他们所服务的@@工业@@@@、汽车或@@消费市场中@@提供高能效的@@产@@品@@@@@@。”

三菱电机@@半导体@@执行官@@兼集团总裁@@@@Takemi Masayoshi表@@示@@：“Nexperia是工业@@领域@@的@@领先企业@@，拥有成熟且高质量的@@分立半导体@@制造@@技术@@。我们很高兴能达成这种共同开发合作伙伴关系@@，这将@@充分利用两家公司的@@半导体@@技术@@。”

关于@@@@Nexperia

Nexperia（安世半导体@@@@）总部位于@@荷兰@@，是一家在@@欧洲@@拥有丰富悠久发展历史的@@全@@球性半导体@@公司@@，目前@@在@@欧洲@@@@、亚洲和@@美国共有@@15,000多名@@员工@@。作为基础半导体@@器件@@开发和@@生产@@的@@@@领跑@@者@@，Nexperia（安世半导体@@@@）的@@器件@@被广泛应用于@@@@汽车@@、工业@@、移动和@@消费等多个应用领域@@@@，几乎为世界@@上@@所有电子设计@@的@@基本功能提供支持@@。

Nexperia（安世半导体@@@@）为全@@球客户提供服务@@，每年@@的@@产@@品@@@@出货量超过@@1,000亿@@件@@。这些@@产@@品@@@@在@@效率@@（如@@工艺@@、尺寸@@、功率及@@性能@@）方面成为行业基准@@，获得广泛认可@@。Nexperia（安世半导体@@@@）拥有丰富的@@@@IP产@@品@@@@组合和@@持续扩充的@@产@@品@@@@范围@@，并获得了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001标准@@认证@@，充分体现了公司对于@@创新@@、高效@@、可持续发展和@@满足行业严苛要@@求的@@坚定承诺@@。

关于@@@@三菱电机@@@@功率半导体@@@@@@

三菱电机@@将@@功率器件@@@@业务定位为我们的@@主@@要@@增长业务之一@@，通过推出更多解决方案来应对碳中@@和@@等社会挑战@@，帮助实现@@可持续发展社会@@。三菱电机@@提供的@@功率半导体@@@@产@@品@@@@@@，在@@汽车@@、家用电器@@、工业@@设备和@@铁路@@牵引等各种应用中@@实现@@了@@显著的@@节能@@。公司将@@继续适时@@对功率半导体@@@@事业进行战略投资@@，以实现@@稳健的@@业务增长@@。

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。截止@@2023年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@50036亿@@日@@元@@（约@@合美元@@373亿@@）。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@60余年@@@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

提高@@4.5kV IGBT模块@@的@@功率密度@@@@

judy — Tue, 17 Oct 2023 06:52:33 +0000

未来对电力电子变流器@@的@@要@@求不断提高@@@@。功率密度@@和@@变流器@@效率须进一步提高@@@@。输出功率@@应适应不同终端客户的@@不同项目@@。同时@@@@，变流器@@仍需具有@@成本竞争力@@。本文展示了新型@@@@@@4.5kV功率模块@@@@如@@何在@@铁路@@@@、中@@压驱动或@@电力系统等应用中@@满足这些@@变流器@@要@@求@@。

作者@@：Kazuto Mikami, Kenji Hatori, Victor Tolstopyatov, Nils Soltau

简介@@

2020 年@@，三菱电机@@宣布@@推出额定电压@@3.3kV的@@HV100功率模块@@@@[1]，采用@@X系列@@芯片@@@@组@@。如@@图@@@@1所示@@，HV100封装@@易于@@并联@@，换流杂散电感低@@，绝缘电压为@@10.2kV，具有@@很高的@@灵活性@@。该@@封装@@设计@@初衷是为了满足未来铁路@@变流器@@的@@要@@求@@[2]。最近@@，三菱电机@@又发布了一款@@额定电压为@@4.5kV、额定电流@@为@@450A的@@HV100功率模块@@@@。本文将@@介绍这款@@新器件@@@@——CM450DE-90X，对比其@@与@@传统@@功率模块@@@@的@@优势@@，并展示其@@适用铁路@@@@、中@@压驱动或@@电力系统等应用的@@主@@要@@特@@性@@。

图@@1：HV100封装@@功率模块@@@@@@

CM450DE-90X采用@@三菱电机@@最新一代@@4.5kV X系列@@芯片@@@@，包括@@CSTBT™(III)和@@RFC二极管@@。这确保了低损耗@@、平滑的@@开关波形@@和@@过流工况下@@的@@高鲁棒性@@。

HV100的@@封装@@结构如@@图@@@@@@2所示@@。两个直流端子位于@@功率模块@@@@的@@一侧@@@@，而@@两个交流端子则位于@@另一侧@@@@。这样可以实现@@@@与@@直流母线电容的@@低电感连接和@@更简洁的@@变流器@@布局@@。中@@间位置为栅极驱动板@@提供了空间@@。当@@HV100功率模块@@@@并联时@@@@@@，驱动端子方便连接@@。可在@@并联@@IGBT模块@@的@@上@@面安装一块@@PCB板@@，来控制所有模块@@@@。此外@@@@，这种设计@@还可以通过增加@@（或@@减少@@）并联模块@@的@@数量来调整输出功率@@@@。

HV100封装@@采用@@@@MCB底板@@@@（Metal Casting direct Bonding，金属铸造直接键合@@）。它可以降低热导率@@，从而@@提高@@功率密度@@@@。与@@采用@@@@AlSiC底板@@@@的@@传统封装@@结构相比@@@@，结到壳的@@热阻降低了@@约@@@@@@30%。此外@@@@，MCB底板@@@@避免了底板@@@@焊接@@，而@@底板@@@@焊接层是传统功率模块@@@@封装@@中@@热循环寿命的@@制约@@因素@@。

图@@2：采用@@MCB底板@@@@结构的@@@@HV100功率模块@@@@截面图@@@@

更高的@@@@功率密度@@@@

下@@面将@@比较@@@@CM450DE-90X与@@传统@@190x140mm²功率模块@@@@的@@输出功率@@@@。例如@@@@，比较@@对象是两个传统封装@@的@@@@CM1350HG-90X单管@@IGBT模块@@和@@@@三个@@并联@@的@@@@CM450DE-90X半桥模块@@@@，两者额定电流@@相同@@。尽管额定电流@@相同@@，但图@@@@3显示@@HV100功率模块@@@@占用的@@散热面积减少了@@约@@@@20%。

图@@3：在@@相同额定电流@@下@@@@，HV100和@@传统封装@@的@@半桥结构尺寸@@比较@@@@

直流母线和@@半导体@@芯片@@之间的@@杂散电感是影响功率模块@@@@开关特@@性的@@因素之一@@，会严重影响其@@开关动作@@。高寄生电感会延长开通和@@关断过程@@，并导致关断时@@产@@生更高的@@@@电压尖峰@@。上@@述两种情况都会增加@@IGBT模块@@的@@开关损耗@@。由@@于@@@@HV100实现@@了@@更低的@@杂散电感@@，因此@@开关速度更快@@，开关损耗更低@@。与@@传统@@封装@@相比@@@@，4.5kV HV100在@@逆变模式@@（即图@@@@4a中@@的@@正功率因数@@）和@@制动模式@@（即图@@@@4b中@@的@@负功率因数@@）下@@可将@@变流器@@总损耗分别降低@@17%和@@18%[3]。

图@@4：变流器@@损耗计算结果@@

使@@用@@MelcoSim Ver.5.4.1[4]，计算三个@@@@CM450DE-90X并联与@@@@CM1350HG-90X和@@CM1200HG-90R（前一代@@R系列@@）的@@输出电流能力@@。结果如@@图@@@@@@5所示@@，与@@之前的@@@@R系列@@HVIGBT模块@@相比@@@@，X系列@@模块@@降低了@@损耗@@、优化了热阻@@，允许的@@最高工作温度也提高@@到@@Tj=150℃。由@@于@@@@上@@述因素@@，CM1350HG-90X模块@@的@@可输出电流比@@CM1200HG-90R增加了约@@@@17%。如@@果使@@用@@新型@@@@@@HV100半桥模块@@@@CM450DE-90X（三个@@并联@@），则可再增加@@12%。这是由@@于@@@@降低了@@开关损耗以及@@@@MCB底板@@@@优化了热阻@@@@。

