电子@@创新@@@@188足彩外围@@app 网@@ - MOSFET - 188足彩网

基本半导体@@推出@@应用@@于新@@能源汽车@@的@@@@Pcore™2 DCM碳化硅@@MOSFET模块@@

judy — Mon, 27 Nov 2023 02:07:15 +0000

采用@@沟槽型@@@@碳化硅@@@@MOSFET芯片@@的@@低@@导通@@电阻@@@@@@转模型@@@@功率@@模块@@@@@@

汽车@@级@@DCM碳化硅@@MOSFET系列@@模块@@@@PcoreTM2是@@基本半导体@@专为@@新@@能源汽车@@主驱逆变器@@应用@@设计@@的@@一@@款@@高@@功率@@密度的@@碳化硅@@功率@@模块@@@@@@。

该@@产品@@为@@业内@@主流@@DCM封装@@模块@@@@，采用@@先进的@@有@@压型@@银烧结@@工艺@@和@@高@@性能@@粗铜线键合@@技术@@，使@@用@@氮化硅@@AMB陶瓷基板@@，以@@及@@@@直接水冷的@@@@@@PinFin结@@构@@。产品@@具有@@@@低@@动态损耗@@@@、低@@导通@@电阻@@@@@@、高@@阻断电压@@@@、高@@电流@@密度@@、高@@可靠性@@等@@特点@@，可支持@@连续运行@@峰值@@结@@温@@至@@@@175℃，以@@及@@@@具备@@650Arms以@@上@@@@连续峰值@@相电流@@输出@@。

产品@@特点@@

沟槽型@@@@、低@@RDS(on) 碳化硅@@MOSFET芯片@@

双面有@@压型@@银烧结@@@@

DTS（Die Top System）连接系统@@@@

高@@密度铜线绑定技术@@

高@@性能@@氮化硅@@AMB陶瓷板@@

直接水冷的@@@@PinFin结@@构@@

更低@@@@的@@热阻@@Rth(j-f)<0.09 K/W

应用@@优势@@

低@@开@@关损耗@@@@@@

低@@杂散电感@@

高@@输出功率@@密度@@

工作结@@温@@高@@达@@175℃(连续运行@@)

适配@@主驱逆变器@@应用@@优化@@特性@@@@

多种芯片@@并联@@组合@@形式@@@@

高@@可靠性@@

应用@@领域@@

新@@能源乘用车@@、商用车等@@的@@电力@@驱动系统@@@@

燃料电池能源转换系统@@@@

产品@@列表@@@@

关于@@基本半导体@@@@

深圳@@基本半导体@@有@@限公司@@@@是@@中@@国@@第@@三@@代半导体创新@@企业@@@@，专业从@@事碳化硅@@功率@@器件@@的@@@@研发与@@产业化@@。公司@@总部位于深圳@@@@，在@@北京@@@@、上@@海@@、无锡@@、香港以@@及@@@@日本名古屋设有@@研发中@@心@@和@@制造基地@@。公司@@拥有@@一@@支国际化的@@研发团队@@，核心成员包括@@二@@十余位来自@@@@清华@@大学@@、中@@国@@科学院@@、英国剑桥大学@@、德国亚琛工业@@大学@@、瑞士联邦理工学院等@@国内@@外知名高@@校及@@研究机构的@@博士@@。

基本半导体@@掌握碳化硅@@核心技术@@，研发覆盖碳化硅@@功率@@半导体的@@材料制备@@、芯片@@设计@@@@、晶圆制造@@、封装@@测试@@@@、驱动应用@@等@@产业链关键环节@@，拥有@@知识产权两百余项@@，核心产品@@包括@@碳化硅@@二@@极管@@和@@@@MOSFET芯片@@、汽车@@级@@碳化硅@@功率@@模块@@@@@@、功率@@器件@@驱动芯片@@等@@@@，性能@@达到@@国际先进水平@@，服务于光伏储能@@@@、电动汽车@@@@、轨道交通@@、工业@@控制@@、智能电网@@等@@领域的@@全球数百家客户@@。

基本半导体@@承担了国家工信部@@、科技部及@@广东省@@、深圳@@市的@@数十项研发及@@产业化项目@@，与@@深圳@@清华@@大学研究院共@@建第@@三@@代半导体材料与@@器件@@研发中@@心@@@@，是@@国家@@5G中@@高@@频器件@@创新@@中@@心@@股东单位之一@@@@，获批中@@国@@科协产学研融合@@技术创新@@服务体系第@@三@@代半导体协同创新@@中@@心@@@@、广东省第@@三@@代半导体碳化硅@@功率@@器件@@工程技术研究中@@心@@@@。

新@@型@@@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC助力@@移动电子@@设备@@小@@型@@化@@

judy — Tue, 14 Nov 2023 03:19:00 +0000

如@@今@@，移动设电子@@备的@@功能越来越多@@，性能@@要求@@越来越高@@@@@@，电路@@也越来越复杂@@。随着@@这些设备@@所使@@用@@的@@@@IC和@@开@@关数量的@@不断增加@@@@，设备@@的@@低@@功耗要求@@和@@延长@@电池寿命的@@矛盾也越来越突出@@。

用于@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC应用@@的@@负载开@@关@@恰恰可以@@配合@@电源@@管理@@IC动态关闭非活动电路@@区@@块@@，在@@降低@@@@功耗@@、节省@@电力@@的@@同时@@@@提高@@@@可靠性@@@@。根据@@需求和@@产品@@的@@@@不同@@，除了@@开@@关功能外@@，负载开@@关@@IC还可以@@提供@@过压及@@欠压保护@@、热关断@@、反向电流@@阻断@@、过流限制@@@@、转换速率控制@@、输出放电@@等@@功能@@。

东芝@@已大量投放市场的@@五款@@新@@型@@@@@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC—TCK42xG系列@@（TCK420/2/3/4/5G）是@@支持@@外部背对@@背@@@@MOSFET的@@器件@@@@，可阻止电流@@反向流入负载开@@关@@@@。其最大亮点是@@具备宽@@输入电压@@@@范围@@且@@内@@置充电@@泵电路@@@@@@，有@@助于实现移动电子@@设备@@的@@小@@型@@化@@。

什么是@@@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC

作为@@@@一@@种用于@@外部@@N沟道@@MOSFET的@@开@@关@@控制器件@@@@，MOSFET栅@@极@@驱动@@IC内@@置了电荷泵和@@保护电路@@@@。MOSFET栅@@极@@驱动@@电路@@由@@两个@@@@正向转换器@@构成@@，一@@个@@是@@对@@功率@@@@MOSFET栅@@极@@电容@@充电@@的@@转换器@@@@；另一@@个@@是@@对@@其栅@@极@@电容@@放电@@的@@转换器@@@@。

MOSFET栅@@极@@驱动@@IC采用@@超紧凑型@@封装@@@@，具有@@@@低@@静态电流@@和@@宽@@输入电压@@@@@@。将其与@@@@N沟道@@MOSFET结@@合@@使@@用@@@@时@@@@，可实现小@@尺寸@@和@@低@@损耗@@的@@@@电源@@@@@@。

东芝@@的@@@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC具有@@@@多种过压锁定@@功能@@，可用于@@单高@@边@@@@、背对@@背@@负载开@@关@@和@@电源@@多路复用器@@。不仅@@如@@此@@@@，东芝@@可提供@@模拟@@@@、开@@关评估和@@安全工作区@@@@等@@各种技术数据的@@支持@@@@。

所谓外部背对@@背@@@@MOSFET是@@指当@@使@@用@@栅@@极@@驱动@@@@IC负载开@@关@@来阻止电流@@反向流入负载开@@关@@时@@@@，两个@@@@N沟道@@MOSFET在@@外部背对@@背@@连接@@（共@@源结@@构@@或@@共@@漏结@@构@@@@），也称@@为@@@@反向电流@@阻断@@@@。

什么是@@@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC

东芝@@TCK42xG系列@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC

其主要特性@@如@@下@@@@

（1）宽@@输入电压@@@@范围@@，栅@@源极@@之间@@带保护电路@@@@，内@@置充电@@泵电路@@@@

（2）内@@置电荷泵电路@@@@，栅@@极@@-源极@@电压@@@@设置@@（5.6V、10V取决于输入电压@@@@@@）

（3）过压锁定@@支持@@@@5V至@@24V

（4）低@@输入关断电流@@@@：IQ(OFF)＝0.5μA（最大值@@@@）@VIN＝5V

东芝@@TCK42xG系列@@主要规格@@@@@@

功能特性@@分析@@

东芝@@TCK42xG系列@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC新@@增的@@五款@@产品@@@@配备了过压锁定@@功能@@，能根据@@输入电压@@@@控制外部@@MOSFET的@@栅@@极@@@@电压@@@@。

新@@产品@@@@具体包括@@@@：用于@@24V电源@@的@@@@TCK420G；用于@@12V电源@@的@@@@TCK422G和@@TCK423G；用于@@9V电源@@的@@@@TCK424G；以@@及@@@@用于@@@@5V电源@@的@@@@TCK425G。这些产品@@与@@已经推出@@的@@用于@@@@20V电源@@的@@@@TCK421G共@@同构成了完整的@@产品@@线@@@@。

这五款@@产品@@@@推出@@后@@@@，用户可以@@在@@@@@@TCK42xG系列@@中@@选择@@10V和@@5.6V两种类型@@的@@@@栅@@源电压@@@@（覆盖更多规格@@@@MOSFET）。凭借输入过压锁定@@功能的@@多种检测电压@@@@，该@@产品@@可用于@@@@5V至@@24V的@@电源@@@@。如@@果@@与@@外部背对@@背@@@@MOSFET结@@合@@使@@用@@@@，可适用于@@@@具有@@@@反向电流@@阻断@@功能的@@负载开@@关@@电路@@@@或@@电源@@多路复用器电路@@@@@@。

负载开@@关@@电路@@@@（单高@@边@@、背对@@背@@）

电源@@多路复用器电路@@@@

除此@@之外@@@@，其内@@置的@@电荷泵电路@@支持@@@@2.7V至@@28V宽@@输入电压@@@@范围@@，因此@@@@经过@@间歇操作@@，可为@@外部背对@@背@@@@MOSFET的@@栅@@极@@@@和@@源极@@@@之间@@提供@@稳定的@@电压@@@@—这种@@方式@@允许大电流@@切换@@。

TCK42xG采用@@WCSP6G（1.2mm×0.8mm芯片@@级@@）封装@@，是@@业内@@最小@@的@@封装@@类型@@之一@@@@，有@@助于实现可穿戴设备@@@@@@、智能手机@@等@@小@@型@@设备@@的@@高@@密度贴装@@，从@@而@@缩小@@@@系统@@尺寸@@@@。

产品@@应用@@方向@@

东芝@@还开@@发了基于@@TCK42xG的@@电源@@@@多路复用器参考设计@@@@@@，帮助用户快速@@、便捷地开@@发产品@@@@。

电源@@多路复用器电路@@@@板@@

一@@直以@@来@@，东芝@@都致力@@于为@@业界提供@@更好@@的@@产品@@与@@服务@@，欢迎大家前往东芝@@半导体@@官网@@了解更多信息@@！

来源@@：东芝@@半导体@@

东芝@@推出@@@@30V N沟道@@共@@漏@@极@@MOSFET，适用于@@@@带有@@@@USB的@@设备@@以@@及@@@@电池组保护@@

judy — Tue, 07 Nov 2023 03:22:01 +0000

东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@（“东芝@@”）今日宣布@@@@，推出@@“SSM10N961L”低@@导通@@电阻@@@@@@30V N沟道@@共@@漏@@极@@MOSFET，适用于@@@@带有@@@@USB的@@设备@@以@@及@@@@电池组保护@@。该@@产品@@于今日开@@始支持@@批量出货@@。

截至@@@@目前@@@@，东芝@@的@@@@N沟道@@共@@漏@@极@@MOSFET产品@@线@@重点聚焦于@@12V产品@@，主要用于@@智能手机@@锂离子电池组的@@保护@@。30V产品@@的@@@@发布为@@电压@@高@@于@@12V的@@应用@@@@提供@@了@@更广泛的@@@@选择@@，如@@USB充电@@设备@@电源@@线路的@@负载开@@关@@以@@及@@@@笔记本电脑@@与@@平板电脑@@的@@锂离子电池组保护@@。

实现具有@@@@低@@漏极@@@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@（RDS(ON)）的@@双向开@@关需要两个@@@@具有@@@@低@@@@RDS(ON)的@@MOSFET，尺寸@@为@@@@3.3mm3.3mm或@@2mm2mm。东芝@@的@@@@新@@产品@@@@采用@@小@@巧纤薄@@的@@@@新@@型@@@@封装@@@@@@TCSPAG-341501（3.37mm1.47mm（典型@@值@@@@），厚度@@＝0.11mm（典型@@值@@@@）），同时@@@@在@@单封装@@共@@漏极@@@@结@@构@@@@中@@搭载电阻@@值@@为@@@@9.9mΩ（典型@@值@@@@）的@@源极@@@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@（RSS(ON)）。

USB PD（USB Power Delivery）专门针对@@@@需要高@@功率@@供电的@@设备@@而@@开@@发@@，可以@@提供@@从@@@@15W（5V/3A）直至@@最大@@240W（48V/5A）的@@功率@@@@。USB PD具有@@@@角色交换功能@@，支持@@电源@@侧和@@接收侧的@@互换@@，要求@@USB充电@@设备@@能够双向供电@@，以@@便能够同时@@@@支持@@电力@@传输和@@电力@@接收@@。此@@次新@@产品@@@@就是@@@@一@@款@@支持@@双向供电@@，表@@贴面积较小@@的@@@@N沟道@@共@@漏@@极@@MOSFET。

将该@@产品@@与@@东芝@@@@TCK42xG系列@@中@@的@@@@驱动@@IC相结@@合@@@@可构成具有@@@@防回流功能的@@负载开@@关@@电路@@@@或@@可以@@在@@@@先合@@后@@断@@（MBB）和@@先断后@@合@@@@（BBM）之间@@切换操作的@@电源@@@@多路复用器电路@@@@@@。基于这种@@产品@@组合@@@@@@，东芝@@于今日发布了@@适用于@@@@电源@@多路复用器电路@@@@的@@参考设计@@@@@@@@（使@@用@@共@@漏极@@@@@@MOSFET）。使@@用@@该@@参考设计@@@@有@@助于缩短产品@@设计@@与@@开@@发时@@间@@。

未来@@东芝@@将继续扩大其产品@@线@@并改进相关特性@@@@，以@@提高@@@@设计@@灵活性@@。

适用于@@@@电源@@多路复用器电路@@@@的@@参考设计@@@@@@（使@@用@@共@@漏极@@@@@@MOSFET）

电源@@多路复用器电路@@@@简易方框图@@@@

新@@型@@@@封装@@@@TCSPAG-341501

应用@@：
- 智能手机@@
- 笔记本电脑@@
- 平板电脑@@等@@@@

特性@@：
- 高@@源极@@@@-源极@@额定电压@@@@：VSSS＝30V
- 低@@导通@@电阻@@@@@@：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型@@值@@@@）（VGS＝10V）
- 双向导通@@的@@共@@漏极@@@@连接@@结@@构@@@@
- 小@@巧纤薄@@的@@@@TCSPAG-341501封装@@：3.37mm1.47mm（典型@@值@@@@），厚度@@＝0.11mm（典型@@值@@@@）

主要规格@@@@：

（除非另有@@说明@@@@，Ta＝25℃）

器件@@型@@号@@				SSM10N961L
极性@@				N沟道@@Í2
内@@部连接@@				共@@漏极@@@@
绝对@@最大@@额定值@@@@@@	源极@@-源极@@电压@@@@VSSS（V）			30
	栅@@极@@-源极@@电压@@@@VGSS（V）			±20
	源极@@电流@@@@（DC）IS（A）[1]			9.0
	源极@@电流@@@@（DC）IS（A）[2]			14.0
电气特性@@@@	源极@@-源极@@击穿电压@@@@V(BR)SSS（V）	VGS＝0V	最小@@值@@@@	30
	源极@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@RSS(ON)（mΩ）	VGS＝10V	典型@@值@@@@	9.9
		VGS＝4.5V	典型@@值@@@@	13.6
封装@@	名称@@			TCSPAG-341501
	尺寸@@（mm）		典型@@值@@@@	3.37Í1.47，厚度@@＝0.11
库存查询与@@购买@@				在@@线购买@@

注@@：
[1] 器件@@安装在@@一@@块@@FR4环氧树脂玻璃板@@（25mm27.5mm、厚度@@＝1.6mm，铜焊盘@@：18µm、407mm2）上@@
[2] 器件@@安装在@@一@@块@@FR4环氧树脂玻璃板@@（25mm27.5mm、厚度@@＝1.6mm，铜焊盘@@：70µm、687.5mm2）上@@

如@@需了解有@@关@@新@@产品@@@@的@@@@更多信息@@@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：

SSM10N961L
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/det...

如@@需了解东芝@@@@MOSFET产品@@的@@@@更多信息@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：

MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

如@@需了解东芝@@@@使@@用@@新@@产品@@@@的@@@@解决方案@@的@@更多相关内@@容@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：

应用@@

智能手表@@@@
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/application/smart-w...

运动相机@@
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/application/action-...

平板电脑@@设备@@@@
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/application/tablet-...

如@@需了解相关新@@产品@@@@在@@线分销商网@@站的@@供货情况@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：

SSM10N961L
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockc...

关于@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@

东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@是@@先进的@@半导体和@@存储解决方案@@的@@领先供应商@@，公司@@累积了半个@@多世纪的@@经验和@@创新@@@@，为@@客户和@@合@@作伙伴提供@@分立半导体@@、系统@@LSI和@@HDD领域的@@杰出解决方案@@@@。

公司@@22,200名员工@@遍布世界各地@@，致力@@于实现产品@@价值@@的@@最大化@@，东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@十分注@@重与@@客户的@@密切协作@@，旨在@@促进价值@@共@@创@@，共@@同开@@拓新@@市场@@，公司@@现已拥有@@超过@@8,598亿日元@@@@（62亿美元@@）的@@年@@销售@@额@@，期待为@@世界各地的@@人们建设更美好@@的@@未来@@并做出贡献@@。

如@@需了解有@@关@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@的@@更多信息@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：https://toshiba-semicon-storage.com

Littelfuse推出@@首款@@汽车@@级@@@@PolarP™ P通道@@增强@@@@模式@@功率@@@@MOSFET

judy — Tue, 24 Oct 2023 07:51:15 +0000

Littelfuse宣布@@推出@@首款@@汽车@@级@@@@@@PolarP™ P通道@@功率@@@@MOSFET产品@@ IXTY2P50PA。这个@@@@创新@@的@@产品@@设计@@能满足汽车@@应用@@的@@严苛要求@@@@，提供@@卓越的@@性能@@@@和@@可靠性@@。

PolarP™ P通道@@功率@@@@MOSFET IXTY2P50PA

以@@-500 V、-2 A运作的@@@@ IXTY2P50PA最与@@众不同之处在@@于它取得了@@AEC-Q101认证@@，使@@其成为@@汽车@@@@应用@@的@@理想选择@@。该@@认证@@确保@@MOSFET符合@@@@汽车@@业界严格的@@品质和@@可靠性标准@@@@。凭借这项认证@@@@，汽车@@制造商得以@@确信@@IXTY2P50PA能够提供@@卓越的@@应用@@@@性能@@和@@可靠性@@。

IXTY2P50PA其中@@@@一@@项特点是@@传导损耗@@@@低@@@@。这款@@@@P通道@@功率@@@@MOSFET的@@最大导通@@电阻@@@@@@为@@@@4.2 Ω，可降低@@@@功耗@@、减少@@发热@@，并提高@@@@终端应用@@的@@效率@@。此@@外@@，该@@MOSFET还具有@@@@出色的@@开@@关@@性能@@@@，闸极电荷低@@至@@@@@@11.9nC，可实现快速且@@高@@效@@的@@运行@@。

IXTY2P50PA的@@另一@@项关键优势是@@它在@@严苛的@@工作环境和@@应用@@中@@@@也能保持坚固耐用@@。凭借动态的@@@@dv/dt和@@雪崩额定值@@@@@@，这款@@@@MOSFET可承受恶劣条件并提供@@可靠性能@@@@。这种@@组合@@使@@其成为@@要求@@耐用性@@和@@可靠性的@@汽车@@应用@@的@@绝佳选择@@。

此@@外@@，IXTY2P50PA高@@电压@@汽车@@@@P通道@@MOSFET采用@@了表@@面安装式@@微型@@@@TO-252 (DPAK) 外形尺寸@@@@，可实现高@@功率@@密度@@PCB设计@@。这种@@小@@型@@尺寸@@可显著节省@@@@PCB空间@@，从@@而@@达到@@更高@@效@@和@@精巧的@@设计@@@@。汽车@@制造商可从@@这种@@节省@@空间@@的@@设计@@中@@受益@@，从@@而@@最佳化其应用@@@@，并在@@有@@限的@@空间@@内@@实现更强@@大的@@功能@@。

PolarP™系列@@非常适合@@各类汽车@@电子@@@@和@@工业@@应用@@@@，包括@@：

汽车@@ECU

汽车@@感测器电路@@@@

高@@压@@侧开@@关@@

推挽放大器@@

自@@动测试@@设@@

电流@@调节器@@

对@@于@@IXTY2P50PA的@@推出@@@@，Littelfuse产品@@行销经理@@Raymon Zhou表@@示@@：「我们很高@@@@兴能向市场推出@@首款@@汽车@@级@@@@@@PolarP P通道@@功率@@@@MOSFET。IXTY2P50PA具有@@@@卓越的@@性能@@@@和@@可靠性@@，是@@要求@@苛刻的@@汽车@@应用@@的@@理想选择@@。凭借其@@AEC-Q101认证@@和@@极具竞争力@@的@@规格@@@@，相信这款@@@@@@MOSFET将为@@汽车@@@@制造商带来极大的@@益处@@。」

Vishay推出@@具有@@@@业内@@先进性能@@水平的@@新@@款@@@@650 V E系列@@功率@@@@MOSFET

judy — Mon, 04 Sep 2023 01:35:56 +0000

第@@四代器件@@@@，提高@@@@额定功率@@和@@功率@@@@密度@@，降低@@@@导通@@和@@开@@关损耗@@@@@@，从@@而@@提升能效@@@@

日前@@，威世科技@@Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号@@：VSH）宣布@@，推出@@新@@型@@@@第@@四代@@650 V E系列@@功率@@@@MOSFET---SiHP054N65E，提高@@@@通信@@@@、工业@@和@@计算@@应用@@能效@@和@@功率@@@@密度@@。Vishay Siliconix n沟道@@ SiHP054N65E导通@@电阻@@@@比前代器件@@降低@@@@@@48.2%，同时@@@@导通@@电阻@@@@与@@栅@@极@@电荷乘积@@下@@降@@59%，该@@参数是@@@@650 V MOSFET在@@功率@@转换应用@@中@@@@的@@@@重要优值@@系数@@（FOM）。

Vishay丰富的@@@@MOSFET技术全面支持@@功率@@转换过程@@，涵盖需要高@@压@@输入到@@低@@压输出的@@@@各种先进高@@科技设备@@@@。随着@@SiHP054N65E的@@推出@@@@，以@@及@@@@其他@@第@@四代@@600 V E系列@@器件@@的@@@@发布@@，Vishay可在@@@@电源@@系统@@架构设计@@初期满足提高@@@@能效@@@@和@@功率@@@@密度两方面的@@要求@@@@，包括@@功率@@因数校正@@（PFC）和@@后@@面的@@@@DC/DC转换器@@砖式@@电源@@@@。典型@@应用@@包括@@服务器@@@@、边缘计算@@和@@数据存储@@；UPS；高@@强@@度放电@@@@（HID）灯和@@荧光镇流器@@@@；太阳能逆变器@@@@；焊接设备@@@@；感应加热@@；电机驱动@@；以@@及@@@@电池充电@@器@@。

SiHP054N65E采用@@Vishay先进的@@高@@能效@@@@E系列@@超级结@@技术@@，10V下@@典型@@导通@@电阻@@@@仅@@为@@@@@@0.051 Ω，从@@而@@提高@@@@额定功率@@支持@@@@ 2 kW以@@上@@@@的@@各种应用@@@@，器件@@满足符合@@@@开@@放计算@@项目@@Open Rack V3（ORV3）标准@@的@@需求@@@@。此@@外@@，这款@@@@MOSFET超低@@栅@@极@@电荷下@@降到@@@@ 72nC。器件@@的@@@@FOM 为@@3.67 Ω*nC，比同类接近的@@竞品@@MOSFET 低@@1.1 %。这些参数表@@明@@导通@@和@@开@@关损耗@@@@降低@@@@@@@@，从@@而@@达到@@节能效@@果@@，提高@@@@能效@@@@。器件@@满足服务器@@电源@@钛效应@@的@@特殊要求@@@@，或@@通信@@电源@@达到@@@@96%的@@峰值@@效率@@。

日前@@发布的@@@@MOSFET有@@效输出电容@@@@ Co(er) 和@@Co(tr) 典型@@值@@@@分别仅@@为@@@@@@115 pF和@@ 772 pF，可改善硬开@@关拓扑结@@构@@开@@关性能@@@@，如@@PFC、半桥和@@双开@@关顺向设计@@@@。器件@@的@@@@电阻@@与@@@@ Co(tr) 乘积@@FOM低@@至@@@@5.87 Ω*pF达到@@业内@@先进水平@@。SiHP054N65E采用@@TO-220AB封装@@，提高@@@@了@@dv/dt耐用性@@，符合@@@@RoHS和@@Vishay绿色标准@@@@，无卤素@@，耐受雪崩模式@@下@@电压@@瞬变@@，并保证极限值@@@@100 %通过@@UIS测试@@。

SiHP054N65E现可提供@@样品并已实现量产@@，关于@@供货周@@期的@@信息@@，请与@@当@@地销售@@部联系@@。

VISHAY简介@@
Vishay是@@全球最大的@@分立半导体和@@无源电子@@@@188足彩外围@@app 系列@@产品@@@@制造商之一@@@@，这些产品@@对@@于@@汽车@@@@、工业@@、计算@@、消费@@、通信@@、国防@@、航空航天和@@医疗市场的@@创新@@设计@@至@@关重要@@。服务于全球客户@@，Vishay承载着科技基因@@——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是@@在@@纽约@@证券交易所上@@市@@（VSH）的@@“财富@@1,000 强@@企业@@@@”。有@@关@@Vishay的@@详细信息@@，敬请浏览网@@站@@ www.vishay.com。

东芝@@推出@@@@采用@@新@@型@@@@封装@@@@的@@车载@@@@40V N沟道@@功率@@@@MOSFET，有@@助于汽车@@设备@@@@实现高@@散热和@@小@@型@@化@@

judy — Thu, 17 Aug 2023 02:57:49 +0000

东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@（“东芝@@”）今日宣布@@@@，推出@@两款@@@@采用@@东芝@@新@@型@@@@@@S-TOGLTM（小@@型@@晶体管轮廓鸥翼式@@引@@脚@@）封装@@与@@@@U-MOS IX-H工艺@@芯片@@的@@车载@@@@40V N沟道@@功率@@@@MOSFET——“XPJR6604PB”和@@“XPJ1R004PB”。两款@@@@产品@@@@于今日开@@始支持@@批量出货@@。

自@@动驾驶系统@@等@@高@@安全级别的@@应用@@@@可通过@@冗余设计@@确保可靠性@@，因此@@@@与@@标准@@系统@@相比@@@@，它们集成了更多的@@器件@@@@@@，需要更多的@@表@@贴空间@@@@。所以@@@@，要进一@@步缩小@@@@汽车@@设备@@@@的@@尺寸@@@@@@，需要能够在@@高@@电流@@密度@@下@@表@@贴的@@功率@@@@@@MOSFET。

