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英飞凌@@MOTIX™系列@@再添新@@成员@@：推出@@适用于@@电池供电@@@@应用@@的@@@@160V双通道@@栅极驱动器@@@@@@IC

judy — Mon, 08 Jan 2024 02:35:05 +0000

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX/OTCQX代码@@：IFNNY）宣布其适用于@@汽车和@@工业@@电机控制@@@@应用@@的@@@@MOTIX™系列@@再添新@@成员@@。为@@进一步扩大这一先进产品@@系列@@的@@阵容@@，英飞凌@@推出@@@@了@@MOTIX™双通道@@栅极驱动器@@@@@@IC，包括@@2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和@@2ED2738S01G。这些@@160V的@@绝缘体上硅@@@@@@片@@（SOI）栅极驱动器@@@@均为@@功能@@强大且性价比高@@的@@小型栅极驱动器@@@@解决方案@@@@，具有出色的@@抗闩锁能力@@@@，并且@@专门用于电池供电@@@@应用@@@@，如@@无绳电动工具@@@@、多旋翼飞行器@@、无人@@机和@@电池电压@@@@高@@达@@120V的@@轻型电动汽车等@@@@。

MOTIX™ 2ED27xxS01G

英飞凌@@的@@@@SOI技术@@不存在@@寄生二极管@@结构@@，具有出色的@@稳健性@@@@，以@@及@@业界一流的@@对@@VS引脚@@上抗负瞬态电压@@尖峰的@@能力@@@@。这些@@双通道@@栅极驱动器@@@@@@集成了@@自@@举二极管@@@@@@，可为@@外部高@@压侧自@@举电容供电@@@@，从@@而@@进一步降低@@系统@@级@@BOM成本@@。这些@@半导体器件@@采用@@紧凑型@@3x3mm² VSON10封装@@，并且@@提供半桥@@@@（HB）和@@高@@边@@@@+低边@@（HS+LS）两种配置以@@及@@两种不同@@的@@@@拉@@/灌电流@@@@，可以@@在@@各种应用@@中@@@@驱动@@n沟道@@MOSFET。

2ED2732S01G和@@2ED2742S01G的@@拉电流@@为@@@@1A，灌电流@@@@为@@@@2A；2ED2738S01G和@@2ED2748S01G的@@拉电流@@为@@@@4A，灌电流@@@@为@@@@8A。所有产品@@的@@@@VCC和@@VB引脚@@均具有独立的@@欠压锁定@@@@@@（UVLO）功能@@，半桥@@产品@@还集成了@@击穿保护@@@@@@（STP）功能@@。此外@@，相关@@的@@@@JEDEC78/20/22测试表明@@，MOTIX™ 160V解决方案@@完全满足工业@@应用@@要求@@。

供货情况@@

MOTIX™ 160V SOI低压电机控制@@@@解决方案@@现已上市@@@@@@。使用@@2ED2742S01G的@@EVAL-6ED2742S01QM1评估板@@也已上市@@@@。

全新@@@@4.5kV XHP™ 3 IGBT模块@@让驱动器@@实现尺寸小型化和@@效率最大化@@

judy — Fri, 05 Jan 2024 02:24:35 +0000

许多应用@@都出现了采用@@更小@@@@IGBT模块@@，将复杂设计转移给产业链上游的@@明显趋势@@。为@@了顺应小型化和@@集成化的@@全球趋势@@，英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX/OTCQX代码@@：IFNNY）推出@@了@@4.5kV XHP™ 3 IGBT模块@@，用于改变目前采用@@两电平和@@三电平拓扑@@结构@@、使用@@2000V至@@3300V交流电压@@的@@中@@压变频器@@（MVD）与@@交通运输的@@应用@@市场@@@@。这款@@新@@半导体器件@@将给诸多应用@@带来裨益@@，包括@@大型传送带@@、泵@@、高@@速列车@@、机车以@@及@@商用@@@@、工程和@@农用车辆@@（CAV）。

XHP™ 3 IGBT

XHP™系列@@包括@@@@一款带有@@一个发射极控制@@续流二极管@@@@和@@@@TRENCHSTOP™ IGBT4 450A半桥@@IGBT模块@@，以@@及@@一款带有@@发射极控制@@@@E4二极管@@的@@@@450A二极管@@半桥@@模块@@@@。这两个模块@@的@@@@绝缘电压@@均提高@@至@@@@10.4kV。这对@@组合有助于在@@不降低@@效率的@@情况下简化并联并且@@缩小尺寸@@。以@@前@@，并联模块@@需要复杂的@@母线@@@@，令设计工作变得复杂且会增加电感@@。XHP™系列@@采用@@了创新@@的@@@@设计@@，通过将模块@@并排放置简化了并联设计@@，这也使得模块@@在@@@@并联时@@只需要一个直流母线@@即可实现@@@@。

4.5kV XHP™系列@@还使得开发@@人@@员在@@设计过程中@@能够减少元器件@@的@@使用@@数量@@。传统的@@@@IGBT解决三电平方案需要多个单@@@@IGBT开关和@@一个半桥@@二极管@@@@，而@@使用@@新@@器件@@的@@设计只需要两个半桥@@开关和@@一个更小@@的@@@@半桥@@二极管@@@@，这对@@驱动的@@集成化是@@一个重大的@@进步@@。

FF450R45T3E4_B5双开关与@@@@DD450S45T3E4_B5双二极管@@的@@@@组合可显著节省成本@@并缩小占板面积@@。例如@@@@，英飞凌@@过去的@@@@IGBT解决方案@@需要四个@@140x190mm²或@@140x130mm² IGBT模块@@以@@及@@一个@@140x130mm²双二极管@@模块@@@@。而@@全新@@@@的@@@@XHP系列@@产品@@@@能够将所需的@@模块@@数量减少至@@两个@@140x100mm²IGBT双开关和@@一个更小@@的@@@@@@140x100mm²双二极管@@模块@@@@。

供货情况@@

两种型号@@的@@@@IGBT模块@@FF450R45T3E4_B5和@@DD450S45T3E4_B5现已上市@@@@。了解更多信息@@@@

英飞凌@@PROFET Load Guard提供电@@子负载保护@@@@@@ | 自@@动驾驶@@汽车的@@守护者@@

judy — Mon, 18 Dec 2023 03:24:08 +0000

本文作者@@@@：儒卓力汽车业务部门@@(ABU)产品@@销售@@经理@@Ralf Hickl

未来越来越重要的@@是@@@@：汽车电气系统@@中@@的@@智能配电@@。通过使用@@英飞凌@@的@@@@全新@@@@@@188足彩外围@@app ，智能配电设计变得轻而@@易举@@。PROFET Load Guard是@@受保护@@高@@压侧开关系列@@的@@最新@@成员@@，其功能@@专为@@保护@@电子负载和@@配电架构而@@设计@@。

随着先进驾驶辅助系统@@@@(ADAS)和@@自@@动驾驶@@不断发展@@，要求为@@不断增多的@@控制@@单@@元提供智能化的@@安全供电@@@@。这就要求对电气系统@@进行保护@@@@，防止有缺陷的@@用电设备@@造成过流甚至@@短路@@。

可通过多种方式提供保护@@功能@@@@@@：一方面@@，采取措施限制单@@个用电设备@@的@@电流@@@@@@；另一方面@@@@，在@@电气系统@@出现长时@@间电压@@下降@@之前@@，迅速断开有故障的@@用电设备@@或@@有故障的@@电气系统@@部分与@@系统@@其他部分的@@连接@@@@。否则@@@@，长时@@间的@@电压@@下降@@会迫使@@ADAS 重要功能@@的@@@@ ECU 进入@@欠压复位@@@@，从@@而@@短暂禁用与@@安全相关@@的@@@@功能@@@@。

传统的@@@@保险丝和@@继@@电器无法胜任这一任务@@，因为@@@@它们的@@开关速度比智能半导体模块@@低@@ 100 倍@@。这会使敏感负载和@@电源面临过载风险@@。此外@@，熔化的@@保险丝必须更换@@，而@@且@@不能像半导体模块@@那样复位@@@@。这不是@@选择方案@@，尤其不适合未来的@@区域架构@@。

新@@功能@@@@

英飞凌@@新@@型@@PROFET Load Guard系列@@产品@@@@完美结合了保护@@和@@诊断功能@@@@，适用于@@设计未来的@@@@ ADAS 系统@@。这款@@灵活的@@高@@压侧电源开关具有多种功能@@@@，如@@电源保护@@@@、负载控制@@和@@保护@@@@、自@@我保护@@和@@电线@@保护@@@@。由于@@PROFET Load Guard可限制浪涌@@，因此@@也适用于@@切换电容性负载@@。电容性负载开关模式@@@@（CLS 模式@@）还可快速接通大型电容器@@，而@@不会发生模块@@热过载@@。由于@@可调节电流@@限制@@，该@@188足彩外围@@app 还能保护@@传感器供电@@线@@路中@@的@@敏感滤波@@188足彩外围@@app （关键词@@：同轴电缆供电@@@@）。实际电流@@值的@@公差比@@(kILIS)非常精确@@，因此@@还能对负载状况进行精确诊断@@。

图@@1显示@@应用@@实例@@：通过同轴电缆为@@@@两个@@ ADAS ECU（本例中@@用于摄像头@@）供电@@，由滤波器隔离信号@@@@（图@@中@@为@@数据@@）和@@电源电压@@@@。如@@果摄像头造成短路@@，PROFET Load Guard（图@@中@@蓝色部分@@）会将负载电流@@限制在@@预设值内@@。一方面@@，电流@@限制可保护@@滤波器线@@圈@@（PoC），防止负载端过热@@。另一方面@@@@，DC/DC电源也能保持在@@规定的@@负载范围@@内@@，并能够继@@续为@@另一个摄像头供电@@@@@@，而@@不会出现任何问题@@。因此@@，电流@@限制可确保负载电路@@之间不受干扰@@。

图@@ 1：PROFET Load Guard 12V使用@@案例@@：通过同轴电缆为@@@@ ADAS摄像头供电@@@@。(图@@片来源@@@@：英飞凌@@）

可调节电流@@限制技术@@的@@最新@@发展@@

图@@2显示@@PROFET Load Guard系列@@产品@@@@ BTG7090-2EPL 及其@@内部功能@@块@@框图@@@@@@。这款@@过流限制模块@@是@@全新@@@@的@@功能@@模块@@@@。与@@前代产品@@相比@@，PROFET Load Guard在@@发生过流时@@不会简单@@地关闭@@，而@@是@@继@@续运行@@，并且@@将输出电流@@@@限制在@@预设限值内@@。

图@@2：PROFET Load Guard BTG7090-2EPL框图@@@@。(图@@片来源@@@@：英飞凌@@）

为@@此@@，BTG7090-2EPL配备了可调节电流@@限制功能@@@@，外部电阻用于配置最大电流@@@@。在@@过载情况下@@，输出电流@@@@被限制在@@电阻器设定的@@极限电流@@范围内@@，PROFET Load Guard的@@输出晶体管进入@@线@@性工作状态@@。晶体管中@@产生的@@功率损耗@@会加热@@188足彩外围@@app 。只有当芯片@@温度或@@温度梯度达到@@@@一定的@@最大值时@@@@，188足彩外围@@app 才会关闭受影响的@@通道以@@保护@@自@@身@@。然后@@，重试策略开始发挥作用@@，这是@@@@自@@动重启和@@锁定@@功能@@的@@结合@@：在@@关闭后@@，芯片@@温度再次下降@@，PROFET Load Guard会自@@动重新@@开启@@（假设控制@@输入端有持续的@@高@@压信号@@@@）。如@@果六次重启尝试失败@@，输出级将永久关闭@@（锁定@@）。控制@@输入端的@@低@@-高@@序列将重置内部重试计数器@@，并重新@@开启输出@@。