图@@5：R系列@@HVIGBT、X系列@@HVIGBT和@@4.5kV HV100 HVIGBT的@@输出电流与@@载波频率@@之间的@@关系@@（条件@@：SPWM，Vcc=2800V，PF=+0.85，M=1，TS=80℃，Tj=Tjop）

并联运行@@

如@@前所述@@，HV100封装@@是专为更简单的@@并联连接而@@设计@@的@@@@，并联时@@@@，优化的@@端子布局@@方便连接母线电容和@@交流输出@@。下@@面将@@测量两个并联@@@@@@CM450DE-90X之间的@@均流@@情况@@。图@@6展示了测试装置@@，通过它可以测量@@N侧@@IGBT的@@单独电流@@。测试在@@室温@@、Vcc=2800V、总电流@@I_C,total=900A（每个功率模块@@@@@@450A）和@@栅极电压@@V_GE=±15V的@@条件@@下@@进行@@。

图@@6：测量两个并联@@@@CM450DE-90X之间均流的@@测试装置@@

图@@7(a)和@@(b)分别显示@@了@@两个功率模块@@@@在@@关断和@@开通时@@的@@均流@@情况@@。测试结果表@@明@@，电流在@@两个功率模块@@@@之间均匀分布@@，从而@@很好地利用了芯片@@面积@@。

需要@@注意的@@是@@，评估中@@使@@用@@的@@两个模块@@在@@特@@性上@@差异较小@@。关于@@@@功率模块@@@@参数变化对并联的@@影响@@，请参阅@@[5]。

图@@7：两个并联@@CM450DE-90X的@@均流@@（条件@@：Vcc=2800V，IC,total=900A，VGE=±15V，Tj=25℃，N-side）

高杂散电感下@@的@@开关@@

建议使@@用@@低杂散电感@@Ls的@@直流母线@@，以减少开关损耗和@@关断时@@的@@过电压@@。然而@@@@，并不是所有的@@变流器@@设计@@都能实现@@低@@Ls值@@。在@@某些情况下@@@@@@，例如@@@@在@@多电平变流器@@中@@@@，存在@@较高的@@@@Ls，应保证功率模块@@@@也能安全@@可靠运行@@。图@@8显示@@了@@4.5kV HV100在@@Ls=100nH和@@400nH条件@@下@@关断时@@的@@开关波形@@@@。可以看出@@，即使@@@@Ls高达@@400nH，最大@@VCE电压也仅达到@@3600V左右@@。有关高杂散电感的@@进一步测量结果@@，请参见@@[3]。总之@@，CM450DE-90X即使@@@@在@@杂散电感较高的@@情况下@@@@也能正常工作@@，其@@VCES有足够的@@余量@@，并且@@不会产@@生振荡@@。

图@@8：分别在@@@@Ls=100nH和@@Ls=400nH情况下@@@@，比较@@4.5kV HV100的@@开关波形@@（条件@@：Vcc=2800V，Ic=450A，VGE=15V，Tj =150℃）

过电流时@@的@@鲁棒性@@@@

功率模块@@@@的@@鲁棒性@@是变流器@@主@@要@@要@@求之一@@，尤其@@是在@@铁路@@或@@电力系统等责任重大的@@应用场合@@。RBSOA（反偏安全@@工作区@@）是评估@@IGBT模块@@鲁棒性的@@典型@@方法@@。该@@特@@性显示@@了@@功率模块@@@@在@@@@IGBT关断时@@承受一定电压和@@电流的@@能力@@。图@@9中@@用黑色曲线显示@@了@@@@CM450DE-90X规@@格@@书限定的@@@@RBSOA。该@@图@@中@@@@，实际型@@式试验测量结果以橙色曲线显示@@@@。经证实@@，CM450DE-90X样品@@@@即使@@@@在@@@@2700A（6倍@@额定电流@@@@）的@@情况下@@@@也未发生故障@@。这证明了@@CM450DE-90X的@@鲁棒性@@，在@@可能发生的@@意外@@过流工况时@@@@，为变流器@@制造@@商和@@终端用户提供更大的@@安全@@裕量@@。

图@@9：规@@定的@@@@RBSOA和@@评估结果@@（Vcc=3400V，Tj=150℃)

总结@@

本文介绍了采用@@@@HV100封装@@的@@新型@@@@@@@@4.5kV/450A功率模块@@@@CM450DE-90X。该@@功率模块@@@@采用@@@@MCB底板@@@@和@@最新一代芯片@@@@，具有@@10.2kV绝缘电压和@@卓越性能@@。特@@别是在@@增加功率密度@@@@、方便并联和@@过流工况下@@的@@鲁棒性@@等方面进行了讨论@@。事实证明@@，CM450DE-90X能够满足未来变流器@@的@@要@@求@@。

新型@@@@CM450DE-90X扩展了@@LV100/HV100产@@品@@@@阵容@@。除@@CM450DE-90X外@@，还有额定电压为@@1.7kV和@@3.3kV的@@其@@他功率模块@@@@可供选择@@。表@@1列出了@@LV100/HV100完整产@@品@@@@系列@@@@。

表@@1：HV100和@@LV100功率模块@@@@阵容@@

参考文献@@

[1]Mitsubishi Electric Corporation, Mitsubishi Electric to Launch HV100 dual type X-Series HVIGBT Modules, Tokyo, Japan, 2020.

[2]N. Soltau, E. Wiesner, R. Tsuda, K. Hatori and H. Uemura, "Demands by Future Railway Converters and How They Change Power Semiconductor Modules," in Bodo's Power Systems, Jul 2021.

[3]K. Mikami, K. Hatori and N. Soltau, "4.5 kV HV100-type HVIGBT Module for Large Industrial Equipment," in PCIM Europe, Nuremberg, Germany, 2023.

[4]Mitsubishi Electric Corporation, "Mitsubishi Electric Power Module Loss Simulator Melcosim," [Online]. Available: https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/simulator/index.html. [Accessed 19 May 2023].

[5]Y. Ando, J. Sakai, K. Hatori, N. Soltau and E. Wiesner, "Influence of IGBT and Diode Parameters on the Current Sharing and Switching-Waveform Characteristics of Parallel-Connected Power Modules," in 24th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'22 ECCE Europe), Hanover, Germany, 2022.

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。截止@@2023年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@50036亿@@日@@元@@（约@@合美元@@373亿@@）。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@60余年@@@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

三菱电机@@开始提供@@5G Massive MIMO基站用@@GaN功率放大器@@@@模块@@@@样品@@@@@@

judy — Thu, 28 Sep 2023 01:55:10 +0000

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2023年@@9月@@14日@@）宣布@@，将@@于@@@@9月@@21日@@开始提供用于@@@@5G Massive MIMO*1（mMIMO）基站的@@新型@@@@@@氮化镓@@（GaN）功率放大器@@@@模块@@@@样品@@@@@@。该@@功率放大器@@@@模块@@@@有助于@@降低@@5G mMIMO基站的@@功耗@@。

5G Massive MIMO基站用@@GaN功率放大器@@@@模块@@@@（MGFS48G38MB）

提供高速@@、大容量通信@@的@@@@5G移动网@@络在@@全@@球范围内受到广泛关注@@，其@@5G mMIMO基站的@@铺设主@@要@@在@@都市地区进行@@。由@@于@@@@这些@@基站采用@@多@@188足彩外@@围@@app 天线@@和@@@@相应大规@@模的@@功率放大器@@@@@@，因此@@功率放大器@@@@模块@@@@的@@高效@@化在@@降低这些@@基站的@@功耗@@和@@制造@@成本方面发挥着重要@@作用@@。此外@@@@，为了实现@@与@@多个国家网@@络的@@兼容@@@@，还要@@求功率放大器@@@@模块@@@@在@@宽频率@@范围内@@提供符合@@@@3GPP标准@@的@@低失真特@@性@@*2。