XPJR6604PB和@@XPJ1R004PB采用@@东芝@@的@@@@新@@型@@@@@@S-TOGLTM封装@@（7.0mm×8.44mm[1]），其特点是@@采用@@无接线柱结@@构@@@@，将源极@@连接件和@@外部引@@脚一@@体化@@。源级引@@脚的@@多针结@@构@@降低@@@@了@@封装@@电阻@@@@。

与@@具有@@@@相同@@热阻特性@@的@@东芝@@@@TO-220SM（W）封装@@产品@@@@[2]相比@@，S-TOGLTM封装@@与@@@@东芝@@@@U-MOS IX-H工艺@@相结@@合@@@@@@，可实现导通@@电阻@@@@显著降低@@@@@@11%。与@@TO-220SM（W）封装@@相比@@@@，新@@型@@@@封装@@@@还将所需的@@@@表@@贴面积减少@@了大约@@@@55%。此@@外@@，采用@@新@@型@@@@封装@@@@的@@产品@@可提供@@@@200A漏极@@额定电流@@@@@@，高@@于东芝@@类似尺寸@@的@@@@DPAK＋封装@@（6.5mm×9.5mm[1]）产品@@，从@@而@@实现了大电流@@@@。总体而@@言@@@@@@，S-TOGLTM封装@@可实现高@@密度和@@紧凑布局@@@@，缩小@@@@汽车@@设备@@@@的@@尺寸@@@@，并有@@助于实现高@@散热@@。

由@@于@@汽车@@设备@@@@可能在@@极端温度环境下@@工作@@@@，因此@@@@表@@面贴装焊点的@@可靠性是@@一@@个@@关键考虑因素@@。S-TOGLTM封装@@采用@@鸥翼式@@引@@脚@@，可降低@@@@表@@贴应力@@@@，提高@@@@焊点的@@可靠性@@。

当@@需要并联@@多个@@器件@@为@@应用@@提供@@更大工作电流@@时@@@@，东芝@@支持@@这两款@@@@新@@产品@@@@@@按栅@@极@@阈值@@电压@@分组出货@@[3]。这样@@可以@@确保设计@@使@@用@@同一@@组别的@@产品@@@@，从@@而@@减小@@@@特性@@偏差@@。

东芝@@将继续扩展@@其功率@@@@半导体产品@@线@@@@，并通过@@用户友好@@型@@@@、高@@性能@@功率@@器件@@为@@实现碳中@@和@@做出贡献@@。

应用@@
- 汽车@@设备@@@@：逆变器@@、半导体继电器@@、负载开@@关@@、电机驱动@@等@@@@

特性@@
- 新@@型@@@@S-TOGLTM封装@@：7.0mm×8.44mm（典型@@值@@@@）
- 高@@额定漏极@@电流@@@@@@：
XPJR6604PB：ID＝200A
XPJ1R004PB：ID＝160A
- AEC-Q101认证@@
- 提供@@IATF 16949/PPAP[4]
- 低@@导通@@电阻@@@@@@：
XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53mΩ（典型@@值@@@@）（VGS＝10V）
XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8mΩ（典型@@值@@@@）（VGS＝10V）

主要规格@@@@

				新@@产品@@@@		现有@@产品@@@@
器件@@型@@号@@				XPJR6604PB	XPJ1R004PB	TKR74F04PB	TK1R4S04PB
极性@@				N沟道@@
系列@@				U-MOSIX-H
封装@@	名称@@			S-TOGLTM		TO-220SM（W）	DPAK+
	尺寸@@（mm）		典型@@值@@@@	7.0×8.44，厚度@@＝2.3		10.0×13.0，厚度@@＝3.5	6.5×9.5，厚度@@＝2.3
绝对@@最大@@额定值@@@@@@	漏极@@-源极@@电压@@@@ VDSS（V）			40
	漏极@@电流@@@@（DC） ID（A）			200	160	250	120
	漏极@@电流@@@@（脉冲@@） IDP（A）			600	480	750	240
	结@@温@@ Tch（℃）			175
电气特性@@@@	漏极@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@ RDS(ON)（mΩ）	VGS＝10V	最大值@@@@	0.66	1.0	0.74	1.35
	结@@壳热阻@@ Zth(ch-c)（℃/W）	Tc＝25℃	最大值@@@@	0.4	0.67	0.4	0.83

注@@：
[1] 典型@@封装@@尺寸@@@@，包括@@引@@脚@@。
[2] TKR74F04PB采用@@TO-220SM（W）封装@@。
[3] 东芝@@可以@@提供@@分组出货@@，每卷产品@@的@@@@栅@@极@@@@阈值@@电压@@浮动范围为@@@@@@0.4V。但是@@@@不允许指定特定组别@@。请联系东芝@@销售@@代表@@了解更多信息@@。
[4] 请联系东芝@@销售@@代表@@了解更多信息@@。

如@@需了解有@@关@@新@@产品@@@@的@@@@更多信息@@@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
XPJR6604PB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v...

XPJ1R004PB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v...

如@@需了解东芝@@@@车载@@@@MOSFET的@@更多信息@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：

车载@@MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/aut...

*S-TOGLTM是@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@储存装置株式@@会社的@@商标@@。
*其他@@公司@@名称@@@@、产品@@名称@@和@@服务名称@@可能是@@其各自@@公司@@的@@商标@@。
*本文档中@@的@@@@产品@@价格和@@规格@@@@、服务内@@容和@@联系方式@@等@@信息@@，在@@公告之日仍为@@最新@@信息@@，但如@@有@@变更@@，恕不另行通知@@。

关于@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@

如@@需了解有@@关@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@的@@更多信息@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：https://toshiba-semicon-storage.com

适用于@@@@PD3.1标准@@的@@芯导科技@@@@MOSFET产品@@

judy — Mon, 14 Aug 2023 02:25:14 +0000

USB Promoter Group在@@2021年@@5月@@26日发布了@@USB PD3.1，PD3.1将原有@@@@PD3.0的@@标准@@功率@@范围@@扩大至@@扩展功率@@范围@@@@（EPR），最大功率@@覆盖可达@@@@240W。目前@@已经有@@越来越多的@@客户将产品@@功率@@段拓展到@@@@EPR。

USB PD3.1
(USB Power Delivery Specification Revision 3.1)

标准@@功率@@范围@@
(Standard Power Range，SPR)

扩展功率@@范围@@
(Extended Power Range, EPR)

芯导科技@@针对@@@@以@@上@@@@应用@@@@，研发了一@@系列@@功率@@@@器件@@产品@@@@，帮助客户快速可靠地设计@@出符合@@@@@@PD3.1规范的@@产品@@@@。

表@@1. PD3.1输出规格@@@@

以@@最常见的@@@@EPR-140W（28V5A）系统@@为@@例@@@@，在@@供电端@@PD3.1带来的@@影响@@@@主要体现在@@原有@@的@@输出最高@@电压@@由@@@@20V提升至@@@@28V。基于电源@@转化效率的@@考量@@，电源@@拓扑也会优先考虑@@PFC+LLC。适配@@28V输出的@@@@LLC同步整流@@MOS通常@@需要@@65V或@@更高@@的@@耐压@@器件@@才比较合@@适@@。

芯导科技@@的@@@@PSM8N065R3，具有@@@@65V耐压@@，2.5Ω的@@导通@@@@电阻@@@@@@，优异的@@@@FOM值@@，并且@@@@特别优化@@了适配@@同步整流@@控制@@器的@@门极驱动能力@@@@和@@开@@关@@EMI特性@@。这颗产品@@已经被多家客户选用@@，非常适合@@客户用来构建@@140W供电系统@@@@。

图@@1. LLC同步整流@@MOSFET - PSM8N065R3

EPR-140W系统@@的@@受电端@@，同样@@由@@于@@输出电压@@最大值@@@@由@@@@20V提升至@@@@28V，内@@部器件@@需要由@@原有@@的@@@@30V耐压@@提升至@@@@@@40V耐压@@。

芯导科技@@40V的@@系列@@@@MOSFET，比如@@@@PSM8PN04R4等@@产品@@专门针对@@@@受电设备@@的@@@@OVP应用@@，这个@@@@系列@@的@@产品@@使@@用@@@@DFN3333-8L和@@其他@@更小@@的@@封装@@@@，并且@@@@通过@@优化@@设计@@提高@@@@了@@@@EAS能力@@@@，使@@得器件@@可以@@承受更高@@的@@冲击能量@@，可以@@为@@客户@@140W受电系统@@保驾护航@@。

企业@@介绍@@

上@@海@@芯导电@@子@@科技股份有@@限公司@@@@@@(Prisemi)专注@@于高@@品质@@、高@@性能@@的@@模拟@@集成电路@@@@和@@功率@@@@器件@@的@@@@开@@发及@@销售@@@@，总部位于上@@海@@市张江科学城@@。

公司@@于@@2009年@@成立@@，至@@今已获国家级专精特新@@@@“小@@巨人@@”企业@@、“上@@海@@市规划布局@@内@@重点集成电路@@@@企业@@@@”、“高@@新@@技术企业@@@@”、“上@@海@@市科技小@@巨人@@企业@@@@”、“浦东新@@区@@重点研发机构@@”、“五大大中@@华创新@@@@IC设计@@公司@@@@”、“十大最佳国产芯片@@厂商@@”、“上@@海@@市三@@星级诚信创建企业@@@@”等@@荣誉资质@@，并已拥有@@百余项知识产权@@。公司@@已在@@上@@海@@证券交易所科创板上@@市@@，股票简称@@"芯导科技@@"，股票代码为@@@@688230.SH。

芯导科技@@专注@@于功率@@@@IC（锂电池充电@@管理@@ IC、OVP过压保护@@ IC、音频功率@@放大器@@、GaN 驱动与@@控制@@IC、DC/DC电源@@IC等@@）以@@及@@@@功率@@器件@@@@（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、Schottky等@@）的@@开@@发及@@应用@@@@。公司@@在@@深耕国内@@市场的@@同时@@@@@@，积极拓展海外市场@@，目前@@产品@@已远销欧美日韩及@@东南亚等@@国家与@@地区@@@@，在@@移动终端@@、网@@络通信@@@@、安防工控@@、储能@@、汽车@@电子@@@@、光伏逆变器@@等@@应用@@@@领域@@具有@@@@卓越的@@产品@@及@@整体方案优势@@。

Diodes推出@@符合@@@@汽车@@规格@@的@@碳化硅@@@@ MOSFET 产品@@，可提升车用子系统@@效率@@

judy — Wed, 19 Jul 2023 02:12:46 +0000

Diodes 公司@@ (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布@@@@推出@@@@ DMWSH120H90SM4Q 和@@ DMWSH120H28SM4Q 两款@@@@符合@@@@汽车@@规格@@的@@碳化硅@@@@ (SiC) MOSFET，进一@@步强@@化宽@@能隙@@ (Wide-Bandgap) 产品@@阵容@@。此@@系列@@@@ N 信道@@ MOSFET 产品@@可满足市场对@@@@ SiC 解决方案@@不断增长@@的@@需求@@@@，提升电动与@@混合@@动力@@汽车@@@@ (EV/HEV) 车用子系统@@的@@效率及@@功率@@密度@@，例如@@@@电池充电@@器@@、车载@@充电@@器@@ (OBC)、高@@效@@ DC-DC 转换器@@、马达驱动器及@@牵引@@变流器@@。

DMWSH120H90SM4Q 可在@@@@最高@@@@ 1200VDS 范围内@@安全可靠地运作@@，其闸极@@-源极@@ (Gate-Source) 电压@@ (Vgs) 为@@ +15/-4V，且@@在@@@@ 15Vgs 时@@具有@@@@@@ 75mΩ (典型@@值@@@@) 的@@ RDS(ON)规格@@。此@@装置适用于@@@@@@ OBC、汽车@@马达驱动器@@、EV/HEV 中@@的@@@@ DC-DC 转换器@@以@@及@@@@电池充电@@系统@@@@。

DMWSH120H28SM4Q 可在@@@@最高@@@@ 1200VDS、+15/-4Vgs 的@@条件下@@@@运作@@，且@@在@@@@ 15Vgs 时@@具有@@@@@@较低@@@@的@@@@@@ 20mΩ (典型@@值@@@@) RDS(ON)。此@@ MOSFET 适用于@@@@其他@@@@ EV/HEV 子系统@@中@@的@@@@马达驱动器@@、EV 牵引@@变流器及@@@@ DC-DC 转换器@@。凭借低@@@@ RDS(ON) 的@@特性@@@@，在@@需要高@@功率@@密度的@@产品@@应用@@中@@@@@@，此@@系列@@@@ MOSFET 能以@@较低@@@@的@@@@温度运作@@。

这两款@@@@产品@@@@均有@@低@@导热率@@ (RθJC=0.6°C/W)，DMWSH120H90SM4Q 的@@汲极@@ (Drain) 电流@@高@@至@@@@ 40A，DMWSH120H28SM4Q 的@@汲极@@电流@@高@@至@@@@@@ 100A。此@@系列@@@@也内@@建快速且@@稳健的@@本体二@@极管@@@@@@ (Body Diodes)，具有@@@@低@@反向复原电荷@@ (Qrr)，在@@ DMWSH120H90SM4Q 中@@为@@@@ 108.52nC，在@@ DMWSH120H28SM4Q 中@@为@@@@ 317.93nC，因此@@@@能够执行快速切换@@，同时@@@@降低@@@@功率@@损耗@@@@@@。

Diodes 采用@@平面制造技术开@@发出全新@@@@ MOSFET，能在@@汽车@@产品@@应用@@中@@@@提供@@强@@大与@@可靠的@@效能@@，提高@@@@汲极电流@@@@、崩溃@@ (Breakdown) 电压@@、接面温度及@@功率@@环形电路@@@@，表@@现优于先前发布的@@版本@@。此@@系列@@@@装置采用@@@@ TO247-4 (WH 型@@) 封装@@，提供@@额外的@@凯氏感测@@ (Kelvin-sensing) 接脚@@。可连接至@@源极@@以@@优化@@切换效能@@@@，实现更高@@的@@功率@@@@密度@@。

DMWSH120H90SM4Q 与@@ DMWSH120 H28SM4Q 均符合@@@@@@ AEC-Q101 标准@@，由@@ IATF 16949 认证@@的@@设施制造@@，并支持@@@@ PPAP 文件@@。

关于@@ Diodes Incorporated

Diodes 公司@@ (Nasdaq：DIOD) 是@@一@@家标准@@普尔小@@型@@股@@ 600 指数和@@罗素@@ 3000 指数成员公司@@@@，为@@汽车@@@@、工业@@、运算@@、消费@@性电子@@及@@通讯市场的@@全球公司@@提供@@高@@质量半导体产品@@@@。我们拥有@@丰富的@@@@产品@@组合@@@@以@@满足客户需求@@，内@@容包括@@分离@@、模拟@@、逻辑与@@混合@@讯号产品@@以@@及@@@@先进的@@封装@@技术@@。我们广泛提供@@特殊应用@@解决方案@@与@@解决方案@@导向销售@@@@，加上@@@@全球@@ 32 个@@据点涵盖工程@@、测试@@、制造与@@客户服务@@，使@@我们成为@@高@@产量@@、高@@成长@@的@@市场中@@成为@@优质供货商@@。详细信息请参阅@@ www.diodes.com 。

耗尽型@@@@功率@@@@MOSFET：被忽略的@@@@MOS产品@@

judy — Thu, 29 Jun 2023 07:06:59 +0000

作者@@：Littelfuse公司@@产品@@工程师@@Aalok Bhatt；产品@@总监@@José Padilla；产品@@经理@@Raymon Zhou

功率@@MOSFET最常用于@@开@@关型@@应用@@中@@@@@@，发挥着开@@关的@@作用@@。然而@@@@，在@@诸如@@@@@@SMPS的@@启动电路@@@@、浪涌和@@高@@压@@保护@@、防反接保护或@@固态继电器@@等@@应用@@@@中@@@@，当@@栅@@极@@到@@源极@@的@@电压@@@@VGS为@@零时@@@@，功率@@MOSFET需要作为@@@@常@@“开@@”开@@关运行@@。在@@VGS=0V时@@作为@@@@常@@ "开@@ "开@@关的@@功率@@@@@@MOSFET，称为@@@@耗尽型@@@@@@(depletion-mode ) MOSFET。

增强@@@@型@@@@和@@耗尽型@@@@@@@@MOSFET之间@@的@@@@区@@别@@

第@@一@@个@@主要的@@区@@别@@是@@增强@@@@型@@@@@@（EM）和@@耗尽型@@@@@@（DM）器件@@的@@@@电路@@图@@示@@，如@@图@@@@1所示@@。EM器件@@在@@@@VGS=0V时@@没有@@导通@@@@，而@@在@@达到@@栅@@极@@到@@源极@@阈值@@电压@@@@VGS(th)开@@始导通@@@@。相反@@地@@，DM器件@@的@@@@通道@@在@@@@VGS=0V时@@是@@完全导通@@的@@@@。对@@于@@EM器件@@，当@@VGS>VGS(th)时@@，漏极@@电流@@@@ID增加@@。对@@于@@DM器件@@，则当@@@@VGS>0时@@电流@@增加@@@@；EM器件@@在@@@@VGS

图@@1：增强@@@@型@@@@和@@耗尽型@@@@@@@@MOSFET之间@@的@@@@区@@别@@

在@@某些应用@@中@@@@@@，增强@@@@型@@@@EM器件@@不能取代耗尽型@@@@@@DM器件@@，因为@@@@它们在@@零栅@@极@@电压@@@@VGS截止@@。此@@外@@，在@@一@@些涉及@@耗尽型@@@@@@MOSFET器件@@的@@@@应用@@中@@@@@@，根本不需要使@@用@@栅@@极@@驱动@@电路@@@@，因为@@@@栅@@极@@@@从@@应用@@电路@@中@@@@获得了偏压@@。借助耗尽型@@@@@@MOSFET的@@线性型@@工作能力@@@@@@，可以@@节省@@整体系统@@成本@@，同时@@@@减低@@复杂性并提高@@@@可靠性@@@@。

耗尽型@@@@MOSFET产品@@

Littelfuse耗尽型@@@@功率@@@@MOSFET采用@@垂直双扩散@@MOSFET（DMOSFET）的@@结@@构@@@@。所有@@@@这些器件@@都能工作在@@线性型@@下@@@@，这要归功于扩展的@@正向偏置安全工作区@@@@@@（FBSOA），因而@@在@@终端应用@@中@@@@具有@@@@较高@@@@的@@@@可靠性@@[1][2]。Littelfuse耗尽型@@@@MOSFET有@@Depletion D、Depletion D2和@@Depletion CPC产品@@系列@@@@[4]，图@@2概述多样化的@@耗尽型@@@@@@(DM)产品@@组合@@@@。

图@@2：Littelfuse耗尽型@@@@MOSFET产品@@组合@@@@

与@@EM器件@@不同@@，DM器件@@并不用于@@高@@频应用@@@@。通常@@，除了@@线性@@MOSFET之外@@，EM器件@@不能够工作在@@线性型@@@@[1]；然而@@@@，所有@@@@D系列@@和@@@@D2系列@@DM器件@@均具有@@@@@@扩展的@@@@FBSOA，因此@@@@能够工作在@@线性型@@@@。目前@@正在@@开@@发@@额定电压@@为@@@@@@2500V的@@高@@压@@耗尽型@@@@@@MOSFET产品@@。高@@压@@（HV）测试@@设备@@@@、电源@@、斜坡信号发生器@@、绝缘电阻@@测试@@设备@@@@或@@高@@压@@输电系统@@的@@辅助电源@@等@@应用@@@@@@，都需要使@@用@@这类耗尽型@@@@@@MOSFET器件@@。图@@3说明@@Littelfuse耗尽型@@@@MOSFET在@@市场上@@占据领导地位@@。

图@@3：Littelfuse耗尽型@@@@MOSFET具有@@@@市场领导地位@@

耗尽型@@@@功率@@@@MOSFET的@@应用@@@@

以@@下@@是@@独特适合@@耗尽型@@@@@@MOSFET产品@@的@@@@应用@@@@[3]。

1. 开@@关型@@电源@@的@@@@启动电路@@@@@@ - SMPS

SMPS传统启动电路@@方法是@@通过@@功率@@电阻@@和@@齐纳二@@极管@@@@。在@@这种@@方法中@@@@，即@@使@@在@@启动阶段之后@@@@@@@@，功率@@电阻@@也会持续消耗功率@@@@，这导致@@PCB上@@的@@热量过高@@@@，工作效率低@@下@@@@，以@@及@@@@SMPS输入工作电压@@范围受到@@限制@@@@。可以@@采用@@基于耗尽型@@@@@@@@MOSFET的@@方法来替代@@，如@@图@@@@4所示@@。耗尽型@@@@MOSFET提供@@PWM IC所需的@@@@初始电流@@以@@启动运作@@。在@@启动阶段之后@@@@@@，辅助绕组将生成@@PWM IC所需的@@@@功率@@@@。在@@正常运行期间@@，耗尽型@@@@MOSFET由@@于@@静态电流@@较低@@@@@@，因而@@所消耗的@@功率@@@@最少@@@@。这种@@方法的@@主要优势是@@在@@启动序列操作之后@@@@的@@功耗理论值@@为@@零@@，从@@而@@提高@@@@了@@整体效率@@。此@@外@@，所占用的@@@@PCB面积更小@@@@，并可实现宽@@泛的@@直流输入电压@@@@范围@@，这对@@许多应用@@@@（如@@太阳能逆变器@@@@@@）是@@至@@关重要的@@@@。

图@@4：用于@@SMPS启动电路@@的@@耗尽型@@@@@@MOSFET

2. 线性电压@@调节器的@@浪涌保护@@

线性电压@@调节器为@@小@@型@@模拟@@电路@@@@、CMOS IC或@@其他@@任何需要低@@电流@@的@@负载提供@@电源@@@@，其输入电压@@@@@@Vin直接来自@@@@母线电压@@@@。这可能出现很大的@@电压@@变化@@，包括@@由@@于@@应用@@环境造成的@@电压@@尖峰@@@@。如@@图@@@@5所示@@，耗尽型@@@@MOSFET可用于@@在@@线性电压@@调节器电路@@中@@@@实施浪涌保护@@。这种@@MOSFET采用@@源极@@跟随器配置@@连接@@。源极@@上@@的@@电压@@将跟随栅@@极@@上@@的@@电压@@变化@@。耗尽型@@@@MOSFET的@@导通@@@@仅@@仅@@取决于栅@@极@@电压@@@@，而@@与@@漏极@@电压@@无关@@@@。这种@@配置@@用于@@减少@@电压@@瞬变@@，直至@@达到@@器件@@额定电压@@@@VDS耐受能力@@@@@@。基于耗尽型@@@@@@MOSFET解决方案@@的@@优点是@@具有@@@@宽@@泛的@@直流工作电压@@范围@@Vin，以@@及@@@@借助@@MOSFET低@@静态电流@@而@@实现的@@最小@@功耗@@。这种@@保护功能可用于@@通信@@应用@@@@，以@@减少@@浪涌造成的@@瞬变影响@@@@。也可用于@@汽车@@和@@航空电子@@应用@@@@，以@@减少@@由@@电感负载引@@起的@@瞬变@@。

图@@5：使@@用@@耗尽型@@@@@@MOSFET的@@浪涌保护电路@@@@

3. 恒流源@@

耗尽型@@@@MOSFET可用于@@实现恒流源@@@@，如@@图@@@@6所示@@。它根据@@电阻@@@@R值@@和@@栅@@极@@截止@@电压@@@@VGS(off)而@@向负载提供@@恒定的@@电流@@@@。因此@@@@，电流@@ID与@@电压@@@@Vin无关@@。这个@@@@电流@@相当@@于@@IDVGSoffR。这样@@的@@@@电流@@源可以@@在@@@@@@LED阵列驱动器@@、涓流充电@@电路@@中@@@@使@@用@@@@，以@@维持监控系统@@的@@电池电量@@，或@@者以@@恒流方式@@为@@电容@@器充电@@@@。

图@@6：使@@用@@耗尽型@@@@@@MOSFET的@@恒流源@@@@

4. 高@@压@@斜坡信号发生器@@@@

自@@动测试@@设@@备等@@应用@@@@需要在@@输出电压@@和@@时@@间之间@@保持线性关系的@@高@@压@@斜坡@@。可以@@配置@@耗尽型@@@@@@MOSFET来设计@@高@@压@@斜坡发生器@@，如@@图@@@@7所示@@。恒流源@@通过@@电阻@@@@R1给电容@@@@C充电@@，并产生@@电压@@斜坡@@，即@@电容@@上@@的@@@@Vout。可以@@通过@@@@控制信号开@@启线性@@MOSFET，以@@重置斜坡电压@@@@，可通过@@电阻@@@@R2将电容@@器放电@@至@@零@@。电阻@@R2用于@@限制@@线性@@MOSFET的@@放电@@电流@@@@，使@@其在@@@@SOA额定范围内@@工作@@。

图@@7：使@@用@@耗尽型@@@@@@MOSFET的@@高@@压@@斜坡发生器@@

5. 高@@压@@保护电路@@@@

耗尽型@@@@MOSFET可用于@@保护测量仪器@@，防止因测量探头意外连接到@@@@高@@压@@@@Vmeas而@@造成的@@破坏性高@@压@@@@（图@@8）。在@@这种@@情况下@@@@@@，采用@@背对@@背@@配置@@的@@@@MOSFET S1和@@S2将通过@@限制@@电流@@来保护仪器@@。这将对@@探头上@@的@@正电压@@和@@负电压@@提供@@保护@@。这种@@电路@@可用于@@台式@@或@@手持式@@仪器@@。

图@@8：使@@用@@耗尽型@@@@@@MOSFET的@@高@@压@@保护电路@@@@@@

6. 固态继电器@@

如@@图@@@@9所示@@，耗尽型@@@@MOSFET在@@实现以@@固态继电器@@@@（SSR）取代机械继电器@@（EMR）的@@负载开@@关@@方面表@@现出色@@。固态继电器@@的@@主要优点是@@不受磁场影响@@@@，由@@于@@没有@@机械触点而@@具有@@@@更高@@的@@可靠性@@，并且@@@@节省@@了@@PCB占用空间@@@@。医疗设备@@@@、工业@@自@@动化@@、测量和@@测试@@设备@@@@以@@及@@@@消费@@电子@@等@@应用@@@@都广泛使@@用@@固态继电器@@@@。

图@@9：使@@用@@耗尽型@@@@@@MOSFET的@@固态继电器@@@@

结@@论@@

要求@@在@@栅@@极@@电压@@为@@@@零时@@有@@电流@@的@@应用@@@@@@，均可以@@使@@用@@耗尽型@@@@@@@@MOSFET。尽管@@这些器件@@有@@许多实际@@应用@@@@，但几乎被人们忽略@@。Littelfuse提供@@最广泛的@@@@从@@@@60V到@@1700V电压@@范围的@@产品@@系列@@@@@@，我们是@@唯一@@一@@家提供@@大电流@@耗尽型@@@@@@MOSFET器件@@的@@@@制造商@@。本文所讲述的@@应用@@@@@@，将帮助设计@@人员在@@各种工业@@应用@@中@@@@选择使@@用@@这些器件@@以@@提高@@@@效@@率@@并增加@@系统@@的@@可靠性@@。

东芝@@推出@@@@100V N沟道@@功率@@@@MOSFET，助力@@实现电源@@电路@@小@@型@@化@@

judy — Thu, 29 Jun 2023 06:19:24 +0000

采用@@最新@@一@@代工艺@@@@，可提供@@低@@导通@@电阻@@@@@@和@@扩展的@@安全工作区@@@@@@

东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@（“东芝@@”）今日宣布@@@@，推出@@采用@@东芝@@最新@@一@@代@@U-MOS X-H工艺@@制造而@@成的@@@@100V N沟道@@功率@@@@MOSFET“TPH3R10AQM”。新@@款@@产品@@@@适用于@@@@数据中@@心@@@@@@和@@通信@@基站所用的@@工业@@设备@@电源@@@@线路上@@的@@开@@关@@电路@@和@@热插拔电路@@@@[1]等@@应用@@@@。该@@产品@@于今日开@@始支持@@批量出货@@。

TPH3R10AQM具有@@@@业界领先的@@@@@@[2]3.1mΩ最大漏极@@@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@，比东芝@@目前@@@@100V产品@@“TPH3R70APL”低@@16%[2]。通过@@同样@@的@@@@比较@@，TPH3R10AQM将安全工作区@@@@扩展了@@76%[3]，使@@其适合@@线性模式@@工作@@。而@@且@@@@降低@@@@导通@@电阻@@@@@@和@@扩大安全工作区@@@@的@@线性工作范围可以@@减少@@并联@@连接的@@数量@@。此@@外@@，其栅@@极@@阈值@@电压@@范围为@@@@@@2.5V至@@3.5V，不易因栅@@极@@电压@@噪声而@@发生故障@@。

新@@产品@@@@采用@@高@@度兼容的@@@@SOP Advance(N)封装@@。

未来@@，东芝@@将继续扩展@@其功率@@@@MOSFET产品@@线@@，通过@@减少@@损耗@@来提高@@@@电源@@效率@@@@，并帮助降低@@@@设备@@功耗@@。

应用@@
- 数据中@@心@@@@和@@通信@@基站等@@通信@@设备@@的@@电源@@@@@@
- 开@@关电源@@@@（高@@效@@率@@DC-DC转换器@@等@@@@）

特性@@
- 具有@@@@业界领先的@@@@@@[2]低@@导通@@电阻@@@@@@：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值@@@@）（VGS＝10V）
- 宽@@安全工作区@@@@@@
- 高@@额定结@@温@@@@：Tch（最大值@@@@）＝175℃

主要规格@@@@

（除非另有@@说明@@@@，Ta＝25℃）

器件@@型@@号@@			TPH3R10AQM
绝对@@最大@@额定值@@@@@@	漏极@@-源极@@电压@@@@VDSS（V）		100
	漏极@@电流@@@@（DC）ID（A）	Tc＝25℃	120
	结@@温@@Tch（℃）		175
电气特性@@@@	漏极@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@RDS(ON) 最大值@@@@（mΩ）	VGS＝10V	3.1
		VGS＝6V	6.0
	总栅@@极@@电荷@@（栅@@极@@-源极@@+栅@@极@@-漏极@@）Qg典型@@值@@@@（nC）		83
	栅@@极@@开@@关电荷@@Qsw典型@@值@@@@（nC）		32
	输出电荷@@Qoss典型@@值@@@@（nC）		88
	输入电容@@@@Ciss典型@@值@@@@（pF）		5180
封装@@	名称@@		SOP Advance(N)
	尺寸@@典型@@值@@@@@@（mm）		4.9×6.1
库存查询与@@购买@@			在@@线购买@@

注@@：
[1] 在@@设备@@运行时@@@@，在@@不关闭系统@@的@@情况下@@@@@@导通@@和@@关断@@系统@@部件的@@电路@@@@。
[2] 截至@@@@2023年@@6月@@的@@东芝@@调查@@@@。
[3] 脉冲@@宽@@度@@：tw＝10ms，VDS＝48V

如@@需了解有@@关@@新@@产品@@@@的@@@@更多信息@@@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
TPH3R10AQM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v...