由于@@电流@@限制可调节@@，该@@模块@@在@@@@应用@@中@@@@具有很高@@的@@灵活性@@。通过选择电阻器@@，其功能@@可适应不断变化的@@要求@@@@。

在@@自@@我保护@@方面@@，依靠温度监控@@器在@@温度过高@@时@@关闭开关@@。当然@@，控制@@微控制@@器@@也可以@@关闭@@ PROFET Load Guard。感应引脚@@上的@@诊断反馈信号@@可作为@@决策依据@@。因此@@，该@@模块@@还能提供负载当前功耗的@@精确反馈@@(±5%)。

处理回流电流@@减少功率损耗@@@@

PROFETLoad Guard只能关闭一个方向的@@电流@@@@@@。在@@另一个方向上@@，即使通道本身不导通@@，MOSFET 的@@本体二极管@@也会导通@@。例如@@@@，在@@作为@@负载的@@再生电机中@@就存在@@作为@@负载的@@再生电机中@@就存在@@电流@@回流@@。体二极管@@中@@可能会产生高@@功率损耗@@@@，使得芯片@@发热@@，也可能使相邻通道发热@@，从@@而@@导致@@它们关断@@。
反向开启@@（InverseOn）产品@@功能@@允许内部@@ MOSFET 在@@回流电流@@处于一定限制范围内时@@开启@@。其优势在@@于@@：发生在@@@@ MOSFET通道中@@的@@功率损耗@@小于发生在@@@@体二极管@@中@@的@@功率损耗@@@@。

借助@@电容性负载开关@@ (CLS) 功能@@块@@，PROFET Load Guard还适用于@@大型电容性负载的@@快速充电和@@开关@@。为@@此@@，输入由特定的@@@@ PWM 控制@@，该@@PWM信号@@使模块@@进入@@具有连续自@@动重启关闭策略的@@@@ CLS 模式@@。开关周期不断重复@@ “导通并提供@@限流@@” 和@@ “由于@@温度陡升保护@@而@@关断@@”，直到@@输出晶体管在@@导通状态下@@的@@压降低@@于某一特定值@@。在@@这种情况下@@，认为@@电容性负载已充分充电@@。之后@@，PWM 将被永久切换@@，并由控制@@输入端的@@高@@电平所取代@@。优点是@@在@@@@此期间@@@@，模块@@仍处于规定的@@安全工作区@@ (SOA)。

图@@ 3：带有@@两个通道并采用@@@@@@14引脚@@TSDSO封装@@的@@@@PROFET Load Guard。(图@@片来源@@@@：英飞凌@@）

可用性@@、模拟性能和@@评测板@@

PROFET Load Guard已通过@@ISO-26262。因此@@，英飞凌@@在@@安全应用@@说@@明@@ (SAN)中@@提供了相关@@信息@@，有助于将该@@组件集成到@@功能@@安全系统@@中@@@@。首款衍生产@@品@@是@@双通道@@@@ BTG7090-2EPL，儒卓力可应要求提供样品@@。量产已于@@ 2022 年@@底开始@@。感兴趣的@@用户可在@@网@@页@@www.infineon.com/profetloadguard上找到@@数据表@@、仿真@@模型@@和@@其他工具@@。

为@@了便于评测@@，英飞凌@@提供两块用于组装套件的@@电路@@板@@：主板@@ PROFET ONE4ALL MB V1 和@@子板@@ BTG7090-2EPL DAUGH BRD（图@@4）。

图@@4：带有@@PROFET Load Guard的@@子板@@。(图@@片来源@@@@：英飞凌@@）

结合使用@@英飞凌@@的@@@@@@μIO-Stick和@@Config Wizard GUI，可以@@对模块@@进行配置@@、控制@@和@@测试@@。

总结@@

ADAS需要在@@车辆电气系统@@中@@提供可靠的@@电源@@。为@@此@@，必须保护@@电气系统@@不受其他有缺陷且有过大电流@@需求的@@用电设备@@的@@影响@@。PROFET Load Guard的@@限流功能@@可根据系统@@要求进行调整@@，首先@@不允许输出端出现危险的@@短路电流@@和@@峰值电流@@@@，从@@而@@保护@@负载和@@@@12V电源免受过载影响@@。

本文转载自@@@@：儒卓力微信公众号@@

英飞凌@@推出@@@@面向高@@能效电源应用@@的@@分立式@@650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新@@品@@

judy — Tue, 21 Nov 2023 01:22:11 +0000

英飞凌@@科技推出@@分立式@@650V IGBT7 H7新@@品@@，进一步扩展其@@TRENCHSTOP™ IGBT7产品@@阵容@@。全新@@@@器件@@配新@@一代@@发射极控制@@的@@@@EC7续流二极管@@@@，以@@满足对环保和@@高@@效电源解决方案@@日@@益增长的@@需求@@@@。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用@@最新@@型微沟槽@@栅技术@@@@，具有出色的@@控制@@和@@性能@@，能够大幅降低@@损耗@@@@，提高@@效率@@和@@功率密度@@。因此@@，该@@半导体器件@@适合用于各种应用@@@@，如@@组串式逆变器@@、储能系统@@@@（ESS）、电动汽车充电@@应用@@以@@及@@如@@工业@@@@UPS和@@焊接等@@传统应用@@@@。

在@@分立式封装@@中@@@@@@，650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7可输出高@@达@@150A的@@电流@@@@。该@@产品@@系列@@电流@@等@@级为@@@@40A至@@150A，有四种不同@@封装@@类型@@：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和@@TO-247-4 Plus。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7的@@TO-247-3 HCC封装@@具有较高@@的@@爬电距离@@。TO-247的@@4引脚@@封装@@@@（标准@@封装@@@@：IKZA，Plus封装@@：IKY）在@@提高@@性能方面表现出众@@，因为@@@@它不仅能降低@@开关损耗@@@@@@，还提供了额外的@@优势@@，如@@更低的@@电压@@过冲@@、最小的@@导通损耗@@和@@最低的@@反向恢复损耗@@@@。凭借这些@@特性@@，TRENCHSTOP™ IGBT7 H7简化了设计@@，最大限度减少了并联器件@@的@@需求@@@@。

此外@@，650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7具有出色的@@防潮性能@@@@，可在@@恶劣环境中@@可靠运行@@。该@@器件@@通过了@@JEDEC 47/20/22的@@相关@@测试@@，特别是@@@@HV-H3TRB，符合工业@@应用@@标准@@@@，因此@@非常适合@@户外应用@@@@。IGBT专为@@满足环保以@@及@@高@@效能源应用@@的@@需求@@而@@设计@@，相较于前几代产品@@有显著改进@@。因此@@，TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 是@@常用于太阳能和@@储能系统@@@@等@@中@@的@@@@NPC1拓扑@@的@@理想补充@@。

供货情况@@

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7现已接受订购@@。此外@@还可提供通过认证@@的@@@@样品@@。

英飞凌@@谈八英寸@@@@SiC，将要到@@来@@

judy — Mon, 20 Nov 2023 02:53:56 +0000

来源@@：内容来自@@半导体行业观察@@（ID：icbank）综合@@，谢谢@@。

英飞凌@@科技公司绿色工业@@电力部门总裁@@ Peter Wawer 表示@@，英飞凌@@科技公司已在@@菲拉赫工厂制备@@ 200 毫米@@（8 英寸@@）碳化硅@@@@晶圆@@的@@电气样品@@，并正在@@考虑进军氢能业务@@。

在@@接受@@ EeNews Europe 采访时@@@@，英飞凌@@的@@@@ Wawer 谈到@@了@@ SiC 对于@@该@@部门发展的@@重要性@@、最新@@的@@@@@@ 3300V 模块@@和@@制造策略@@。与@@此同时@@@@@@，该@@公司正在@@将其位@@于马来西亚居林的@@工厂扩建@@200毫米@@，旨在@@建设世界上最大的@@@@200毫米@@晶圆厂@@。这是@@@@一个重大挑战@@，因为@@@@ 200mm SiC 晶圆很难生产@@@@。

这是@@@@由工业@@驱动@@和@@电网@@基础设施能源效率的@@推动推动的@@@@。

Peter Wawer 表示@@：“当我@@ 2016 年@@接手时@@@@，业务以@@工业@@领域为@@主@@，这意味着@@自@@动化和@@驱动@@，我们非常关注电源@@、开关和@@驱动@@。然后@@我们意识到@@@@，巨大的@@增长机会来自@@可再生能源@@、能源发电@@、太阳能和@@风能@@，尤其是@@光伏发电@@ (PV)。今年@@安装了@@ 350GW，这是@@@@一个令人@@难以@@置信的@@数字@@，但@@基础设施需要增长@@。然后@@，电动汽车开始增长以@@及@@对充电基础设施的@@需求@@@@，这对@@ GIP 来说@@是@@一个非常好的@@机会@@。”

“随着这些@@推动增长并成为@@业务的@@相关@@部分@@，重命名向利益相关@@者发出了一个信息@@，并反映了增长的@@来源@@@@。这产生了比我预期更多的@@积极势头@@，这被认为@@是@@在@@@@做很酷的@@事情@@。”

该@@业务于@@ 2023 年@@ 4 月@@由工业@@功率控制@@@@ (IPC) 更名而@@来@@，大部分业务基于@@现有的@@硅@@@@ IGBT 功率技术@@@@，部分部件@@运行电压@@高@@达@@ 3300V，正在@@向碳化硅@@@@@@ (SiC) 发生重大转变@@。

“我们很早就意识到@@@@ SiC 将是@@一个相关@@主题@@，”Wawer 说@@。22 年@@前的@@@@ 2001 年@@，我们比@@ Cree 早两个月@@推出@@了@@首款@@ SiC 二极管@@，从@@那时@@起@@，它就一直处于高@@性能领域@@。我们的@@早期开发@@是@@围绕@@ JFET 进行的@@@@，因为@@@@栅极氧化物可靠性问题使我们认为@@这是@@@@正确的@@出路@@。随后@@ SiC MOSFET 面世@@，英飞凌@@在@@这方面起步较晚@@。事后看来@@，我们应该@@早点加强活动@@。我们知道缺陷密度非常棘手@@，我们只会将具有客户所需的@@高@@可靠性@@水平的@@产品@@推向市场@@@@。

“由于@@我们起步较晚@@，所以@@@@我们选择了沟槽@@结构@@，因此@@经过几年@@的@@紧张开发@@@@，我们在@@五年@@前将其推向市场@@@@。我们制定了一项测试计划@@，能够在@@有缺陷的@@设备@@交付给客户之前将其移除@@。这些@@类型的@@缺陷可能会在@@现场生长@@，从@@而@@影响现场的@@可靠性@@。每年@@@@ 50% 至@@ 60% 的@@复合增长证明我们拥有非常有竞争力的@@技术@@和@@重要的@@相关@@产品@@组合@@@@，它使产品@@种类繁多@@。