三菱电机@@将@@开始为@@5G mMIMO基站提供@@GaN功率放大器@@@@模块@@@@的@@样品@@@@@@，该@@模块@@可在@@@@3.4GHz至@@3.8GHz的@@宽频段范围内提供@@8W（39 dBm）的@@平均输出功率@@@@@@。值@@得关注的@@是@@，该@@产@@品@@@@具有@@@@43%以上@@的@@高功率附加效率@@@@，可适用于@@@@64T64R mMIMO天线@@*3。其@@中@@@@，高效@@率和@@低失真源于@@三菱电机@@的@@新型@@@@@@@@@@GaN高电子迁移率晶体管@@（HEMT），宽带特@@性利用了独特@@的@@电路@@设计@@和@@高密度封装@@技术@@。

产@@品@@@@特@@点@@@@@@

1. 400MHz频段功率附加效率@@超过@@43%，降低了@@5G mMIMO基站的@@功耗@@

具有@@外@@延生长层结构的@@@@GaN HEMT*4，使@@其@@在@@@@5G环境中@@也能提供高效@@率和@@低失真特@@性@@。

三菱电机@@独特@@的@@宽带@@Doherty电路@@*5设计@@，可以缓解@@GaN HEMTs输出寄生电容带来的@@带宽限制@@，并有助于@@在@@@@400MHz频段实现@@@@43%以上@@的@@功率附加效率@@@@，从而@@降低@@5G mMIMO基站的@@功耗@@。

2. 功率放大器@@@@的@@模块@@化@@，降低了@@5G mMIMO基站的@@电路@@设计@@负担和@@制造@@成本@@

三菱电机@@独特@@的@@高密度封装@@技术@@，可以实现@@@@5G基站功率放大器@@@@不可或@@缺的@@基于@@@@Doherty电路@@的@@功率放大器@@@@模块@@@@@@。

部署新的@@功率放大器@@@@模块@@@@将@@减少@@5G mMIMO基站所需的@@组件数量@@，从而@@简化电路@@设计@@并降低制造@@成本@@。

主@@要@@规@@格@@@@

型@@号@@	MGFS48G38MB
频率@@	3.4-3.8GHz
平均输出功率@@@@	8.0W（39dBm）
饱和@@输出功率@@@@	63W（48dBm）min
增益@@	28dB min
功率附加效率@@	43% min
尺寸@@	11.5 x 8.0 x 1.4 mm
样品@@@@开始提供日@@期@@	2023年@@9月@@21日@@
环保意识@@	本产@@品@@@@符合@@@@RoHS*6指令@@2011/65/EU和@@（EU）2015/863。

未来发展@@

三菱电机@@计划扩大适用于@@@@32T32R天线@@和@@@@/或@@可在@@不同频段运行的@@@@GaN功率放大器@@@@模块@@@@产@@品@@@@系列@@@@，使@@其@@能够部署在@@多个国家和@@地区@@，从而@@有助于@@进一步降低@@5G mMIMO基站的@@功耗@@。

*1：多输入多输出是一种提高@@通信@@速度和@@质量的@@无线通信@@@@技术@@，MIMO在@@发送端和@@接收端都使@@用@@多个天线@@@@

*2：在@@5G移动网@@络中@@@@，带内和@@带外@@失真特@@性由@@第@@三代合作伙伴计划@@(3GPP)规@@范@@

*3：64T64R是一种大型@@@@MIMO天线@@，由@@64个发射器@@/接收器组成@@。在@@mMIMO安装中@@@@，有一个使@@用@@@@32个发射器@@/接收器的@@@@32T32R天线@@

*4：通过在@@@@结晶衬底@@上@@生长结晶薄膜而@@产@@生的@@薄膜晶体生长层@@

*5：大功率@@放大器@@@@的@@高效@@率电路@@技术由@@@@W.H. Doherty于@@1936年@@提出@@

*6：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。截止@@2023年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@50036亿@@日@@元@@（约@@合美元@@373亿@@）。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@60余年@@@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

三菱电机@@投资@@Novel Crystal Technology，加速开发氧化镓@@功率半导体@@@@@@

judy — Wed, 02 Aug 2023 03:42:17 +0000

加速研究开发性能卓越的@@功率半导体@@@@为实现@@低碳社会做出贡献@@@@

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2023年@@7月@@28日@@）宣布@@，已投资日@@本氧化镓@@晶圆开发和@@销售@@企业@@Novel Crystal Technology，今后将@@加快研究开发高性能低损耗氧化镓@@功率半导体@@@@@@，为实现@@低碳社会做出贡献@@。

Novel Crystal Technology是世界@@上@@最早开发@@、制造@@和@@销售@@功率半导体@@@@用氧化镓@@晶圆的@@公司之一@@，拥有三菱电机@@制造@@氧化镓@@功率半导体@@@@产@@品@@@@所需的@@晶圆制造@@技术@@，是氧化镓@@晶圆领域@@的@@领军企业@@。

三菱电机@@通过生产@@硅@@（Si）和@@碳化硅@@@@(SiC)半导体@@，持续为电力电子产@@品@@@@的@@高节能化做出贡献@@。近年@@来@@，作为第@@三代半导体@@材料的@@碳化硅@@@@(SiC)和@@氮化镓@@(GaN)取得了长足发展@@，而@@氧化镓@@@@(Ga2O3)有望实现@@更高的@@@@击穿电压和@@更低的@@功率损耗@@，因而@@备受期待@@。

三菱电机@@希望将@@其@@长期积累的@@低功率损耗@@、高可靠性功率半导体@@@@产@@品@@@@设计@@和@@制造@@技术与@@@@Novel Crystal Technology公司的@@氧化镓@@晶圆制造@@技术相结合@@@@，加快开发卓越节能的@@氧化镓@@功率半导体@@@@@@。

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。在@@2022年@@《财富@@》世界@@500强排名@@中@@@@，位列@@351名@@。截止@@2022年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@44768亿@@日@@元@@（约@@合美元@@332亿@@）。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@60余年@@@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

三菱电机@@采用@@单个@@GaN功率放大器@@@@实现@@@@4G、5G及@@Beyond 5G/6G通信@@系统@@宽带运行@@

judy — Tue, 27 Jun 2023 07:13:21 +0000

将@@有助于@@实现@@无线电@@单元共享和@@基站节能@@

图@@1：带有前置@@/后置放大器@@的@@基站图@@像@@@@

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2023年@@6月@@8日@@）宣布@@，该@@公司已开发出首款@@使@@用@@单个放大器@@即可覆盖@@3400MHz频段的@@氮化镓@@(GaN)功率放大器@@@@。该@@技术已被证明可用于@@在@@单个基站中@@以不同频率@@运行的@@@@4G、5G和@@Beyond 5G/6G通信@@系统@@。

为了推进无线通信@@@@@@，5G技术于@@@@2020年@@被推出@@，并预计将@@在@@@@2030年@@左右@@开始向@@Beyond 5G/6G过渡@@。为了顺利实现@@这一过渡@@@@，负责通信@@基础设施的@@新基站的@@建设势在@@必行@@。目前@@，功率放大器@@@@是为每种类型@@的@@基站处理特@@定频段而@@单独开发的@@@@。然而@@@@，在@@设想的@@基站中@@@@，无线电@@单元应该@@能够被共享@@，以节省空间和@@降低维护@@/运营成本@@，并适应覆盖各种频段的@@超宽带@@。此外@@@@，Beyond 5G/6G需要@@高度密集的@@@@mMIMO天线@@排列@@，以实现@@大规@@模的@@同时@@@@连接@@。因此@@，为了避免散热问题@@，有必要@@兼顾组件的@@小型@@化@@和@@功率放大器@@@@的@@低功耗@@@@。

三菱电机@@开发的@@该@@款@@产@@品@@@@有望使@@无线电@@单元@@（收发器@@）能够为不同的@@通信@@系统@@共享@@，并实现@@基站的@@节能化@@。技术细节已在@@本月@@的@@@@IEEE 2023国际微波研讨会上@@公布@@。