如@@需了解东芝@@@@MOSFET产品@@的@@@@更多信息@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

如@@需了解有@@关@@新@@产品@@@@在@@线分销商网@@站的@@供货情况@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
TPH3R10AQM
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockc...

如@@需了解有@@关@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@的@@更多信息@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：https://toshiba-semicon-storage.com

东芝@@推出@@@@采用@@超级结@@结@@构@@的@@@@600V N沟道@@功率@@@@MOSFET，助力@@提高@@@@电源@@效率@@@@

judy — Tue, 13 Jun 2023 08:54:18 +0000

东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@（“东芝@@”）今日宣布@@@@，推出@@采用@@最新@@一@@代工艺@@@@制造@@[1]的@@TK055U60Z1，进一@@步扩充了@@N沟道@@功率@@@@MOSFET系列@@产品@@@@线@@。该@@器件@@采用@@超级结@@结@@构@@@@，耐压@@600V，适用于@@@@数据中@@心@@@@@@、开@@关电源@@@@和@@光伏发电机功率@@调节器@@@@。该@@新@@产品@@@@是@@东芝@@@@DTMOSVI系列@@中@@的@@@@首款@@@@600V产品@@，于今日开@@始批量出货@@。

通过@@对@@栅@@极@@设计@@和@@工艺@@进行优化@@@@，与@@具有@@@@相同@@漏源电压@@额定值@@@@@@的@@东芝@@目前@@的@@@@DTMOSIV-H系列@@产品@@@@相比@@@@，600V DTMOSVI系列@@产品@@@@的@@单位面积漏源导通@@电阻@@@@@@降低@@@@了@@@@约@@@@13%，漏源导通@@电阻@@@@@@×栅@@漏电荷@@@@（MOSFET性能@@的@@品质因数@@）降低@@@@了@@约@@@@52%。这有@@助于确保该@@系列@@产品@@@@实现导通@@损耗@@@@和@@开@@关损耗@@@@的@@双重降低@@@@@@，并最终实现了开@@关电源@@@@效率的@@提高@@@@@@。

该@@新@@产品@@@@采用@@@@TOLL封装@@，栅@@极@@驱动@@采用@@开@@尔文连接@@。可以@@通过@@@@降低@@@@封装@@中@@@@源极@@线电感的@@影响@@@@@@，增强@@@@MOSFET的@@高@@速开@@关性能@@@@，从@@而@@抑制开@@关过程中@@的@@@@振荡@@。

未来@@，东芝@@将继续扩展@@600V DTMOSVI系列@@产品@@@@线@@，以@@及@@@@已发布的@@@@650V DTMOSVI系列@@产品@@@@，并通过@@降低@@@@开@@关电源@@@@的@@功率@@@@损耗@@@@来达到@@节约@@节能的@@目的@@@@。

图@@1：漏极@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@与@@栅@@漏电荷@@@@比较@@

应用@@

数据中@@心@@@@（服务器@@开@@关电源@@@@等@@@@）

光伏发电机功率@@调节器@@

不间断电源@@系统@@@@

特性@@

低@@漏源导通@@电阻@@@@@@@@×栅@@漏电荷@@@@，有@@助于提高@@@@开@@关电源@@@@的@@效率@@

主要规格@@@@

注@@：
[1] 截至@@@@2023年@@6月@@

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功率@@MOSFET基本结@@构@@@@：平面结@@构@@@@

judy — Mon, 05 Jun 2023 07:18:35 +0000

作者@@：刘松@@，来源@@：松哥电源@@微信公众号@@

功率@@MOSFET即@@金属氧化物半导体场效应@@晶体管@@（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有@@三@@个@@管脚@@，分别为@@栅@@极@@@@@@（Gate），漏极@@（Drain）和@@源极@@@@（Source）。功率@@MOSFET为@@电压@@型@@控制器件@@@@，驱动电路@@简单@@，驱动的@@功率@@@@小@@@@，而@@且@@@@开@@关速度@@快@@，具有@@@@高@@的@@工作频率@@@@。常用的@@@@MOSFET的@@结@@构@@@@有@@@@：横向导电@@双扩散型@@场效应@@晶体管@@LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）、垂直导电@@双扩散型@@场效应@@晶体管@@（Planar MOSFET），沟槽型@@@@场效应@@晶体管@@（Trench MOSFET），超结@@结@@构@@场效应@@晶体管@@（Super Junction MOSFET），浮岛结@@构@@场效应@@晶体管等@@@@。

1、横向导电@@双扩散型@@场效应@@晶体管@@的@@结@@构@@@@@@

N沟道@@的@@横向导电@@双扩散型@@场效应@@晶体管@@的@@结@@构@@@@@@如@@图@@@@@@1所示@@，栅@@极@@，漏极@@和@@源极@@@@都在@@硅片的@@上@@表@@面@@，下@@部为@@衬底@@@@。栅@@极@@和@@源极@@@@加上@@@@正向电压@@后@@@@，在@@栅@@极@@的@@氧化层@@下@@面的@@@@P区@@吸附电子@@@@，栅@@极@@和@@源极@@@@正向电压@@大于@@一@@定的@@值@@@@时@@@@，P区@@紧靠栅@@极@@的@@氧化层@@的@@薄层@@中@@@@，局部的@@电子@@的@@浓度大于@@@@P区@@的@@空穴的@@浓度@@，从@@而@@形成@@@@“反型@@层@@@@”，也就是@@@@薄层@@由@@@@P型@@变成@@N型@@，电子@@就可以@@从@@源极@@通过@@反型@@层@@@@流向@@漏极@@@@，电流@@从@@漏极@@向源极@@流动@@@@，这个@@@@反型@@层@@@@就形成@@电流@@流过@@的@@通道@@也称@@为@@@@@@“沟道@@”。

电流@@从@@漏极@@流向@@源极@@时@@@@，电流@@在@@硅片内@@部横向流动@@@@，而@@且@@@@主要从@@硅片的@@上@@表@@层@@流过@@@@，因此@@@@没有@@充分应用@@芯片@@的@@尺寸@@@@；而@@且@@@@，这种@@结@@构@@的@@@@耐压@@@@，由@@栅@@极@@下@@面@@@@P层@@宽@@度和@@掺杂决定@@@@，这个@@@@区@@域@@同时@@@@也是@@导电@@的@@沟道@@@@，为@@了@@减小@@@@沟道@@的@@导通@@@@电阻@@@@@@@@，栅@@极@@下@@面@@P层@@宽@@度不可能过大@@，掺杂浓度也不可能太低@@@@，因此@@@@，其耐压@@通常@@也比较低@@@@@@，无法承受高@@的@@反向电压@@@@。另外@@，电流@@从@@芯片@@表@@面的@@薄层@@流过@@@@，即@@使@@是@@@@沟道@@的@@截面积增加@@@@，但芯片@@整体的@@截面积也不大@@，这样@@，芯片@@电流@@流过@@的@@截面积非常小@@@@，因此@@@@，导通@@电阻@@@@比较大@@，无法流过@@大的@@电流@@@@。这种@@结@@构@@的@@@@电压@@和@@电流@@的@@额定值@@@@都受到@@限制@@@@，无法用于@@功率@@电路@@@@。但这种@@结@@构@@具有@@@@低@@的@@电容@@@@，使@@用@@短沟道@@@@，因此@@@@开@@关速度@@快@@，主要适合@@低@@压应用@@@@，如@@微处理器@@、存储芯片@@@@，运放@@、数字电路@@及@@射频电路@@等@@@@。

图@@1 横向导电@@结@@构@@的@@@@MOSFET

在@@芯片@@制程工艺@@中@@@@，经常使@@用@@芯片@@或@@半导体的@@工艺@@尺寸@@@@，如@@3um、2um、1.5um、1um、0.8um、0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm，通常@@所说这个@@@@工艺@@尺寸@@@@，指的@@就是@@@@栅@@极@@@@Gate的@@宽@@度@@，也是@@沟槽宽@@度或@@者线宽@@@@，不是@@每个@@晶胞@@单元尺寸@@@@，如@@图@@@@2所示@@。沟槽宽@@度对@@应着漏极@@到@@源极@@的@@距离@@，沟槽宽@@度减小@@@@@@，载流子流动@@跨越沟道@@的@@导通@@@@时@@间减小@@@@@@，允许工作开@@关频率@@可以@@提高@@@@@@；沟槽宽@@度小@@@@，沟道@@开@@通所加栅@@极@@电压@@可以@@降低@@@@@@，导通@@更容易@@，开@@关损耗@@@@降低@@@@@@，同时@@@@，沟道@@导通@@@@电阻@@@@降低@@@@@@，降低@@@@导通@@损耗@@@@@@。但是@@@@，漏极@@和@@源极@@@@的@@间距不断减小@@@@@@，栅@@极@@下@@面@@接触面积越来越小@@@@@@，栅@@极@@对@@沟道@@的@@控制力@@就不断减弱@@，带来问题就是@@@@栅@@极@@电压@@为@@@@@@0时@@，漏极@@和@@源极@@@@的@@漏电流@@@@增加@@@@，导致器件@@性能@@恶化@@，增加@@了静态功耗@@。使@@用@@上@@下@@双栅@@极@@结@@构@@@@、鳍型@@结@@构@@@@（FinFET），就可以@@解决了短沟道@@效应@@这个@@@@问题@@，这样@@也促进了新@@一@@代芯片@@的@@工艺@@尺寸@@不断的@@降低@@@@@@，工艺@@水平不断提升@@。

图@@2 芯片@@工艺@@制程的@@线宽@@@@

单芯片@@的@@电源@@@@@@IC中@@，内@@部集成的@@功率@@@@@@MOSFET只能使@@用@@横向导电@@结@@构@@@@，因为@@@@所有@@@@的@@引@@脚都在@@芯片@@的@@表@@面@@。为@@了@@解决漏极@@和@@源极@@@@的@@耐压@@比较低@@@@的@@@@问题@@，必须对@@上@@面的@@结@@构@@@@进行改进@@。因为@@@@外加电压@@的@@正端加到@@@@MOSFET的@@漏极@@@@，如@@果@@在@@@@高@@掺杂的@@漏极@@@@@@N+和@@P区@@的@@沟道@@之间@@@@，增加@@一@@个@@低@@掺杂的@@@@N-区@@域@@，如@@图@@@@3所示@@，因为@@@@N-和@@N+为@@相同@@的@@半导体类型@@@@，不影响@@电流@@导通@@的@@回路@@，电流@@可以@@直接从@@@@N+流向@@N-；尽管@@N-为@@低@@掺杂@@，但是@@@@，其电阻@@率低@@于沟道@@@@，这样@@，通过@@调整@@其掺杂浓度和@@宽@@度@@，就得到@@较高@@@@的@@@@反向电压@@@@，同时@@@@控制其导通@@电阻@@@@在@@设计@@的@@范围内@@@@，这种@@结@@构@@就可以@@流过@@大电流@@@@，应用@@于功率@@电路@@@@。

图@@3 横向导电@@的@@功率@@@@@@MOSFET

在@@漏极@@@@N+和@@P-体区@@@@之间@@增加@@的@@@@N-层@@，称为@@@@“漂移层@@@@（Drift Layer）”，也称@@为@@@@“外延层@@@@（Epi Layer）”。当@@漏极@@和@@源极@@@@之间@@加上@@@@电压@@时@@@@，P区@@掺杂浓度高@@@@，耗尽层@@主要在@@@@N-层@@的@@漂移层@@@@中@@@@扩展@@，漏极@@和@@源极@@@@的@@阻断电压@@@@，几乎完全依赖漂移层@@@@的@@宽@@度@@和@@掺杂浓度@@。

使@@用@@N-漂移层@@@@作为@@@@衬底@@@@，在@@N-漂移层@@@@中@@@@，通过@@2次的@@扩散就可以@@形成@@图@@@@3的@@结@@构@@@@：第@@1次扩散制作出@@P阱@@，也称@@为@@@@P-体区@@@@（P-Body）；然后@@@@，在@@P-体区@@@@的@@内@@部@@@@，第@@2次扩散制作出@@N+源极@@。因此@@@@，这种@@结@@构@@称为@@@@横向导电@@双扩散型@@功率@@@@MOSFET，LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）。

尽管@@P区@@多数载流子@@（多子@@）为@@空穴@@，在@@P区@@内@@部局部区@@域@@进行扩散掺杂@@，只要掺杂的@@@@5价元素的@@浓度@@，大于@@P区@@原来@@3价元素的@@掺杂浓度@@，那么@@，在@@这个@@@@局部区@@域@@的@@电子@@的@@浓度就大于@@空穴@@，从@@而@@转变为@@@@N型@@半导体@@。因此@@@@，判断是@@@@N型@@半导体@@还是@@@@@@P型@@半导体@@，掺杂几价的@@元素不是@@关键@@，主要的@@依据是@@电子@@浓度和@@空穴浓度@@。如@@果@@一@@个@@区@@域@@中@@@@，电子@@浓度高@@于空穴浓度@@，那么@@，多子@@是@@电子@@@@，少@@子是@@空穴@@，就是@@@@N型@@半导体@@，反之@@就是@@@@@@P型@@半导体@@。

2、垂直导电@@双扩散型@@场效应@@晶体管@@的@@结@@构@@@@@@

芯片@@的@@厚度@@@@非常薄@@，而@@芯片@@的@@面积@@，相对@@的@@尺寸@@比较大@@，图@@3中@@，电流@@依然是@@在@@芯片@@的@@上@@表@@层@@@@，横向水平从@@漏极@@流向@@源极@@@@，电流@@流过@@的@@截面积小@@@@，导通@@电阻@@@@大@@，芯片@@的@@尺寸@@没有@@充分得到@@利用@@@@；同时@@@@，为@@了@@提高@@@@漏极@@和@@源极@@@@的@@耐压@@@@，N-层@@漂移层@@@@的@@宽@@度@@必须增加@@@@，这样@@进一@@步增加@@了导通@@电阻@@@@@@，限制@@了芯片@@流过@@电流@@的@@能力@@@@@@，因此@@@@，如@@果@@设计@@高@@压@@大电流@@的@@@@LDMOS，芯片@@的@@尺寸@@将非常大@@，成本非常高@@@@。所以@@@@，LDMOS只用在@@低@@压@@、较小@@电流@@的@@单芯片@@电源@@@@IC里面@@。

如@@果@@把@@图@@@@3的@@结@@构@@@@中@@@@MOSFET的@@漏极@@@@N+区@@，移到@@衬底@@的@@底部@@，漏极@@通过@@衬底@@的@@下@@表@@面引@@出@@， MOSFET导通@@后@@@@，电流@@就可以@@从@@衬底@@底部的@@@@漏极@@@@垂直流向@@顶部的@@源极@@@@@@，电流@@在@@芯片@@内@@部垂直流动@@@@，而@@且@@@@电流@@流过@@芯片@@整个@@水平的@@截面积@@，由@@于@@芯片@@水平截面积较大@@，导通@@电阻@@@@小@@@@，这样@@，就可以@@提高@@@@@@MOSFET通过@@电流@@的@@能力@@@@@@，如@@图@@@@4所示@@。

图@@4 垂直导电@@的@@功率@@@@@@MOSFET

这种@@结@@构@@中@@@@，N-外延层@@@@的@@掺杂浓度越低@@@@、厚度@@越大@@@@，漏极@@和@@源极@@@@的@@耐压@@值@@越高@@@@@@，导通@@电阻@@@@越大@@@@@@；反之@@，掺杂浓度越高@@@@@@、厚度@@越小@@@@@@，耐压@@值@@越低@@@@，导通@@电阻@@@@越小@@@@@@。因此@@@@，通过@@调整@@N-外延层@@@@的@@掺杂浓度和@@厚度@@@@，就可以@@保证耐压@@值@@达到@@要求@@@@，同时@@@@，导通@@电阻@@@@也满足设计@@的@@要求@@@@。

这种@@结@@构@@的@@@@N沟道@@功率@@@@MOSFET，使@@用@@衬底@@为@@高@@掺杂的@@@@N+衬底@@，高@@掺杂衬底@@部分的@@电阻@@小@@@@；然后@@@@在@@@@N+衬底@@上@@制作出低@@掺杂@@、高@@纯度@@、一@@致性非常好@@的@@@@N-的@@外延层@@@@@@。然后@@@@，在@@N-的@@外延层@@@@@@中@@@@，同样@@的@@@@通过@@@@2次扩散掺杂@@，制作出两个@@@@连续的@@@@P-体区@@@@以@@及@@@@在@@二@@个@@@@P-体区@@@@内@@部的@@@@N+源极@@区@@@@。在@@芯片@@表@@面制作出薄的@@高@@质量的@@栅@@极@@@@氧化物@@，在@@氧化物上@@面沉积多晶硅栅@@极@@材料@@，沟道@@在@@栅@@极@@氧化物下@@面的@@@@P-体区@@@@中@@形成@@@@，源极@@和@@漏极@@区@@沉积金属材料@@，就完成了这种@@结@@构@@的@@@@生产@@@@。这种@@结@@构@@的@@@@电流@@从@@下@@到@@上@@垂直流过@@@@，通过@@2次扩散掺杂@@加工@@，因此@@@@，称为@@@@垂直导电@@双扩散功率@@@@MOSFET。在@@加工过程中@@@@，这种@@结@@构@@没有@@挖沟槽@@，采用@@的@@是@@平面的@@工艺@@@@，也称@@平面结@@构@@@@的@@功率@@@@@@@@MOSFET。

其工作原理是@@@@：栅@@极@@和@@源极@@@@间加正向电压@@@@，P区@@中@@的@@@@少@@数载流子@@@@，即@@少@@子@@，也就是@@@@电子@@@@，被电场吸引@@到@@栅@@极@@下@@面@@的@@@@P区@@的@@上@@表@@面@@，随着@@栅@@极@@和@@源极@@@@正向偏置电压@@的@@增加@@@@，更多的@@电子@@被吸引@@到@@这个@@@@表@@面的@@薄层@@区@@域@@@@，这样@@本地的@@电子@@密度要大于@@空穴@@，从@@而@@出现@@“反转@@”，形成@@反型@@层@@@@@@，半导体材料从@@@@P型@@变成@@N型@@，形成@@N型@@“沟道@@”，电流@@可以@@直接通@@过漏极@@的@@@@N+区@@、N-外延层@@@@、栅@@极@@下@@面@@N型@@沟道@@@@，流到@@源极@@的@@@@N+型@@区@@@@。

实际@@上@@@@，在@@上@@面的@@结@@构@@@@图@@中@@@@@@，示意的@@只是@@功率@@@@MOSFET内@@部一@@个@@单元的@@结@@构@@@@@@，也称@@“晶胞@@”。功率@@MOSFET的@@内@@部@@，由@@许多这样@@的@@@@单元@@，也称@@“晶胞@@”，并联@@而@@成@@。芯片@@的@@面积越大@@@@，所能加工出的@@单元越多@@，器件@@的@@@@导通@@电阻@@@@@@越小@@@@@@@@，能够通过@@的@@电流@@就越大@@@@@@；同样@@，在@@单位的@@面积的@@芯片@@上@@@@，能够加工的@@晶胞@@越多@@，也就是@@@@晶胞@@单位密度越大@@@@，器件@@的@@@@导通@@电阻@@@@@@也就越小@@@@@@。器件@@的@@@@导通@@电阻@@@@@@越小@@@@@@@@，通过@@电流@@的@@能力@@@@@@就越大@@@@@@，电流@@额定值@@@@也就越大@@@@@@。

在@@这种@@结@@构@@中@@@@@@，栅@@极@@下@@面@@的@@区@@域@@没有@@流过@@功率@@主回路的@@大电流@@@@，因此@@@@栅@@极@@下@@面@@占用的@@部分芯片@@的@@面积不能充分得到@@应用@@@@，也影响@@到@@能够加工的@@晶胞@@单位密度的@@最大值@@@@@@；栅@@极@@的@@面积大@@，寄生@@电容@@@@Crss就越大@@@@，因此@@@@开@@关性能@@较差@@，开@@关损耗@@@@大@@；同时@@@@，结@@构@@内@@在@@的@@@@JFET效应@@，导致导通@@电阻@@@@也偏大@@。但是@@@@，这种@@结@@构@@的@@@@功率@@@@MOSFET，工艺@@非常简单@@，单元的@@一@@致性较好@@@@，因此@@@@它的@@跨导的@@特性@@@@比较好@@@@，雪崩能量比较高@@@@@@，同时@@@@寄生@@电容@@@@也较大@@，主要应用@@于高@@压@@的@@功率@@@@@@MOSFET和@@开@@关频率@@不太高@@的@@中@@压功率@@@@MOSFET。

图@@5 平面结@@构@@@@的@@功率@@@@@@MOSFET

图@@6 平面结@@构@@@@的@@功率@@@@@@MOSFET立体图@@@@

图@@7 平面结@@构@@@@的@@功率@@@@@@MOSFET截面图@@@@

在@@图@@@@4中@@，栅@@极@@氧化层@@的@@的@@下@@面是@@@@N-外延区@@@@，在@@其二@@侧是@@二@@个@@@@P-体区@@@@，这种@@结@@构@@内@@在@@的@@@@就形成@@了一@@个@@@@JFET，如@@图@@@@8所示@@，产生@@JFET效应@@。N-区@@和@@二@@侧@@P区@@，形成@@PN结@@，产生@@耗尽层@@和@@空间@@电荷区@@@@。即@@使@@是@@@@在@@功率@@@@MOSFET导通@@的@@时@@候@@，这个@@@@耗尽层@@依然存在@@@@，那么@@，电流@@主要从@@二@@个@@@@P区@@之间@@非耗尽层@@的@@区@@域@@流过@@@@，相当@@于实际@@能通过@@电流@@的@@截面积减小@@@@@@，也就是@@@@相当@@于导通@@电阻@@@@变大@@@@，因为@@@@JFET效应@@增大@@的@@电阻@@@@，称为@@@@JFET电阻@@。耗尽层@@越宽@@@@，电流@@的@@通道@@面积越小@@@@@@，JFET效应@@越明显@@，JFET电阻@@越大@@@@。耗尽层@@的@@宽@@度@@@@，和@@JFET的@@栅@@极@@@@（P区@@）到@@JFET的@@源极@@@@（N-外延层@@@@最上@@部区@@域@@@@）的@@电压@@绝对@@值@@有@@关@@@@，这个@@@@电压@@绝对@@值@@为@@@@0，耗尽层@@非常窄@@，JFET电阻@@非常小@@@@；这个@@@@电压@@绝对@@值@@升高@@@@，耗尽层@@变宽@@@@，JFET电阻@@变大@@。当@@然@@，JFET电阻@@也受功率@@@@MOSFET的@@漏极@@@@和@@源极@@@@导通@@电压@@的@@影响@@@@@@。

图@@8 JFET的@@结@@构@@@@

MOSFET

东芝@@推出@@@@具有@@@@更低@@@@导通@@电阻@@@@@@的@@小@@型@@化超薄@@封装@@共@@漏极@@@@@@MOSFET，适用于@@@@快充设备@@@@

judy — Thu, 18 May 2023 06:35:18 +0000

东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@宣布@@@@，推出@@额定电流@@@@为@@@@20A的@@12V共@@漏极@@@@N沟道@@MOSFET“SSM14N956L”，该@@器件@@可用于@@移动设备@@锂离子@@（Li-ion）电池组中@@的@@@@电池保护电路@@@@。该@@产品@@于今日开@@始支持@@批量出货@@。

锂离子电池组依靠高@@度稳定的@@保护电路@@来减少@@充放电@@时@@产生@@的@@热量@@，以@@提高@@@@安全性@@。这些电路@@必须具有@@@@低@@功耗和@@高@@密度封装@@的@@@@特性@@@@@@，同时@@@@要求@@@@MOSFET小@@巧纤薄@@，且@@具有@@@@更低@@@@的@@导通@@@@电阻@@@@@@@@@@。

SSM14N956L采用@@东芝@@专用的@@微加工工艺@@@@，已经发布的@@@@SSM10N954L也采用@@该@@技术@@。凭借业界领先@@[1]的@@低@@导通@@电阻@@@@@@特性@@实现了低@@功耗@@，而@@业界领先@@[1]的@@低@@栅@@源漏电流@@@@@@@@特性@@又保证了低@@待机功耗@@。这些特性@@有@@助于延长@@电池的@@使@@用@@时@@间@@。此@@外@@，新@@产品@@@@还采用@@@@了一@@种新@@型@@@@的@@小@@巧纤薄@@的@@@@封装@@@@TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度@@＝0.085mm（典型@@值@@@@）。