IGBT 非常适合@@。我们的@@大部分收入来自@@@@ IGBT，并且@@没有下降@@。对于@@ SIC 的@@快速开关应用@@@@，开关损耗@@@@比@@ IGBT 低得多@@，例如@@@@ 80%。但@@ SiC 的@@价格更高@@@@。

“我们现在@@@@采用@@的@@是@@@@ 6 英寸@@晶圆@@，而@@ 8 英寸@@晶圆@@将在@@本十年@@内问世@@。我们在@@工厂里拥有了第一个机械样品@@，我们很快就会将它们变成电气样品@@。” （We are on 6in wafer today and 8in will come in this decade. We have the first mechanical samples in the fab and we are turning them into electrical samples soon）

大部分开发@@资源正在@@转向宽带隙技术@@@@，包括@@ SiC 和@@氮化镓@@ (GaN)。

“我们预计@@，这十年@@全球每年@@@@对电网@@的@@投资将翻一番@@，达到@@@@ 3000 亿欧元@@，达到@@@@ 6000 亿欧元@@，在@@这一领域@@，我们看到@@基于@@@@ IGBT 的@@需求@@不断增长@@，但@@现在@@@@@@客户也在@@关注@@ SiC。我们已经在@@讨论高@@功率@@ GaN，但@@目前还没有明显的@@前进方向@@。”

SiC的@@批量市场@@目前高@@达@@1200V，但@@英飞凌@@还开发@@了@@3300V SiC部件@@。

“火车牵引市场@@@@，我们看到@@了对@@ SiC 的@@需求@@，以@@提高@@能源效率和@@恢复的@@运营成本@@@@，以@@及@@通过改变频率来降低@@噪音以@@及@@节省空间和@@重量@@，这是@@@@非常有价值的@@@@。我们正在@@向客户提供第一个@@ 3.3kV 模块@@的@@@@样品@@。”

“SiC 渗透到@@每一个应用@@程序及其@@开发@@中@@@@，只有与@@客户密切合作@@才能发现@@。我们现在@@@@为@@@@ SIC 提供了缩小路径和@@降低@@成本@@的@@机会@@，但@@这并不是@@与@@硅@@@@ IGBT 的@@同类比较@@@@。”

“在@@系统@@方面@@，SiC 在@@某些应用@@中@@@@提供了巨大的@@成本@@优势@@。如@@果你看看纯粹的@@未封装@@芯片@@@@，那么@@在@@可预见的@@未来@@，它的@@成本@@仍然会更高@@@@。12英寸@@IGBT晶圆具有巨大的@@规模经济性@@，而@@且@@SiC原材料成本@@较高@@@@。外延层也是@@工艺成本@@的@@重要组成部分@@，因此@@ SiC 晶圆总是@@比硅@@晶圆更昂贵@@。

工业@@氮化镓@@

“我们非常密切地关注来自@@@@ 650V 领域的@@@@ GaN，据我所知@@，第一批@@ 1200V 器件@@是@@在@@@@蓝宝石上@@。”

GaN 业务属于电源@@、传感器系统@@部门@@，该@@部门将吸收最近@@ GaN Systems 的@@收购@@。

“我们与@@@@ PSS 密切合作@@，并向客户提供样品@@，我们看到@@了对@@模块@@的@@@@兴趣@@，并且@@我们有原型@@。肯定会有兴趣@@ 对我们@@ GIP 来说@@最重要的@@无疑是@@@@ SIC。

由我们来做正确的@@预测@@，公司对投资做出判断@@，然后@@我们必须执行我们的@@预测@@。如@@果我们要求更多@@，我们有一个公平的@@份额流程@@，调查各部门的@@历史和@@盈利能力@@@@。这意味着@@我可以@@向客户承诺的@@数量是@@可靠的@@@@。”

“我们确实在@@将公司发展到@@极限@@，我们在@@各地进行投资@@，在@@德累斯顿的@@模块@@@@ 4 上投资了@@ 50 亿欧元@@，我们继@@续投资菲拉赫的@@@@ 12 英寸@@工厂@@，并将传统硅@@转换为@@碳化硅@@@@@@。

“从@@战略@@角度来看@@，Kulim 是@@完美的@@@@，因为@@@@它是@@@@ 8 英寸@@，而@@ SiC 将从@@@@ 6 英寸@@过渡到@@@@ 8 英寸@@，这就是@@@@ Kulim 非常适合@@的@@原因@@。我们在@@菲拉赫有实实在@@在@@的@@销量@@，而@@在@@居林我们有第二个采购来源@@@@，”他说@@@@。“总体而@@言@@，欧盟芯片@@法案@@非常积极@@，”他说@@@@。“美国和@@亚洲都有@@ IRA 和@@ CHIPS 法案@@，大量资金从@@政府流入这些@@行业@@，欧盟看到@@了这一点并从@@政治角度支持@@它@@，对此我们表示@@赞赏@@。我们并不天真@@，我们知道事情进展缓慢@@。”

电网@@基础设施更新@@的@@@@需求@@也更加迫切@@。

“我们的@@行动太慢了@@，但@@意愿和@@良好意愿是@@存在@@的@@@@。建设基础设施需要几十年@@的@@时@@间@@，我们必须加快步伐@@，我们需要有更长远的@@愿景并以@@此为@@基础@@，例如@@@@在@@德国@@，有计划将风能从@@北方带到@@南方@@，但@@我们远远落后于计划@@。”

“我们接下来关注的@@是@@氢和@@燃料电池的@@电解槽@@。该@@行业正在@@尝试@@，如@@果还没有商业@@案例@@，那么@@让我们考虑明天并利用天然气网@@格基础设施@@。这些@@事情将会到@@来@@，客户的@@兴趣确实存在@@@@，随着它开始发展@@，我们希望尽早介入@@，”他说@@@@。

德国博世@@ (Bosch) 正在@@开始量产燃料电池业务@@，首席执行官@@ Jochen Hanebeck 的@@目标是@@到@@@@ 2030 年@@将公司收入从@@目前的@@@@ 160 亿美元@@增加到@@@@ 300 亿美元@@。SiC 和@@ GaN 是@@“30 by 30”的@@关键技术@@@@' 战略@@。

原文链接@@：https://www.eenewseurope.com/en/the-greening-of-infineon/

英飞凌@@推出@@@@ EPR 电子标记电缆组件@@控制@@器@@@@，为@@USB-C无源电缆@@提供高@@达@@54 V的@@过压保护@@@@

judy — Thu, 02 Nov 2023 02:05:10 +0000

USB-C之所以@@@@能够在@@产业领域迅速普及@@，主要归功于其超薄的@@设计@@、对用户友好的@@通用连接@@器使用@@体验@@@@，以@@及@@能够支持@@@@ USB4、Thunderbolt 和@@ HDMI 等@@多种数据协议@@，因而@@用途十分广泛的@@优势特性@@。此外@@，USB-C可支持@@@@高@@达@@@@240 W的@@充电功率@@，这一特性使其成为@@各种应用@@的@@首选电源连接@@器@@。现代移动设备@@对可靠的@@端到@@端供电@@和@@数据传输能力@@的@@需求@@日@@益增长@@，为@@了满足这一需求@@，英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX / OTCQX代码@@：IFNNY）推出@@了@@功能@@更加强大的@@@@ USB-C电子标记电缆组件@@（EMCA）控制@@器@@ EZ-PD™ CMG2。该@@控制@@器@@旨在@@为@@支持@@@@EPR（Extended Power Range, 扩展功率范围@@）的@@USB-C、USB4 和@@ Thunderbolt 无源电缆@@等@@应用@@提供稳健的@@@@ USB-C供电@@（PD）解决方案@@。

英飞凌@@ EZ-PD产品@@系列@@中@@的@@@@USB-C PD 控制@@器@@是@@业界非常全面的@@@@ USB-C供电@@解决方案@@@@。EZ-PD CMG2（Cable Marker Generation 2）是@@一款专为@@无源非@@ Thunderbolt 电缆和@@@@ Thunderbolt Type-C 电缆设计的@@@@EMCA专用控制@@器@@@@，可支持@@@@ USB-PD 3.1 和@@ Type-C 2.1 标准@@。基于@@EZ-PD CMG2的@@USB-C EMCA 电缆可支持@@@@@@ USB4 和@@TBT4 接口@@的@@数据传输速率@@和@@高@@达@@ 240 W（48 V/5 A）的@@充电功率@@。EZ-PD CMG2集成了@@ V BUS 到@@ CC 短路保护@@@@（短路过压保护@@最高@@为@@@@54 V）和@@ V BUS 到@@ V CONN 短路保护@@@@（短路过压保护@@最高@@为@@@@54 V）等@@功能@@@@。此外@@，该@@控制@@器@@还减弱了@@R A以@@降低@@功耗@@，并且@@集成了@@振荡器和@@@@ IEC ESD（静电放电@@）保护@@功能@@@@，因此@@无需外部时@@钟和@@外部@@ ESD 也能正常运行@@。

这款@@新@@控制@@器@@提供可配置的@@@@ 47 字节存储空间@@，用于存储特定厂商和@@电缆的@@配置数据@@，并且@@能够在@@@@ 2.7 V 至@@ 5.5 V的@@ V CONN 电源电压@@范围内工作@@。其中@@@@，CC、V CONN1 和@@ V CONN2 引脚@@支持@@高@@达@@@@54 V的@@高@@压保护@@@@，可防止@@Type-C连接@@器上的@@高@@压@@ V BUS 引脚@@意外短路@@，从@@而@@提高@@了@@使用@@安全性@@。另外@@，该@@控制@@器@@的@@额定工作温度范围为@@@@@@ -40°C 至@@ +85°C的@@标准@@工业@@温度范围@@，并且@@CC、V CONN1 和@@ V CONN2引脚@@具有系统@@级的@@@@ ESD 保护@@设计@@，保证了器件@@在@@严峻环境下工作的@@可靠性和@@耐用性@@。

EZ-PD CMG2 控制@@器@@能够无缝兼容各种@@USB-C 设备@@和@@电缆@@。它所提供的@@单@@芯片@@解决方案@@尺寸仅有@@ 3.3 mm²，可简化设计并缩短开发@@时@@间@@。依靠其出色的@@系统@@可靠性与@@兼容性@@，制造商能够推出@@成本@@效益高@@@@、设计简单@@且占板面积更小@@的@@@@产品@@@@。

供货情况@@

支持@@EPR 的@@EZ-PD CMG2 EMCA 控制@@器@@采用@@紧凑的@@@@9焊球晶圆级芯片@@尺寸封装@@@@（WLCSP），占板面积仅为@@@@ 3.3 mm²。该@@产品@@现已开放订购@@@@。更多信息@@，请访问@@ www.infineon.com/ez-pd-cmg2。