特@@点@@@@

1. 新型@@@@频率@@补偿电路@@@@，实现@@宽频带运行@@

采用@@自@@主@@研发的@@频率@@补偿电路@@@@，可以根据频率@@切换通信@@模式@@，将@@频率@@范围扩展到@@3400MHz，是该@@公司@@2017年@@1月@@12日@@发布的@@功率放大器@@@@的@@六倍@@@@

利用单个功率放大器@@@@在@@不同频率@@的@@@@4G、5G和@@Beyond 5G/6G通信@@系统@@运行@@

覆盖不同频率@@的@@扩展带宽有望使@@基站的@@无线电@@单元@@（收发器@@）能够在@@多个通信@@系统@@共享@@

2. 使@@用@@高性能@@GaN的@@新型@@@@@@放大器@@@@，降低基站功率损耗@@

放大器@@采用@@高性能@@GaN器件@@，实现@@行业先端的@@@@功率效率@@

在@@3400MHz频率@@范围内@@，放大器@@工作的@@最大@@功率@@效率达到@@62%，超过了@@Beyond 5G/6G实现@@高能效基站所需的@@水平@@。此外@@@@，替代了以前必须的@@多个放大器@@组合@@，降低了@@基站功耗@@。

图@@2：传统放大器@@与@@新型@@@@放大器@@比较@@@@

未来展望@@

未来三菱电机@@将@@进行@@Beyond 5G/6G基站在@@实际应用中@@的@@研究和@@开发@@。

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@开始提供@@工业@@设备用@@@@NX封装@@全@@@@SiC功率半导体@@@@模块@@@@样品@@@@@@

judy — Thu, 15 Jun 2023 03:14:20 +0000

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2023年@@6月@@13日@@）宣布@@，将@@于@@@@6月@@14日@@开始提供工业@@设备用@@@@NX封装@@全@@@@SiC功率半导体@@@@模块@@@@的@@样品@@@@@@。该@@模块@@降低了@@内部电感@@，并集成@@了@@第@@二代@@SiC芯片@@，有望帮助实现@@更高效@@@@、更小型@@@@、更轻量的@@工业@@设备@@。

工业@@设备用@@NX封装@@全@@@@SiC功率半导体@@@@模块@@@@

为降低全@@球社会范围内的@@碳排放@@，功率半导体@@@@器件@@正越来越多地被用于@@高效@@电力变换场合@@。其@@中@@@@，对于@@能够显著降低功率损耗@@的@@@@SiC功率半导体@@@@的@@期望越来越高@@。大功率@@、高效@@率功率半导体@@@@能够提高@@工业@@设备@@（逆变器@@等部件@@）的@@功率转换效率@@，其@@需求正在@@不断扩大@@。

三菱电机@@于@@@@2010年@@开始推出搭载@@SiC芯片@@的@@功率半导体@@@@模块@@@@@@。此次@@，新模块@@采用@@低损耗@@SiC芯片@@和@@优化的@@内部结构@@，与@@现有@@的@@@@Si IGBT模块@@相比@@@@，内部杂散电感减少约@@@@47%*1，并显著降低了@@功率损耗@@。

该@@SiC产@@品@@@@的@@开发得到了日@@本新能源@@·产@@业技术综合开发机构@@(NEDO)的@@部分支持@@。

产@@品@@@@特@@点@@@@@@

优化的@@内部结构并采用@@@@SiC芯片@@，有助于@@实现@@设备的@@高效@@率@@、小型@@化@@、轻量化@@

内部连接采用@@优化的@@叠层结构@@，实现@@了@@9nH的@@内部杂散电感@@，比现有@@IGBT模块@@降低约@@@@47%；

通过降低内部杂散电感@@，抑制设备的@@浪涌电压@@，实现@@高速开关的@@同时@@@@降低开关损耗@@；

采用@@ JFET掺杂技术@@*2的@@第@@二代@@SiC芯片@@具有@@低损耗特@@性@@，与@@现有@@Si IGBT模块@@相比@@@@，功率损耗降低约@@@@72%*1，有助于@@提高@@设备效率@@；

低的@@功率损耗有助于@@减少热量的@@产@@生@@，从而@@允许使@@用@@更小@@、重量更轻的@@散热器@@。

兼容@@的@@@@NX型@@封装@@@@，Si模块@@和@@@@SiC模块@@可以轻松替换@@

在@@搭载@@SiC芯片@@的@@同时@@@@@@，在@@外@@形尺寸@@和@@管脚配置等方面维持了@@NX型@@封装@@@@的@@兼容@@性@@，便于@@轻松替换@@，有助于@@缩短新设备设计@@时@@间@@。

未来发展@@

三菱电机@@将@@继续扩大其@@功率半导体@@@@模块@@@@产@@品@@@@线@@@@，进一步为工业@@设备的@@高效@@率@@、小型@@化@@、轻量化@@做出贡献@@。

主@@要@@规@@格@@@@

*1：基于@@三菱电机@@确定的@@测量条件@@@@，与@@1700V/600A NX-type Si IGBT Module T-series (CM600DX-34T)对比得出@@
*2：JFET (Junction Field Effect Transistor)：结型@@场效应晶体管@@
*3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于@@@@三菱电机@@@@
三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。在@@2022年@@《财富@@》世界@@500强排名@@中@@@@，位列@@351名@@。截止@@2022年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@44768亿@@日@@元@@(约@@合美元@@332亿@@)。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@60余年@@@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

三菱电机@@成功开发基于@@新型@@@@结构@@的@@@@SiC-MOSFET

judy — Thu, 08 Jun 2023 03:00:10 +0000

新型@@@@芯片@@结构能有效防止浪涌电流集中@@在@@特@@定芯片@@上@@@@

图@@1：新开发的@@芯片@@结构@@（上@@:芯片@@截面@@；下@@:并联芯片@@@@）

三菱电机@@集团近日@@@@@@（2023年@@6月@@1日@@）宣布@@，其@@开发出一种集成@@@@SBD的@@SiC-MOSFET新型@@@@结构@@，并已将@@其@@应用于@@@@@@3.3kV全@@SiC功率模块@@@@——FMF800DC-66BEW，适用于@@铁路@@@@、电力系统等大型@@工业@@设备@@。样品@@@@于@@@@5月@@31日@@开始发售@@。该@@新结构芯片@@有望帮助实现@@铁路@@牵引等电气系统的@@小型@@化@@和@@节能化@@，促进直流输变电的@@普及@@@@，从而@@为实现@@碳中@@和@@做出贡献@@。

SiC功率半导体@@@@因其@@能显著降低功率损耗@@而@@备受关注@@。三菱电机@@于@@@@2010年@@将@@搭载@@SiC-MOSFET和@@SiC-SBD的@@SiC功率模块@@@@商用化@@，在@@空调@@、铁路@@等多种逆变系统中@@采用@@了@@SiC功率半导体@@@@。

与@@传统@@的@@芯片@@分开并联方法相比@@@@，集成@@了@@SiC-MOSFET和@@SiC-SBD的@@一体化@@芯片@@可以更紧凑地封装@@在@@功率模块@@@@内@@，从而@@实现@@功率模块@@@@的@@小型@@化@@@@、大容量和@@更低的@@开关损耗@@，有望在@@铁路@@@@、电力系统等大型@@工业@@设备@@中@@得到广泛应用@@。到目前@@为止@@，由@@于@@@@集成@@@@SBD的@@SiC-MOSFET功率模块@@@@的@@抗浪涌电流能力相对较低@@，浪涌电流只集中@@在@@某些特@@定的@@芯片@@上@@@@，导致芯片@@在@@高浪涌电流时@@热损坏@@，因此@@在@@实际应用中@@一直面临困难@@。