东芝@@将继续开@@发用于@@锂离子电池组供电设备@@中@@的@@@@保护电路@@的@@@@MOSFET产品@@。

应用@@

- 家用电器采用@@锂离子电池组的@@消费@@类电子@@产品@@以@@及@@@@办公和@@个@@人设备@@@@，包括@@智能手机@@@@、平板电脑@@、充电@@宝@@、可穿戴设备@@@@、游戏控制器@@、电动牙刷@@、迷你数码相机@@、数码单反相机等@@@@。

特性@@

- 业界领先的@@@@[1]低@@导通@@电阻@@@@@@：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型@@值@@@@）@VGS＝3.8V

- 业界领先的@@@@[1]低@@栅@@源漏电流@@@@@@@@：IGSS＝±1μA（最大值@@@@）@VGS＝±8V

- 小@@型@@化超薄@@TCSPED-302701封装@@：2.74mm×3.0mm，厚度@@＝0.085mm（典型@@值@@@@）

- 共@@漏极@@@@结@@构@@@@，可方便地用于@@电池保护电路@@@@

主要规格@@@@

（除非另有@@说明@@@@，Ta＝25℃）

器件@@型@@号@@			SSM14N956L	SSM10N954L[2]
配置@@			N沟道@@共@@漏@@极@@
绝对@@最大@@额定值@@@@@@	源极@@-源极@@电压@@@@VSSS（V）		12
	栅@@极@@-源极@@电压@@@@VGSS（V）		±8
	源极@@电流@@@@（DC）IS（A）		20.0	13.5
电气特性@@@@	栅@@源漏电流@@@@@@IGSS 最大值@@@@（μA）	@VGS＝±8V		±1
	源极@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@RSS(ON) 典型@@值@@@@（mΩ）	@VGS＝4.5V	1.00	2.1
		@VGS＝3.8V	1.10	2.2
		@VGS＝3.1V	1.25	2.4
		@VGS＝2.5V	1.60	3.1
封装@@	名称@@		TCSPED-302701	TCSPAC-153001
	尺寸@@典型@@值@@@@@@（mm）		2.74×3，厚度@@＝0.085	1.49×2.98，厚度@@＝0.11
库存查询与@@购买@@			在@@线购买@@	在@@线购买@@

[1] 截至@@@@2023年@@5月@@的@@东芝@@调查@@@@，与@@相同@@额定值@@@@的@@产品@@进行比较@@。
[2] 已发布产品@@@@。

如@@需了解有@@关@@新@@产品@@@@的@@@@更多信息@@@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
SSM14N956L
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关于@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@
东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@是@@先进的@@半导体和@@存储解决方案@@的@@领先供应商@@，公司@@累积了半个@@多世纪的@@经验和@@创新@@@@，为@@客户和@@合@@作伙伴提供@@分立半导体@@、系统@@LSI和@@HDD领域的@@杰出解决方案@@@@。
公司@@23,100名员工@@遍布世界各地@@，致力@@于实现产品@@价值@@的@@最大化@@，东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@十分注@@重与@@客户的@@密切协作@@，旨在@@促进价值@@共@@创@@，共@@同开@@拓新@@市场@@，公司@@现已拥有@@超过@@7,110亿日元@@@@（62亿美元@@）的@@年@@销售@@额@@，期待为@@世界各地的@@人们建设更美好@@的@@未来@@并做出贡献@@。
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ROHM推出@@超低@@导通@@电阻@@@@@@的@@@@Nch MOSFET

judy — Fri, 21 Apr 2023 09:27:21 +0000

新@@推出@@@@40V～150V耐压@@的@@共@@@@13款@@产品@@@@，非常适用于@@@@工业@@设备@@电源@@@@和@@各种电机驱动@@@@

全球知名半导体制造商@@ROHM（总部位于日本京都市@@）新@@推出@@@@“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列@@”共@@13款@@Nch MOSFET*1产品@@（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品@@非常适合@@驱动以@@@@24V、36V、48V级电源@@供电的@@应用@@@@@@，例如@@@@基站和@@服务器@@用的@@电源@@@@@@、工业@@和@@消费@@电子@@设备@@用的@@电机等@@@@。

近年@@来@@，全球电力@@需求量持续增长@@@@，如@@何有@@效利用@@电力@@已成为@@迫在@@眉睫的@@课题@@，这就要求@@不断提高@@@@各种电机和@@基站@@、服务器@@等@@工业@@设备@@的@@工作效率@@。在@@这些应用@@中@@@@@@@@，中@@等@@耐压@@的@@@@MOSFET被广泛应用@@于各种电路@@中@@@@@@，制造商要求@@进一@@步降低@@@@功耗@@。另一@@方面@@，“导通@@电阻@@@@”和@@“Qgd”是@@引@@起@@MOSFET功率@@损耗@@@@的@@两项主要参数@@，但对@@于@@普通@@的@@@@MOSFET而@@言@@@@，由@@于@@导通@@电阻@@@@与@@芯片@@尺寸@@成反比@@，Qgd会成比例增加@@@@，因此@@@@很难同时@@@@兼顾这两项参数@@。针对@@@@这个@@@@课题@@，ROHM通过@@微细化工艺@@@@、采用@@铜夹片@@连接@@、改进栅@@极@@结@@构@@等@@措施@@，改善了@@两者之间@@的@@@@权衡关系@@。

新@@产品@@@@不仅@@利用@@微细化工艺@@提高@@@@了@@器件@@性能@@@@，还通过@@采用@@低@@阻值@@铜夹片@@连接的@@@@HSOP8封装@@和@@@@HSMT8封装@@，实现了仅@@@@2.1mΩ的@@业界超低@@导通@@电阻@@@@@@@@（Ron）*2，相比@@以@@往产品@@@@，导通@@电阻@@@@降低@@@@了@@@@50%。另外@@，通过@@改进栅@@极@@结@@构@@@@，Qgd*3（栅@@-漏电荷@@，通常@@与@@导通@@电阻@@@@之间@@存在@@权衡关系@@）也比以@@往产品@@减少@@了约@@@@40%（Ron和@@Qgd均为@@@@耐压@@@@60V的@@HSOP8封装@@产品@@@@之间@@的@@@@比较@@）。这可以@@降低@@@@开@@关损耗@@@@@@和@@导通@@损耗@@@@@@，非常有@@助于各种应用@@产品@@的@@@@高@@效@@率@@工作@@。例如@@@@，当@@在@@工业@@设备@@用电源@@评估板上@@比较电源@@效率时@@@@，新@@产品@@@@在@@稳态工作时@@的@@@@输出电流@@范围内@@@@，实现了业界超高@@的@@电源@@@@效率@@（峰值@@时@@高@@达约@@@@95%）。

新@@产品@@@@已于@@2023年@@1月@@开@@始@@暂以@@月@@产@@100万个@@@@的@@规模投入量产@@@@（样品价格@@500日元@@/个@@，不含税@@）。另外@@，新@@产品@@@@也已开@@始电商销售@@@@，从@@Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC等@@电商平台@@均可购买@@。

未来@@，ROHM将继续开@@发导通@@电阻@@@@更低@@@@@@的@@@@MOSFET，通过@@助力@@各种设备@@降低@@@@功耗和@@更加节能@@，为@@环境保护等@@社会问题贡献力@@量@@。

产品@@阵容@@

应用@@示例@@@@

◇通信@@基站和@@服务器@@用的@@电源@@@@@@

◇工业@@和@@消费@@电子@@产品@@用的@@电机@@

以@@及@@@@其他@@各种设备@@的@@电源@@@@电路@@和@@电机驱动@@@@。

电商销售@@信息@@

起售时@@间@@：2023年@@4月@@开@@始@@

电商平台@@：Ameya360，Sekorm， Oneyac，RightIC

在@@其他@@电商平台@@也将逐步发售@@。

术语解说@@

*1) Nch MOSFET

通过@@向栅@@极@@施加相对@@于@@源极@@为@@正的@@电压@@而@@导通@@的@@@@MOSFET。

与@@Pch MOSFET相比@@，由@@于@@Nch MOSFET具有@@@@更低@@@@的@@导通@@@@电阻@@@@@@@@，并且@@@@在@@各种电路@@中@@@@具有@@@@更出色@@的@@易用性@@，因而@@目前@@在@@市场上@@更受欢迎@@。

*2) 导通@@电阻@@@@（Ron）

MOSFET导通@@时@@漏极@@和@@源极@@@@之间@@的@@@@电阻@@值@@@@。该@@值@@越小@@@@@@，导通@@时@@的@@@@功率@@@@损耗@@@@越少@@@@@@。

*3) Qgd（栅@@-漏电荷@@）

MOSFET开@@始导通@@@@后@@@@，栅@@极@@和@@漏极@@间的@@电容@@充电@@期间的@@电荷量@@。该@@值@@越小@@@@@@，开@@关速度@@越快@@，开@@关时@@的@@@@损耗@@@@（功率@@损耗@@@@）越小@@@@。

关于@@罗姆@@@@（ROHM）

罗姆@@（ROHM）成立于@@1958年@@，由@@起初的@@主要产品@@@@-电阻@@器的@@生产@@开@@始@@，历经半个@@多世纪的@@发展@@，已成为@@世界知名的@@半导体厂商@@。罗姆@@的@@企业@@理念是@@@@：“我们始终将产品@@质量放在@@第@@一@@位@@。无论遇到@@多大的@@困难@@，都将为@@国内@@外用户源源不断地提供@@大量优质产品@@@@，并为@@文化的@@进步与@@提高@@@@作出贡献@@”。

罗姆@@的@@生产@@@@、销售@@、研发网@@络分布于世界各地@@。产品@@涉及@@多个@@领域@@，其中@@@@包括@@@@IC、分立式@@元器件@@@@、光学元器件@@@@、无源元器件@@@@、功率@@元器件@@@@、模块@@等@@@@。在@@世界电子@@行业中@@@@，罗姆@@的@@众多高@@品质产品@@得到@@了市场的@@许可和@@赞许@@，成为@@系统@@@@IC和@@先进半导体技术方面的@@主导企业@@@@。

Diodes推出@@功率@@密度更高@@的@@工业@@级碳化硅@@@@ MOSFET

judy — Thu, 13 Apr 2023 01:51:39 +0000

Diodes 公司@@ (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出@@碳化硅@@@@ (SiC) 系列@@最新@@产品@@@@@@：DMWS120H100SM4 N 通道@@碳化硅@@@@ MOSFET。这款@@@@装置可以@@满足工业@@马达驱动@@、太阳能逆变器@@@@、数据中@@心@@@@及@@电信电源@@供应@@、直流对@@直流@@ (DC-DC) 转换器@@和@@电动车@@ (EV) 电池充电@@器等@@@@应用@@@@，对@@更高@@效@@率@@与@@更高@@功率@@密度的@@需求@@@@。

DMWS120H100SM4 在@@高@@电压@@@@ (1200V) 和@@汲极电流@@@@ (可达@@ 37A) 的@@条件下@@@@运作@@，同时@@@@维持低@@导热性@@ (RθJC = 0.6°C/W)，非常适合@@用于@@@@在@@恶劣环境中@@运作的@@@@应用@@@@。这款@@@@ MOSFET 的@@ RDS(ON) (典型@@值@@@@) 很低@@@@，仅@@ 80mΩ (对@@于@@ 15V 的@@闸极驱动@@)，能将传导耗损降至@@最低@@@@，并提高@@@@效@@率@@@@。而@@这款@@@@装置的@@闸极电荷仅@@@@ 52nC，可减少@@开@@关耗损与@@降低@@@@封装@@温度@@。

本产品@@是@@市场上@@首款@@采用@@@@ TO247-4 封装@@的@@@@碳化硅@@@@ MOSFET。额外的@@凯尔文感应接脚@@可以@@接到@@@@ MOSFET 的@@源极@@@@，以@@优化@@切换效能@@，达到@@更高@@的@@功率@@@@密度@@。

关于@@ Diodes Incorporated

MOSFET与@@IGBT的@@区@@别@@

judy — Thu, 06 Apr 2023 06:49:15 +0000

由@@于@@MOSFET的@@结@@构@@@@，通常@@它可以@@做到@@电流@@很大@@，可以@@到@@上@@@@KA，但耐压@@能力@@@@没有@@@@IGBT强@@。

IGBT可以@@做很大功率@@@@，电流@@和@@电压@@都可以@@@@，就是@@@@一@@点频率不是@@太高@@@@，目前@@IGBT硬开@@关速度@@可以@@到@@@@100KHZ，那已经是@@不错了@@。不过@@相对@@于@@@@MOSFET的@@工作频率@@还是@@@@九牛一@@毛@@，MOSFET可以@@工作到@@几百@@KHZ，上@@MHZ，以@@至@@几十@@MHZ。

就其应用@@@@：根据@@其特点@@MOSFET应用@@于开@@关电源@@@@@@,镇流器@@,高@@频感应加热@@@@；高@@频逆变焊机@@；通信@@电源@@等@@等@@高@@频电源@@领域@@；IGBT集中@@应用@@于焊机@@，逆变器@@，变频器@@，电镀电解电源@@@@，超音频感应加热@@等@@领域@@。

开@@关电源@@@@(SMPS) 的@@性能@@@@在@@很大程度上@@依赖于功率@@半导体器件@@的@@@@选择@@，即@@开@@关管和@@整流器@@@@。

虽然@@没有@@万全的@@方案来解决选择@@IGBT还是@@@@MOSFET的@@问题@@，但针对@@@@特定@@SMPS应用@@中@@@@的@@@@IGBT 和@@ MOSFET进行性能@@比较@@，确定关键参数的@@范围还是@@@@能起到@@一@@定的@@参考作用@@。

本文将对@@一@@些参数进行探讨@@，如@@硬开@@关和@@软开@@关@@ZVS(零电压@@转换@@) 拓扑中@@的@@@@开@@关@@损耗@@@@@@，并对@@电路@@和@@器件@@特性@@相关的@@三@@个@@主要功率@@开@@关损耗@@@@@@—导通@@损耗@@@@、传导损耗@@@@和@@关断@@损耗@@@@进行描述@@。此@@外@@，还通过@@举例说明@@@@二@@极管@@的@@恢复特性@@是@@决定@@@@MOSFET 或@@ IGBT导通@@开@@关损耗@@@@的@@主要因素@@，讨论二@@极管@@恢复性能@@对@@于@@硬开@@关@@拓扑的@@影响@@@@@@。

导通@@损耗@@@@

除了@@IGBT的@@电压@@下@@降时@@间较长@@外@@，IGBT和@@功率@@@@MOSFET的@@导通@@@@特性@@十分类似@@。由@@基本的@@@@IGBT等@@效电路@@@@（见图@@@@1）可看出@@，完全调节@@PNP BJT集电极基极区@@的@@少@@数载流子@@所需的@@@@时@@间导致了导通@@电压@@拖尾出现@@。

这种@@延迟引@@起了类饱和@@效应@@@@，使@@集电极@@/发射极电压@@不能立即@@下@@降到@@其@@VCE(sat)值@@。这种@@效应@@也导致了在@@@@ZVS情况下@@@@，在@@负载电流@@从@@组合@@封装@@的@@@@反向并联@@二@@极管@@转换到@@@@@@IGBT的@@集电极的@@瞬间@@，VCE电压@@会上@@升@@。IGBT产品@@规格@@书中@@@@列出的@@@@Eon能耗是@@每一@@转换周@@期@@Icollector与@@VCE乘积@@的@@时@@间积分@@，单位为@@焦耳@@，包含@@了与@@类饱和@@相关的@@其他@@损耗@@@@。其又分为@@两个@@@@@@Eon能量参数@@，Eon1和@@Eon2。Eon1是@@没有@@包括@@与@@硬开@@关二@@极管@@恢复损耗@@相关能耗的@@功率@@@@损耗@@@@@@；Eon2则包括@@了与@@二@@极管@@恢复相关的@@硬开@@关导通@@能耗@@，可通过@@恢复与@@@@IGBT组合@@封装@@的@@@@二@@极管@@相同@@的@@二@@极管@@来测量@@，典型@@的@@@@Eon2测试@@电路@@如@@图@@@@@@2所示@@。IGBT通过@@两个@@@@脉冲@@进行开@@关转换来测量@@Eon。第@@一@@个@@脉冲@@将增大@@电感电流@@以@@达致所需的@@@@测试@@电流@@@@，然后@@@@第@@二@@个@@脉冲@@会测量测试@@电流@@在@@二@@极管@@上@@恢复的@@@@Eon损耗@@。

在@@硬开@@关@@导通@@的@@情况下@@@@@@@@，栅@@极@@驱动@@电压@@和@@阻抗以@@及@@@@整流二@@极管@@的@@恢复特性@@决定@@了@@Eon开@@关损耗@@@@。对@@于@@像传统@@CCM升压@@PFC电路@@来说@@，升压@@二@@极管@@恢复特性@@在@@@@Eon (导通@@) 能耗的@@控制中@@极为@@重要@@。除了@@选择具有@@@@最小@@@@Trr和@@QRR的@@升压@@二@@极管@@之外@@@@，确保该@@二@@极管@@拥有@@软恢复特性@@也非常重要@@。软化度@@，即@@tb/ta比率@@，对@@开@@关器件@@产生@@的@@电气噪声和@@电压@@尖脉冲@@有@@相当@@的@@影响@@@@@@。某些高@@速二@@极管@@在@@时@@间@@tb内@@，从@@IRM(REC)开@@始的@@电流@@下@@降速率@@(di/dt)很高@@@@，故会在@@@@电路@@寄生@@电感中@@产生@@高@@电压@@尖脉冲@@@@。这些电压@@尖脉冲@@会引@@起电磁干扰@@(EMI)，并可能在@@二@@极管@@上@@导致过高@@的@@反向电压@@@@。

在@@硬开@@关@@电路@@中@@@@@@，如@@全桥@@和@@半桥拓扑中@@@@，与@@IGBT组合@@封装@@的@@@@是@@快恢复管或@@@@MOSFET体二@@极管@@@@，当@@对@@应的@@开@@关@@管导通@@时@@二@@极管@@有@@电流@@经过@@@@，因而@@二@@极管@@的@@恢复特性@@决定@@了@@Eon损耗@@。所以@@@@，选择具有@@@@快速体二@@极管@@@@恢复特性@@的@@@@MOSFET十分重要@@。不幸的@@是@@@@，MOSFET的@@寄生@@二@@极管@@或@@体二@@极管@@@@的@@恢复特性@@比业界目前@@使@@用@@的@@分立二@@极管@@要缓慢@@。因此@@@@，对@@于@@硬开@@关@@MOSFET应用@@而@@言@@@@@@，体二@@极管@@@@常常是@@决定@@@@SMPS工作频率@@的@@限制@@因素@@。

一@@般来说@@，IGBT组合@@封装@@二@@极管@@的@@选择要与@@其应用@@匹配@@，具有@@@@较低@@@@正向传导损耗@@@@的@@较慢型@@超快二@@极管@@与@@较慢的@@低@@@@VCE(sat)电机驱动@@IGBT组合@@封装@@在@@一@@起@@。相反@@地@@，软恢复超快二@@极管@@@@，可与@@高@@频@@SMPS2开@@关模式@@@@IGBT组合@@封装@@在@@一@@起@@。

除了@@选择正确的@@二@@极管@@外@@，设计@@人员还能够通过@@调节栅@@极@@驱动@@导通@@源阻抗来控制@@Eon损耗@@。降低@@@@驱动源阻抗将提高@@@@@@IGBT或@@MOSFET的@@导通@@@@di/dt及@@减小@@@@@@Eon损耗@@。Eon损耗@@和@@@@EMI需要折中@@@@，因为@@@@较高@@@@的@@@@@@di/dt会导致电压@@尖脉冲@@@@、辐射和@@传导@@EMI增加@@。为@@选择正确的@@栅@@极@@@@驱动@@@@阻抗@@以@@满足导通@@@@di/dt 的@@需求@@，可能需要进行电路@@内@@部测试@@与@@验证@@，然后@@@@根据@@@@MOSFET转换曲线@@可以@@确定大概的@@值@@@@@@ (见图@@@@3)。

假定在@@导通@@时@@@@，FET电流@@上@@升到@@@@10A，根据@@图@@@@3中@@25℃的@@那条曲线@@@@，为@@了@@达到@@@@10A的@@值@@@@，栅@@极@@电压@@必须从@@@@5.2V转换到@@@@6.7V，平均@@GFS为@@10A/(6.7V-5.2V)=6.7mΩ。

公式@@@@1 获得所需导通@@@@di/dt的@@栅@@极@@@@驱动@@@@阻抗@@

把@@平均@@@@GFS值@@运用到@@公式@@@@@@1中@@，得到@@栅@@极@@驱动@@电压@@@@Vdrive=10V，所需的@@@@ di/dt=600A/μs，FCP11N60典型@@值@@@@VGS(avg)=6V，Ciss=1200pF；于是@@@@可以@@计算@@出@@导通@@栅@@极@@驱动@@阻抗为@@@@@@37Ω。由@@于@@在@@图@@@@@@3的@@曲线@@中@@瞬态@@GFS值@@是@@一@@条斜线@@，会在@@@@Eon期间出现变化@@，意味着@@di/dt也会变化@@。呈指数衰减的@@栅@@极@@@@驱动@@@@电流@@@@Vdrive和@@下@@降的@@@@Ciss作为@@@@VGS的@@函数@@也进入了该@@公式@@@@@@，表@@现具有@@@@令人惊讶的@@线性电流@@上@@升的@@总体效应@@@@。

同样@@的@@@@，IGBT也可以@@进行类似的@@栅@@极@@@@驱动@@@@导通@@阻抗计算@@@@，VGE(avg) 和@@GFS可以@@通过@@@@IGBT的@@转换特性@@曲线@@来确定@@，并应用@@@@VGE(avg)下@@的@@@@CIES值@@代替@@Ciss。计算@@所得的@@@@IGBT导通@@栅@@极@@驱动@@阻抗为@@@@100Ω，该@@值@@比前面的@@@@37Ω高@@，表@@明@@IGBT GFS较高@@@@，而@@CIES较低@@@@。这里的@@关键之处在@@于@@，为@@了@@从@@@@MOSFET转换到@@@@IGBT，必须对@@栅@@极@@驱动@@电路@@进行调节@@。

传导损耗@@@@需谨慎@@

在@@比较额定值@@@@为@@@@600V的@@器件@@@@时@@@@，IGBT的@@传导损耗@@@@一@@般比相同@@芯片@@大小@@@@的@@@@600 V MOSFET少@@。这种@@比较应该@@是@@在@@集电极和@@漏极@@电流@@@@密度可明显感测@@，并在@@指明最差情况下@@@@的@@工作结@@温@@下@@进行的@@@@。例如@@@@，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT 和@@ FCP11N60 SuperFET均具有@@@@@@1℃/W的@@RθJC值@@。图@@4显示了在@@@@125℃的@@结@@温@@下@@传导损耗@@@@与@@直流电流@@的@@关系@@，图@@中@@@@曲线@@表@@明@@在@@直流电流@@大于@@@@2.92A后@@，MOSFET的@@传导损耗@@@@更大@@。

不过@@，图@@4中@@的@@@@直流传导损耗@@@@比较不适用于@@@@大部分应用@@@@。同时@@@@，图@@5中@@显示了传导损耗@@@@在@@@@CCM (连续电流@@模式@@@@)、升压@@PFC电路@@，125℃的@@结@@温@@以@@及@@@@@@85V的@@交流输入电压@@@@@@Vac和@@400 Vdc直流输出电压@@的@@工作模式@@下@@的@@@@比较曲线@@@@。图@@中@@@@，MOSFET-IGBT的@@曲线@@相交点为@@@@2.65A RMS。对@@PFC电路@@而@@言@@@@@@，当@@交流输入电流@@@@大于@@@@2.65A RMS时@@，MOSFET具有@@@@较大@@的@@@@传导损耗@@@@@@。2.65A PFC交流输入电流@@@@等@@于@@@@MOSFET中@@由@@公式@@@@@@2计算@@所得的@@@@2.29A RMS。MOSFET传导损耗@@@@、I2R，利用@@公式@@@@@@2定义的@@电流@@和@@@@MOSFET 125℃的@@RDS(on)可以@@计算@@得出@@。把@@RDS(on)随漏极@@电流@@@@变化的@@因素考虑在@@内@@@@，该@@传导损耗@@@@还可以@@进一@@步精确化@@，这种@@关系如@@图@@@@@@6所示@@。

一@@篇名为@@@@“如@@何将功率@@@@MOSFET的@@RDS(on)对@@漏极@@电流@@@@瞬态值@@的@@依赖性包含@@到@@高@@频三@@相@@PWM逆变器@@的@@传导损耗@@@@计算@@中@@@@”的@@IEEE文章描述了如@@何确定漏极@@电流@@@@对@@传导损耗@@@@的@@影响@@@@@@。作为@@@@ID之函数@@，RDS(on)变化对@@大多数@@SMPS拓扑的@@影响@@@@很小@@@@。例如@@@@，在@@PFC电路@@中@@@@，当@@FCP11N60 MOSFET的@@峰值@@电流@@@@ID为@@11A——两倍@@于@@5.5A (规格@@书中@@@@RDS(on) 的@@测试@@条件@@) 时@@，RDS(on)的@@有@@效值@@和@@传导损耗@@@@会增加@@@@5％。

在@@MOSFET传导极小@@占空比的@@高@@脉冲@@电流@@拓扑结@@构@@中@@@@，应该@@考虑图@@@@6所示@@的@@@@特性@@@@。如@@果@@FCP11N60 MOSFET工作在@@一@@个@@电路@@中@@@@@@，其漏极@@电流@@@@为@@占空比@@7.5%的@@20A脉冲@@ (即@@5.5A RMS)，则有@@效的@@@@RDS(on)将比@@5.5A（规格@@书中@@@@的@@测试@@电流@@@@）时@@的@@@@0.32欧姆大@@25%。

公式@@@@2 CCM PFC电路@@中@@@@的@@@@RMS电流@@

式@@2中@@，Iacrms是@@PFC电路@@RMS输入电流@@@@；Vac是@@PFC电路@@RMS输入电压@@@@；Vout是@@直流输出电压@@@@。

在@@实际@@应用@@中@@@@@@，计算@@IGBT在@@类似@@PFC电路@@中@@@@的@@@@传导损耗@@@@将更加复杂@@，因为@@@@每个@@开@@关周@@期都在@@不同的@@@@IC上@@进行@@。IGBT的@@VCE(sat)不能由@@一@@个@@阻抗表@@示@@@@，比较简单直接的@@方法是@@将其表@@示@@为@@@@阻抗@@RFCE串联一@@个@@固定@@VFCE电压@@，VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是@@@@，传导损耗@@@@便可以@@计算@@为@@平均@@集电极电流@@与@@@@VFCE的@@乘积@@@@，加上@@@@RMS集电极电流@@的@@平方@@，再乘以@@阻抗@@RFCE。

图@@5中@@的@@@@示例@@仅@@考虑了@@CCM PFC电路@@的@@传导损耗@@@@@@，即@@假定设计@@目标在@@维持最差情况下@@@@的@@传导损耗@@@@小@@于@@15W。以@@FCP11N60 MOSFET为@@例@@，该@@电路@@被限制@@在@@@@5.8A，而@@FGP20N6S2 IGBT可以@@在@@@@9.8A的@@交流输入电流@@@@下@@工作@@@@。它可以@@传导超过@@MOSFET 70% 的@@功率@@@@。