OBC PFC车规功率器件@@@@结温波动@@与@@功率循环@@@@寿命@@分析@@

judy — Wed, 01 Nov 2023 02:38:53 +0000

作者@@：张浩@@、李劭阳@@、李纪明@@、徐宇晅@@，来源@@：英飞凌@@汽车电子生态圈@@

应用@@背景@@

随着新@@能源汽车@@(xEV)在@@乘用车渗透率的@@逐步提升@@，车载@@充电机@@(OBC)作为@@电网@@与@@车载@@电池之间的@@单@@向充电或@@双向补能的@@车载@@电源设备@@@@，也得到@@了非常广泛的@@应用@@@@。相比车载@@主驱电控逆变器@@，电源类@@OBC产品@@复杂度高@@@@，如@@何实现其高@@功率密度@@、高@@可靠性@@、高@@效率@@、高@@性价比等@@核心指标的@@优化@@与@@平衡@@，一直是@@@@OBC不断技术@@迭代与@@产品@@革新@@的@@@@方向@@。

在@@上述@@OBC与@@可靠性的@@背景下@@，针对@@车规功率器件@@@@在@@@@PFC电路@@中@@的@@结温@@@@(Tvj)波动@@与@@功率循环@@@@(PC)寿命@@的@@热点应用@@话题@@，我们将以@@系列@@微信文章的@@形式@@，结合英飞凌@@最新@@的@@@@@@技术@@与@@产品@@@@，与@@大家一起@@分享@@。

功率器件@@@@可靠性基础@@

功率器件@@@@的@@结温@@@@(Tvj)波动@@与@@功率循环@@@@(PC)寿命@@，一直是@@@@工业@@界与@@学术界讨论的@@重点@@。在@@轨道牵引@@、风力发电@@(发电侧低频@@)、电梯变频@@、和@@电动汽车主驱等@@应用@@中@@@@@@，相关@@的@@@@研究已持续了几十年@@@@，相关@@的@@@@标准@@与@@测试方法@@也趋于成熟@@。

功率循环@@(PC)寿命@@的@@本质@@，其实是@@功率器件@@@@内的@@不同@@封装@@材料@@，在@@温度变化时@@@@，由于@@自@@身@@CTE不匹配而@@产生的@@彼此机械应力与@@疲劳损伤@@，进而@@产生材料间的@@分离@@和@@功率器件@@@@电气失效等@@现象@@，如@@绑定线@@与@@@@DCB分离@@、绑定线@@与@@芯片@@上表面分开@@、芯片@@与@@@@DCB焊料分层@@、DCB与@@铜基板之间焊料退化等@@等@@@@，如@@图@@@@1。

图@@1：功率模块@@功率循环@@@@PC寿命@@对应的@@可能失效位@@置示意图@@@@@@

因此@@，功率器件@@@@自@@身的@@功率循环@@@@(PC)能力@@，和@@实际加载的@@温度变化大小@@，共同决定了器件@@在@@应用@@中@@@@功率循环@@@@(PC)寿命@@的@@多少@@。

不同@@的@@@@芯片@@和@@封装@@材料及其@@工艺@@，对功率器件@@@@的@@功率循环@@@@@@(PC)能力@@有着非常显著的@@影响@@。为@@了表征@@，功率器件@@@@的@@功率循环@@@@(PC)能力@@，器件@@厂家一般会提供相应产品@@的@@@@PC曲线@@@@或@@拟合公式@@@@，便于计算不同@@工况下的@@器件@@@@PC寿命@@。

因此@@，英飞凌@@有一篇专门的@@应用@@笔记@@，介绍了如@@何利用@@PC曲线@@@@进行@@PC寿命@@(次数@@)计算的@@基本思路@@，如@@图@@@@2。

图@@2：英飞凌@@关于@@PC和@@TC的@@AN

以@@上@@述应用@@笔记中@@@@IGBT模块@@的@@@@PC曲线@@@@及其@@@@PC寿命@@计算@@为@@例@@@@，如@@图@@@@3所示@@，典型@@IGBT功率模块@@的@@@@@@PC曲线@@@@，及其@@Ton时@@间的@@折算@@曲线@@@@@@，通过实际应用@@中@@@@@@IGBT的@@结温@@Tvj波动@@(Tvjmax和@@ΔTvj)，再根据@@Tvj波动@@周期进行@@Ton时@@间的@@折算@@，就可以@@得到@@单@@点工况的@@@@PC次数@@。复杂工况可以@@通过加权平均或@@者@@雨流法等@@复杂算法@@，算出总的@@@@PC次数@@及其@@对应的@@时@@间@@，即所谓的@@@@PC寿命@@。计算的@@思路比较@@简单@@@@，如@@果没有@@PC曲线@@@@，有对应的@@@@PC拟合公式@@，同样@@可以@@进行上述@@PC寿命@@计算@@。

图@@3：典型@@IGBT模块@@的@@@@PC曲线@@@@和@@@@Ton折算曲线@@@@@@

此处@@，需要特别说@@明两点@@：一是@@@@，不同@@的@@@@PC测试方法@@，会得到@@不同@@的@@@@@@PC测试结果曲线@@@@@@，而@@不同@@器件@@厂家的@@@@PC测试方法@@可能是@@不同@@的@@@@@@(英飞凌@@的@@@@测试方法@@@@是@@业内最严酷的@@@@，如@@图@@@@4)。因此@@，以@@车规模块@@的@@@@@@AQG324可靠性标准@@为@@例@@@@，详细规定了@@PC的@@测试方法@@@@（统一测试条件@@），以@@公平地对比不同@@器件@@的@@@@PC能力@@表现@@。二是@@@@，同样@@的@@器件@@@@，失效概率@@(Failure Probability)不同@@，则@@PC曲线@@@@也不同@@@@。英飞凌@@一般按@@默认@@5%(业内标杆@@)，而@@有些器件@@厂家可能是@@@@10%。

图@@4：不同@@的@@@@PC测试方法@@对@@PC测试结果的@@影响@@

以@@上@@，我们介绍了功率器件@@@@@@(IGBT模块@@)可靠性的@@基础@@。针对@@OBC应用@@中@@@@的@@@@单@@管@@@@(Si或@@SiC)器件@@，上述思路同样@@适应@@，只是@@相应的@@器件@@@@PC曲线@@@@稍有差异@@，再增加一些针对@@单@@管@@特性的@@额外参数折算等@@而@@已@@，相关@@细节@@，我们会在@@下一篇的@@具体案例中@@分析与@@讨论@@。

OBC应用@@与@@@@PFC拓扑@@

车载@@OBC产品@@复杂度高@@@@，在@@OBC产品@@设计应用@@中@@@@@@，要实现其高@@功率密度@@、高@@可靠性@@、高@@效率@@、高@@性价比等@@核心指标的@@优化@@与@@平衡@@。为@@了满足电网@@@@AC侧输入功率因素和@@谐波的@@要求@@@@，和@@DCDC的@@宽电压@@@@/负载范围@@，通常@@OBC采用@@一级独立的@@功率因素矫正@@（PFC）电路@@，典型@@的@@车载@@@@OBC系统@@架构如@@图@@@@@@5所示@@。PFC级通过矫正输入@@AC电流@@，保持和@@输入电压@@同相位@@的@@交流正弦波@@，在@@实现高@@功率因素的@@同时@@@@@@@@，功率器件@@@@流过同频率的@@脉动电流@@@@，功率损耗@@呈现脉动形式@@，带来比较@@大的@@结温@@@@Tvj波动@@(ΔTvj)。如@@上节所述@@，功率器件@@@@的@@结温@@@@(Tvj)波动@@与@@功率循环@@@@(PC)寿命@@密切相关@@@@，设计车载@@@@OBC产品@@，评估功率器件@@@@@@PC寿命@@，不可避免需要分析功率器件@@@@的@@结温@@@@波动@@带来的@@影响@@，这对@@车载@@@@OBC的@@长期可靠性评估尤为@@重要@@，这个话题也得到@@了业界越来越多的@@@@关注和@@重视@@。

图@@5：OBC产品@@结构示意图@@@@@@

目前主流的@@@@OBC拓扑@@，一般分为@@非隔离@@AC/DC的@@PFC(如@@单@@@@/双向图@@腾柱@@@@PFC，或@@两电平@@B6等@@)和@@隔离@@DC/DC的@@谐振电路@@@@(如@@LLC, CLLC, DAB等@@)两部分@@。按@@PFC接入电网@@的@@制式@@(单@@相@@或@@三相或@@多相兼容@@)、电池能量单@@向或@@双向@@、电池电压@@@@400V或@@800V，结合系统@@性能与@@成本@@指标等@@要求@@，具体的@@拓扑@@方案及器件@@选型都会有所不同@@@@。

以@@单@@相@@@@功率@@6.6kW的@@OBC 为@@例@@，下图@@是@@@@PFC的@@几种常见拓扑@@@@组合@@@@，如@@图@@@@6所示@@。

在@@单@@@@相图@@腾柱@@@@PFC的@@快管@@位@@置@@@@：既有两路@@IGBT单@@管@@交错@@，也有@@单@@路@@SiC MOSFET单@@管@@，或@@是@@单@@路混合型@@SiC单@@管@@(Si/IGBT+SiC/SBD)等@@，基于@@不同@@的@@@@功率器件@@@@特性@@，常见的@@开关频率@@@@fsw从@@40kHz ~ 100kHz不等@@@@。

在@@单@@@@相图@@腾柱@@@@PFC的@@慢管@@位@@置@@@@：有单@@向充电的@@二极管@@@@，也有@@V2X双向需求的@@@@IGBT单@@管@@或@@者@@@@Si MOSFET单@@管@@方案@@。

图@@6：单@@相@@6.6kW OBC PFC常见拓扑@@@@组合@@

如@@图@@@@7，在@@单@@@@/三相电网@@兼容的@@@@11kW OBC PFC中@@，基本以@@@@1200V SiC MOEFET单@@管@@的@@方案为@@主@@，在@@三相电网@@充放电时@@@@，以@@三相全桥@@B6拓扑@@运行@@，在@@单@@@@相电网@@充放电或@@者@@@@V2L时@@，可选其中@@@@一组桥臂作为@@慢管@@@@工作@@，其他桥臂交错或@@并联作为@@快管@@@@工作@@。

图@@7：单@@/三相兼容的@@@@11kW OBC PFC(3线@@/4线@@)常见拓扑@@@@

因此@@，在@@OBC应用@@中@@@@的@@@@PFC拓扑@@，主流就是@@单@@相@@图@@腾柱@@@@PFC和@@三相全桥@@B6这两种@@。

车规功率器件@@@@在@@单@@@@相图@@腾柱@@@@拓扑@@中@@的@@损耗@@分析与@@@@Tvj波动@@

如@@图@@@@8，基于@@PLECS软件@@，我们搭建了简单@@的@@单@@相@@图@@腾柱@@电路@@@@，结合英飞凌@@官网@@的@@车规器件@@@@PLECS模型@@，进行了器件@@损耗@@与@@@@Tvj波动@@的@@仿真@@@@。

以@@单@@相@@@@6.6kW充电工况为@@例@@@@，仿真@@Setup如@@下@@：

快管@@位@@置@@(T1/T2/D1/D2)：Si/IGBT/F5/650V/50A + SiC/SBD/650V/30A

慢管@@位@@置@@(Q3/Q4)：Si/CoolMOS/650V/50mOhm

开关频率@@fsw：60kHz

电网@@电压@@@@和@@电流@@@@@@：220Vac/32Arms

母线@@电压@@@@：420Vdc

图@@8：单@@相@@6.6kW图@@腾柱@@PFC示意图@@@@

图@@9：电网@@电压@@@@(V)和@@电流@@@@(A)及其@@驱动信号@@@@(T1/T2为@@快管@@@@、Q3/Q4为@@慢管@@@@)