三菱电机@@率先发现了浪涌电流集中@@在@@功率模块@@@@内部某些特@@定芯片@@上@@的@@机理@@。开发了一种新的@@芯片@@结构@@@@，在@@这种芯片@@结构中@@@@，所有芯片@@同时@@@@开始通流@@，使@@浪涌电流分布在@@各个芯片@@上@@@@。因此@@，与@@本公司现有技术相比@@@@，功率模块@@@@的@@抗浪涌电流能力提高@@了五倍@@以上@@@@@@，获得了与@@现有@@@@Si功率模块@@@@同等或@@更高的@@@@浪涌电流耐量@@，从而@@实现@@了@@集成@@@@SBD的@@SiC-MOSFET功率模块@@@@。

本开发成果的@@详细情况已于@@@@5月@@31日@@14时@@（当@@地时@@间@@）在@@香港举办的@@@@ISPSD 2023（5月@@28日@@至@@@@6月@@1日@@）上@@发表@@@@。

未来展望@@

这项新技术将@@应用于@@@@@@SiC功率模块@@@@，从而@@实现@@铁路@@牵引系统的@@小型@@化@@和@@节能化@@。此外@@@@，通过使@@用@@低功率损耗变流器@@进行直流输电@@，有望实现@@比交流输电更低的@@传输损耗@@，从而@@为实现@@碳中@@和@@做出贡献@@。

关于@@@@集成@@@@SBD SiC-MOSFET

在@@传统的@@@@SiC功率模块@@@@中@@@@，用于@@开关的@@@@SiC-MOSFET和@@用于@@续流的@@@@SiC-SBD作为两个芯片@@被单独制造@@@@，并在@@@@模块@@内通过并联连接@@。相反@@，三菱电机@@开发的@@集成@@@@SBD的@@SiC-MOSFET（图@@2）通过在@@@@SiC MOSFET元胞中@@周期性地插入@@SiC-SBD来集成@@这两个芯片@@@@。

图@@2：集成@@SBD的@@SiC-MOSFET实现@@了@@SiC-MOSFET和@@SiC-SBD一体化@@

特@@点@@@@

突破性发现@@——浪涌电流集中@@在@@特@@定芯片@@上@@的@@机理@@

传统情况下@@@@@@，当@@浪涌电流流过并联连接的@@多个集成@@@@SBD的@@MOSFET芯片@@时@@@@，浪涌电流只集中@@在@@某些特@@定芯片@@上@@@@，无法获得与@@并联芯片@@@@数量相对应的@@浪涌电流耐量@@。根据物理分析和@@器件@@模拟@@分析的@@结果@@，如@@果内置@@SBD的@@芯片@@尺寸@@与@@其@@他芯片@@略有不同@@（宽度略小@@，如@@图@@@@3），那么浪涌电流就会集中@@在@@该@@特@@定芯片@@上@@@@，从而@@导致该@@芯片@@在@@其@@他芯片@@导通之前流过浪涌电流@@。这个尺寸@@偏差是极其@@微小的@@@@，在@@正常的@@芯片@@制造@@过程中@@基本上@@是无法避免的@@@@。

图@@3：现有技术中@@电流集中@@到特@@定芯片@@的@@机理@@

新的@@芯片@@结构@@——所有并联的@@芯片@@同时@@@@导通@@

为了防止浪涌电流集中@@到特@@定芯片@@上@@@@，三菱电机@@针对@@芯片@@总面积占比不到@@1%的@@元胞@@，开发了不配置@@SBD的@@新芯片@@结构@@。这种元胞与@@配置@@SBD的@@其@@他元胞相比@@@@，能够更快速导通浪涌电流@@，并且@@由@@于@@@@不存在@@@@SBD，所以不受微小尺寸@@偏差的@@影响@@。浪涌电流可以在@@所有并联芯片@@@@中@@没有配置@@@@SBD的@@相应元胞中@@同时@@@@开始导通@@。

此外@@@@，由@@于@@@@浪涌电流降低了@@@@SiC周边的@@阻抗@@，触发其@@周围元胞开始导通@@，形成连锁反应@@。这种现象导致以没有配置@@@@SBD的@@元胞@@为起点@@@@，浪涌电流在@@整个芯片@@区域传播@@。因此@@，浪涌电流分布在@@所有芯片@@的@@所有区域@@，防止了由@@于@@@@浪涌电流集中@@在@@特@@定芯片@@上@@而@@导致的@@芯片@@热击穿@@，从而@@提高@@了浪涌电流耐量@@（图@@4）。

图@@4：新结构避免了电流集中@@在@@特@@定芯片@@上@@@@

增强的@@扛浪涌电流能力@@——使@@内置@@SBD的@@SiC MOSFET功率模块@@@@成为可能@@

通过采用@@这种新的@@芯片@@结构@@@@，使@@内置@@SBD的@@SiC-MOSFET模块@@抗浪涌电流能力比本公司现有技术提高@@了@@5倍@@以上@@@@，与@@广泛使@@用@@的@@传统@@Si功率模块@@@@相当@@或@@更大@@。此外@@@@，由@@于@@@@浪涌电流的@@链式反应@@，没有配置@@SBD的@@元胞@@仅占总芯片@@面积的@@一小部分@@（小于@@@@1%），不会因为内置@@SBD面积的@@减少而@@影响功率模块@@@@的@@低导通电阻和@@低开关损耗等特@@性@@。因此@@，铁路@@、电力系统等大功率@@用功率模块@@@@所要@@求的@@芯片@@并联成为可能@@，实现@@了@@内置@@SBD的@@SiC-MOSFET功率模块@@@@。

图@@5：新技术提高@@了抗浪涌电流能力@@

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@与@@@@Coherent达成合作@@，扩大生产@@@@200mm SiC功率器件@@@@

judy — Thu, 01 Jun 2023 02:23:42 +0000

三菱电机@@和@@材料@@、网@@络和@@激光领域@@的@@开拓者@@Coherent近日@@@@（2023年@@5月@@26日@@）宣布@@，双@@方已签署一份谅解备忘录@@，将@@在@@扩大生产@@@@@@200mm SiC功率器件@@@@方面进行合作@@。

电动汽车@@市场正在@@全@@球范围内扩张@@，而@@这只是推动@@SiC功率器件@@@@指数增长的@@几个新兴应用之一@@，与@@基于@@硅的@@功率器件@@@@相比@@@@，SiC功率器件@@@@具有@@更低的@@功率损耗@@、更高的@@@@工作温度和@@更快的@@开关速度@@。高效@@率的@@@@SiC功率器件@@@@有望成为全@@球脱碳和@@绿色转型@@的@@重要@@贡献者@@。

为了满足快速增长的@@需求@@，三菱电机@@此前宣布@@将@@在@@截至@@@@2026年@@3月@@的@@五年@@期内投资约@@@@2600亿@@日@@元@@。投资的@@主@@要@@部分@@，约@@1000亿@@日@@元@@，将@@用于@@建造一个基于@@@@200mm技术平台的@@@@SiC功率器件@@@@新工厂@@，并加强相关生产@@设施@@。根据双@@方签署的@@谅解备忘录@@，Coherent将@@为三菱电机@@未来新工厂生产@@的@@@@@@SiC功率器件@@@@供应@@200mm n型@@4H-SiC衬底@@。

Coherent在@@SiC材料的@@开发方面拥有数十年@@的@@经验@@。2015年@@，该@@公司展示了其@@首款@@@@200mm导电衬底@@@@。2019年@@，Coherent在@@欧盟委员会设立的@@@@Horizon 2020 基础上@@开始供应@@200mm SiC衬底@@。

多年@@来@@，三菱电机@@引领着高速列车@@、高压工业@@应用和@@家用电器@@市场的@@@@SiC功率模块@@@@发展@@。早在@@@@2010年@@，三菱电机@@推出@@的@@@@SiC功率模块@@@@开始应用于@@@@空调@@，并于@@@@2015年@@成为用于@@新干线高速列车的@@全@@@@SiC功率模块@@@@供应商@@，创造了历史@@。三菱电机@@通过其@@卓越的@@生产@@和@@筛选技术@@，以及@@开发和@@制造@@@@SiC功率模块@@@@的@@许多其@@他方面@@，满足客户对高性能和@@高可靠性的@@需求@@，积累了丰富的@@经验@@。