虽然@@IGBT的@@传导损耗@@@@较小@@@@，但大多数@@600V IGBT都是@@@@PT (穿透@@) 型@@器件@@@@。PT器件@@具有@@@@@@NTC (负温度系数@@)特性@@，不能并联@@分流@@。或@@许@@，这些器件@@可以@@通过@@@@匹配器件@@@@VCE(sat)、VGE(TH) (栅@@射阈值@@电压@@@@) 及@@机械封装@@以@@有@@限的@@成效进行并联@@@@，以@@使@@得@@IGBT芯片@@们的@@温度可以@@保持一@@致的@@变化@@。相反@@地@@，MOSFET具有@@@@PTC (正温度系数@@)，可以@@提供@@良好@@的@@电流@@分流@@。

关断损耗@@@@ —问题尚未结@@束@@

在@@硬开@@关@@、钳位感性电路@@中@@@@@@，MOSFET的@@关断损耗@@@@比@@IGBT低@@得多@@，原因在@@于@@IGBT 的@@拖尾电流@@@@，这与@@清除图@@@@1中@@PNP BJT的@@少@@数载流子@@有@@关@@@@。图@@7显示了集电极电流@@@@ICE和@@结@@温@@@@Tj的@@函数@@Eoff，其曲线@@在@@大多数@@IGBT数据表@@中@@都有@@提供@@@@。这些曲线@@基于钳位感性电路@@且@@测试@@电压@@相同@@@@，并包含@@拖尾电流@@能量损耗@@@@。

图@@2显示了用于@@测量@@IGBT Eoff的@@典型@@测试@@电路@@@@，它的@@测试@@电压@@@@，即@@图@@@@2中@@的@@@@VDD，因不同制造商及@@个@@别器件@@的@@@@@@BVCES而@@异@@。在@@比较器件@@时@@应考虑这测试@@条件中@@的@@@@@@VDD，因为@@@@在@@较低@@@@的@@@@@@VDD钳位电压@@下@@进行测试@@和@@工作将导致@@Eoff能耗降低@@@@@@。

降低@@@@栅@@极@@驱动@@关断阻抗对@@减小@@@@@@IGBT Eoff损耗@@影响@@极微@@。如@@图@@@@1所示@@，当@@等@@效的@@多数载流子@@MOSFET关断时@@@@，在@@IGBT少@@数载流子@@BJT中@@仍存在@@存储时@@间延迟@@td(off)I。不过@@，降低@@@@Eoff驱动阻抗将会减少@@米勒电容@@@@CRES和@@关断@@VCE的@@dv/dt造成的@@电流@@注@@到@@栅@@极@@驱动@@回路中@@的@@@@风险@@，避免使@@器件@@重新@@偏置为@@传导状态@@，从@@而@@导致多个@@产生@@@@Eoff的@@开@@关@@动作@@@@。

ZVS和@@ZCS拓扑在@@降低@@@@@@MOSFET和@@IGBT的@@关断损耗@@@@方面很有@@优势@@。不过@@ZVS的@@工作优点在@@@@IGBT中@@没有@@那么@@大@@，因为@@@@当@@集电极电压@@上@@升到@@允许多余存储电荷进行耗散@@的@@电势值@@时@@@@，会引@@发拖尾冲击电流@@@@Eoff。ZCS拓扑可以@@提升最大的@@@@IGBT Eoff性能@@。正确的@@栅@@极@@@@驱动@@@@顺序可使@@@@IGBT栅@@极@@信号在@@第@@二@@个@@集电极电流@@过零点以@@前不被清除@@，从@@而@@显著降低@@@@@@IGBT ZCS Eoff 。

MOSFET的@@Eoff能耗是@@其米勒电容@@@@Crss、栅@@极@@驱动@@速度@@@@、栅@@极@@驱动@@关断源阻抗及@@源极@@功率@@电路@@路径中@@寄生@@电感的@@函数@@@@。该@@电路@@寄生@@电感@@Lx (如@@图@@@@8所示@@) 产生@@一@@个@@电势@@，通过@@限制@@电流@@速度@@下@@降而@@增加@@关断损耗@@@@@@。在@@关断时@@@@@@，电流@@下@@降速度@@@@di/dt由@@Lx和@@VGS(th)决定@@。如@@果@@Lx=5nH，VGS(th)=4V，则最大电流@@下@@@@降速度@@@@为@@@@VGS（th）/Lx=800A/μs。

总结@@@@

在@@选用功率@@开@@关器件@@时@@@@，并没有@@万全的@@解决方案@@@@，电路@@拓扑@@、工作频率@@、环境温度和@@物理尺寸@@@@，所有@@@@这些约@@束都会在@@@@做出最佳选择时@@起着作用@@。

在@@具有@@@@最小@@@@Eon损耗@@的@@@@ZVS 和@@ ZCS应用@@中@@@@，MOSFET由@@于@@具有@@@@较快的@@开@@关@@速度@@和@@较少@@的@@关断损耗@@@@@@，因此@@@@能够在@@较高@@@@频率下@@工作@@@@。

对@@硬开@@关应用@@而@@言@@@@@@@@，MOSFET寄生@@二@@极管@@的@@恢复特性@@可能是@@个@@缺点@@。相反@@，由@@于@@IGBT组合@@封装@@内@@的@@二@@极管@@与@@特定应用@@匹配@@，极佳的@@软恢复二@@极管@@可与@@更高@@速的@@@@SMPS器件@@相配合@@@@@@。

后@@语@@

MOSFE和@@IGBT是@@没有@@本质区@@别的@@@@，人们常问的@@@@“是@@MOSFET好@@还是@@@@@@IGBT好@@”这个@@@@问题本身就是@@@@错误的@@@@。至@@于我们为@@何有@@时@@用@@MOSFET，有@@时@@又不用@@MOSFET而@@采用@@@@IGBT，不能简单的@@用好@@和@@坏来区@@分@@，来判定@@，需要用辩证的@@方法来考虑这个@@@@问题@@。

本文转载自@@@@：半导体材料与@@工艺@@设备@@@@

MOSFET
IGBT

东芝@@推出@@@@新@@款@@@@150V N沟道@@功率@@@@MOSFET

judy — Thu, 30 Mar 2023 06:21:20 +0000

东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@（“东芝@@”）今日宣布@@@@，推出@@150V N沟道@@功率@@@@MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用@@最新@@一@@代@@[1]U-MOSX-H工艺@@，可用于@@工业@@设备@@开@@关电源@@@@@@，涵盖数据中@@心@@@@和@@通信@@基站等@@电源@@应用@@@@。该@@产品@@于今日开@@始支持@@批量出货@@。

TPH9R00CQ5具有@@@@行业领先的@@@@[2]9.0mΩ（最大值@@@@）的@@低@@漏源导通@@电阻@@@@@@@@@@，与@@东芝@@现有@@产品@@@@@@“TPH1500CNH1[3]”相比@@降低@@@@了@@约@@@@@@42%。与@@此@@同时@@@@@@，与@@东芝@@现有@@产品@@@@@@“TPH9R00CQH4[4]”相比@@，反向恢复@@电荷@@减少@@约@@@@74%，反向恢复@@[5]时@@间缩短约@@@@44%，上@@述指标是@@体现同步整流@@应用@@性能@@的@@两大关键反向恢复@@指标@@。新@@产品@@@@面向同步整流@@应用@@@@[6]，降低@@@@了@@开@@关电源@@@@的@@功率@@@@损耗@@@@@@，有@@助于提高@@@@系统@@效率@@。此@@外@@，与@@TPH9R00CQH相比@@，新@@产品@@@@减少@@了开@@关过程中@@产生@@的@@尖峰电压@@@@，有@@助于降低@@@@电源@@的@@@@@@EMI。

该@@产品@@采用@@业界广泛认可的@@表@@面贴装型@@@@SOP Advance（N）封装@@。

此@@外@@，东芝@@还提供@@支持@@开@@关电源@@@@电路@@设计@@的@@相关工具@@。除能够迅速验证电路@@功能的@@@@G0 SPICE模型@@@@外@@，现在@@还提供@@能够准确地再现电路@@瞬态特性@@的@@高@@精度@@G2 SPICE模型@@@@。

东芝@@利用@@该@@产品@@还开@@发出了@@“用于@@通信@@设备@@的@@@@1kW非隔离@@Buck-Boost DC-DC转换器@@ ”与@@“采用@@MOSFET的@@3相多电平逆变器@@@@ ”参考设计@@@@。即@@日起可访问东芝@@官网@@获取上@@述参考设计@@@@@@。除此@@以@@外@@，新@@产品@@@@还可用于@@已发布的@@@@“1kW全桥@@DC-DC转换器@@ ”参考设计@@@@。

东芝@@将继续扩大自@@身的@@功率@@@@@@MOSFET产品@@线@@，以@@降低@@@@功率@@损耗@@@@@@、提高@@@@电源@@效率@@，并助力@@改善设备@@效率@@。

应用@@
- 工业@@设备@@电源@@@@，如@@用于@@数据中@@心@@@@和@@通信@@基站的@@电源@@@@@@
- 开@@关电源@@@@（高@@效@@率@@DC-DC转换器@@等@@@@）

特性@@
- 业界领先的@@@@[2]低@@导通@@电阻@@@@@@：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值@@@@）（VGS＝10V）
- 业界领先的@@@@[2]低@@反向恢复@@电荷@@@@：Qrr＝34nC（典型@@值@@@@）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 业界领先的@@@@[2]快速反向恢复@@时@@间@@@@：trr＝40ns（典型@@值@@@@）（-dIDR/dt＝100A/μs）
- 高@@额定结@@温@@@@：Tch（最大值@@@@）＝175℃

主要规格@@@@
（除非另有@@说明@@@@，Ta＝25℃）

器件@@型@@号@@			TPH9R00CQ5
绝对@@最大@@ 额定值@@@@	漏极@@-源极@@电压@@@@VDSS（V）		150
	漏极@@电流@@@@（DC）ID（A）	TC＝25℃	64
	结@@温@@Tch（℃）		175
电气特性@@@@	漏极@@-源极@@导通@@电阻@@@@@@ RDS(ON)最大值@@@@（mΩ）	VGS＝10V	9.0
		VGS＝8V	11.0
	总栅@@极@@电荷@@Qg典型@@值@@@@（nC）		44
	栅@@极@@开@@关电荷@@QSW典型@@值@@@@（nC）		11.7
	输出电荷@@Qoss典型@@值@@@@（nC）		87
	输入电容@@@@Ciss典型@@值@@@@（pF）		3500
	反向恢复@@时@@间@@trr典型@@值@@@@（ns）	-dIDR/dt＝100A/μs	40
	反向恢复@@电荷@@Qrr典型@@值@@@@（nC）		34
封装@@	名称@@		SOP Advance（N）
	尺寸@@典型@@值@@@@@@（mm）		4.9×6.1×1.0
库存查询与@@购买@@			在@@线购买@@

参考设计@@@@：“用于@@通信@@设备@@的@@@@1kW非隔离@@Buck-Boost DC-DC转换器@@”

参考设计@@@@：“采用@@MOSFET的@@3相多电平逆变器@@@@”

注@@：
[1] 截至@@@@2023年@@3月@@的@@数据@@。
[2] 截至@@@@2023年@@3月@@，与@@其他@@@@150V产品@@的@@@@对@@比@@。东芝@@调查@@。
[3] 采用@@当@@前一@@代@@U-MOSVIII-H工艺@@的@@@@150V产品@@。
[4] 产品@@采用@@与@@@@TPH9R00CQ5相同@@的@@生产@@工艺@@@@，并具有@@@@相同@@的@@电压@@和@@导通@@电阻@@@@@@。
[5] MOSFET体二@@极管@@@@从@@正向偏置切换到@@反向偏置的@@开@@关@@动作@@@@@@。
[6] 如@@果@@新@@产品@@@@用于@@不执行反向恢复@@操作的@@电路@@@@，则功耗相当@@于@@TPH9R00CQH的@@水平@@。

如@@需了解有@@关@@新@@产品@@@@的@@@@更多信息@@@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
TPH9R00CQ5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectro...

如@@需了解新@@产品@@@@的@@@@更多相关内@@容@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
U-MOS X-H系列@@150V MOSFET是@@高@@效@@率@@开@@关电源@@@@的@@理想选择@@
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v...

通过@@搭载了@@150V MOSFET的@@多电平逆变器@@来提高@@@@效@@率@@@@
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v...

如@@需了解东芝@@@@MOSFET产品@@的@@@@更多信息@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
MOSFETs
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

如@@需了解有@@关@@新@@产品@@@@在@@线分销商网@@站的@@供货情况@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：
TPH9R00CQ5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockc...

*本文提及@@的@@公司@@名称@@@@、产品@@名称@@和@@服务名称@@可能是@@其各自@@公司@@的@@商标@@。
*本文档中@@的@@@@产品@@价格和@@规格@@@@、服务内@@容和@@联系方式@@等@@信息@@，在@@公告之日仍为@@最新@@信息@@，但如@@有@@变更@@，恕不另行通知@@。

关于@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@
东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@是@@先进的@@半导体和@@存储解决方案@@的@@领先供应商@@，公司@@累积了半个@@多世纪的@@经验和@@创新@@@@，为@@客户和@@合@@作伙伴提供@@分立半导体@@、系统@@LSI和@@HDD领域的@@杰出解决方案@@@@。
公司@@23,100名员工@@遍布世界各地@@，致力@@于实现产品@@价值@@的@@最大化@@，东芝@@电子@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@十分注@@重与@@客户的@@密切协作@@，旨在@@促进价值@@共@@创@@，共@@同开@@拓新@@市场@@，公司@@现已拥有@@超过@@7,110亿日元@@@@（62亿美元@@）的@@年@@销售@@额@@，期待为@@世界各地的@@人们建设更美好@@的@@未来@@并做出贡献@@。
如@@需了解有@@关@@东芝@@电子@@@@@@188足彩外围@@app 及@@存储装置株式@@会社@@的@@更多信息@@@@，请访问@@以@@下@@网@@址@@：https://toshiba-semicon-storage.com

HV SJ MOSFET工作在@@第@@三@@象限时@@电流@@路径探究@@@@

judy — Thu, 23 Mar 2023 06:30:42 +0000

作者@@：熊康明@@，英飞凌@@电源@@与@@传感系统@@事业部主任工程师@@

1. 引@@ 言@@

相信各位工程师在@@日常的@@电源@@@@设计@@中@@@@，当@@面对@@@@ZVS的@@场景时@@@@，经常会有@@如@@下@@的@@@@困惑@@：比如@@@@大名鼎鼎的@@@@LLC，工作在@@死区@@时@@@@，MOSFET 寄生@@二@@极管@@续流@@，当@@完成了对@@结@@电容@@的@@充放电@@之后@@@@@@，再打开@@@@@@MOSFET以@@降低@@@@器件@@的@@@@损耗@@@@。

细心的@@工程师可能就会发现一@@个@@有@@趣的@@问题@@@@，我们这里拿@@IPW60R024CFD7举例说明@@@@，假设@@死区@@时@@刻@@，流过@@二@@极管@@的@@电流@@为@@@@50A (125℃结@@温@@），那么@@此@@刻@@MOSFET源漏极@@压降@@Vsd=0.96V；（如@@下@@图@@所示@@@@）

当@@死区@@结@@束@@，给到@@驱动信号@@，打开@@@@MOSFET，假设@@电流@@完全流过@@沟道@@@@，那么@@此@@刻@@Vsd=50*0.024*1.9=2.28V。（备注@@@@：1.9为@@125℃下@@电阻@@标准@@化比率@@@@）

这时@@候您可能心里就要犯嘀咕了@@：打开@@@@了@@MOSFET后@@，导通@@损耗@@@@反而@@变大了@@？电流@@到@@底是@@走沟道@@还是@@@@体二@@极管@@@@@@？如@@果@@损耗@@变大了那么@@我还需要打开@@@@@@MOSFET吗@@？

带着以@@上@@@@疑问@@，我们来细细的@@品一@@下@@@@HV SJ MOSFET的@@一@@些小@@知识@@吧@@！

2. HV SJ MOSFET小@@知识@@

SJ MOSFET的@@剖面图@@如@@下@@所示@@@@：在@@这个@@@@结@@构@@中@@@@，我们可以@@看到@@三@@个@@器件@@模型@@@@@@：

1.NMOS 导电@@沟道@@@@

2.寄生@@NPN三@@极管@@（BJT）

3.寄生@@PIN二@@极管@@

以@@上@@@@2种寄生@@结@@构@@分别对@@@@MOSFET器件@@的@@@@物理参数有@@着如@@下@@的@@@@限制@@@@：

1.寄生@@BJT : 限制@@MOSFET器件@@dVds/dt能力@@@@，寄生@@BJT导通@@条件约@@为@@@@@@dVds/dt > VBE(BJT)/(Rp+ * Cdb)，硬开@@关场景需要考虑该@@因素@@；

2.寄生@@体二@@极管@@@@@@ : 限制@@MOSEFT器件@@dI/dt反向恢复@@能力@@@@@@(Qrr)，硬开@@关场景需要考虑该@@因素@@。

当@@MOSFET工作在@@开@@关状态时@@@@，处于线性工作区@@@@，其物理特性@@为@@等@@效电阻@@@@@@，（如@@下@@图@@所示@@@@），二@@极管@@I-V曲线@@大家都耳熟能详@@，那么@@当@@@@二@@者同时@@@@导通@@电流@@时@@@@，会是@@怎样@@？简单的@@几何相加吗@@@@？

3. 探究@@MOSFET在@@第@@三@@象限的@@工作@@

根据@@常识我们知道@@，对@@于@@一@@个@@给定的@@@@MOSFET，其导通@@电流@@的@@能力@@@@@@，宏观上@@@@，与@@驱动电压@@大小@@@@@@，MOSFET结@@温@@都有@@着密切联系@@。那么@@当@@@@MOSFET工作在@@第@@三@@象限是@@否还有@@类似的@@关系呢@@？我们这里采用@@控制变量法@@，通过@@仿真来一@@探究@@竟@@：

首先我们看同一@@结@@温@@@@（25℃）下@@，不同的@@驱动电压@@@@I-V曲线@@：

由@@上@@仿真结@@果图@@我们可以@@总结@@@@出@@：

1.Vgs< Vgs(th)时@@，沟道@@尚未打开@@@@@@，MOSFET I-V曲线@@表@@现为@@二@@极管@@特性@@@@；

2.Vgs>Vgs（Miller）时@@，沟道@@打开@@@@@@，MOSFET IV曲线@@在@@小@@电流@@下@@@@表@@现为@@纯阻性@@（I-V曲线@@呈现线性关系@@），在@@大电流@@下@@@@表@@现为@@沟道@@@@、寄生@@体二@@极管@@@@@@二@@者共@@同作用@@（I-V曲线@@呈现非线性关系@@）；

3.在@@大电流@@场景下@@@@，Vgs电压@@越高@@@@@@，MOSFET器件@@呈现阻性@@（I-V曲线@@斜率@@）越大@@。

其次@@，我们再看一@@下@@不同结@@温@@下@@@@ MOSFET I-V曲线@@，有@@如@@下@@结@@论@@@@：

1.Vgs

2.Vgs>Vgs(miller)时@@，沟道@@打开@@@@@@，小@@电流@@下@@@@，结@@温@@越高@@@@@@，器件@@电阻@@率越高@@@@@@；大电流@@下@@@@，结@@温@@越高@@@@@@，器件@@的@@@@电阻@@率越低@@@@。

MOSFET器件@@沟道@@本身为@@少@@子@@（电子@@）导电@@，其温度越高@@@@@@@@，电子@@迁移率越低@@@@，因此@@@@阻性越大@@@@；PIN二@@极管@@、BJT 均为@@@@双极型@@载流子器件@@@@，其电导调制效应@@起主导作用@@，因此@@@@电流@@越大@@@@，阻性越低@@@@；温度越高@@@@@@，（电导调制效应@@越强@@@@，载流子浓度越高@@@@@@）阻性越小@@@@@@。

4. 微观世界的@@神秘风采@@

好@@奇的@@工程师朋友们肯定想知道@@：在@@微观世界下@@@@，是@@什么之间@@的@@@@相互作用@@，导致了上@@述的@@结@@果呢@@？我们在@@这里抛砖引@@玉@@，尝试性的@@扒开@@微观世界的@@面纱@@，一@@瞥其神秘风采@@：

1.当@@Vgs=0时@@， P、N、N+ 掺杂层@@形成@@@@PIN二@@极管@@的@@结@@构@@@@@@，在@@外加电场的@@作用下@@@@，电子@@源源不断的@@通过@@电源@@负极@@，注@@入到@@@@N+层@@，N层@@，使@@得轻掺杂的@@@@N层@@载流子浓度以@@非线性的@@形式@@快速提高@@@@@@，大大提高@@@@了@@通流能力@@@@@@；空穴同理@@。

2.N+、P+、N掺杂层@@形成@@@@NPN BJT结@@构@@，变化的@@电场改变电子@@移动方向@@、速度@@（电流@@方向@@、大小@@@@），当@@电子@@@@（位移电流@@@@）流过@@P+层@@（等@@效电阻@@@@）以@@及@@@@P+层@@与@@衬底@@等@@效电容@@的@@产生@@的@@压降@@>BJT的@@开@@通阈值@@电压@@@@Vʙᴇ时@@，（即@@当@@外加电场变化率@@dVds/dt > VBE(BJT)/(Rᴘ+ * Cdb)时@@，）BJT导通@@。

3.当@@Vgs > Vgs(miller)时@@，P+层@@足够多的@@电子@@被吸附到@@栅@@氧层@@表@@面@@，形成@@导电@@沟道@@@@@@，此@@时@@@@MOSFET沟道@@导通@@@@：

1）当@@电流@@较小@@时@@@@@@，MOSFET Vsd两端管压降@@ < 二@@极管@@开@@通阈值@@@@，不足以@@维持二@@极管@@内@@部反型@@层@@@@@@，二@@极管@@关闭@@，此@@刻电流@@完全流经沟道@@@@。

2）当@@电流@@较大时@@@@，MOSFET Vsd 两端管压降@@ > 二@@极管@@开@@通阈值@@@@，二@@极管@@参与@@导通@@@@：PIN结@@构@@二@@极管@@内@@部电子@@空穴对@@均参与@@导电@@@@。由@@于@@Gate-Souce正电压@@的@@存在@@@@，将会捕获@@PIN结@@构@@二@@极管@@部分自@@由@@移动的@@电子@@空穴对@@@@，进而@@呈现出@@Vgs电压@@越高@@@@@@，电阻@@率越大@@的@@结@@果@@。当@@在@@导电@@沟道@@@@内@@的@@电子@@移动速率@@、数量与@@@@PIN二@@极管@@的@@电子@@空穴对@@移动速率@@、数量达到@@动态平衡时@@@@，器件@@进入稳态@@。

通过@@以@@上@@@@的@@分析@@，我们知道了@@MOSFET器件@@工作于第@@三@@象限时@@@@，电流@@路径不是@@简单的@@加和@@@@，是@@沟道@@跟寄生@@结@@构@@的@@共@@同作用效果@@。

5. 能效@@非凡@@，低@@碳未来@@@@

既然是@@这样@@@@，那么@@为@@什么我们在@@器件@@处于第@@三@@象限时@@@@，我们还要打开@@@@驱动@@，让沟道@@也参与@@导电@@呢@@？（此@@刻的@@阻抗明显更大了@@）

答案是@@这样@@的@@@@@@：MOSFET寄生@@的@@结@@构@@@@虽然@@可以@@大大的@@降低@@@@导通@@阻抗@@，但是@@@@由@@于@@电导调制效应@@的@@存在@@@@，使@@得载流子复合@@消失过程时@@间大大增加@@@@，进而@@导致严重的@@关断损耗@@@@@@。在@@实际@@的@@电路@@设计@@中@@@@，需要权衡开@@关损耗@@@@@@、导通@@损耗@@@@，折衷处理@@。通常@@，对@@于@@硅基@@ MOSFET来讲@@，导通@@损耗@@@@与@@关断损耗@@@@会控制在@@一@@个@@数量级上@@@@。在@@如@@今@@的@@电源@@@@产品@@中@@@@，开@@关频率@@已经从@@几十@@KHz覆盖到@@几个@@@@MHz，即@@使@@是@@@@ZVS的@@拓扑结@@构@@@@（比如@@@@LLC），由@@于@@关断损耗@@@@的@@存在@@@@，也需要完全打开@@@@沟道@@@@，使@@得尽可能多的@@电流@@流经沟道@@@@，这样@@在@@关断时@@@@@@有@@@@，PIN结@@构@@二@@极管@@内@@载流子可以@@更快的@@复合@@消失@@，以@@减小@@@@器件@@关断损耗@@@@@@(Qrr)。

MOSFET

Nexperia推出@@首款@@采用@@@@SMD铜夹片@@LFPAK88封装@@的@@@@热插拔专用@@@@MOSFET

judy — Wed, 22 Mar 2023 08:02:24 +0000

RDS(on)额外降低@@@@@@40%，功率@@密度提高@@@@@@58倍@@，适合@@电信和@@热插拔计算@@应用@@@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产@@专家@@Nexperia今日宣布@@@@推出@@@@首批@@80 V和@@100 V热插拔专用@@MOSFET(ASFET)，该@@系列@@产品@@@@采用@@紧凑型@@@@8x8 mm LFPAK88封装@@，且@@具有@@@@增强@@@@安全工作区@@@@@@(SOA)的@@特性@@@@。这些新@@型@@@@@@ASFET针对@@@@要求@@严格的@@热插拔和@@软启动应用@@进行了全面优化@@@@，可在@@@@175°C下@@工作@@，适用于@@@@先进的@@电信和@@计算@@设备@@@@。

凭借数十年@@开@@发先进晶圆和@@封装@@解决方案@@所积累的@@专业知识@@，Nexperia推出@@的@@这款@@@@@@PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道@@ASFET）作为@@@@其产品@@组合@@@@中@@的@@@@首选@@，在@@紧凑的@@@@8x8 mm封装@@尺寸@@中@@兼顾低@@@@RDS(on)和@@强@@大线性模式@@@@（安全工作区@@@@）性能@@，可满足严苛的@@热插拔应用@@@@要求@@@@。此@@外@@，Nexperia还发布了一@@款@@@@80 V ASFET产品@@PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在@@响应计算@@服务器@@和@@其他@@工业@@应用@@中@@@@使@@用@@@@48 V电源@@轨的@@增长@@趋势@@，在@@这些应用@@中@@@@@@@@，环境条件允许@@MOSFET采用@@较低@@@@的@@@@@@VDS击穿电压@@额定值@@@@@@。

在@@热插拔和@@软启动应用@@中@@@@@@，具有@@@@增强@@@@型@@@@@@SOA的@@ASFET越来越受市场欢迎@@。当@@容性负载引@@入带电背板时@@@@，这些产品@@强@@大的@@线性模式@@性能@@对@@于@@高@@效@@可靠地管理浪涌电流@@必不可少@@@@。当@@ASFET完全导通@@时@@@@，低@@RDS(on)对@@于@@最大限度地降低@@@@@@I2R损耗@@也同样@@重要@@。除了@@RDS(on)更低@@@@且@@封装@@尺寸@@更紧凑之外@@@@，Nexperia的@@第@@三@@代增强@@@@@@SOA技术与@@前几代@@D2PAK封装@@相比@@@@还实现了@@10% SOA性能@@改进@@（在@@ 50 V、1 ms 条件下@@@@，电流@@分别为@@@@33 A和@@30 A）。

Nexperia的@@另一@@项创新@@在@@于@@，用于@@热插拔的@@新@@型@@@@@@ASFET完整标示了@@25°C和@@125°C下@@的@@@@SOA特性@@。数据手册中@@提供@@了@@经过@@全面测试@@的@@高@@温下@@@@SOA曲线@@，设计@@工程师无需进行热降额计算@@@@，并显著扩展了实用的@@高@@温下@@@@SOA性能@@。