图@@10：快管@@(T1/D1)和@@慢管@@@@(Q3)损耗@@(W)波形与@@电网@@电流@@@@(A)的@@波形@@

如@@图@@@@9和@@图@@@@10所示@@，快管@@T1/D1属于高@@频硬开关@@，慢管@@Q3只是@@工频导通@@。所以@@@@，快管@@的@@器件@@功率损耗@@包含开关损耗@@@@和@@导通损耗@@@@，而@@慢管@@的@@器件@@功率损耗@@只有导通损耗@@@@。再加上器件@@自@@身的@@瞬态热阻@@Zthjc，以@@及@@器件@@外围的@@热阻与@@水温等@@@@，就可以@@得到@@功率器件@@@@的@@结温@@@@@@Tvj波动@@，如@@图@@@@11所示@@：

图@@11：快管@@(T1/D1)和@@慢管@@@@(Q3)的@@结温@@Tvj(̊C)波动@@和@@输入电流@@@@Iin_ac(A)

由图@@@@11，无论快管@@还是@@慢管@@@@，都存在@@@@50Hz的@@结温@@Tvj波动@@。结合前面的@@仿真@@分析可知@@，快管@@位@@置@@T1/D1的@@损耗@@及结温@@Tvj波动@@的@@影响因素@@，和@@慢管@@@@位@@置@@@@Q3的@@情况是@@不同@@的@@@@@@，如@@图@@@@12所示@@：

快管@@T1(以@@IGBT为@@例@@)的@@结温@@Tvj波动@@，相关@@的@@@@影响因素较多@@，包括@@PFC系统@@参数@@、器件@@自@@身特性@@(开关特性@@、导通特性@@、热阻特性@@)、及其@@换流@@FWD特性等@@@@，即相同器件@@下的@@可调节的@@自@@由度或@@可优化@@的@@空间较大@@。

慢管@@Q3(以@@CoolMOS为@@例@@)的@@结温@@Tvj波动@@，几乎只与@@@@Rdson和@@热阻@@Zthjc相关@@。

快管@@D1如@@果采用@@@@SiC/SBD，考虑到@@@@Erec很小@@，则@@情况与@@慢管@@@@Q3非常类似@@，也几乎只与@@@@@@SiC/SBD电流@@规格和@@热阻@@@@Zthjc相关@@。

图@@12：快管@@(T1/D1)和@@慢管@@@@(Q3)的@@结温@@Tvj波动@@的@@影响因素@@

总结@@

综上所述@@，文章简要回顾了功率器件@@@@的@@@@PC寿命@@可靠性@@、分析了@@OBC中@@PFC主流拓扑@@@@、和@@仿真@@了图@@腾柱@@@@PFC的@@损耗@@和@@结温@@Tvj波动@@。那么@@，在@@实际@@OBC应用@@中@@@@，如@@果结合英飞凌@@的@@@@车规产品@@@@，进行结温@@Tvj波动@@的@@计算与@@@@PC寿命@@评估及其@@注意事项等@@@@，我们将在@@后续篇章中@@逐步深入与@@展开@@。

英飞凌@@推出@@@@XENSIV胎压传感器@@，以@@智能功能@@满足胎压监测@@系统@@的@@需求@@@@

judy — Thu, 12 Oct 2023 03:17:11 +0000

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）将自@@身在@@汽车领域经验证的@@专业知识与@@面向汽车胎压监测@@系统@@@@（TPMS）市场@@的@@专利玻璃@@@@-硅@@-玻璃@@MEMS硅@@麦传感器结合@@，推出@@XENSIV™ SP49胎压监测@@传感器@@。该@@传感器集成了@@@@MEMS传感器与@@@@ASIC，可提供先进的@@胎压监测@@系统@@所需的@@智能轮胎功能@@@@。XENSIV™ SP49胎压监测@@传感器@@采用@@性能强大的@@@@ 32位@@Arm® M0+内核@@、大容量闪存和@@@@ RAM，并具有低功耗监测@@（LPM）以@@及@@更优化@@的@@快速加速度感应功能@@@@，适用于@@轮胎位@@置自@@动检测@@、轮胎充气辅助@@、爆胎检测@@、负载检测等@@智能轮胎功能@@@@。

SP49 是@@英飞凌@@上一代@@ SP40 TPMS 新@@一代@@产品@@@@，与@@SP40引脚@@对引脚@@兼容@@@@，配备硬件主@@/从@@ I²C接口@@及软件@@模拟@@ UART、SPI 和@@ PWM 接口@@，适用于@@1 GHz 以@@下频率@@，并可扩展以@@用于@@ BLE TPMS。这款@@传感器达到@@@@@@ASIL-A级标准@@@@，集成度高@@且经过优化@@@@，具备现代@@TPMS模块@@所需的@@所有@@功能@@@@。SP49集成了@@微控制@@器@@@@、传感器和@@便捷的@@外设@@，因此@@只需要少量无源@@188足彩外围@@app ，即可构成完整的@@@@TPMS传感器单@@元@@。该@@半导体器件@@采用@@低功耗设计@@，是@@电池供电@@@@应用@@的@@理想选择@@@@。

除了能够利用内部集成的@@间隔计时@@器实现唤醒功能@@外@@，SP49传感器还适用于@@需要低功耗的@@独立远程压力传感解决方案@@@@。在@@这些@@应用@@中@@@@@@，该@@款具有唤醒功能@@和@@一流灵敏度的@@低频接收器能够实现按@@需测量@@。

供货情况@@

XENSIV 胎压传感器@@现已开放订购@@@@。更多信息@@，请访问@@www.infineon.com/tire-pressure-sensor-tpms/sp49。

关于英飞凌@@@@

英飞凌@@科技股份公司@@是@@全球功率系统@@和@@物联网@@领域的@@@@半导体领导者@@。英飞凌@@以@@其产品@@和@@解决方案@@推动低碳化和@@数字化@@进程@@。该@@公司在@@全球拥有约@@56,200名员工@@，在@@2022财年@@@@（截至@@@@9月@@30日@@）的@@收入约为@@@@142亿欧元@@。英飞凌@@在@@法兰克福证券交易所@@上市@@@@（股票代码@@@@：IFX），在@@美国@@的@@@@OTCQX国际场外交易市场@@上市@@@@（股票代码@@@@：IFNNY）。

更多信息@@，请访问@@www.infineon.com

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@科技股份公司@@于@@1995年@@正式进入@@中@@国大陆市场@@@@。自@@1995年@@10月@@在@@无锡建立第一家企业以@@来@@，英飞凌@@的@@@@业务取得非常迅速的@@增长@@，在@@中@@国拥有约@@3,000多名员工@@@@，已经成为@@英飞凌@@全球业务发展的@@重要推动力@@。英飞凌@@在@@中@@国建立了涵盖研发@@、生产@@、销售@@、市场@@、技术@@支持@@等@@在@@内的@@完整的@@产业链@@，并在@@销售@@@@、技术@@研发@@、人@@才培养等@@方面与@@国内领先的@@企业@@、高@@等@@院校开展了深入的@@合作@@。

英飞凌@@扩展@@1200 V 62 mm IGBT7 产品@@组合@@，推出@@全新@@@@电流@@额定值模块@@@@

judy — Mon, 07 Aug 2023 06:47:48 +0000

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX / OTCQX代码@@：IFNNY）推出@@搭载@@@@1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片@@的@@@@62 mm半桥@@和@@共发射极模块@@产品@@组合@@@@。模块@@的@@@@最大电流@@规格高@@达@@ 800 A ，扩展了英飞凌@@采用@@成熟的@@@@62 mm 封装@@设计的@@产品@@组合@@@@。电流@@输出能力@@的@@提高@@为@@系统@@设计人@@员在@@设计额定电流@@更高@@方案的@@时@@候@@，不仅提供最大的@@灵活性@@，还提供更高@@的@@功率密度和@@更优秀的@@电气性能@@。新@@型模块@@专为@@满足集中@@式太阳能逆变器以@@及@@工业@@电机驱动和@@不间断电源@@@@（UPS）的@@需求@@而@@开发@@@@。此外@@，它还广泛适用于@@电动汽车充电@@桩@@@@、储能系统@@@@（ESS）和@@其他新@@型工业@@应用@@@@。

基于@@新@@型微沟槽@@技术@@@@，搭载@@ 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片@@的@@@@62mm 模块@@系列@@的@@静态损耗@@远远低于搭载@@@@ IGBT4 芯片@@组的@@模块@@@@。这些@@特性大大降低@@了应用@@中@@@@的@@@@损耗@@@@，在@@以@@中@@等@@开关频率@@工作的@@工业@@电机驱动中@@尤为@@显著@@。IGBT 的@@振荡行为@@和@@可控性也得到@@了提升@@。此外@@，全新@@@@功率模块@@的@@@@@@最大过载结温为@@@@ 175°C。

坚固的@@镀镍铜底板和@@螺母主端子确保了@@ 62 mm模块@@封装@@具有足够的@@机械强度@@。主端子位@@于封装@@中@@@@央@@，由于@@其直流链路连接@@电感较低@@，因此@@非常适合@@并联电路@@和@@三电平拓扑@@配置@@。标准@@的@@封装@@设计和@@尺寸使得该@@系列@@能够兼容此前的@@模块@@版本@@。此外@@，所有模块@@均可使用@@半导体科技公司英飞凌@@经过验证的@@预涂热界面材料@@（TIM）。

供货情况@@

现在@@@@即可订购@@ 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 62mm产品@@组合@@。预涂热界面材料的@@型号也将在@@不久后推出@@@@。了解更多信息@@@@，请访问@@ www.infineon.com/62mm和@@www.infineon.com/IGBT7。

如@@需进一步了解英飞凌@@在@@提高@@能源效率方面做出的@@贡献@@，请访问@@：www.infineon.com/green-energy

关于英飞凌@@@@

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@推出@@@@了@@第一代@@ISOFACE™双通道@@数字隔离器@@@@

judy — Tue, 01 Aug 2023 06:48:44 +0000

数字隔离器@@凭借经过优化@@的@@系统@@物料清单@@@@（BOM）、更小@@的@@@@PCB占板面积以@@及@@精准的@@定时@@特性和@@低功耗等@@诸多优点@@，成为@@许多现代化设计的@@首选@@。此外@@，数字隔离器@@还具有更高@@的@@共模瞬态抗扰度@@（CMTI）、经过认证@@的@@@@绝缘寿命@@@@、集成功能@@和@@输出使能选项@@@@。为@@了满足市场@@对稳健高@@压隔离产品@@日@@益增长的@@需求@@@@，英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX / OTCQX代码@@：IFNNY）推出@@了@@第一代@@ISOFACE™双通道@@数字隔离器@@@@，这款@@新@@器件@@能够与@@其他供应商的@@产品@@组合@@实现引脚@@兼容@@@@。