SiC功率器件@@@@能显著减少二氧化碳排放@@，对环境产@@生有益影响@@。为了应对@@SiC功率器件@@@@需求的@@不断增长@@, Coherent和@@三菱电机@@将@@加强合作@@，为可持续能源和@@实现@@脱碳社会做出贡献@@。

对此@@，三菱电机@@半导体@@执行官@@、集团总裁@@Masayoshi Takemi表@@示@@：“多年@@来@@，Coherent一直是三菱电机@@高质量@@150mm SiC晶圆衬底@@的@@可靠供应商@@。我们很高兴与@@@@Coherent建立这种密切的@@合作关系@@，将@@我们各自@@的@@@@SiC制造@@平台扩展到@@200mm。”

Coherent 新产@@业和@@宽禁带电子技术执行副总裁@@Sohail Khan也表@@示@@@@：“我们很高兴能够与@@三菱电机@@建立合作关系@@，三菱电机@@是@@SiC功率器件@@@@的@@先驱@@，也是包括@@日@@本新干线在@@内的@@高速列车用@@SiC功率模块@@@@的@@市场开拓者@@。我们向三菱电机@@供应@@SiC衬底@@有着悠久的@@历史@@，期待与@@三菱电机@@在@@@@200mm SiC制造@@平台方面加深合作@@。

关于@@@@Coherent

Coherent使@@市场创新者能够通过从材料到系统的@@突破性技术来定义未来@@。其@@在@@工业@@@@，通信@@，电子和@@仪器仪表@@市场的@@多样化应用中@@提供与@@客户产@@生共鸣的@@创新@@。公司总部位于@@宾夕法尼亚州萨克森堡@@，在@@全@@球拥有研发@@、制造@@、销售@@、服务和@@分销设施@@。

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@开始提供@@集成@@@@SBD的@@SiC-MOSFET模块@@样品@@@@@@

judy — Fri, 12 May 2023 00:28:35 +0000

三菱电机@@宣布@@将@@于@@@@@@5月@@31日@@开始提供一款@@新型@@@@集成@@@@SBD*1的@@SiC*2-MOSFET*3模块@@样品@@@@@@，该@@半桥模块@@@@额定电压为@@3.3kV，绝缘耐压@@为@@6.0kVrms。将@@有助于@@为铁路@@@@、电力系统及@@大型@@工业@@变流系统提供更大功率@@密度@@@@、更高效@@率和@@可靠性@@@@。该@@产@@品@@@@正在@@@@PCIM Europe 2023（5月@@9-11日@@，德国纽伦堡@@）上@@展出@@。

3.3kV 集成@@SBD SiC-MOSFET 模块@@

近年@@来@@，为降低全@@球社会范围内的@@碳排放@@，功率半导体@@@@器件@@正越来越多地被用于@@高效@@电力变换场合@@，特@@别是在@@重工业@@中@@@@，这些@@器件@@被用于@@变流器@@设备@@，如@@轨道牵引@@中@@的@@变流系统和@@直流输电系统@@。其@@中@@@@，SiC功率半导体@@@@能够大幅降低功率损耗@@@@，人们对其@@期待很高@@。此外@@@@，对于@@大型@@工业@@设备@@，为了进一步提高@@其@@转换效率@@，对高效@@率功率半导体@@@@模块@@@@的@@需求不断增加@@。

为进一步为大型@@工业@@变流设备的@@高功率输出@@、高效@@率和@@高可靠性做出贡献@@，三菱电机@@开发了这款@@@@SiC MOSFET模块@@，采用@@内置@@SBD的@@SiC MOSFET芯片@@和@@优化的@@内部封装@@结构@@，能有效降低开关损耗@@，将@@很快开始提供样品@@@@@@。至@@此@@，三菱电机@@3.3kV LV100封装@@共包含@@4款@@SiC MOSFET模块@@和@@@@2款@@Si IGBT模块@@。

产@@品@@@@特@@点@@@@@@

集成@@SBD的@@SiC-MOSFET，降低功率损耗@@，提高@@变流器@@输出功率@@@@、效率和@@可靠性@@

采用@@集成@@@@SBD的@@SiC MOSFET和@@优化的@@封装@@结构@@，与@@公司现有的@@硅功率模块@@@@@@相比@@@@，开关损耗降低了@@@@91%*4，与@@现有@@的@@@@全@@@@SiC功率模块@@@@相比@@@@降低了@@@@66%*5，从而@@降低@@了变流器@@功率损耗@@，并有助于@@提高@@输出功率@@和@@效率@@。

集成@@SBD的@@SiC MOSFET和@@优化的@@电流容量提高@@了变流器@@的@@可靠性@@。

优化的@@端子布局@@，适用于@@不同容量大小的@@变流器@@@@

优化的@@端子布局@@利于@@并联连接@@，通过并联不同的@@数量实现@@变流器@@的@@灵活功率配置@@。

直流和@@交流主@@端子@@布置在@@两端的@@封装@@设计@@@@，有助于@@简化@@电路@@设计@@@@。

主@@要@@规@@格@@@@

本产@@品@@@@为符合@@@@《出口贸易管制令@@》附表@@@@1第@@2（41）3项的@@产@@品@@@@@@。

*1：Schottky Barrier Diode
*2：Silicon Carbide碳化硅@@
*3：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
*4：3.3kV/600A 硅功率模块@@@@@@(CM600DA-66X)
*5：3.3kV/750A全@@SiC功率模块@@@@ (FMF750DC-66A)

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。在@@2022年@@《财富@@》世界@@500强排名@@中@@@@，位列@@351名@@。截止@@2022年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@44768亿@@日@@元@@(约@@合美元@@332亿@@)。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@60余年@@@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

三菱电机@@推出@@“SLIMDIP-Z”功率半导体@@@@模块@@@@

judy — Tue, 03 Jan 2023 10:38:33 +0000

30A的@@高额定电流@@@@将@@助力@@简化和@@缩小家电应用中@@的@@逆变器@@@@系统@@

三菱电机@@集团近日@@@@@@宣布@@@@，其@@新型@@@@@@SLIMDIP-Z功率半导体@@@@模块@@@@将@@于@@@@@@2023年@@2月@@发布@@，该@@模块@@具有@@@@30A的@@高额定电流@@@@，主@@要@@应用于@@@@家用电器@@逆变器@@系统@@。该@@紧凑型@@@@模块@@将@@使@@@@SLIMDIP™系列@@能够满足逆变器@@单元更广泛的@@功率和@@尺寸@@需求@@，有助于@@简化@@和@@缩小空调@@、洗衣机和@@冰箱等多功能和@@复杂产@@品@@@@的@@体积@@。

目前@@，对于@@能够有效转换电力以帮助实现@@低碳世界@@的@@功率半导体@@@@的@@需求正在@@增长@@。1997年@@，三菱电机@@首先将@@@@DIPIPM™作为高性能智能功率模块@@@@进行了商业化@@，该@@模块@@采用@@压注模封装@@结构@@，内置了开关器件@@以及@@用于@@驱动和@@保护开关@@188足彩外@@围@@app 的@@控制@@IC。从那时@@起@@，DIPIPM™系列@@产@@品@@@@已被广泛应用于@@@@大型@@电器和@@工业@@电机的@@逆变器@@@@@@，并助力@@实现@@逆变器@@控制板@@的@@小型@@化@@和@@节能化@@。

产@@品@@@@特@@点@@@@@@

更高的@@@@30A额定电流@@，帮助实现@@更简单@@、更小型@@@@的@@家用电器@@逆变系统@@

优化的@@框架结构扩大了逆导型@@@@IGBT (RC-IGBT)芯片@@的@@安装面积@@。
与@@现有@@的@@@@SLIMDIP-L相比@@，绝缘导热垫片可使@@功率芯片@@的@@结到外@@壳的@@热阻降低约@@@@@@40%，从而@@使@@@@额定电流@@增加到@@30A。
RC-IGBT芯片@@温度抑制有助于@@简化@@和@@缩小逆变系统的@@热设计@@@@。