到@@目前@@为@@止@@，适合@@热插拔和@@计算@@应用@@的@@@@ASFET通常@@采用@@较大尺寸@@的@@@@D2PAK封装@@(16x10 mm)。LFPAK88封装@@是@@@@D2PAK封装@@的@@@@理想替代选项@@，空间@@节省@@效率高@@达@@60%。PSMN2R3-100SSE的@@RDS(on)仅@@为@@@@2.3 mΩ，相较于@@现有@@器件@@至@@少@@降低@@@@了@@@@40%。 LFPAK88不仅@@将功率@@密度提高@@@@@@了@@58倍@@，还提供@@两倍@@的@@@@ID(max)额定电流@@@@以@@及@@@@超低@@热阻和@@电阻@@@@。该@@产品@@结@@合@@了@@Nexperia先进的@@晶圆和@@铜夹片@@封装@@技术的@@功能优势@@，包括@@占用空间@@@@更小@@@@、RDS(on)更低@@@@以@@及@@@@@@SOA性能@@更优@@。Nexperia还提供@@采用@@@@5x6 mm LFPAK56E封装@@的@@@@25 V、30 V、80 V和@@100 V ASFET系列@@产品@@@@，并针对@@@@需要更小@@@@PCB管脚尺寸@@的@@低@@功耗应用@@进行了优化@@@@。

有@@关@@新@@型@@@@@@ASFET的@@更多详细信息@@，请访问@@：nexperia.cn/asfets-for-hotswap-and-soft-start

关于@@Nexperia

Nexperia，作为@@@@生产@@大批量基础半导体二@@极管@@@@件@@的@@专家@@，其产品@@广泛应用@@于全球各类电子@@设计@@@@。公司@@丰富的@@@@产品@@组合@@@@包括@@二@@极管@@@@、双极性@@晶体管@@、ESD保护二@@极管@@件@@@@、MOSFET二@@极管@@件@@、氮化镓场效应@@晶体管@@(GaN FET)以@@及@@@@模拟@@@@IC和@@逻辑@@IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨@@，每年@@可交付@@1000多亿件产品@@@@，产品@@符合@@@@汽车@@行业的@@严苛标准@@@@。其产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及@@性能@@@@）方面获得行业广泛认可@@，拥有@@先进的@@小@@尺寸@@封装@@技术@@，可有@@效节省@@功耗及@@空间@@@@。

凭借几十年@@来的@@专业经验@@，Nexperia持续不断地为@@全球各地的@@优质企业@@提供@@高@@效@@的@@产品@@及@@服务@@，并在@@亚洲@@、欧洲和@@美国拥有@@超过@@14,000名员工@@。Nexperia是@@闻泰科技股份有@@限公司@@@@@@(600745.SS)的@@子公司@@@@，拥有@@庞大的@@知识产权组合@@@@，并获得了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001认证@@。

Vishay推出@@两款@@@@新@@型@@@@@@30 V对@@称双通道@@@@n沟道@@功率@@@@MOSFET

judy — Mon, 30 Jan 2023 02:41:02 +0000

节省@@空间@@型@@器件@@@@所需@@PCB空间@@比@@PowerPAIR 6x5F封装@@减少@@@@63%，有@@助于减少@@元器件@@数量并简化设计@@@@@@

日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号@@：VSH）宣布@@，推出@@两款@@@@新@@型@@@@@@30 V对@@称双通道@@@@n沟道@@功率@@@@MOSFET---SiZF5300DT和@@SiZF5302DT，将高@@边和@@低@@边@@TrenchFET® Gen V MOSFET组合@@在@@@@3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装@@中@@@@@@。Vishay Siliconix SiZF5300DT和@@SiZF5302DT适用于@@@@计算@@和@@通信@@应用@@功率@@转换@@，在@@提高@@@@能效@@@@的@@同时@@@@@@，减少@@元器件@@数量并简化设计@@@@。

日前@@发布的@@@@双通道@@@@MOSFET可用来取代两个@@@@@@PowerPAK 1212封装@@分立器件@@@@，节省@@50%基板空间@@@@，同时@@@@占位面积比@@PowerPAIR 6x5F封装@@双片@@MOSFET减小@@@@63%。MOSFET为@@USB-C电源@@笔记本电脑@@@@、服务器@@、直流冷却风扇和@@通信@@设备@@同步降压转换器@@@@、负载点@@（POL）转换电路@@和@@@@DC/DC模块@@设计@@人员提供@@节省@@空间@@解决方案@@@@。这些应用@@中@@@@@@，SiZF5302DT高@@低@@边@@MOSFET提供@@了@@50%占空比和@@出色能效@@的@@优质效果@@，特别是@@在@@@@1 A到@@4 A电流@@条件下@@@@@@。而@@SiZF5300DT则是@@@@12 A到@@15 A重载的@@理想解决方案@@@@。

SiZF5300DT和@@SiZF5302DT利用@@Vishay的@@30 V Gen V技术实现优异导通@@电阻@@@@和@@栅@@极@@电荷@@。SiZF5300DT 10 V和@@4.5 V下@@典型@@导通@@电阻@@@@分别为@@@@2.02 mW和@@2.93 mW，SiZF5302DT相同@@条件下@@@@导通@@电阻@@@@分别为@@@@2.7 mW和@@4.4 mW。两款@@@@MOSFET 4.5 V条件下@@@@典型@@栅@@极@@电荷分别为@@@@9.5 nC和@@ 6.7 nC。超低@@导通@@电阻@@@@@@与@@栅@@极@@电荷乘积@@@@，即@@MOSFET功率@@转换应用@@重要优值@@系数@@（FOM），比相似导通@@电阻@@@@的@@前代解决方案@@@@低@@@@35 %。高@@频开@@关应用@@效率提高@@@@@@2%，100 W能效@@达到@@@@98%。

与@@前代解决方案@@@@对@@比@@

技术规格@@@@ / 器件@@编号@@	SiZF5302DT (Gen V)	前代解决方案@@@@ (Gen IV)	SiZF5302DT对@@比前代解决方案@@@@@@
封装@@	PowerPAIR 3x3FS	PowerPAIR 6x5F	63 %↓
VDS (V)	30	30	-
RDS(ON) 典型@@值@@@@ @ 4.5 V (mW)	4.4 (通道@@1) 4.4 (通道@@2)	4.0 (通道@@1) 1.2 (通道@@2)	-
Qg @ 4.5 V (nC)	6.7 (通道@@1) 6.7 (通道@@2)	11 (通道@@1) 46 (通道@@2)	-
FOM (mΩ*nC)	29 (通道@@1) 29 (通道@@2)	44 (通道@@1) 54 (通道@@2)	35 % ↓ 46 % ↓
能效@@ @ 20 VIN / 12.5 VOUT / 800 kHZ / 100 W	98 %	96 %	2 %↑

器件@@采用@@倒装芯片@@技术增强@@@@散热能力@@@@@@，独特的@@引@@脚配置@@有@@助于简化@@PCB布局@@，支持@@缩短开@@关回路@@，从@@而@@减小@@@@寄生@@电感@@。SiZF5300DT和@@SiZF5302DT经过@@100% Rg和@@UIS测试@@，符合@@@@RoHS标准@@，无卤素@@。

器件@@规格@@表@@@@：

产品@@编号@@		SiZF5300DT	SiZF5302DT
VDS (V)		30	30
VGS (V)		+ 16 / -12	+ 16 / -12
RDS(on) 典型@@值@@@@ (mΩ) @	10 V	2.02	2.7
RDS(on) 典型@@值@@@@ (mΩ) @	4.5 V	2.93	4.4
Qg (典型@@值@@@@) @ 4.5 V (nC)		9.5	6.7
ID (A) @	TA = 25 °C	125	100
ID (A) @	TA = 70 °C	100	80

SiZF5300DT和@@SiZF5302DT 现可提供@@样品并已量产@@。供货周@@期信息请与@@@@Vishay销售@@代表@@联系或@@发送电子@@邮件至@@@@ pmostechsupport@vishay.com。

VISHAY简介@@

Vishay 是@@全球最大的@@分立半导体和@@无源电子@@@@188足彩外围@@app 系列@@产品@@@@制造商之一@@@@，这些产品@@对@@于@@汽车@@@@、工业@@、计算@@、消费@@、通信@@、国防@@、航空航天和@@医疗市场的@@创新@@设计@@至@@关重要@@。服务于全球客户@@，Vishay承载着科技基因@@——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是@@在@@纽约@@证券交易所上@@市@@（VSH）的@@“财富@@1,000 强@@企业@@@@”。有@@关@@Vishay的@@详细信息@@，敬请浏览网@@站@@ www.vishay.com。

碳化硅@@MOSFET尖峰的@@抑制@@

judy — Fri, 13 Jan 2023 02:44:44 +0000

SiC MOSFET 作为@@@@第@@三@@代宽@@禁带半导体具有@@@@击穿电场高@@@@、热导率高@@@@、电子@@饱和@@速率高@@@@、抗辐射能力@@@@强@@等@@优势@@，在@@各种各样的@@电源@@@@应用@@范围在@@迅速地扩大@@。其中@@@@一@@个@@主要原因是@@与@@以@@前的@@功率@@@@半导体相比@@@@，SiC MOSFET 使@@得高@@速开@@关动作@@成为@@可能@@。但是@@@@，由@@于@@开@@关的@@时@@候电压@@和@@电流@@的@@急剧变化@@，器件@@的@@@@封装@@电感和@@周@@边电路@@的@@布线电感影响@@变得无法忽视@@，导致漏极@@源极@@之间@@会有@@很大的@@电压@@尖峰@@@@。这个@@@@尖峰不可以@@超过使@@用@@的@@@@MOSFET 的@@最大规格@@@@，那就必须抑制尖峰@@。

MOS_DS电压@@尖峰@@产生@@的@@原因@@

在@@半桥电路@@中@@@@@@，针对@@@@MOS漏极@@和@@源极@@@@产生@@的@@尖峰抑制方法之一@@就是@@@@增加@@缓冲电路@@@@@@，其设计@@方法说明@@了漏极@@源极@@之间@@的@@@@电压@@尖峰@@是@@由@@于@@在@@@@Turn ON 时@@流过@@的@@电流@@的@@能量储存在@@线路和@@基板布线的@@寄生@@电感中@@@@，并与@@开@@关@@188足彩外围@@app 的@@寄生@@电容@@@@@@共@@振所产生@@的@@@@。

图@@ 1 图@@示尖峰产生@@时@@的@@@@振铃电流@@路线@@

图@@1由@@HS (High side) 和@@LS (Low side) 的@@开@@关@@188足彩外围@@app 组成的@@半桥结@@构@@@@。

当@@LS 188足彩外围@@app Turn ON时@@，开@@关电流@@@@IMAIN流动@@的@@@@情况@@。这个@@@@IMAIN通常@@从@@@@Vs流入再通过@@配线电感@@LTRACE。
当@@LS 188足彩外围@@app Turn OFF 时@@，在@@LTRACE 流动@@的@@@@IMAIN 通常@@会通过@@接在@@输入电源@@@@HVdc-PGND 之间@@的@@@@Bulk 电容@@CDC，经由@@@@HS 188足彩外围@@app 和@@LS 188足彩外围@@app 的@@寄生@@电容@@@@@@如@@图@@@@中@@@@虚线所示@@流动@@@@。

此@@时@@@@，在@@LS 侧漏极@@源极@@之间@@@@LTRACE和@@MOSFET 的@@寄生@@电容@@@@@@COSS（CDS+CDG）之间@@发生谐振现象@@，在@@漏极@@@@源极@@之间@@产生@@尖峰@@。

VDS_SURGE：尖峰的@@最大值@@@@@@

VHVDC：HVdc 端的@@电压@@@@

ROFF：MOSFET Turn OFF 时@@的@@@@电阻@@@@

如@@图@@@@2 HVdc 电压@@为@@@@800V 时@@，VDS_SURGE为@@961V，振铃频率约@@为@@@@@@33MHz。使@@用@@方程式@@@@（1）根据@@该@@波形@@计算@@出@@@@LTRACE 约@@110nH。

下@@面在@@电路@@中@@@@添加图@@@@3所示@@的@@@@缓冲电路@@@@@@CSNB，这个@@@@时@@候电压@@尖峰@@降低@@@@了@@@@50V 以@@上@@@@（约@@901V），振铃频率也变大为@@@@44.6MHz，由@@图@@@@4可知@@，包含@@CSNB 在@@内@@的@@电路@@网@@中@@的@@@@@@LTRACE 变小@@了@@。同样@@，使@@用@@式@@@@（1）可算出@@LTRACE 约@@为@@@@71nH。

一@@般需要线路布局@@设计@@为@@配线电感最小@@化@@，但通常@@优先考虑的@@是@@@@188足彩外围@@app 的@@散热设计@@@@，因此@@@@布线设计@@不一@@定理想@@。因此@@@@通过@@尽可能在@@开@@关装置附近布置缓冲电路@@@@@@，以@@形成@@旁路电路@@@@，将电压@@尖峰@@产生@@的@@源头@@——布线电感最小@@化@@，还可以@@吸收@@积蓄在@@布线电感中@@的@@@@能量@@。这样@@就可以@@将@@开@@关@@188足彩外围@@app 的@@电压@@钳位住@@，缩小@@@@Turn OFF 电压@@尖峰@@。

缓冲电路@@@@的@@@@种类@@

缓冲电路@@@@分为@@由@@电阻@@@@、线圈和@@电容@@器等@@被动部件组合@@的@@电路@@@@，和@@包含@@半导体元器件@@的@@@@主动电路@@@@。

为@@了@@更好@@地发挥其的@@效果@@，必须将这些缓冲电路@@@@尽可能布局@@在@@在@@开@@关@@188足彩外围@@app 的@@附近@@。

C_SNB缓冲电路@@@@零件数目少@@@@，但必须连接到@@@@桥式@@结@@构@@的@@上@@部和@@下@@部之间@@@@，因此@@@@缺点是@@线路会变得较长@@@@，因此@@@@通常@@不是@@用分立元器件@@@@，而@@是@@多用@@2合@@1 的@@分立元器件@@模块@@@@。
RC 缓冲电路@@@@可在@@@@各开@@关@@188足彩外围@@app 附近能布局@@缓冲电路@@@@@@，不过@@，必须确保每次@@188足彩外围@@app Turn ON 时@@C_SNB 中@@积存的@@全部能量均由@@@@R_SNB 消耗掉@@。因此@@@@，当@@开@@关频率@@变高@@时@@@@，R_SNB 所消耗的@@电力@@可能会变为@@数@@W，而@@C_SNB 很难很大@@，所以@@@@抑制尖峰的@@效果也会变得有@@限@@。此@@外@@，R_SNB 的@@尖峰吸收@@能力@@@@有@@限@@，因此@@@@抑制效果也会受限@@。
RCD 缓冲电路@@@@的@@@@R_SNB 消耗的@@电力@@与@@@@(b)相同@@，但因为@@@@只经由@@@@二@@极管@@吸收@@尖峰@@，比起@@(b)的@@吸收@@效果高@@@@、更实用@@。但是@@@@，需要注@@意使@@用@@的@@二@@极管@@的@@恢复特性@@@@，因为@@@@吸收@@尖峰时@@的@@@@电流@@变化大@@，需要极力@@减少@@缓冲电路@@@@的@@@@配线电感@@。另外@@，如@@果@@将@@R_SNB 与@@C_SNB 并联@@，在@@动作@@上@@也是@@相同@@的@@@@。
非放电@@型@@@@@@RCD 缓冲电路@@@@的@@@@R_SNB只消耗@@C_SNB 所吸收@@的@@电压@@尖峰@@能量@@，C_SNB 所积蓄的@@能量@@不会每次开@@关都充分释放出来@@。因此@@@@，即@@使@@开@@关频率@@加快@@，R_SNB 的@@消耗功率@@@@也不会变得很大@@，可以@@将@@C_SNB 增大@@，大幅提高@@@@电路@@的@@抑制效果@@。但样线路布局@@变得复杂@@，如@@果@@不是@@@@4 层@@以@@上@@@@的@@基板@@，布线会极为@@困难@@。

如@@上@@所述@@，这里介绍的@@缓冲电路@@@@各有@@长@@短@@，需要根据@@电源@@电路@@结@@构@@和@@转换功率@@容量选择最佳的@@缓冲电路@@@@@@。

缓冲电路@@@@的@@@@设计@@@@方法@@

1．图@@5所示@@的@@@@缓冲电路@@@@@@是@@通过@@@@C_SNB 吸收@@LTRACE 积蓄的@@能量@@。因此@@@@，在@@缓冲电路@@@@中@@形成@@的@@@@LSNB 必须比@@LTRACE 小@@。由@@于@@C_SNB 中@@积蓄的@@能量@@基本不放电@@@@，静电容@@量越大@@电压@@尖峰@@抑制效果变好@@@@,但使@@用@@的@@电容@@器的@@等@@价串联电感@@ (ESL) 也必须考虑到@@@@LSNB 中@@。一@@般来说@@，电容@@器的@@尺寸@@越大@@@@ESL 越大@@，在@@选择静电容@@量时@@要注@@意@@。

为@@了@@将@@LTRACE 中@@积蓄的@@能量@@全部用@@C_SNB 吸收@@，需以@@算式@@@@@@@@(2)所示@@静电电容@@为@@依据选定电容@@@@。

2．RC 缓冲电路@@@@的@@@@设计@@@@

图@@6所示@@为@@@@RC缓冲电路@@@@动作@@时@@的@@@@电流@@路径与@@@@C_SNB缓冲电路@@@@一@@样@@：

C_SNB的@@数值@@由@@算式@@@@@@@@(2)决定@@，而@@R_SNB 的@@参考值@@根据@@算式@@@@@@(3)求得@@。

f_SW：开@@关频率@@

V_SNB：放电@@缓冲电压@@@@（V_{DS_SURGE} 的@@0.9 倍@@）

决定@@R_SNB 之后@@@@，以@@算式@@@@@@(4)计算@@出@@R_SNB 的@@消耗功率@@@@，选定功率@@满足要求@@的@@电阻@@@@。

对@@于@@RC 缓冲电路@@@@，算式@@@@(4)追加了第@@二@@项@@，因为@@@@f_SW 或@@V_HVDC越高@@@@R_SNB 所消耗的@@电力@@越大@@@@，P_SNB 太大导致电阻@@选定困难时@@@@，必须降低@@@@@@C_SNB 的@@静电容@@量@@值@@重新@@计算@@@@。

另外@@，为@@了@@RC 缓冲电路@@@@充分吸收@@电压@@尖峰@@@@，R_SNB 和@@C_SNB的@@谐振频率@@ω_SNB 必须比@@电压@@尖峰@@的@@谐振频率@@@@ω_SURGE 低@@很多@@，需要结@@合@@算式@@@@@@(5)所示@@的@@@@RC 缓冲电路@@@@的@@@@谐振频率@@ω_SNB来确认@@。

3．放电@@型@@@@RCD 缓冲电路@@@@的@@@@设计@@@@

放电@@型@@@@RCD 缓冲电路@@@@的@@@@设计@@@@基本上@@与@@@@RC 缓冲电路@@@@相同@@@@。只是@@由@@于@@是@@@@通过@@二@@极管@@吸收@@的@@尖峰@@，所以@@@@不需要通过@@算式@@@@@@(5)确认谐振频率@@。并且@@@@，二@@极管@@必须选定为@@恢复电流@@小@@的@@型@@号@@。

4．非放电@@型@@@@@@RCD 缓冲电路@@@@的@@@@设计@@@@

非放电@@型@@@@@@RCD 缓冲电路@@@@与@@放电@@型@@@@@@RCD 缓冲电路@@@@不同@@，RSNB消耗的@@电力@@仅@@限于电压@@尖峰@@的@@能量@@，用于@@抑制容许损失的@@@@RSNB的@@选择范围很广@@。因此@@@@可以@@增大@@@@CSNB 的@@静电容@@量@@，提高@@@@钳位的@@效果@@。CSNB 由@@算式@@@@@@(2)决定@@，RSNB 由@@算式@@@@@@(3)决定@@,而@@RSNB 的@@消耗功率@@@@由@@算式@@@@@@@@(6)决定@@，没有@@算式@@@@@@(4)中@@包含@@@@CSNB 及@@fsw 的@@第@@二@@项@@。因此@@@@，由@@CSNB 或@@fsw 产生@@的@@消耗功率@@@@增加@@基本没有@@@@，能选择大的@@静电容@@量@@的@@@@CSNB，不仅@@仅@@缓冲电路@@@@的@@@@钳位效果更好@@@@，还能对@@应@@fsw 的@@高@@频化@@。

图@@8所示@@为@@@@非放电@@型@@@@@@@@RCD 缓冲电路@@@@动作@@时@@的@@@@放电@@路@@径@@。因为@@@@上@@臂的@@尖峰朝向@@PGND、下@@臂的@@尖峰朝向@@HVdc，放电@@流经由@@@@@@RSNB 流动@@，不那么@@受线路电感影响@@@@。另一@@方面@@，连接到@@@@MOSFET 的@@漏极@@@@源极@@之间@@的@@@@布线电感@@LSNB 因为@@@@电流@@变化大@@，电感值@@需要尽量小@@@@。

封装@@不同而@@造成的@@电压@@尖峰@@差异@@

最后@@说明@@的@@是@@@@，Turn OFF 尖峰根据@@封装@@的@@@@不同而@@有@@差异@@。图@@9是@@ SiC MOSFET 的@@代表@@性封装@@@@, (a)是@@被广泛采用@@的@@@@TO-247-3L，(b)是@@近几年@@渐渐扩大采用@@的@@用于@@驱动电路@@的@@源极@@@@端子@@@@（即@@所谓的@@开@@尔文接法@@）的@@TO-247-4L。

4L 型@@与@@@@3L 型@@相比@@@@，改变了驱动电路@@路径@@，使@@开@@关速度@@加快@@。由@@于@@这个@@@@原因@@，Turn ON 电压@@尖峰@@和@@@@Turn OFF 电压@@尖峰@@变得更大@@。图@@10为@@3L 类型@@和@@@@4L 类型@@的@@@@Turn OFF 电压@@尖峰@@的@@对@@比波形@@@@。VDS＝800V、RG_EXT＝3.3Ω、ID＝65A 时@@的@@@@Turn OFF波形@@，漏极@@源极@@间电压@@尖峰@@@@3L 类型@@为@@@@957V，而@@4L 类型@@则为@@@@1210V。

如@@上@@所述@@，桥式@@电路@@中@@@@的@@@@@@MOSFET 的@@栅@@极@@@@信号在@@@@MOSFET之间@@相互关联@@、动作@@，并在@@栅@@极@@源极@@之间@@产生@@预料之外@@的@@电压@@尖峰@@@@，其抑制方法需要考虑基板的@@线路布线@@，根据@@情况不同采取不同的@@对@@应@@。

本文转载自@@@@：Arrow Solution

ROHM推出@@具有@@@@绝缘构造@@、小@@尺寸@@且@@超低@@功耗的@@@@MOSFET

judy — Wed, 14 Dec 2022 07:59:23 +0000

全球知名半导体制造商@@ROHM（总部位于日本京都市@@）开@@发出一@@款@@小@@型@@且@@高@@效@@的@@@@20V耐压@@Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该@@产品@@非常适用于@@@@可穿戴设备@@@@@@、无线耳机等@@可听戴设备@@@@、智能手机@@等@@轻薄小@@型@@设备@@的@@开@@关@@应用@@@@。

近年@@来@@，随着@@小@@型@@设备@@向高@@性能@@化和@@多功能化方向发展@@，设备@@内@@部所需的@@@@电量也呈增长@@趋势@@，电池尺寸@@的@@增加@@@@，导致元器件@@的@@@@安装空间@@越来越少@@@@@@。另外@@，电池的@@尺寸@@增加@@也是@@有@@限制@@的@@@@，为@@了@@更有@@效地利用@@有@@限的@@电池电量@@，就需要减少@@用电元器件@@的@@@@功率@@损耗@@@@@@。

针对@@@@这种@@需求@@，开@@发易于小@@型@@化而@@且@@@@特性@@优异的@@@@晶圆级芯片@@尺寸@@封装@@@@的@@@@MOSFET已逐渐成为@@业界主流@@。ROHM利用@@其本身也是@@@@IC制造商的@@优势@@，通过@@灵活运用其@@IC工艺@@，大大降低@@@@了@@在@@以@@往分立器件@@的@@@@工艺@@中@@会增加@@的@@布线电阻@@@@，开@@发出功率@@损耗@@@@更低@@@@的@@小@@型@@功率@@@@MOSFET。

新@@产品@@@@采用@@融入了@@ROHM自@@有@@@@IC工艺@@的@@@@晶圆级芯片@@尺寸@@封装@@@@@@*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在@@实现小@@型@@化的@@同时@@@@还降低@@@@了@@功耗@@。与@@相同@@封装@@的@@@@普通@@产品@@相比@@@@，表@@示@@导通@@损耗@@@@和@@开@@关损耗@@@@之间@@关系的@@指标@@（导通@@电阻@@@@*3×Qgd*4）改善了@@20%左右@@，达到@@业内@@先进水平@@（1.0mm×0.6mm以@@下@@封装@@产品@@@@比较@@），非常有@@助于缩减各种小@@型@@设备@@电路@@板@@上@@的@@元器件@@所占面积并进一@@步提高@@@@效@@率@@@@。另外@@，还采用@@@@ROHM自@@有@@@@的@@封装@@结@@构@@@@，使@@侧壁有@@绝缘保护@@（相同@@封装@@的@@@@普通@@产品@@没有@@绝缘保护@@）。在@@受空间@@限制@@而@@不得不高@@密度安装元器件@@的@@@@小@@型@@设备@@中@@@@，使@@用@@这款@@@@新@@产品@@@@@@可降低@@@@因元器件@@之间@@的@@@@接触而@@导致短路的@@风险@@，从@@而@@有@@助于设备@@的@@安全运行@@。

新@@产品@@@@已于@@2022年@@11月@@开@@始@@暂以@@月@@产@@1,000万个@@@@（样品价格@@100日元@@/个@@，不含税@@）的@@规模投入量产@@。另外@@，新@@产品@@@@已经开@@始通过@@电商进行销售@@@@，通过@@Oneyac，Sekorm等@@电商平台@@均可购买@@。

ROHM将继续开@@发导通@@电阻@@@@更低@@@@@@、尺寸@@更小@@的@@产品@@@@，通过@@进一@@步提高@@@@各种小@@型@@设备@@的@@效率@@，来为@@解决环保等@@社会课题贡献力@@量@@。

新@@产品@@@@的@@@@主要特性@@@@

如@@需查看@@产品@@详细信息@@，您可点击@@RA1C030LD查看@@。

应用@@示例@@@@

◇ 无线耳机等@@可听戴设备@@@@
◇ 智能手表@@@@、智能眼镜@@、运动相机@@等@@可穿戴设备@@@@@@
◇ 智能手机@@
此@@外@@，还适用于@@@@其他@@@@各种轻薄小@@型@@设备@@的@@开@@关@@应用@@@@。

电商销售@@信息@@

起售时@@间@@：2022年@@11月@@开@@始@@
网@@售平台@@： Oneyac，Sekorm
在@@其他@@电商平台@@也将逐步发售@@。

术语解说@@

*1) Nch MOSFET
通过@@向栅@@极@@施加相对@@于@@源极@@为@@正的@@电压@@而@@导通@@的@@@@MOSFET。
相比@@Pch MOSFET，其漏源间的@@导通@@@@电阻@@@@@@更小@@@@，因此@@@@可减少@@常规损耗@@@@。