最新@@推出@@的@@@@@@ISOFACE双通道@@数字隔离器@@@@进一步壮大了英飞凌@@的@@@@隔离产品@@组合@@@@，可广泛适用于@@服务器@@、通信和@@工业@@@@SMPS、工业@@自@@动化系统@@@@、电机控制@@@@和@@驱动@@、储能系统@@@@及太阳能逆变器等@@各种应用@@@@。这款@@全新@@@@的@@@@先进@@IC采用@@了英飞凌@@自@@有专利的@@无磁芯变压器@@（CT）隔离技术@@@@，依托英飞凌@@@@20多年@@的@@专业知识和@@技术@@专长@@，能够帮助客户降低@@系统@@成本@@@@、简化设计流程@@，并加快@@产品@@的@@上市@@速度@@。这款@@综合@@全面的@@产品@@系列@@提供多种通道配置@@、默认失效防护输出@@、可变或@@固定输入阈值以@@及@@输出使能配置@@，可满足不同@@应用@@的@@需求@@@@。

ISOFACE双通道@@数字隔离器@@@@系列@@产品@@@@采用@@窄体@@DSO-8封装@@，提供两个数据通道@@，可支持@@@@高@@达@@@@40 Mbps的@@数据传输速率@@，并确保在@@宽工作温度范围和@@整个生产@@范围内的@@信号@@完整性@@。英飞凌@@强大的@@@@CT技术@@使得@@CMTI能够超过@@100 kV/μs，确保了对系统@@噪声具有高@@抗干扰性@@。该@@数字隔离器@@系列@@产品@@@@可承受高@@达@@3000 VRMS的@@隔离电压@@@@，从@@而@@使系统@@在@@嘈杂的@@环境中@@具有可预测的@@数据通信能力@@@@，能够可靠地运行@@。

这款@@器件@@@@的@@架构有助于打造简单@@@@、高@@功率密度的@@设计@@，实现低功耗和@@精准的@@定时@@功能@@@@，进而@@提高@@系统@@效率@@@@。用户可以@@选择高@@电平和@@低电平两种默认输出状态@@。另外@@，该@@器件@@还集成了@@故障过滤@@、通信调制@@、监控@@、欠压锁定@@@@（UVLO）等@@功能@@@@，使其即使在@@具有高@@电压@@和@@噪声的@@极端工业@@环境中@@@@，也能实现稳健的@@故障安全数据传输@@。这个系列@@产品@@@@的@@隔离水平也已达到@@@@@@UL-1577和@@IEC 60747-17（VDE 0884-17）等@@最严格的@@器件@@标准@@@@，并获得@@IEC 62368-1等@@系统@@认证@@@@。

供货情况@@

ISOFACE双通道@@（2DIBx4xxF）数字隔离器@@采用@@@@DSO-8封装@@，现已开放订购@@。该@@产品@@组合@@将在@@@@2023年@@秋季扩充产品@@品类@@，增加适用于@@工业@@和@@汽车应用@@的@@四通道数字隔离器@@@@。

如@@需了解更多信息@@@@@@，请访问@@：www.infineon.com/digitalisolators。

关于英飞凌@@@@
英飞凌@@科技股份公司@@是@@全球功率系统@@和@@物联网@@领域的@@@@半导体领导者@@。英飞凌@@以@@其产品@@和@@解决方案@@推动低碳化和@@数字化@@进程@@。该@@公司在@@全球拥有约@@56,200名员工@@，在@@2022财年@@@@（截至@@@@9月@@30日@@）的@@收入约为@@@@142亿欧元@@。英飞凌@@在@@法兰克福证券交易所@@上市@@@@（股票代码@@@@：IFX），在@@美国@@的@@@@OTCQX国际场外交易市场@@上市@@@@（股票代码@@@@：IFNNY）。
更多信息@@，请访问@@www.infineon.com
更多金博宝娱乐@@ ，请登录英飞凌@@金博宝娱乐@@ 中@@心@@：https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/press-releases/

英飞凌@@中@@国@@
英飞凌@@科技股份公司@@于@@1995年@@正式进入@@中@@国大陆市场@@@@。自@@1995年@@10月@@在@@无锡建立第一家企业以@@来@@，英飞凌@@的@@@@业务取得非常迅速的@@增长@@，在@@中@@国拥有约@@3,000多名员工@@@@，已经成为@@英飞凌@@全球业务发展的@@重要推动力@@。英飞凌@@在@@中@@国建立了涵盖研发@@、生产@@、销售@@、市场@@、技术@@支持@@等@@在@@内的@@完整的@@产业链@@，并在@@销售@@@@、技术@@研发@@、人@@才培养等@@方面与@@国内领先的@@企业@@、高@@等@@院校开展了深入的@@合作@@。

英飞凌@@推出@@@@全新@@@@@@ EiceDRIVER™ 1200 V 半桥@@驱动器@@@@ IC系列@@

judy — Mon, 08 May 2023 02:38:14 +0000

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE 代码@@：IFX / OTCQX 代码@@：IFNNY）继@@推出@@@@ EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列@@ 1200 V 绝缘体上硅@@@@（SOI）三相栅极驱动器@@@@@@之后@@@@，现又推出@@@@ EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列@@，进一步扩展其@@产品@@组合@@@@。该@@驱动器@@@@ IC系列@@的@@半桥@@配置补充了现有的@@@@ 1200V SOI 系列@@，为@@客户提供了更多的@@选择以@@及@@设计灵活性@@。增强的@@电流@@@@输出能力@@将这一产品@@组合@@的@@适用性提升到@@更高@@的@@系统@@功率水平@@。这些@@器件@@能够提供业内领先的@@负极@@ VS 负瞬态电压@@抗扰度@@、击穿保护@@@@、欠压锁定@@@@保护@@和@@快速过电流@@保护@@特性@@。这些@@特性不仅可以@@减少器件@@@@，实现更坚固的@@设计@@，并且@@其紧凑的@@外形适用于@@高@@功率应用@@@@，如@@商用暖通空调@@@@系统@@@@、热泵@@@@、伺服驱动器@@@@、工业@@逆变器以@@及@@输出功率高@@达@@ 10 kW 的@@泵@@机和@@风扇@@。

该@@系列@@半桥@@驱动器@@@@@@ IC 有四种型号@@，分别采用@@两种不同@@的@@@@封装@@技术@@@@：2ED132xS12M 采用@@ DSO-16 300 mil封装@@，+2.3 A/-4.6 A 的@@电流@@@@能力@@@@；2ED132xS12P 则@@采用@@@@ DSO-20 300 mil封装@@，+2.3 A/-2.3 A 电流@@驱动能力@@@@。该@@系列@@产品@@@@具有很好的@@开关性能@@，封装@@保留足够爬电距离和@@电气间隙@@。该@@系列@@产品@@@@集成了@@低电阻@@（30 Ω）自@@举二极管@@@@、可提供超快且准确@@（±5% 容差@@）的@@过电流@@保护@@@@（OCP），并通过单@@独逻辑地@@（VSS）和@@输出地@@（COM）引脚@@来实现输入@@、故障输出和@@可编程故障复位@@等@@功能@@@@@@。2ED132xS12M 变体还具备有源米勒钳位@@@@（AMC）和@@短路钳位@@@@（SCC）的@@附加功能@@@@。

英飞凌@@的@@@@ SOI 技术@@消除了寄生晶闸管结构@@，提高@@了@@ VS 引脚@@上的@@负瞬态电压@@稳健性和@@抗扰度@@，这样可以@@保证在@@重复的@@@@ 700 ns脉冲周期对@@100 V 的@@-VS 瞬变的@@承受力@@。此外@@，这些@@半导体器件@@均符合@@ RoHS 标准@@，并具有静电保护@@@@（ESD）和@@防潮能力@@@@。

供货情况@@

EiceDRIVER 2ED132X 系列@@现已开放订购@@@@。2ED132x + 1200 V SiC EASY1B PIM 评估板@@将于@@未来几个月@@上市@@@@。了解更多信息@@@@，请访问@@ www.infineon.com/1200VHVIC。英飞凌@@将在@@@@ PCIM Europe 2023展会上展示全新@@@@@@ EiceDRIVER 系列@@产品@@@@。

英飞凌@@参加@@PCIM 2023

在@@PCIM Europe 2023期间@@，英飞凌@@将展示从@@产品@@到@@系统@@的@@创新@@解决方案@@@@，用于打造推动世界发展并塑造未来的@@创新@@应用@@@@。公司参会代表们还将在@@同期举行的@@@@PCIM研讨会以@@及@@工业@@与@@电动出行论坛上进行多场演讲@@（提供现场直播和@@视频点播@@），并有机会在@@演讲后与@@演讲者讨论@@。请于@@2023年@@5月@@9日@@至@@@@11日@@莅临我们位@@于德国纽伦堡的@@@@7号展厅@@412号展位@@@@@@，一起@@“推动低碳化和@@数字化@@”。有关@@PCIM Europe 2023展会的@@亮点@@，请访问@@www.infineon.com/pcim。

如@@需进一步了解英飞凌@@在@@提高@@能源效率方面做出的@@贡献@@，请访问@@：www.infineon.com/green-energy。

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英飞凌@@中@@国@@

SiC MOSFET的@@设计挑战@@——如@@何平衡性能与@@可靠性@@

judy — Tue, 11 Apr 2023 02:16:29 +0000

作者@@：Friedrichs Peter

翻译@@：赵佳@@

碳化硅@@@@（SiC）的@@性能潜力是@@毋庸置疑的@@@@，但@@设计者必须掌握一个关键的@@挑战@@：确定哪种设计方法能够在@@其应用@@中@@@@取得最大的@@成功@@。

先进的@@器件@@设计都会非常关注导通电阻@@，将其作为@@特定技术@@的@@主要基准参数@@。然而@@@@，工程师们必须在@@主要性能指标@@（如@@电阻和@@开关损耗@@@@@@），与@@实际应用@@需考虑的@@其他因素@@（如@@足够的@@可靠性@@）之间找到@@适当的@@平衡@@。

优秀的@@器件@@应该@@允许一定的@@设计自@@由度@@，以@@便在@@不对工艺和@@版图@@进行重大改变的@@情况下适应各种工况的@@需要@@。然而@@@@，关键的@@性能指标仍然是@@尽可能低的@@比电阻@@，并结合其他重要的@@参数@@。图@@1显示@@了我们认为@@必不可少的@@几个标准@@@@，或@@许还可以@@增加更多@@。

图@@1：SiC MOSFET的@@鲁棒性和@@制造稳定性@@（右@@）必须与@@性能参数@@（左@@）相平衡@@

188足彩外围@@app 在@@其目标应用@@的@@工作条件下@@的@@可靠性是@@最重要的@@验收标准@@之一@@。与@@已有的@@硅@@@@(Si)器件@@的@@主要区别是@@@@：SiC188足彩外围@@app 在@@更强的@@内部电场下工作@@。因此@@，设计者应该@@非常谨慎地分析相关@@机制@@。硅@@和@@碳化硅@@@@器件@@的@@共同点是@@@@，188足彩外围@@app 的@@总电阻是@@由从@@漏极和@@源极的@@一系列@@电阻的@@串联定义的@@@@。

这包括@@靠近接触孔的@@高@@掺杂区域电阻@@、沟道@@电阻@@、JFET（结型场效应晶体管@@）区域的@@电阻以@@及@@漂移区电阻@@（见图@@@@2）。请注意@@，在@@高@@压硅@@@@MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管@@）中@@，漂移区阻显然在@@总电阻中@@占主导地位@@@@。而@@在@@碳化硅@@@@器件@@中@@@@，工程师可以@@使用@@具有更高@@电导率的@@漂移区@@，从@@而@@降低@@漂移区电阻的@@总比重@@。