低噪声@@，帮助实现@@更小@@、更低成本的@@逆变系统@@

应用于@@@@RC-IGBT芯片@@的@@降噪技术有助于@@减少噪声抑制组件的@@数量@@，从而@@实现@@更小@@、更低成本的@@逆变系统@@。

兼容@@SLIMDIP系列@@封装@@@@，帮助缩短设计@@时@@间@@

SLIMDIP系列@@封装@@@@兼容@@性@@，包括@@尺寸@@和@@引脚布局@@(尽管增加了额定电流@@@@)，将@@有助于@@缩短逆变系统的@@设计@@时@@间@@。

主@@要@@规@@格@@@@

SLIMDIP系列@@产@@品@@@@线@@@@

环保意识@@

本产@@品@@@@遵循@@RoHS*1 指令@@（2011/65/EU、(EU)2015/863）。

*1 Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@开始提供@@光纤通信@@用@@“可调谐激光二极管@@@@芯片@@@@”样品@@@@

judy — Tue, 11 Oct 2022 07:51:37 +0000

三菱电机@@株式会社宣布@@将@@于@@@@@@10月@@1日@@开始提供用于@@@@光纤通信@@系统@@光收发器@@@@@@[1]的@@新产@@品@@@@@@——可调谐激光二极管@@@@[2]芯片@@的@@样品@@@@@@。该@@新芯片@@将@@有助于@@增加数字相干通信@@@@@@[3]的@@容量@@，并同时@@@@缩小光收发器@@@@的@@尺寸@@@@。

可调谐激光二极管@@@@芯片@@@@（图@@像@@）

可调谐激光器@@二极管@@芯片@@的@@应用示例@@

随着@@第@@五代移动通信@@系统@@网@@络的@@扩大和@@视频流服务的@@普及@@@@，数据通信@@流量正在@@快速增长@@。为应对光纤通信@@的@@远距离通信@@和@@数据中@@心之间的@@通信@@等@@，需要@@将@@高速通信@@的@@容量@@从目前@@的@@@@100Gbps[4]提高@@至@@@@400Gbps。目前@@正在@@扩大数字相干通信@@@@方式的@@应用以提高@@现有光纤的@@通信@@效率@@。另一方面@@，为了在@@现有的@@有限空间内重新设置支持高速率@@、大容量的@@光收发器@@@@@@，需要@@进一步缩小光收发器@@@@的@@尺寸@@@@，但到目前@@为止@@@@，可调谐激光二极管@@@@已被内置在@@封装@@中@@@@，这使@@得缩小光收发器@@@@尺寸@@变得困难@@。

此次@@，本公司开发的@@@@“可调谐激光二极管@@@@芯片@@@@”，可输出数字相干通信@@@@中@@使@@用@@的@@@@1.55μm波段@@的@@激光@@，支持宽波段@@@@，符合@@400Gbps光收发器@@@@标准@@@@（OIF-400ZR-01.0），有助于@@实现@@数字相干通信@@@@的@@大容量化@@。另外@@@@，以芯片@@形式提供@@，为客户的@@光收发器@@@@提供灵活的@@封装@@设计@@@@。并且@@，该@@产@@品@@@@设计@@结合@@了三菱电机@@迄今为止开发的@@移动通信@@系统@@基站用@@@@DFB激光器@@[5]和@@数据中@@心用@@EML[6]芯片@@所采用@@的@@半导体@@制造@@技术@@，拥有高可靠性@@。

[1] 光收发器@@@@：电信号和@@光信号相互转换的@@电子部件@@

[2] 可调谐激光二极管@@@@：可改变波长@@的@@激光二极管@@@@

[3] 相干通信@@@@：利用光的@@相位和@@偏振进行信息传递的@@通信@@方式@@，可实现@@大容量化@@

[4] Gbps (Giga-bit per second): 吉比特@@每秒@@，信号传输速率单位@@

[5] DFB（分布式反馈@@）激光器@@：分布式反馈@@激光器@@@@

[6] EML (Electro-absorption Modulator integrated Laser diode):电吸收调制激光器@@@@

新产@@品@@@@的@@优点@@@@

支持宽波段@@@@，有助于@@实现@@大容量数字相干通信@@@@@@

该@@结构包含@@16个具有@@不同振荡波长@@的@@@@DFB激光器@@，采用@@平行排列结构@@，支持宽波段@@@@
通过芯片@@的@@温度控制@@，每个通道的@@波长@@变化约@@为@@2.7nm，可实现@@振荡波长@@@@1527.994至@@1567.133nm的@@1.55μm波段@@激光输出@@
符合@@400Gbps光收发器@@@@标准@@@@（OIF-400ZR-01.0），有助于@@实现@@大容量的@@数字相干通信@@@@@@

激光输出波长@@可变范围@@

提供芯片@@@@，有助于@@实现@@光收发器@@@@的@@小型@@化@@@@

以芯片@@形式提供@@，在@@客户的@@封装@@设计@@中@@@@，可与@@其@@他光学部件通用并优化部件配置@@，帮助制造@@商缩小光收发器@@@@的@@尺寸@@@@

今后的@@计划@@·将@@来的@@展望@@

为实现@@数字相干通信@@@@的@@大容量化和@@光收发器@@@@的@@小型@@化@@@@，本公司计划从@@2023年@@开始实施量产@@@@。另外@@@@，除@@了可调谐激光二极管@@@@芯片@@@@@@，本公司还瞄准了下@@一代@@800Gbps产@@品@@@@，计划开发光调制器芯片@@@@。

产@@品@@@@规@@格@@@@

环保意识@@

本产@@品@@@@符合@@@@RoHS[7]指令@@(2011/65/EU、(EU)2015/863)。

[7] 限制在@@电气和@@电子设备中@@使@@用@@某些有害物质@@

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@开始提供@@2kV工业@@LV100封装@@T系列@@IGBT模块@@样品@@@@@@

judy — Fri, 22 Apr 2022 07:56:31 +0000

近年@@来@@，能够高效@@转换电力的@@功率半导体@@@@作为促进实现@@低碳社会的@@关键器件@@而@@受到瞩目@@，对其@@需求也一直在@@增加并呈现多样化@@。尤其@@对于@@由@@可再生能源驱动的@@电力系统来说@@，由@@于@@@@需要@@更高的@@@@电能转换效率@@，系统工作电压不断提高@@@@。事实上@@@@，在@@系统中@@使@@用@@电力变换器额定电压达到@@DC1500V，这已经是欧洲@@低电压指令@@@@*1的@@上@@限电压@@。

为了满足这些@@需求@@，三菱电机@@此次@@推出了新品@@@@@@——2kV工业@@LV100封装@@T系列@@ IGBT*2模块@@，并将@@于@@@@今年@@@@5月@@开始提供其@@样品@@@@@@。该@@产@@品@@@@有助于@@实现@@可再生能源应用的@@电力变换器的@@小型@@化@@和@@低能耗化@@。此外@@@@，该@@产@@品@@@@还将@@在@@大型@@展览展出@@，其@@中@@@@包括@@@@PCIM Europe 2022（5月@@10-12日@@，于@@德国纽伦堡@@@@）。

工业@@级@@LV100封装@@2kV IGBT模块@@

此次@@新发售的@@@@2kV工业@@LV100封装@@T系列@@IGBT模块@@是为@@DC1500V电力变换器设计@@的@@@@2kV耐压@@产@@品@@@@@@，主@@要@@可用于@@几百千瓦到几兆瓦级的@@大容量系统@@，以满足可再生能源的@@供电需求@@。该@@产@@品@@@@旨在@@通过使@@用@@@@2kV耐压@@188足彩外@@围@@app 为客户简化@@DC1500V电力变换器的@@设计@@@@；并且@@，在@@IGBT模块@@中@@搭载了第@@七代@@@@IGBT和@@RFC二极管@@*3，为可再生能源电源用的@@电力变换器的@@小型@@化@@和@@低能耗化做出贡献@@。此外@@@@，它采用@@了便于@@并联设计@@和@@适用于@@大容量的@@工业@@级@@@@LV100的@@外@@部封装@@@@，有助于@@简化@@大容量系统设计@@@@。
*1 欧洲@@议会和@@欧洲@@部长理事会指令@@@@，为欧盟成员国在@@特@@定电压限制内使@@用@@而@@设计@@的@@电气设备的@@指令@@@@。
*2 Insulated Gate Bipolar Transistor：高压绝缘栅双@@极型@@晶体管@@
*3 Relaxed Field of Cathode Diode：三菱电机@@开发的@@二极管@@@@，优化了阴极侧@@的@@电子迁移率@@