*2) 晶圆级芯片@@尺寸@@封装@@@@
一@@种在@@整片晶圆上@@形成@@引@@脚并进行布线等@@@@，然后@@@@再切割得到@@单个@@@@成品芯片@@的@@超小@@型@@封装@@形式@@@@。与@@将晶圆切割成单片后@@通过@@树脂模塑形成@@引@@脚等@@的@@普通@@封装@@形式@@不同@@，这种@@封装@@可以@@做到@@与@@内@@部的@@半导体芯片@@相同@@大小@@@@@@，因此@@@@可以@@缩减封装@@的@@@@尺寸@@@@。

*3) 导通@@电阻@@@@
MOSFET导通@@时@@漏极@@和@@源极@@@@之间@@的@@@@电阻@@值@@@@。该@@值@@越小@@@@@@，导通@@时@@的@@@@损耗@@@@（功率@@损耗@@@@）越少@@@@。

*4) Qgd（栅@@极@@-漏极@@间电荷量@@）
MOSFET开@@始导通@@@@后@@@@，栅@@极@@和@@漏极@@间的@@电容@@充电@@期间的@@电荷量@@。该@@值@@越小@@@@@@，开@@关速度@@越快@@，开@@关时@@的@@@@损耗@@@@（功率@@损耗@@@@）越小@@@@。

小@@而@@薄的@@@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC更适合@@小@@型@@化应用@@@@

judy — Tue, 13 Dec 2022 01:55:16 +0000

电器中@@配电@@、上@@电排序和@@电源@@状态转换都需要负载开@@关@@@@，它可以@@减小@@@@待机模式@@下@@的@@@@漏电流@@@@@@，抑制浪涌电流@@@@，实现断电控制@@。负载开@@关@@的@@作用是@@开@@启和@@关闭电源@@轨@@，大部分负载开@@关@@包含@@四个@@引@@脚@@：输入电压@@@@引@@脚@@、输出电压@@引@@脚@@、使@@能引@@脚和@@接地引@@脚@@。当@@通过@@@@ON引@@脚使@@能器件@@时@@@@，导通@@FET接通@@，从@@而@@使@@电流@@从@@输入引@@脚流向@@输出引@@脚@@，将电能传递@@到@@@@下@@游电路@@@@。

东芝@@面向@@20V电源@@线路推出@@的@@@@MOSFET栅@@极@@驱动@@IC（集成电路@@@@）TCK421G就是@@@@一@@款@@负载开@@关@@@@，它是@@@@TCK42xG系列@@中@@的@@@@首款@@@@产品@@@@。该@@系列@@器件@@专门用于@@控制外部@@N沟道@@MOSFET的@@栅@@极@@@@电压@@@@（基于输入电压@@@@@@），同时@@@@具备过压锁定@@功能@@。

一@@、器件@@功能特性@@分析@@@@

TCK421G MOSFET栅@@极@@驱动@@IC与@@背对@@背@@连接的@@外部@@N沟道@@MOSFET相配合@@@@，适用于@@@@配置@@具有@@@@反向电流@@阻断@@功能的@@电源@@@@多路复用器电路@@@@或@@配备反向电流@@阻断@@功能的@@负载开@@关@@电路@@@@@@。其内@@置电荷泵电路@@@@@@，支持@@2.7V至@@28V的@@宽@@电压@@输入范围@@，并能通过@@间歇式@@工作模式@@向外部@@MOSFET的@@栅@@极@@@@-源极@@电压@@@@提供@@稳定的@@电压@@@@，从@@而@@实现大电流@@的@@切换@@。

TCK421G的@@最大亮点是@@栅@@极@@源极@@之间@@设有@@保护电路@@@@，这也是@@实现大电流@@切换所必备的@@保护功能@@。该@@产品@@支持@@@@5.6V和@@10V两种类型@@栅@@极@@输出电压@@@@，用于@@匹配外部@@MOSFET的@@不同电压@@@@。过压锁定@@电压@@和@@栅@@极@@输出电压@@均可根据@@用户的@@设备@@需求来选择@@。未来@@东芝@@将继续开@@发@@TCK42xG系列@@，计划推出@@总共@@六个@@版本@@，支持@@5V至@@24V的@@输入电压@@@@过压锁定@@功能@@。除了@@具有@@@@各种过压@@、欠压锁定@@功能@@，其待机电流@@小@@于@@1µA。

二@@、电气特性@@@@分析@@

TCK421G采用@@行业最小@@封装@@之一@@的@@@@WCSP6G封装@@，实现了小@@而@@薄的@@@@设计@@@@（1.2mm×0.8mm（典型@@值@@@@），厚度@@仅@@为@@@@@@0.35mm（最大值@@@@），因此@@@@适用于@@@@各种小@@型@@设备@@的@@电源@@@@管理电路@@@@，便于实现高@@密度贴装@@，从@@而@@缩小@@@@设备@@尺寸@@@@。

TCK421G的@@主要特性@@如@@下@@@@：

N沟道@@共@@漏@@MOSFET的@@栅@@极@@@@驱动@@@@IC
N沟道@@单高@@端@@MOSFET的@@栅@@极@@@@驱动@@@@IC
最高@@输入电压@@@@高@@@@：VIN max＝40V
宽@@输入电压@@@@操作@@：VIN＝2.7V至@@28V
栅@@极@@-源极@@保护电路@@@@
过压锁定@@：VIN_OVLO＝6.31V、10.83V、14.29V、23.26V和@@27.73V典型@@值@@@@
欠压锁定@@：VIN_UVLO＝2.0V典型@@值@@@@
内@@置电荷泵电路@@@@：栅@@极@@-源极@@电压@@@@VGS＝5.6V和@@10V典型@@值@@@@
低@@待机电流@@@@：在@@VIN＝12V时@@，IQ(OFF)＝0.9µA最大值@@@@（TCK424G、TCK425G除外@@）
6引@@脚表@@面贴装@@，宽@@×长@@×高@@（mm）1.2×0.8×0.35，重量@@0.61mg（典型@@值@@@@）

三@@、产品@@应用@@方向@@

TCK421G已大量投放市场开@@始应用@@@@，主要应用@@领域@@包括@@可穿戴设备@@@@@@、智能手机@@、笔记本电脑@@、平板电脑@@、IoT设备@@、存储设备@@@@、USB电源@@和@@通用电源@@等@@@@。各种移动设备@@都需要电源@@管理和@@过压保护@@功能@@，由@@于@@这些设备@@都是@@@@比较小@@巧@@，又采用@@电池供电@@，所以@@@@对@@器件@@的@@@@待机电流@@和@@尺寸@@都有@@严格要求@@@@，TCK421G以@@及@@@@日后@@计划推出@@的@@@@TCK42xG系列@@恰恰可以@@完美匹配上@@述需求@@。

文章来源@@@@：东芝@@半导体@@

专为@@工业@@应用@@而@@设计@@的@@@@MOSFET—TOLT封装@@

judy — Mon, 05 Dec 2022 07:52:21 +0000

近年@@来@@，工业@@应用@@对@@@@MOSFET 的@@需求@@越来越高@@@@@@。从@@机械解决方案@@和@@更苛刻的@@应用@@@@条件都要求@@半导体制造商开@@发出新@@的@@封装@@方案@@和@@实施技术改进@@。从@@最初的@@通孔封装@@@@（插件@@）到@@ DPAK 或@@ D2PAK 等@@表@@面贴装器件@@@@ (SMD)，再到@@最新@@的@@无引@@脚封装@@@@，以@@及@@@@内@@部硅技术的@@显著改进@@，MOSFET 解决方案@@正在@@不断发展@@，以@@更好@@地满足工业@@市场新@@的@@要求@@@@。本文介绍了@@ TOLT 的@@封装@@方案@@、热性能@@和@@电路@@板@@的@@可靠性@@。

关键特性@@@@，主要优势和@@应用@@@@

目标应用@@市场@@

英飞凌@@公司@@的@@@@ TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封装@@OptiMOS™ 5 功率@@ MOSFET，有@@助于实现非常高@@的@@功率@@@@水平@@。由@@于@@通过@@顶部冷却改善了@@热阻@@，TOLT 可以@@在@@@@不增加@@器件@@数量和@@系统@@尺寸@@的@@情况下@@@@@@满足功率@@要求@@高@@的@@应用@@@@需求@@。因此@@@@，TOLT 封装@@的@@@@重点应用@@是@@大电流@@应用@@@@。该@@封装@@适用于@@@@功率@@水平高@@达@@ 50 kW 的@@大功率@@电机驱动@@器@@，具体应用@@如@@下@@@@：

封装@@设计@@@@

新@@ TOLT 封装@@的@@@@概念不同于标准@@的@@底部散热功率@@@@ MOSFET。在@@ TOLT 中@@，封装@@内@@的@@引@@线框架倒置@@，漏极@@焊盘@@（芯片@@底部@@ = 漏极@@连接@@）暴露在@@封装@@顶部@@。图@@2 为@@带有@@倒置引@@线框架的@@封装@@的@@@@侧视图@@@@。

图@@3 和@@图@@@@4 为@@栅@@极@@@@、源极@@和@@漏极@@引@@脚@@。一@@排八个@@引@@脚连接到@@@@顶部的@@裸露焊盘@@，以@@与@@电路@@板@@进行漏极@@连接@@@@。在@@封装@@的@@@@另一@@侧@@@@，一@@个@@引@@脚用于@@栅@@极@@控制@@，其余七个@@引@@脚连接到@@@@电流@@源极@@@@。

图@@5为@@ TOLT 封装@@尺寸@@细节@@。两个@@@@方向的@@高@@度容差都保持在@@@@±0.05 mm。负引@@脚本体高@@差的@@容差为@@@@ 0.01 至@@ 0.16 mm。

TOLT优势和@@准则@@

顶部散热不仅@@可以@@获得更高@@的@@应用@@@@功率@@@@，而@@且@@@@还有@@其他@@几个@@重要优势@@。在@@标准@@散热方案中@@@@（图@@6），散热器通常@@安装在@@@@ PCB 下@@方@@。从@@芯片@@到@@外部的@@热传递@@路径如@@下@@@@：这种@@解决方案@@的@@缺点是@@热性能@@降低@@@@@@，具体取决于@@ PCB 和@@ TIM/导热膏参数@@。这些组件的@@导热性差可能会导致过热和@@应用@@功率@@降低@@@@@@，还可能意味着@@需要更高@@的@@散热成本@@。此@@外@@，组装板需要承受更高@@的@@温度@@，这就需要使@@用@@更昂贵的@@@@ PCB。

而@@得益于顶部散热方案@@（图@@7），热路径可以@@显著缩短@@：通过@@消除热路径中@@的@@@@@@ PCB 和@@焊料互连来减少@@热路径对@@@@ MOSFET 性能@@有@@巨大的@@影响@@@@@@。

英飞凌@@研究了这两种解决方案@@比较@@：

1．依托顶部散热设计@@@@，漏极@@暴露在@@封装@@表@@面@@，显著降低@@@@管芯和@@散热器之间@@的@@@@热阻@@，可将@@ 95% 的@@热量通过@@散热器传递@@@@，只有@@@@5%通过@@PCB传递@@(图@@8)，诸如@@@@ TOLL 或@@ D2PAK 等@@底部散热型@@封装@@@@(图@@9)，其热量均通过@@@@ PCB 传导至@@散热片@@，从@@而@@会导致功率@@损耗@@@@较高@@@@@@。

2．SMD组件可以@@放置在@@@@PCB底部的@@@@TOLT MOSFET下@@方@@(图@@10)，以@@优化@@可用面积@@；

3．TOLT增加@@电流@@@@/功率@@处理能力@@@@@@，相较于@@ TOLL 封装@@，TOLT 封装@@的@@@@ RthJA 降低@@@@了@@ 20%，RthJC 改善近@@ 50%, Rth(J-heatsink) 降低@@@@了@@36% (图@@11)。

4．额外优势@@

除了@@可以@@为@@散热系统@@实现更高@@的@@功率@@@@密度@@或@@节省@@成本外@@，TOLT 产品@@还有@@其他@@优势@@。以@@下@@是@@一@@些示例@@@@：

<li>由@@于@@散热器没有@@安装在@@@@ PCB 下@@方@@，也没有@@热量通过@@@@ MOSFET 底侧传递@@到@@@@电路@@板@@@@，因此@@@@栅@@极@@驱动@@器或@@电容@@可以@@放在@@@@ PCB 的@@另一@@侧@@。这样@@的@@@@解决方案@@能够更有@@效地利用@@@@ PCB 空间@@。</li>

<li>可以@@使@@用@@具有@@@@较低@@@@玻璃化转变温度的@@@@ PCB。</li>

<li>传递@@到@@@@ PCB 和@@附近组件中@@的@@@@热量更少@@@@。</li>

5．热界面材料厚度@@@@

为@@保证@@ TOLT 封装@@的@@@@最佳热性能@@@@，并保证封装@@尽可能低@@的@@热阻@@，优化@@ TIM 厚度@@就显得至@@关重要@@。英飞凌@@为@@@@ TOLT 封装@@模拟@@了几种不同@@ TIM 厚度@@的@@情况@@（图@@12），从@@而@@分析其对@@从@@结@@到@@散热片总@@ RTH 的@@影响@@@@。在@@模拟@@中@@@@，散热片温度固定@@为@@@@ 85°C 的@@环境温度@@。

从@@图@@@@中@@@@可以@@看出@@@@，TIM 越薄@@，热阻越低@@@@。但是@@@@，应注@@意@@ TIM 的@@热导率@@ (λ) 值@@。更好@@的@@热导率@@补偿了@@ TIM 厚度@@的@@负面影响@@@@。

市场上@@现有@@的@@@@ TIM 的@@热导率@@通常@@在@@@@ 3 到@@ 6 W/mK 之间@@。为@@了@@达到@@@@最佳的@@热性能@@和@@足够的@@@@电隔离相平衡@@，系统@@工程师应优化@@@@ TIM 的@@厚度@@@@和@@热参数@@。下@@表@@为@@一@@些目前@@市场上@@现有@@的@@@@@@ TIM 示例@@。

客户最常用且@@在@@@@市场上@@广泛使@@用@@的@@材料是@@热导率在@@@@ 3 至@@ 4 W/mK 范围内@@的@@@@ TIM。根据@@对@@该@@值@@的@@仿真@@，MOSFET 结@@和@@散热片之间@@的@@@@热阻在@@@@ 0.8 和@@ 3K/W 之间@@变化@@，具体取决于@@ TIM 厚度@@。实际@@ TIM 厚度@@为@@@@ 300 至@@ 500 μm 时@@，热阻值@@可达@@@@ 1.5 至@@ 2.4K/W。当@@ Rth 等@@于@@ 2.4 K/W 且@@ MOSFET 结@@与@@外壳之间@@的@@@@温差为@@@@ 90°C（假设@@ Tcase = 85°C 和@@ Tjmax = 175°C）时@@，单个@@@@ TOLT MOSFET 可消耗大约@@@@ 40 W 的@@功率@@@@。

6．电参数@@

TOLT 封装@@中@@@@的@@@@ MOSFET 具有@@@@与@@相应@@ TOLL 部件相同@@的@@@@ RDS(on) 值@@。例如@@@@，采用@@ TOLT 封装@@的@@@@出色的@@@@100V MOSFET(IPTC015N10NM5) 和@@相应的@@@@TOLL(IPT015N10N5)，RDS(on),max 均为@@@@ 1.5 mΩ。

与@@ TOLL 相比@@，在@@带过孔的@@普通@@@@ 2s2p 电路@@板@@和@@@@ 85°C 的@@环境温度@@条件下@@@@@@，TOLT 的@@最大改进之处在@@于结@@到@@散热片的@@热阻@@ Rth 明显降低@@@@@@。Rth 降低@@@@了@@近@@ 50%，这会导致总耗散@@功率@@提高@@@@@@ 90% 以@@上@@@@。

TOLT的@@电路@@板@@可靠性@@

所有@@@@ SMD MOSFET 的@@另一@@个@@重要方面是@@不同应用@@条件下@@@@的@@电路@@板@@的@@可靠性@@。在@@苛刻的@@工业@@应用@@中@@@@使@@用@@这些@@ MOSFET 会使@@部件承受巨大的@@机械应力@@@@。用于@@评估@@ PCB 上@@封装@@可靠性的@@最常见测试@@是@@板上@@温度循环@@ (TCoB) 测试@@。TOLT 封装@@的@@@@散热片安装在@@封装@@顶部@@，因此@@@@还必须研究该@@部件可以@@承受的@@最大机械应力@@@@。

1. 板载温度循环可靠性@@

电子@@188足彩外围@@app 在@@工作期间会暴露在@@不断变化的@@温度下@@@@，这会导致材料膨胀@@。每种材料都有@@其自@@身的@@热膨胀系数@@，如@@果@@应力@@足够大@@，热膨胀率的@@差异可能会导致焊点出现裂纹@@。证明对@@热机械应力@@的@@鲁棒性的@@测试@@就是@@@@@@ TCoB 测试@@。IPC-9701 标准@@确定了应该@@如@@何以@@及@@@@在@@何种条件下@@@@进行@@ TCoB 测试@@。

从@@图@@@@13 和@@图@@@@14 中@@可以@@看出@@，汽车@@零件应能@@ -45°C 至@@ +125°C 下@@承受@@ 1,000 次循环@@，期间无故障出现@@。尽管@@通过@@了工业@@验证@@，英飞凌@@ MOSFET 仍根据@@更严格的@@汽车@@标准@@@@进行了测试@@@@。根据@@标准@@要求@@@@，升温速率应小@@于每分钟@@ 20°C。然而@@@@，在@@英飞凌@@的@@@@ TCoB 测试@@期间@@，升温速率条件为@@每分钟@@ 60°C。这会增加@@器件@@上@@的@@应力@@@@，还能满足更严格的@@热冲击测试@@要求@@@@。这种@@严苛的@@测试@@条件@@使@@英飞凌@@的@@封装@@承受了比@@ IPC-9701 标准@@要求@@更大的@@应力@@@@，从@@而@@证明了其卓越的@@鲁棒性和@@电路@@板@@级可靠性@@。

在@@英飞凌@@进行的@@@@ TCoB 测试@@期间@@，TOLT 部件受到@@监控@@，电气故障的@@标准@@是@@电阻@@增加@@@@ 20%。图@@15测试@@结@@果表@@明@@@@，TOLT 封装@@可以@@承受至@@少@@@@ 6,000 次循环@@而@@不会出现电气故障@@。6,000 次循环@@后@@@@，测试@@结@@束@@。

热仿真@@

本节将介绍和@@讨论不同电路@@板@@和@@@@散热片安装配置@@的@@热仿真@@结@@果@@。在@@图@@@@表@@中@@可以@@看到@@各种配置@@的@@热阻抗值@@@@。

在@@两种不同的@@散热系统@@结@@构@@下@@@@，仿真了从@@结@@到@@环境的@@热阻@@：

a) 在@@固定环境温度下@@@@，通过@@顶部散热的@@@@ Rth_JD1 (图@@16)，以@@及@@@@通过@@顶部散热@@，同时@@@@让散热片保持自@@然对@@流的@@@@ Rth_JD2 (图@@17)。

b) 在@@固定环境温度下@@@@，通过@@ PCB 和@@顶部散热@@ 的@@Rth_JH1D1 (图@@18)，以@@及@@@@在@@自@@然热对@@流下@@@@，通过@@ PCB 和@@顶部散热@@的@@@@ Rth_JH2D2 (图@@19) 。

对@@于@@每种散热方式@@@@，仿真了四种不同的@@@@ PCB 配置@@：2s2p（四层@@@@ PCB，铜厚@@ 1 oz. – 2 oz. – 2 oz. – 1 oz. ），带和@@不带过孔@@，以@@及@@@@ 1s0p（单层@@@@ PCB，铜厚@@ 1 oz. ），带和@@不带过孔@@。所选@@ TIM 的@@热导率@@为@@@@ 0.7 W/mK，厚度@@为@@@@ 100 μm。在@@相关情况下@@@@@@，环境温度设置为@@@@ 85°C。

如@@图@@@@16所示@@，对@@于@@顶部散热@@，在@@热量直接传递@@到@@@@主动冷却的@@散热片@@（温度固定@@）时@@，PCB 的@@选择在@@@@ Zth 性能@@方面没有@@显著差异@@。这意味着@@可以@@使@@用@@玻璃化转变温度较低@@@@的@@@@更经济的@@电路@@板@@@@。无论使@@用@@哪种电路@@板@@@@，热阻抗值@@都约@@为@@@@@@ 2.8 K/W。

但在@@自@@由@@热对@@流@@ (图@@17) 的@@情况下@@@@@@，电路@@板@@的@@选择可能会有@@所不同@@，因为@@@@一@@些热量会传递@@到@@@@@@ PCB。普通@@ 2s2p 电路@@板@@的@@热阻将增加@@到@@@@ 19.5 K/W。

此@@外@@，仿真结@@果表@@明@@@@，如@@果@@在@@@@ PCB 下@@方@@安装第@@二@@个@@散热片@@，热性能@@不会显着提高@@@@@@。例如@@@@，没有@@过孔的@@@@ 2s2p 电路@@板@@，其封装@@上@@方只有@@@@一@@个@@散热片@@，而@@ PCB 下@@方@@没有@@散热片@@，电路@@板@@热阻抗为@@@@ 2.77 K/W。如@@果@@在@@@@电路@@板@@下@@方@@增加@@一@@个@@散热片@@，热阻抗仅@@略微降低@@@@到@@@@ 2.59 K/W，这可以@@忽略不计@@。图@@18和@@图@@@@19为@@两侧均带有@@散热片的@@仿真结@@果@@。

总结@@@@

新@@型@@@@顶部散热@@ TOLT 封装@@，为@@大功率@@工业@@应用@@在@@@@ FR4 PCB 上@@实现@@。TOLT 由@@于@@缩短了从@@管芯结@@到@@散热片的@@热路径@@，因此@@@@改善了@@热阻@@，从@@而@@提高@@@@了@@电气性能@@@@。

为@@了@@确保最佳热性能@@@@，在@@开@@发@@ TOLT 封装@@过程中@@@@，英飞凌@@设计@@人员采取了不同的@@措施@@。这些措施包括@@最小@@化封装@@高@@度@@，引@@入引@@脚的@@负引@@脚本体高@@差@@，并采用@@无锡@@散热焊盘@@。影响@@ TOLT 产品@@整体热性能@@的@@一@@个@@关键方面是@@封装@@顶部和@@散热片之间@@的@@@@热界面材料@@ (TIM)。设计@@人员可以@@在@@@@@@ TIM 的@@厚度@@@@、热导率和@@价格之间@@权衡@@，从@@而@@实现预期的@@热性能@@@@。热仿真@@证实@@，与@@在@@@@ FR4 PCB 上@@的@@标准@@底部散热解决方案@@相比@@@@，封装@@的@@@@热阻有@@了显著改善@@。除了@@仿真外@@，还进行了可靠性试验@@，例如@@@@板上@@温度循环@@、弯曲和@@压缩测试@@@@。实验结@@果证明@@，TOLT 封装@@在@@顶部有@@额外负载压力@@的@@情况下@@@@@@可以@@承受足够数量的@@热冲击循环@@，这超过了通用标准@@的@@要求@@@@。

本文转载自@@@@： Arrow Solution

ROHM开@@发出具有@@@@绝缘构造@@、小@@尺寸@@且@@超低@@功耗的@@@@MOSFET

judy — Thu, 01 Dec 2022 07:32:22 +0000

非常有@@助于提高@@@@无线耳机和@@可穿戴设备@@@@等@@小@@而@@薄设备@@的@@效率和@@运行安全性@@！

＜新@@产品@@@@的@@@@主要特性@@@@＞

＜应用@@示例@@@@＞

◇无线耳机等@@可听戴设备@@@@

◇智能手表@@@@、智能眼镜@@、运动相机@@等@@可穿戴设备@@@@@@

◇智能手机@@

此@@外@@，还适用于@@@@其他@@@@各种轻薄小@@型@@设备@@的@@开@@关@@应用@@@@。

＜电商销售@@信息@@＞

起售时@@间@@：2022年@@11月@@开@@始@@

网@@售平台@@： Oneyac，Sekorm

在@@其他@@电商平台@@也将逐步发售@@。

＜术语解说@@＞

*1) Nch MOSFET

通过@@向栅@@极@@施加相对@@于@@源极@@为@@正的@@电压@@而@@导通@@的@@@@MOSFET。

相比@@Pch MOSFET，其漏源间的@@导通@@@@电阻@@@@@@更小@@@@，因此@@@@可减少@@常规损耗@@@@。

*2) 晶圆级芯片@@尺寸@@封装@@@@

一@@种在@@整片晶圆上@@形成@@引@@脚并进行布线等@@@@，然后@@@@再切割得到@@单个@@@@成品芯片@@的@@超小@@型@@封装@@形式@@@@。与@@将晶圆切割成单片后@@通过@@树脂模塑形成@@引@@脚等@@的@@普通@@封装@@形式@@不同@@，这种@@封装@@可以@@做到@@与@@内@@部的@@半导体芯片@@相同@@大小@@@@@@，因此@@@@可以@@缩减封装@@的@@@@尺寸@@@@。

*3) 导通@@电阻@@@@

MOSFET导通@@时@@漏极@@和@@源极@@@@之间@@的@@@@电阻@@值@@@@。该@@值@@越小@@@@@@，导通@@时@@的@@@@损耗@@@@（功率@@损耗@@@@）越少@@@@。

*4) Qgd（栅@@极@@-漏极@@间电荷量@@）

【关于@@罗姆@@@@（ROHM）】

【关于@@罗姆@@@@（ROHM）在@@中@@国@@的@@业务发展@@】

销售@@网@@点@@：起初于@@1974年@@成立@@了罗姆@@半导体@@@@香港有@@限公司@@@@@@。在@@1999年@@成立@@了罗姆@@半导体@@@@（上@@海@@）有@@限公司@@@@， 2006年@@成立@@了罗姆@@半导体@@@@（深圳@@）有@@限公司@@@@，2018年@@成立@@了罗姆@@半导体@@@@（北京@@）有@@限公司@@@@。为@@了@@迅速且@@准确应对@@不断扩大的@@中@@国@@市场的@@要求@@@@，罗姆@@在@@中@@国@@构建了与@@总部同样@@的@@@@集开@@发@@、销售@@、制造于一@@体的@@垂直整合@@体制@@。作为@@@@罗姆@@的@@特色@@，积极开@@展@@“密切贴近客户@@”的@@销售@@活动@@，力@@求向客户提供@@周@@到@@的@@服务@@。目前@@在@@中@@国@@共@@设有@@@@20处销售@@网@@点@@@@，其中@@@@包括@@@@香港@@、上@@海@@、深圳@@、北京@@这@@4家销售@@公司@@以@@及@@@@其@@16家分公司@@@@@@（分公司@@@@：大连@@、天津@@、青岛@@、南京@@、合@@肥@@、苏州@@、杭州@@、宁波@@、西安@@、武汉@@、东莞@@、广州@@、厦门@@、珠海@@、重庆@@、福州@@）。并且@@@@，正在@@逐步扩大分销网@@络@@。

技术中@@心@@@@：在@@上@@海@@和@@深圳@@设有@@技术中@@心@@@@和@@@@QA中@@心@@，在@@北京@@@@设有@@华北技术中@@心@@@@@@，提供@@技术和@@品质支持@@@@。技术中@@心@@@@配备精通各类市场的@@开@@发和@@设计@@支持@@人员@@，可以@@从@@软件到@@硬件以@@综合@@解决方案@@的@@形式@@@@，针对@@@@客户需求进行技术提案@@。并且@@@@，当@@产品@@发生不良情况时@@@@，QA中@@心@@会在@@@@@@24小@@时@@@@以@@内@@对@@申诉做出答复@@。