图@@2：平面@@DMOS SiC MOSFET(左@@)和@@垂直沟槽@@@@TMOS SiC MOSFET的@@剖面图@@@@，以@@及@@与@@电阻有关@@的@@贡献的@@相应位@@置@@

设计者必须考虑到@@@@@@，MOSFET的@@关键部分@@——碳化硅@@@@外延与@@栅极氧化层@@（二氧化硅@@@@）之间的@@界面@@，与@@硅@@相比有以@@下差异@@：

SiC的@@单@@位@@面积的@@表面态密度比@@Si高@@，导致@@Si-和@@C-悬挂键的@@密度更高@@@@。靠近界面的@@栅极氧化层中@@的@@缺陷可能在@@带隙内出现@@，并成为@@电子的@@陷阱@@。

热生长氧化物的@@厚度在@@很大程度上取决于晶面@@。

与@@硅@@器件@@相比@@@@，SiC器件@@在@@阻断模式@@下@@的@@漏极诱导电场要高@@得多@@（MV而@@不是@@@@kV）。这就需要采取措施限制栅极氧化物中@@的@@电场@@，以@@保持氧化物在@@阻断阶段的@@可靠性@@。另见图@@@@@@3：对于@@TMOS（沟槽@@MOSFET），薄弱点是@@沟槽@@拐角@@，而@@对于@@@@DMOS（双扩散金属氧化物半导体@@），薄弱点是@@元胞的@@中@@心@@@@。

与@@Si器件@@相比@@，SiC MOS结构在@@给定的@@电场下显示@@出更高@@的@@隧穿电流@@@@，因为@@@@势垒高@@度较低@@。因此@@，工程师必须限制界面上@@SiC一侧的@@电场@@。

上面提到@@的@@界面缺陷导致@@了非常低的@@沟道@@迁移率@@。因此@@，沟道@@对总导通电阻的@@贡献很大@@。所以@@@@，SiC相对于@@硅@@@@，因为@@@@非常低的@@漂移区电阻而@@获得的@@优势@@，被较高@@的@@沟道@@电阻@@削弱@@。

控制@@栅氧化层的@@电场强度@@

一个常用的@@降低@@沟道@@电阻@@的@@方法@@，是@@在@@@@导通状态下@@增加施加在@@栅氧化层上的@@电场@@——或@@者@@通过更高@@的@@栅源@@(VGS(on))偏压进行导通@@，或@@者@@使用@@相当薄的@@栅极氧化层@@。所应用@@的@@电场超过了通常@@用于硅@@基@@MOSFET器件@@的@@数值@@(4至@@5MV/cm，而@@硅@@中@@最大为@@@@3MV/cm)。在@@导通状态下@@，处于这种高@@电场的@@栅氧化层有可能加速老化@@，并限制了筛选外在@@氧化物缺陷的@@能力@@@@[1]。

图@@3

左@@图@@@@：平面@@MOSFET（半元胞@@）的@@典型@@结构@@。它显示@@了与@@氧化物场应力有关@@的@@两个敏感区域@@。
右@@图@@@@：沟槽@@式@@MOSFET(半元胞@@)的@@典型@@结构@@。这里的@@关键问题是@@沟槽@@边角的@@氧化层应力@@。

基于@@这些@@考虑@@，很明显@@，SiC中@@的@@平面@@@@MOSFET器件@@实际上有两个与@@氧化物场应力有关@@的@@敏感区域@@，如@@图@@@@3的@@左@@边部分所示@@@@。首先@@，在@@反向阻断模式@@下@@@@，漂移区和@@栅极氧化物界面存在@@高@@电场应力@@。其次@@，栅极和@@源极之间的@@重叠部分在@@导通状态下@@有应力@@。

在@@导通状态下@@的@@高@@电场被认为@@是@@更危险的@@@@，因为@@@@只要保证导通时@@的@@性能@@，就没有器件@@设计措施可以@@减少导通状态下的@@电场应力@@。我们的@@总体目标是@@在@@@@尽量减小@@SiC的@@RDS(on)的@@同时@@@@@@，保证栅极氧化层安全可靠@@。

因此@@，我们决定放弃@@DMOS技术@@，从@@一开始就专注于沟槽@@型器件@@@@。从@@具有高@@缺陷密度的@@晶面转向其他更有利的@@晶面方向@@，可以@@在@@低栅氧化层场强下实现低通道电阻@@。

我们开发@@了@@CoolSiC™ MOSFET元胞设计@@，以@@限制通态和@@断态时@@栅极氧化物中@@的@@电场@@（见图@@@@4）。同时@@@@，它为@@@@1200V级别提供了一个有吸引力的@@比导通电阻@@，即使在@@大规模生产@@中@@也能以@@稳定和@@可重复的@@方式实现@@。低导通电阻使得@@VGS(on)电压@@可以@@使用@@低至@@@@15V的@@偏压@@，同时@@@@有足够高@@的@@栅源@@-阈值电压@@@@，通常@@为@@@@4.5V。这些@@数值是@@@@SiC晶体管领域的@@@@基准@@。

该@@设计的@@特点包括@@通过自@@对准工艺将沟道@@定位@@在@@一个单@@一的@@晶面@@。这确保了最高@@的@@沟道@@迁移率@@，并缩小了阈值电压@@@@分布范围@@。另一个特点是@@深@@p型与@@实际的@@@@MOS沟槽@@在@@中@@心@@相交@@，以@@便允许窄的@@@@p+到@@p+间距尺寸@@，从@@而@@有效地屏蔽沟槽@@氧化层拐角@@。

总之@@，我们可以@@说@@@@，应用@@于我们的@@@@CoolSiC™器件@@的@@设计理念不仅提供了良好的@@导通电阻@@，而@@且@@还为@@大规模生产@@提供了可靠的@@制造工艺@@。

图@@4：CoolSiC™ MOSFET元胞结构剖面图@@@@

本文转载自@@@@：英飞凌@@工业@@半导体@@微信公众号@@

如@@何通过优化@@模块@@布局@@@@解决芯片@@缩小带来的@@电气性能挑战@@

judy — Mon, 20 Mar 2023 07:23:53 +0000

作者@@：Jan Baurichter，来源@@：英飞凌@@工业@@半导体@@

在@@本文的@@第一部分@@——《如@@何通过改进@@IGBT模块@@布局@@@@来克服芯片@@缩小带来的@@热性能挑战@@》，我们提到@@尺寸和@@功率往往看起来像硬币的@@两面@@。当你缩小尺寸时@@@@，你不可避免地会降低@@功率@@。在@@那篇文章中@@@@，我们介绍了芯片@@缩小对热性能的@@影响@@，以@@及@@如@@何通过优化@@芯片@@位@@置和@@模块@@布局@@@@来减轻这种影响@@。现在@@@@，让我们来看看我们如@@何能够改善电气性能@@。同样@@，我们将以@@采用@@@@TRENCHSTOP™ IGBT 7技术@@的@@新@@型@@1200V、600A EconoDUAL™ 3模块@@为@@例@@@@，该@@模块@@针对@@通用驱动@@（GPD）、商业@@、建筑和@@农业车辆@@（CAV）、不间断电源@@（UPS）和@@太阳能等@@应用@@进行了优化@@@@。

1200V TRENCHSTOP™ IGBT 7中@@功率技术@@@@与@@以@@前@@的@@@@IGBT 4技术@@相比@@，芯片@@缩小了约@@30%。芯片@@放置和@@模块@@布局@@@@可以@@对较小的@@芯片@@的@@@@热性能产生积极的@@影响@@，但@@它们也会影响开关损耗@@@@@@。

小芯片@@的@@@@电气挑战@@

在@@EconoDUAL™ 3这样的@@中@@等@@功率模块@@中@@@@，需要并联多个芯片@@以@@实现高@@模块@@电流@@@@。为@@了充分利用芯片@@技术@@的@@开关性能@@，一个适当的@@模块@@设计是@@关键@@，这意味着@@并联芯片@@的@@@@对称性非常重要@@。

开关速度和@@损耗@@的@@一个限制因素是@@在@@@@@@IGBT开启期间@@从@@二极管@@到@@@@IGBT之间的@@换流@@。图@@1说@@明了在@@相同的@@@@@@di/dt，和@@相同的@@@@IGBT和@@二极管@@技术@@和@@尺寸下@@，两种不同@@模块@@布局@@@@的@@@@IGBT开启过程@@。

图@@1：模块@@布局@@@@V1和@@V2的@@IGBT 7开启过程@@，开关速度相同@@

当电流@@开始上升时@@@@，CE电压@@下降@@。两种不同@@布局@@之间的@@一个明显区别是@@@@，电压@@（Vce）在@@V1中@@显示@@出一个驼峰曲线@@@@@@，这是@@@@由二极管@@的@@@@恢复过程造成的@@@@。二极管@@的@@@@电流@@需要过零@@，以@@便能够承担电压@@@@。从@@这点开始@@，IGBT可以@@将电压@@转移到@@二极管@@上@@，让自@@己的@@电压@@下降@@@@，直到@@达到@@@@饱和@@状态@@（Vcesat）。

由于@@芯片@@并联@@，最慢的@@二极管@@决定了整体开关速度@@。尽管@@两种布局@@在@@第一阶段显示@@了相等@@的@@@@di/dt，但@@V2有一个较高@@的@@反向恢复电流@@峰值@@，而@@V1在@@最后阶段显示@@了一个较高@@的@@反向恢复拖尾电流@@@@。这表明两种布局@@的@@二极管@@恢复过程是@@不同@@的@@@@@@，而@@且@@它直接影响到@@@@IGBT的@@开通损耗@@和@@二极管@@的@@@@关断损耗@@@@。为@@了更清楚地看到@@这一点@@，你可以@@比较@@@@V1和@@V2的@@模块@@布局@@@@的@@简化原理图@@@@（图@@2）。

比较@@模块@@布局@@@@原理图@@以@@改善换流能力@@@@

图@@2：模块@@布局@@@@V1和@@V2的@@简化示意图@@@@@@。低边@@IGBT的@@开启过程@@和@@反向恢复电流@@的@@电流@@@@路径用红色标出@@。

在@@V1中@@，高@@边@@（HS）和@@低边@@@@（LS）的@@所有@@IGBT和@@FWD被分别并联@@，然后@@通过一个公共电感@@（LHS）连接@@。在@@LS IGBT的@@开启过程@@中@@@@，所有的@@高@@边@@二极管@@与@@低边@@@@IGBT通过这个单@@一的@@公共电感进行换向@@@@，这降低@@了反向恢复电流@@上升阶段的@@@@di/dt，从@@而@@导致@@载流子的@@提取速度变慢@@。

在@@V2中@@，使用@@了不同@@的@@@@物理布局@@@@。在@@这里@@，每个高@@边@@二极管@@可以@@在@@它自@@己的@@电流@@@@路径上与@@相应的@@低边@@@@IGBT直接换向@@@@。这导致@@了在@@二极管@@电流@@的@@过零点到@@反向恢复电流@@峰值之间的@@阶段有一个更陡峭的@@@@di/dt。更多的@@电荷载流子在@@第一阶段被提取@@，而@@二极管@@可以@@更快地建立电压@@@@（图@@3）。

