电子创新@@188足彩外围@@app 网@@ - 电源开关@@ - 188足彩网 //www.300mbfims.com/tag/%E7%94%B5%E6%BA%90%E5%BC%80%E5%85%B3 zh-hans Nexperia首款@@SiC MOSFET提高了工业@@电源开关@@应用的@@安全性@@、稳健性和@@可靠性标准@@ //www.300mbfims.com/content/2023/100576422.html <!-- THEME DEBUG --> <!-- CALL: theme('field') --> <!-- FILE NAME SUGGESTIONS: * field--body--article.tpl.php * field--article.tpl.php * field--body.tpl.php * field--text-with-summary.tpl.php x field.tpl.php --> <!-- BEGIN OUTPUT from 'sites/all/themes/Murata/templates/field.tpl.php' --> <!-- This file is not used by Drupal core, which uses theme functions instead. See http://api.drupal.org/api/function/theme_field/7 for details. After copying this file to your theme's folder and customizing it, remove this HTML comment. --> <div class="field field-name-body field-type-text-with-summary field-label-hidden"> <div class="field-items"> <div class="field-item even"><p><font color="#FF8000">1200 V分立器件@@@@提供出色的@@性能@@,有助于加速全球能源转型@@</font> </p> <p>基础半导体器件@@领域的@@高产能生产专家@@Nexperia今日宣布推出其首款@@碳化硅@@(SiC) MOSFET,并发布两款采用@@3引脚@@TO-247封装@@的@@@@1200 V分立器件@@@@,RDS(on)分别为@@40 mΩ 和@@80 mΩ。NSF040120L3A0和@@NSF080120L3A0是@@Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的@@产品@@,随后@@Nexperia将持续扩大产品阵容@@,推出多款具有@@不同@@RDS(on)的@@器件@@@@,并提供通孔封装@@和@@表面贴装封装@@供选择@@。这次推出的@@两款器件@@可用性高@@,可满足电动汽车@@(EV)充电桩@@、不间断电源@@(UPS)以@@及太阳能和@@储能系统@@(ESS)逆变器等汽车和@@工业@@应用对高性能@@SiC MOSFET的@@需求@@。<br /> </p><center><img src="https://cdn.eetrend.com/files/2023-11/wen_zhang_/100576422-326615-nsf040120l3a0.jpg" alt="" /></center> <p>Nexperia高级总监兼@@SiC产品部主管@@Katrin Feurle表示@@:“Nexperia和@@三菱电机希望这两款首发产品可以@@激发更多的@@创新@@,推动市场涌现更多宽禁带@@器件@@供应商@@。Nexperia现可提供@@SiC MOSFET器件@@,这些器件@@的@@多个参数性能均超越同类产品@@,例如高@@RDS(on)、良好的@@温度稳定性@@、较低@@的@@体二极管压降@@、严格的@@阈值电压规格以@@及极其均衡的@@栅极电荷比@@,能够安全可靠地防止寄生导通@@。这是@@我们与@@三菱电机承诺合作生产高质量@@SiC MOSFET的@@开篇之作@@。毫无疑问@@,在@@未来几年里@@,我们将共同推动@@SiC器件@@性能的@@发展@@。”</p> <p>三菱电机半导体与@@器件@@部功率器件@@业务高级总经理@@Toru Iwagami表示@@:“我们很高兴与@@@@Nexperia携手推出这些新型@@SiC MOSFET,这也是@@我们合作推出的@@首批产品@@。三菱电机在@@@@SiC功率半导体方面积累了丰富的@@专业知识@@,我们的@@器件@@@@实现了多方面特性的@@出色平衡@@。” </p> <p>RDS(on)会影响传导功率损耗@@,是@@SiC MOSFET的@@关键性能参数@@。Nexperia发现这也是@@造成目前市场上许多@@SiC器件@@的@@性能受限的@@因@@素@@,新推出的@@@@SiC MOSFET采用了创新型工艺技术@@,实现了业界领先的@@温度稳定性@@,在@@25℃至@@175℃的@@工作温度范围内@@,RDS(on)的@@标称值仅增加@@38%。</p> <p>Nexperia SiC MOSFET的@@栅极总电荷@@(QG)非常低@@@@,由此可实现更低@@的@@栅极驱动损耗@@。此外@@,Nexperia通过平衡栅极电荷@@,使@@QGD与@@QGS比率非常低@@@@@@,这一特性又进一步提高了器件@@对寄生导通的@@抗扰度@@。 </p> <p>除了正温度系数外@@,Nexperia的@@SiC MOSFET的@@器件@@@@间阈值电压@@VGS(th)也超低@@@@,这使@@得器件@@并联工作时@@@@,在@@静态和@@动态条件下都能实现非常均衡的@@载流性能@@。此外@@,较低@@的@@体二极管正向电压@@(VSD)有助于提高器件@@稳健性和@@效率@@,同时@@还能放宽对异步整流和@@续流操作的@@死区时@@间要求@@。 </p> <p>Nexperia未来还计划推出车规级@@MOSFET。NSF040120L3A0和@@NSF080120L3A0现已投入大批量生产@@。请联系@@Nexperia销售@@代表获取全套@@SiC MOSFET样品@@。</p> <p>欲了解有关@@Nexperia MOSFET的@@更多信息@@,请访问@@:<a href="https://www.nexperia.com/sic-mosfets">https://www.nexperia.com/sic-mosfets</a></p> <p><strong> 关于@@Nexperia</strong> </p> <p>Nexperia总部位于荷兰@@,是@@一家在@@欧洲拥有丰富悠久发展历史的@@全球性半导体公司@@@@,目前在@@欧洲@@、亚洲和@@美国共有@@15,000多名员工@@。作为基础半导体器件@@开发和@@生产的@@领跑者@@,Nexperia的@@器件@@@@被广泛应用于汽车@@、工业@@、移动和@@消费等多个应用领域@@,几乎为世界上所有电子设计的@@基本功能提供支持@@。 </p> <p>Nexperia为全球客户提供服务@@,每年的@@产品出货量超过@@1,000亿件@@。这些产品在@@效率@@(如工艺@@、尺寸@@、功率及性能@@)方面成为行业基准@@,获得广泛认可@@。Nexperia拥有丰富的@@@@IP产品组合和@@持续扩充的@@产品范围@@,并获得了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001标准认证@@@@,充分体现了公司@@对于创新@@、高效@@、可持续发展和@@满足行业严苛要求的@@坚定承诺@@。</p> </div> </div> </div> <!-- END OUTPUT from 'sites/all/themes/Murata/templates/field.tpl.php' --> <!-- THEME DEBUG --> <!-- CALL: theme('field') --> <!-- FILE NAME SUGGESTIONS: x field--field-keywords--article.tpl.php * field--article.tpl.php * field--field-keywords.tpl.php * field--taxonomy-term-reference.tpl.php * field.tpl.php --> <!-- BEGIN OUTPUT from 'sites/all/themes/Murata/templates/field--field-keywords--article.tpl.php' --> <!-- This file is not used by Drupal core, which uses theme functions instead. 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