新产@@品@@@@特@@点@@@@@@@@
1. 2kV耐压@@IGBT产@@品@@@@，有助于@@简化@@DC1500V电力变换器的@@设计@@@@
更新@@2kV耐压@@产@@品@@@@@@阵容@@@@，简化了@@DC1500V电力变换器的@@设计@@@@，消除@@传统@@1.7kV耐压@@产@@品@@@@@@难以应对的@@尴尬@@，以满足可再生能源电源的@@需求@@。

2. 搭载了第@@七代@@IGBT和@@RFC二极管@@，有助于@@降低电力变换器的@@能耗@@
采用@@独特@@的@@@@CSTBTTM*4结构的@@第@@七代@@IGBT和@@RFC二极管@@，分别针对@@高耐压@@规@@格@@进行了优化@@，在@@支持高电压运行的@@同时@@@@保持低损耗@@

*4 本公司开发的@@@@使@@用@@载流子存储效应的@@@@IGBT

3. 工业@@LV100封装@@有助于@@提高@@电力变换器的@@容量@@@@

优化的@@端子排列有利于@@@@IGBT模块@@的@@并联@@，使@@其@@可广泛适用于@@各种逆变器@@的@@配置和@@容量@@。

三个@@AC主@@端子@@，均分电流@@，对大容量逆变器@@应用@@，能够有效减少主@@端子@@产@@生的@@热量@@。

将@@绝缘层和@@铜底板@@@@集成@@在@@一体@@，提高@@了热循环寿命@@*5；通过优化内部电极结构@@，降低了@@封装@@电感@@，提高@@了可靠性@@。

*5由@@于@@@@系统启动@@/停止而@@引起的@@相对渐变的@@温度变化对寿命的@@影响@@

将@@来展望@@

该@@产@@品@@@@预计于@@@@2022年@@12月@@开始量产@@@@。这一产@@品@@@@的@@推出将@@面向@@DC1500V可再生能源应用的@@电力变换器进行推广@@，如@@光伏发电系统和@@储能系统@@。这将@@有助于@@可再生能源的@@普及@@@@，以实现@@低碳化社会@@。

产@@品@@@@规@@格@@@@

环境影响@@

本产@@品@@@@遵循@@RoHS*6标准@@(2011/65/EU,(EU)2015/863)。
*6 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment

关于@@@@三菱电机@@@@

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是全@@球知名@@的@@综合性企业@@。在@@2020年@@《财富@@》世界@@500强排名@@中@@@@，位列@@300名@@。截止@@2021年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@41914亿@@日@@元@@（约@@合美元@@395亿@@）。作为一家技术主@@导型@@企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@，并凭借强大的@@技术实力和@@良好的@@企业信誉在@@全@@球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场占据重要@@地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@，三菱电机@@从事开发和@@生产@@半导体@@已有@@60余年@@@@。其@@半导体@@产@@品@@@@更是在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@、模拟@@/数字通讯以及@@有线@@/无线通讯等领域@@得到了广泛的@@应用@@。

领跑@@5G 三菱电机@@发售@@“50Gbps DFB激光器@@”新品@@@@

judy — Wed, 09 Mar 2022 06:50:33 +0000

近年@@来@@，随着@@智能手机和@@平板@@电脑等移动终端的@@普及@@和@@信息的@@云化@@，数据通信@@量正在@@迅速增长@@，世界@@各国的@@移动通信@@系统@@正在@@从第@@四代转向第@@五代@@。因此@@，安装在@@位于@@室外@@的@@无线基站内的@@光通信@@设备@@中@@的@@@@DFB激光器@@必须能够提供超高速大容量化性能@@，并在@@@@较宽的@@温度范围内工作@@。

为了满足这些@@需求@@，三菱电机@@此次@@开发了新品@@@@@@50Gbps*1DFB激光器@@*2，并于@@@@3月@@4日@@开始提供其@@样品@@@@@@。该@@产@@品@@@@采用@@新的@@@@50Gbps DFB激光器@@芯片@@@@，具有@@适合@@PAM4调制方法的@@优异频率@@响应特@@性@@。

50Gbps DFB激光器@@能够在@@宽工作温度范围@@（-40℃至@@+90℃）内实现@@高速运行@@（50Gbps），并确保了小型@@光收发器@@@@@@*3的@@规@@格@@兼容@@性@@。与@@以往@@25Gbps的@@产@@品@@@@相比@@@@，该@@产@@品@@@@传输速度@@可达到@@2倍@@，这将@@有助于@@提升第@@五代移动通信@@系统@@@@（下@@称@@5G）的@@速度和@@容量@@。

此外@@@@，该@@产@@品@@@@于@@@@3月@@8日@@~10日@@在@@美国举办的@@@@OFC（The Optical Fiber Communication Conference and Exhibition）2022上@@展出@@。
*1 50Gbps（Giga-bit per second）：通信@@速率单位@@，意为每秒可传输@@500亿@@个数据符号@@
*2 DFB（Distributed Feed Back）激光器@@：分布反馈半导体@@激光器@@@@。它配备了一个内部衍射光栅@@，能够在@@特@@定的@@波长@@下@@提取光信号@@。适用于@@长距离传输@@。
*3 用于@@转换光纤通信@@所需的@@电信号和@@光信号的@@器件@@@@

50Gbps DFB激光器@@「ML771AA74T」

新产@@品@@@@特@@点@@@@@@@@

1. 采用@@PAM4调制方式@@，传输速度@@达@@50Gbps，助力@@5G的@@高速大容量化@@

开发了新的@@@@DFB激光器@@芯片@@@@，具有@@适合@@PAM4调制方式@@*4的@@频率@@响应特@@性@@

在@@该@@调制方式@@下@@具有@@优异的@@特@@性@@，并在@@@@-40°C~+90°C的@@宽工作温度保证范围内实现@@了@@@@50Gbps传输速度@@

宽工作温度范围不再需要@@热电转换@@188足彩外@@围@@app *5，有助于@@移动通信@@系统@@基站降低功耗@@

*4 4-level pulse-amplitude modulation。四电平脉冲振幅调制@@。不是由@@@@“0”和@@“1”组成的@@常规@@二进制位字符串@@，而@@是用四电平脉冲信号进行传输@@。
*5 为半导体@@@@188足彩外@@围@@app 工作温度保持恒定而@@进行热能与@@电能转换的@@@@188足彩外@@围@@app

2. 采用@@TO-56CAN行业标准@@封装@@@@，适用小型@@光收发器@@@@的@@规@@格@@@@

采用@@TO-56CAN*6行业标准@@封装@@@@，确保外@@形尺寸@@与@@以往@@产@@品@@@@@@*7兼容@@，适用小型@@光收发器@@@@的@@规@@格@@@@（SFP56*8）

*6 封装@@尺寸@@为行业标准@@的@@@@φ5.6mmTO-CAN封装@@，具有@@出色的@@生产@@效率@@（大批量生产@@@@）。
*7 25Gbps DFB激光器@@ML764AA58T（已停产@@@@）
*8 50Gbps小型@@光收发器@@@@的@@规@@格@@之一@@

样品@@@@提供的@@概要@@@@

5G基站用@@光器件@@@@ 产@@品@@@@阵容@@

粗线框中@@是本次的@@新产@@品@@@@@@@@（50Gbps DFB激光器@@）。

*9 Electro-absorption Modulator Laser：集成@@电吸收调制器的@@半导体@@激光器@@@@
*10 Non Return to Zero：用由@@@@“0”和@@“1”组成的@@二进制位字符串信号进行传输@@

主@@要@@规@@格@@@@

关于@@@@三菱电机@@@@