生产@@基地@@：1993年@@在@@天津@@@@（罗姆@@半导体@@（中@@国@@）有@@限公司@@@@）和@@大连@@@@（罗姆@@电子@@大连@@有@@限公司@@@@@@）分别建立了生产@@工厂@@。在@@天津@@进行二@@极管@@@@、LED、激光二@@极管@@@@、LED显示器和@@光学传感器的@@生产@@@@@@，在@@大连@@进行电源@@模块@@@@、热敏打印头@@、接触式@@图@@像传感器@@、光学传感器的@@生产@@@@，作为@@@@罗姆@@的@@主力@@生产@@基地@@@@，源源不断地向中@@国@@国内@@外提供@@高@@品质产品@@@@。

社会贡献@@：罗姆@@还致力@@于与@@国内@@外众多研究机关和@@企业@@加强@@合@@作@@，积极推进产学研联合@@的@@研发活动@@。2006年@@与@@清华@@大学签订了产学联合@@框架协议@@，积极地展开@@关于@@电子@@元器件@@先进技术开@@发的@@产学联合@@@@。2008年@@，在@@清华@@大学内@@捐资建设@@“清华@@-罗姆@@电子@@工程馆@@”，并已于@@2011年@@4月@@竣工@@。2012年@@，在@@清华@@大学设立了@@“清华@@-罗姆@@联合@@研究中@@心@@@@”，从@@事光学元器件@@@@@@、通信@@广播@@、生物芯片@@@@、SiC功率@@器件@@应用@@@@、非挥发处理器芯片@@@@、传感器和@@传感器网@@络技术@@（结@@构@@设施健康监测@@）、人工智能@@（机器健康检测@@）等@@联合@@研究项目@@。除清华@@大学之外@@@@，罗姆@@还与@@国内@@多家知名高@@校进行产学合@@作@@，不断结@@出丰硕成果@@。

罗姆@@将以@@长@@年@@不断积累起来的@@技术力@@量和@@高@@品质以@@及@@@@可靠性为@@基础@@，通过@@集开@@发@@、生产@@、销售@@为@@一@@体的@@扎实的@@技术支持@@@@、客户服务体制@@，与@@客户构筑坚实的@@合@@作关系@@，作为@@@@扎根中@@国@@的@@企业@@@@，为@@提高@@@@客户产品@@实力@@@@、客户业务发展以@@及@@@@中@@国@@的@@节能环保事业做出积极贡献@@。

Vishay针对@@@@车载@@充电@@应用@@推出@@七款@@新@@型@@@@二@@极管@@和@@@@MOSFET功率@@模块@@@@

judy — Thu, 24 Nov 2022 02:53:19 +0000

灵活的@@器件@@@@采用@@@@PressFit引@@脚压合@@技术@@，在@@小@@型@@封装@@中@@@@内@@置各种电路@@配置@@@@@@

日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号@@：VSH）宣布@@，针对@@@@车载@@充电@@应用@@专门推出@@七款@@新@@型@@@@二@@极管@@和@@@@MOSFET功率@@模块@@@@。含有@@各种电路@@配置@@@@的@@集成解决方案@@采用@@@@PressFit引@@脚压合@@专利技术@@，将高@@效@@快速体二@@极管@@@@@@MOSFET和@@SiC、FRED Pt®和@@MOAT二@@极管@@技术结@@合@@在@@小@@型@@@@EMIPAK 1B封装@@中@@@@。

日前@@发布的@@@@Vishay Semiconductors器件@@具有@@@@@@车载@@充电@@应用@@@@AC/DC、DC/DC和@@DC/AC转换所需的@@@@各种电路@@配置@@@@@@，包括@@输入@@/输出桥@@、全桥@@逆变器@@@@和@@功率@@@@因数校正@@（PFC），适用于@@@@各种额定功率@@@@。模块@@符合@@@@@@AQG-324汽车@@标准@@@@，可为@@电动@@（EV）和@@混合@@动力@@@@（HEV）汽车@@以@@及@@@@电动自@@行车@@、农业机械@@、铁路车辆等@@提供@@完整解决方案@@@@。

器件@@EMIPAK封装@@采用@@矩阵式@@方法@@，在@@同样@@的@@@@@@63 mm x 34 mm x 12 mm小@@型@@封装@@中@@@@内@@置各种定制电路@@配置@@@@@@。与@@分立式@@解决方案@@相比@@@@，有@@助于提高@@@@功率@@密度@@，同时@@@@可在@@@@工业@@和@@可再生能源应用@@不同功率@@级灵活使@@用@@每种模块@@@@，适用于@@@@焊接@@、等@@离子切割@@、UPS、太阳能逆变器@@@@和@@风力@@发电机等@@@@。

器件@@的@@@@AI2O3直接敷铜@@（DBC）衬底@@改进了热性能@@@@，经过@@优化@@的@@布局@@有@@助于减小@@@@杂散电感@@，提高@@@@EMI性能@@。模块@@PressFit引@@脚压合@@技术@@便于@@PCB安装并减少@@衬底@@机械应力@@@@，而@@无底座结@@构@@减少@@了需要焊接的@@接口提高@@@@可靠性@@@@。

器件@@配置@@表@@@@：

产品@@编号@@	电路@@配置@@@@
VS-ENK025C65S	双升压@@@@ PFC MOSFET和@@全桥@@@@MOSFET逆变器@@
VS-ENV020F65U	六个@@用于@@输出整流的@@独立@@Ultrafast整流器@@
VS-ENW30S120T	全桥@@SiC二@@极管@@
VS-ENY050C60	全桥@@逆变器@@@@MOSFET
VS-ENV020M120M	六个@@用于@@交流线路输入整流的@@独立二@@极管@@@@
VS-ENM040M60P	半控输入桥加升压@@@@PFC支路@@MOSFET和@@半桥逆变器@@@@MOSFET
VS-ENZ025C60N	独立恢复二@@极管@@双向交错无桥@@PFC（四通道@@@@）

Vishay 提供@@全系列@@硅技术功率@@模块@@@@@@，包括@@Si和@@SiC二@@极管@@、晶闸管@@、IGBT和@@ MOSFET，以@@及@@@@电容@@器@@、分流器@@、NTC和@@PTC热敏电阻@@等@@被动@@188足彩外围@@app 。器件@@可用来配置@@各种拓扑结@@构@@@@，包括@@标准@@焊接引@@脚和@@@@PressFit端子@@，适用于@@@@广泛功率@@范围@@。功率@@模块@@@@符合@@@@工业@@标准@@@@，可加以@@定制满足特定应用@@要求@@@@，具有@@@@高@@度灵活性和@@成本效益@@，有@@助于设计@@人员加快产品@@上@@市速度@@并提高@@@@整体系统@@性能@@@@。

新@@型@@@@功率@@模块@@@@现可提供@@样品@@。量产供货周@@期为@@@@26周@@。

VISHAY简介@@

Nexperia推出@@用于@@热插拔的@@全新@@特定型@@应用@@@@MOSFET (ASFET)，SOA性能@@翻倍@@@@

judy — Mon, 21 Nov 2022 06:17:30 +0000

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产@@专家@@ Nexperia（安世半导体@@）近日宣布@@扩展其适用于@@@@热插拔和@@软启动的@@@@ ASFET 产品@@组合@@@@，推出@@ 10 款@@全面优化@@的@@@@ 25V 和@@ 30V 器件@@。新@@款@@器件@@将业内@@领先的@@安全工作区@@@@@@（SOA）性能@@与@@超低@@的@@@@ RDS(on)相结@@合@@@@，非常适合@@用于@@@@ 12V 热插拔应用@@@@，包括@@数据中@@心@@@@服务器@@和@@通信@@设备@@@@。

多年@@来@@，Nexperia（安世半导体@@）致力@@于将成熟的@@@@ MOSFET 专业知识和@@广泛的@@@@应用@@经验结@@合@@起来@@，增强@@@@器件@@中@@关键@@ MOSFET 的@@性能@@@@，满足特定应用@@的@@要求@@@@，以@@打造市场领先的@@@@ ASFET。自@@ ASFET 推出@@以@@来@@，针对@@@@电池隔离@@（BMS）、直流电机控制@@、以@@太网@@供电@@（POE）和@@汽车@@安全气囊等@@应用@@@@的@@产品@@优化@@升级不断取得成功@@。

浪涌电流@@给热插拔应用@@@@带来了可靠性挑战@@。为@@了@@应对@@这一@@挑战@@，增强@@@@型@@@@ SOA MOSFET 领域的@@前沿企业@@@@ Nexperia（安世半导体@@）专门针对@@@@此@@类应用@@进行了全面升级@@，设计@@了适用于@@@@热插拔和@@软启动的@@@@ ASFET 产品@@组合@@@@，并增强@@@@了@@ SOA 性能@@。与@@之前的@@技术相比@@@@，PSMNR67-30YLE ASFET的@@ SOA(12V @100mS)性能@@提高@@@@到@@@@了@@ 2.2 倍@@，同时@@@@ RDS(on)（最大值@@@@）低@@至@@@@ 0.7mΩ。与@@未优化@@器件@@相比@@@@，新@@款@@器件@@不仅@@消除了@@@@ Spirito 效应@@（表@@示@@为@@@@ SOA 曲线@@的@@更高@@压@@区@@域@@中@@更为@@陡峭的@@斜向下@@曲线@@@@），还同时@@@@保持了整个@@电压@@和@@温度范围内@@的@@@@出色性能@@@@。

Nexperia（安世半导体@@）通过@@在@@@@ 125℃ 下@@对@@新@@款@@器件@@进行完全表@@征@@，并提供@@高@@温下@@的@@@@@@ SOA 数据曲线@@@@，消除了@@热降额设计@@的@@必要性@@，从@@而@@为@@设计@@人员提供@@进一@@步支持@@@@。

8 款@@新@@产品@@@@@@（3款@@25V和@@5款@@30V）现已可选择@@ LFPAK56 或@@ LFPAK56E 封装@@，其中@@@@ RDS(on)范围为@@@@ 0.7mΩ 到@@ 2mΩ，可适用于@@@@大多数热插拔和@@软启动应用@@@@。其他@@ 2 款@@ 25V 产品@@的@@@@ RDS(on)更低@@@@，仅@@为@@@@ 0.5mΩ，预计将于未来@@几个@@月@@内@@发布@@。

Nexperia 适用于@@@@ 36V 电池系统@@@@的@@特定应用@@@@ MOSFET

judy — Thu, 27 Oct 2022 08:11:13 +0000

36V 锂离子电池是@@当@@今工具和@@户外动力@@设备@@的@@常用电源@@@@。由@@ 36V 电池供电的@@产品@@得益于高@@功率@@输出和@@较长@@的@@电池寿命@@，同时@@@@也相对@@较轻且@@易于使@@用@@@@。然而@@@@，36V 电池的@@高@@能量密度也需要实现高@@效@@和@@安全的@@电池隔离@@。

隔离的@@需求@@源于该@@技术固有@@的@@安全风险@@。锂离子电池含有@@易燃电解质@@：如@@果@@损坏或@@充电@@或@@放电@@不正确@@，可能会导致火灾或@@爆炸@@。为@@了@@安全地对@@电池进行充电@@和@@放电@@@@，并将它们与@@负载隔离@@，电池系统@@@@设计@@人员通常@@使@@用@@@@ MOSFET，如@@图@@@@ 1 所示@@。

△ 图@@ 1：典型@@应用@@电路@@中@@@@的@@@@简单高@@边@@放电@@@@ MOSFET

这种@@ MOSFET 最常见的@@要求@@是@@@@：

▶足够的@@@@Vds漏源电压@@额定值@@@@@@。

▶低@@导通@@电阻@@@@@@，可降低@@@@导通@@损耗@@@@@@@@。

▶较高@@@@的@@@@Id额定电流@@@@，使@@ MOSFET 可以@@处理大功率@@应用@@中@@@@的@@@@峰值@@过载和@@故障电流@@@@。

▶较低@@@@的@@@@Idss漏电流@@@@，降低@@@@电池长@@时@@间不工作时@@的@@@@放电@@率@@。

▶坚固的@@封装@@和@@@@良好@@的@@板级可靠性@@。这对@@于@@暴露于恶劣环境@@（例如@@@@极端温度或@@振动@@）的@@应用@@@@非常重要@@。

设计@@人员在@@评估高@@边放电@@@@ MOSFET 选择时@@考虑的@@其他@@因素包括@@@@：

▶较高@@@@的@@@@雪崩能力@@@@@@。当@@快速隔离大电流@@负载时@@@@，通常@@会在@@@@电池故障保护机制下@@@@.断开@@时@@常触发的@@事件@@，高@@雪崩能量可能会通过@@@@ MOSFET 耗散@@。

▶较大的@@安全工作区@@@@@@（SOA）。在@@故障情况下@@@@@@，当@@过载期间试图@@关闭电机时@@@@，放电@@晶体管通常@@会在@@@@其电阻@@大幅上@@升时@@会短暂进入线性模式@@@@。在@@这些条件下@@@@@@，电池电压@@会在@@@@高@@负载电流@@下@@衰减@@，并且@@@@ MOSFET 栅@@极@@电压@@可能不足以@@确保晶体管完全导通@@@@。具有@@@@较大@@的@@@@ SOA 的@@ MOSFET 可以@@承受这些条件@@。

▶较低@@@@的@@@@栅@@极@@泄漏电流@@@@@@，以@@避免在@@线性模式@@下@@发生不必要的@@关断事件@@。

在@@包含@@@@ 10 节串联电池的@@电池组中@@@@，电压@@通常@@为@@@@ 36V；最大充电@@电压@@为@@@@@@ 42 V。额定击穿电压@@介于@@ 45 V 和@@ 52.5 V 之间@@的@@@@ MOSFET 可提供@@至@@少@@@@ 80% 的@@降额@@。

然而@@@@，在@@这些应用@@中@@@@@@@@通常@@使@@用@@@@ 60 V MOSFET，因为@@@@它提供@@了@@更高@@的@@降额@@@@。但这是@@以@@雪崩等@@级@@、SOA、栅@@极@@电荷和@@泄漏性能@@等@@其他@@因素为@@代价的@@@@。在@@许多@@ MOSFET 中@@，硅结@@构@@会使@@元胞之间@@单元间距变窄@@，以@@实现低@@导通@@电阻@@@@@@@@，但是@@@@会影响@@@@ SOA 变弱并降低@@@@雪崩能量@@。

因此@@@@，设计@@工程师已经习惯于接受效率和@@隔离能力@@@@之间@@的@@@@折衷@@。然而@@@@，来自@@@@ Nexperia 的@@最新@@特定应用@@@@ 50 V 和@@ 55 V MOSFET 避免了这样@@的@@@@折衷@@。它们得益于卓越的@@超结@@技术@@，可产生@@较低@@@@的@@@@导通@@电阻@@@@@@@@，而@@不会影响@@其他@@参数的@@性能@@@@@@。

例如@@@@，采用@@ LFPAK88铜夹片@@封装@@的@@@@@@ Nexperia PSMNR90-50SLH 在@@ 10 V 栅@@源电压@@下@@具有@@@@@@@@ 0.9 mΩ的@@最大导通@@电阻@@@@@@。且@@最大漏极@@@@电流@@@@额定值@@@@可达@@@@ 410 A。尽管@@导通@@电阻@@@@很低@@@@@@ ，并且@@@@具有@@@@最佳的@@@@ SOA 电流@@能力@@@@@@，在@@ 40 V/Tp=1 ms下@@具有@@@@@@8.1 A 电流@@，如@@图@@@@ 2 所示@@。

△ 图@@ 2：PSMNR90-50SLH MOSFET 的@@ 40 V/1 ms SOA 图@@

对@@于@@更多空间@@受限的@@应用@@@@@@，具有@@@@ 200 A 额定电流@@@@的@@@@ 50 V 和@@ 55 V 器件@@也可采用@@@@ 5 mm x 6 mm LFPAK56E 封装@@。

除了@@优化@@用于@@@@ 36V 电池系统@@@@的@@关键参数外@@，Nexperia 还优化@@这些@@ MOSFET 在@@高@@温下@@的@@@@运行能力@@@@@@。在@@ 175°C和@@ 100% Vds 电压@@额定值@@@@下@@进行了@@ 1,000 小@@时@@@@的@@高@@温反向偏置寿命测试@@@@ (HTRB)。

根据@@ MIL-STD-750-1 M1038 Method A标准@@，60 V 器件@@的@@@@行业标准@@是@@在@@@@ 175°C和@@80%的@@漏源电压@@额定值@@@@@@@@（48 V）下@@工作@@ 1,000 小@@时@@@@。

广泛的@@@@ MOSFET 产品@@选择@@

Nexperia 放电@@ MOSFET 采用@@ 100% 铜夹片@@LFPAK 封装@@。该@@封装@@坚固耐用@@，提供@@较高@@@@的@@@@板级可靠性和@@出色的@@热性能@@@@。LFPAK 封装@@适用于@@@@汽车@@以@@及@@@@工业@@和@@消费@@类应用@@@@。

△ 具有@@@@较大@@ SOA 的@@ Nexperia MOSFET适用于@@@@ 36V 锂电池系统@@@@应用@@@@

Nexperia (安世半导体@@)

Nexperia（安世半导体@@），作为@@@@生产@@大批量基础半导体二@@极管@@@@件@@的@@专家@@，其产品@@广泛应用@@于全球各类电子@@设计@@@@。公司@@丰富的@@@@产品@@组合@@@@包括@@二@@极管@@@@、双极性@@晶体管@@、ESD保护二@@极管@@件@@@@、MOSFET二@@极管@@件@@、氮化镓场效应@@晶体管@@(GaN FET)以@@及@@@@模拟@@@@IC和@@逻辑@@IC。Nexperia 总部位于荷兰奈梅亨@@，每年@@可交付@@1000多亿件产品@@@@，产品@@符合@@@@汽车@@行业的@@严苛标准@@@@。其产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及@@性能@@@@）方面获得行业广泛认可@@，拥有@@先进的@@小@@尺寸@@封装@@技术@@，可有@@效节省@@功耗及@@空间@@@@。

上@@海@@贝岭为@@@@USB-PD应用@@提供@@高@@性能@@驱动@@IC和@@MOSFET解决方案@@

judy — Tue, 27 Sep 2022 02:21:42 +0000

智能化便携式@@电子@@设备@@诸如@@@@智能手机@@@@、笔记本电脑@@、平板电脑@@等@@@@的@@不断更新@@换代@@，功能越来越丰富@@，随之带来了耗电量急剧上@@升的@@挑战@@。然而@@@@，在@@现有@@电池能量密度还未取得突破性进展的@@背景下@@@@，人们开@@始探索更快的@@电量补给@@，以@@高@@效@@充电@@来压缩充电@@时@@间@@，降低@@@@充电@@的@@时@@间成本@@，从@@而@@换取设备@@的@@便携性@@，提升用户体验@@。

目前@@，USB-PD是@@最为@@主流的@@快充技术@@@@。该@@技术标准@@具有@@@@@@18W、20W、35W、65W和@@140W等@@多种功率@@规格@@@@，以@@及@@@@5V、9V、12V和@@20V等@@多种电压@@输出@@。灵活的@@电压@@电流@@输出配置@@让各种电子@@设备@@都能通过@@一@@条@@USB-TYPE C线缆满足充电@@需求@@。

以@@某款@@@@65W单口手机充电@@器为@@例@@@@@@，主要包括@@输入@@整流滤波@@、控制和@@反馈@@、初级开@@关@@、输出同步整流@@@@，输出滤波等@@四个@@部分组成@@，每个@@部分的@@详细组成如@@图@@@@@@1所示@@。

图@@1 65W单口充电@@器内@@部结@@构@@图@@@@

USB-PD充电@@器工作原理@@

以@@某款@@@@手机的@@@@USB-PD充电@@器为@@例@@@@，其电路@@原理图@@如@@图@@@@@@2所示@@。正常情况下@@@@@@，充电@@器通过@@接入市电@@，经过@@共@@模电感滤波以@@及@@@@整流桥整流后@@形成@@直流电@@，再经过@@主控@@IC和@@变压器@@，电压@@加在@@主开@@关管上@@@@，主控制芯片@@工作后@@开@@始驱动开@@关@@MOS管进行高@@频开@@关@@，当@@主开@@关管开@@通时@@@@，母线上@@的@@电流@@对@@变压器原边储存能量@@，当@@主开@@关管关断时@@@@@@，变压器原边开@@始对@@副边进行释放能量@@。同步整流@@IC产生@@MOSFET的@@驱动电平与@@变压器的@@正弦波电压@@同步变化@@，当@@输出电压@@正相时@@@@，同步整流@@MOSFET驱动电压@@为@@@@高@@电平@@，同步整流@@管开@@通@@，减小@@@@电流@@流经体二@@极管@@@@输出的@@@@损耗@@@@；当@@变压器副边电压@@反相时@@@@，同步整流@@MOSFET驱动电压@@为@@@@低@@电平@@，MOSFET体二@@极管@@@@使@@反向电压@@截止@@@@。此@@外@@，通过@@和@@基准比较@@，协议芯片@@与@@手机连接后@@控制光耦反馈@@，进一@@步控制主控芯片@@产生@@的@@@@PWM来控制输出电压@@和@@电流@@@@，达到@@向次级传递@@能量并变换电压@@的@@效果@@。

图@@2 手机充电@@器电路@@原理图@@@@

上@@海@@贝岭为@@@@USB-PD应用@@提供@@的@@产品@@解决方案@@@@

前级驱动@@IC产品@@方案@@

针对@@@@手机@@、笔记本电脑@@和@@平板电脑@@等@@@@设备@@充电@@器产品@@@@，上@@海@@贝岭可以@@提供@@初级测驱动主控@@@@IC（南京@@微盟系列@@产品@@@@@@），产品@@如@@下@@表@@@@1所示@@。

表@@1 初级测驱动主控@@IC选型@@表@@@@

以@@上@@@@产品@@待机功耗均达到@@六级能效@@之要求@@@@，其中@@@@8210采用@@QR控制方式@@@@，频率提高@@@@到@@@@@@200kHz, 8224采用@@PWM控制方式@@@@，VCC提高@@@@到@@@@80V OVP，省去了客户需要加二@@次稳压电路@@的@@复杂应用@@@@，节约@@了成本@@。8250更是@@采用@@了有@@源钳位的@@新@@式@@控制架构@@，国内@@同类产品@@鲜见@@！

前级高@@压@@@@ MOSFET产品@@

前级主开@@关管是@@整个@@电路@@中@@@@最重要的@@高@@压@@开@@关@@，上@@海@@贝岭在@@这一@@应用@@上@@有@@多种产品@@可供选择@@，产品@@性能@@优异@@，可选型@@的@@产品@@列表@@@@如@@表@@@@2所示@@：

表@@2 前级高@@压@@@@MOSFET产品@@选型@@表@@@@@@

后@@级同步整流@@@@控制@@@@IC

上@@海@@贝岭提供@@的@@性能@@@@优异的@@@@同步整流@@控制@@@@IC产品@@主要参数信息如@@表@@@@3所示@@。

表@@3 同步整流@@控制@@IC产品@@应用@@选型@@表@@@@@@@@

后@@级同步整流@@@@MOSFET

上@@海@@贝岭目前@@已开@@发出了性能@@优异的@@@@@@SGT MOSFET产品@@，产品@@主要参数信息如@@表@@@@4所示@@。

表@@4 USB-PD应用@@同步整流@@@@MOSFET应用@@选型@@表@@@@@@

上@@海@@贝岭为@@@@USB-PD应用@@提供@@了@@全方位的@@半导体器件@@解决方案@@@@，涵盖了前级驱动@@@@IC、高@@压@@MOSFET、后@@级同步整流@@@@控制@@@@IC和@@同步整流@@@@MOSFET等@@关键@@188足彩外围@@app 。同时@@@@，上@@海@@贝岭还具有@@@@完善的@@应用@@@@技术支持@@能力@@@@@@，可以@@为@@客户@@提供@@相关的@@系统@@设计@@推荐@@，帮助客户工程师节省@@开@@发周@@期@@。此@@外@@，上@@海@@贝岭具有@@@@严格的@@品质把@@关@@，所有@@@@产品@@在@@发布之前均按照@@JEDEC标准@@进行了严格的@@认证@@测试@@@@，满足工业@@级产品@@可靠性标准@@要求@@@@。上@@海@@贝岭将始终坚持在@@电源@@产品@@和@@功率@@@@器件@@领域中@@不断探索@@，全心全力@@为@@客户打造满足要求@@的@@优异产品@@@@。

性能@@提升@@，功耗降低@@@@@@！，这样@@的@@@@MOSFET是@@你的@@最爱么@@？

judy — Fri, 26 Aug 2022 01:16:18 +0000

随着@@科技的@@不断革新@@发展@@，MOSFET产品@@也经过@@技术的@@迭代升级有@@了更加优越的@@表@@现@@。但如@@何提升器件@@性能@@的@@同时@@@@进一@@步降低@@@@器件@@的@@@@自@@身损耗@@依旧是@@亟待解决的@@问题@@@@。为@@此@@东芝@@半导体@@拓展了@@MOSFET产品@@线@@，推出@@了适用于@@@@头灯控制开@@关等@@车载@@小@@型@@设备@@的@@@@N沟道@@30V MOSFET器件@@——SSM6K809R，该@@器件@@通过@@东芝@@新@@型@@@@工艺@@技术设计@@把@@设备@@功耗深度压缩@@。

一@@、电气属性综述@@

SSM6K809R采用@@东芝@@半导体@@独有@@的@@新@@工艺@@技术@@（U-MOSⅧ-H）设计@@，具有@@@@行业先进的@@低@@导通@@电阻@@@@@@@@。并且@@@@通过@@扁平引@@脚封装@@的@@@@设计@@@@，提升了器件@@安装能力@@@@@@，降低@@@@了@@热阻@@。该@@产品@@采用@@的@@小@@型@@@@TSOP6F封装@@，减少@@了所占板载空间@@@@。额定功率@@损耗@@@@为@@@@1.5W，不会造成能源浪费@@。此@@外@@，SSM6K809R符合@@@@AEC-Q101车规级标准@@@@，通道@@温度最高@@可达@@@@175℃，满足车载@@环境要求@@@@。

二@@、动态特性@@分析@@

SSM6K809R的@@漏极@@@@电流@@@@最高@@可达@@@@6A，最大支持@@@@1KHz的@@PWM脉冲@@信号@@，对@@于@@车载@@灯的@@控制恰到@@好@@处@@。

得益于产品@@强@@大的@@负载能力@@@@@@，在@@设计@@中@@可以@@将@@其配合@@额外的@@多组输入信号源做矩阵式@@@@LED控制电路@@@@，从@@而@@达到@@独立控制多个@@@@LED的@@照明目的@@@@。具体可前往东芝@@官网@@@@，参考东芝@@矩阵式@@@@LED前照灯设计@@@@。

三@@、应用@@场景部署@@

随着@@节能减排的@@大力@@发展@@，新@@能源车的@@产业得到@@了蓬勃发展@@，提高@@@@电池容纳能力@@@@和@@降低@@@@车载@@器件@@设备@@功耗开@@销是@@有@@效节能的@@一@@个@@重要措施@@。SSM6K809R适合@@用于@@车载@@应用@@@@，如@@前大灯@@、转向灯@@、日间行车灯@@、USB充电@@器等@@@@，以@@低@@导通@@电阻@@@@@@降低@@@@功耗持续节能@@。

科技引@@领生活@@，东芝@@半导体@@坚持科技创新@@用更安全@@、更出色@@、更智能的@@电子@@产品@@服务市场大众@@。作为@@@@全球知名的@@半导体企业@@@@，东芝@@拥有@@先进的@@实验设备@@和@@专业的@@研发团队@@，持续耕耘创新@@电子@@元器件@@的@@@@性能@@@@特性@@@@，致力@@打造一@@个@@可持续的@@未来@@迎接美好@@生活。