图@@3：在@@相同的@@@@di/dt开关速度下@@，模块@@布局@@@@V1和@@V2的@@二极管@@关断@@

当从@@所有二极管@@中@@提取载流子的@@过程是@@同步的@@@@，IGBT电压@@可以@@更快地下降@@，降低@@IGBT开启的@@开关损耗@@@@@@。最好的@@情况是@@当并联的@@@@IGBT可以@@直接与@@对面的@@各自@@的@@续流二极管@@@@@@（FWD）换向@@，所有的@@路径都有理想的@@相同电感@@。尽管@@V2中@@低边@@和@@高@@边@@@@的@@不对称性增加了@@，但@@可以@@实现整体开关损耗@@@@的@@巨大减少@@--在@@相同的@@@@di/dt下约为@@@@7%（图@@4）。

图@@4：在@@图@@@@2和@@图@@@@4所示@@的@@开关条件下@@@@，模块@@布局@@@@V1和@@V2的@@相对@@IGBT 7开关损耗@@@@。

比较@@1200V 600A TRENCHSTOP™ IGBT 7与@@前一代@@IGBT 4的@@热和@@电气性@@

从@@本文的@@第一部分@@--以@@及@@现在@@@@的@@第二部分@@--可以@@看出@@，优化@@模块@@布局@@@@对散热和@@电气性能都有重大影响@@。但@@是@@@@，这在@@实践中@@是@@如@@何应用@@的@@呢@@？为@@此@@，让我们比@@较一下以@@前@@的@@@@EconoDUAL™ 3 1200V, 600A with TRENCHSTOP™ IGBT4配备的@@模块@@布局@@@@@@V1（FF600R12ME4_B72）和@@新@@的@@@@@@EconoDUAL™ 3 1200V, 600A with TRENCHSTOP™ IGBT7配备的@@模块@@布局@@@@@@V2。

为@@了得到@@一个实际的@@比较@@@@，让我们看看典型@@应用@@条件下@@的@@性能@@（图@@5）。我们在@@逆变器工作模式@@下@@运行模块@@@@，采用@@强制空气散热器冷却@@。为@@了获得模块@@的@@@@完整热图@@像@@@@，我们用红外相机测量了@@IGBT和@@FWD的@@结温@@。

图@@5：典型@@仿真@@条件@@

受到@@二极管@@瞬变的@@限制@@，IGBT4模块@@（FF600R12ME4_B72）是@@在@@@@du/dt为@@4.1kV/μs时@@测试的@@@@。IGBT7模块@@是@@在@@@@两个不同@@的@@@@开关速度@@--5 kV/μs和@@6.5kV/μs--下测量的@@@@。从@@图@@@@6中@@的@@结果可以@@看出@@@@，IGBT4模块@@的@@@@最大有效值电流@@为@@@@490A，而@@IGBT7模块@@在@@@@5kV/μs的@@IGBT（du-dt）on下最大可输出@@520A的@@电流@@@@，在@@6.5kV/μs的@@IGBT（du-dt）on下输出电流@@@@可达到@@@@@@535A。这意味着@@，在@@典型@@的@@应用@@条件下@@@@，新@@的@@@@EconoDUAL™ 3 1200V, 600A TRENCHSTOP™ IGBT7可以@@提供约@@8%的@@更高@@的@@输出有效值电流@@@@，而@@不会受到@@开关速度的@@限制@@。

图@@6：测量平均芯片@@温度@@Tvj,avg作为@@不同@@@@IGBT（du-dt）on的@@RMS输出电流@@@@IRMS的@@函数@@

这些@@数字表明@@，即使不改变芯片@@技术@@@@，也可以@@通过模块@@设计在@@热和@@电气方面实现更高@@的@@输出电流@@@@@@。在@@应用@@条件下@@的@@实际测量中@@@@，也证实了这些@@发现@@。

新@@开发@@的@@带有@@@@TRENCHSTOP™ IGBT7的@@EconoDUAL™ 3 1200V, 600A的@@整体开关损耗@@@@与@@前一代@@带有@@@@IGBT 4的@@产品@@相比可减少约@@10%至@@25%。此外@@，其静态损耗@@可降低@@@@20%。测量结果证实@@，在@@150°C时@@，输出电流@@@@增加了约@@7%，但@@如@@果使用@@@@IGBT7的@@过载运行温度高@@达@@175°C，这种差异会更加明显@@。

虽然芯片@@缩小可能会提高@@热阻@@，但@@是@@@@通过巧妙的@@模块@@设计@@，芯片@@的@@@@缩小却不一定导致@@应用@@性能下降@@。

是@@时@@候从@@@@Si切换到@@@@SiC了吗@@？

judy — Fri, 17 Mar 2023 08:44:53 +0000

作者@@：Uwe Jansen，来源@@：英飞凌@@工业@@半导体@@微信公众号@@

在@@过去的@@几年@@里@@，碳化硅@@@@(SiC)开关器件@@@@，特别是@@@@SiC MOSFET，已经从@@一个研究课题演变成一个重要的@@商业@@化产品@@@@。最初是@@在@@@@光伏@@（PV）逆变器和@@电池电动车@@（BEV）驱动系统@@中@@采用@@@@，但@@现在@@@@@@，越来越多的@@@@应用@@正在@@被解锁@@。在@@使用@@电力电子器件@@的@@设备@@和@@系统@@设计中@@都必须评估@@SiC在@@系统@@中@@可能的@@潜力@@，以@@及@@利用这一潜力的@@最佳策略是@@什么@@。那么@@，你从@@哪里开始呢@@？

工程师老前辈可能还记得双极晶体管在@@@@SMPS中@@被@@MOSFET取代的@@速度有多快@@，或@@者@@IGBT模块@@将双极达林顿晶体管模块@@踢出逆变器的@@速度有多快@@。

电力电子的@@驱动力一直是@@@@降低@@损耗@@@@、小型化和@@提高@@可靠性@@@@。预计这将继@@续下去@@。那么@@，是@@否有必要匆匆忙忙地将每个设计尽快从@@硅@@@@（Si）转换到@@@@SiC？IGBT是@@否会像几十年@@前的@@@@双极达林顿一样完全从@@市场@@上消失@@？

今天的@@电力电子应用@@比@@80年@@代和@@@@90年@@代的@@应用@@更加多样化@@，功率半导体的@@市场@@也更大@@。因此@@，从@@Si到@@SiC的@@有序的@@部分替代比所有应用@@的@@颠覆性改变更现实@@。然而@@@@，这在@@具体的@@应用@@中@@@@取决于@@SiC为@@该@@应用@@提供的@@价值@@。

SiC如@@何为@@电力电子设计提供价值@@？

在@@使用@@电感器或@@变压器的@@功率变换系统@@中@@@@，SiC可以@@提高@@开关频率@@@@，从@@而@@使电感@@188足彩外围@@app 更小@@、更轻@@，并最终降低@@成本@@@@，这是@@@@SiC MOSFET进入@@光伏逆变器的@@重要原因@@。几年@@前@@，SiC MOSFET开始应用@@在@@@@ANPC拓扑@@结构中@@@@，是@@1500V光伏系统@@很好的@@设计方案@@。这种拓扑@@结构提高@@了@@开关频率@@@@，其中@@@@只有三分之一的@@功率器件@@@@采用@@了@@SiC MOSFET，系统@@性价比高@@@@。

但@@并非所有的@@应用@@都能从@@提高@@开关频率@@中@@受益@@。在@@通用变频器@@（GPD）应用@@中@@@@，由于@@没有电感@@188足彩外围@@app 可以@@从@@更高@@的@@开关频率@@中@@受益@@。即使在@@今天使用@@的@@不太高@@的@@调制频率下@@，电机电流@@也已经是@@几乎完美正弦的@@了@@。但@@是@@@@，SiC也可以@@用来减少导通损耗@@@@。与@@IGBT和@@二极管@@不一样@@，只要应用@@通常@@的@@@@PWM模式@@下@@，SiC MOSFET在@@两个方向都具有@@“无拐点电压@@@@”的@@特性@@。因此@@，如@@果使用@@足够大的@@芯片@@面积@@，就可以@@实现导通损耗@@的@@大幅降低@@@@。这使得设计集成在@@电机中@@的@@驱动器@@成为@@可能@@。它可以@@集成到@@密封的@@机箱内@@，并采用@@@@自@@然冷却@@。此外@@，长时@@间内工作在@@轻载的@@应用@@@@，可以@@利用@@“无拐点电压@@@@”的@@特点来降低@@能耗和@@总拥有成本@@@@（TCO）。

如@@果体二极管@@可以@@用作续流二极管@@@@@@，如@@英飞凌@@@@CoolSiC™ MOSFET，这将提供另一个对某些驱动器@@很重要的@@好处@@。无论功率流方向如@@何@@，功率耗散将始终在@@同一个芯片@@中@@@@，从@@而@@大大减少与@@功率循环@@有关@@的@@温度波动@@@@。

图@@1：体二极管@@的@@@@同步整流@@

有时@@@@，更高@@的@@温度运行被宣称为@@@@SiC的@@一个好处@@。在@@需要在@@高@@温环境下散热的@@应用@@中@@@@@@，这将是@@一个重要的@@特性@@@@，但@@前提是@@封装@@和@@其他系统@@@@188足彩外围@@app 也要适合这种环境@@。

总结@@一下@@：
当一个应用@@可以@@从@@@@Si到@@SiC的@@切换中@@受益时@@@@，以@@正确的@@策略进行切换是@@很重要的@@@@。但@@是@@@@简单@@粗暴的@@切换可能无法充分利用新@@的@@@@半导体材料的@@潜力@@，即使它的@@工作没有问题@@。应该@@考虑尽量减少直流母线@@连接@@和@@栅极驱动器@@@@上的@@杂散电感@@，而@@且@@在@@大多数情况下@@，保护@@方案也需要调整@@。由于@@这需要时@@间@@，开发@@项目应尽早开始@@，即使目前@@SiC的@@供应情况看起来很紧张@@。

英飞凌@@推出@@@@了@@MOTIX三相栅极驱动器@@@@@@IC 6ED2742S01Q

judy — Mon, 06 Feb 2023 08:17:48 +0000

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX / OTCQX代码@@：IFNNY）专为@@汽车和@@工业@@电机控制@@@@应用@@开发@@的@@@@MOTIX™系列@@能够提供具有不同@@集成度的@@丰富产品@@组合@@@@。为@@了进一步壮大产品@@阵容@@@@，英飞凌@@推出@@@@了@@MOTIX三相栅极驱动器@@@@@@IC 6ED2742S01Q。这款@@160V的@@绝缘体上硅@@@@@@（SOI）栅极驱动器@@@@集成了@@一个电源管理单@@元@@（PMU），并且@@采用@@了底部带有@@裸露焊盘的@@@@QFN-32封装@@，具有良好的@@导热性能@@。得益于此@@，该@@半导体器件@@易于集成@@，非常适用于@@各种电池供电@@@@的@@工业@@用无刷直流@@（BLDC）电机控制@@@@驱动器@@@@，包括@@无线@@@@电动工具@@@@、机器人@@@@、无人@@机以@@及@@轻型电动汽车@@（LEV）等@@。

6ED2742S01Q集成自@@举二极管@@@@@@，用于为@@外接高@@压侧自@@举电容充电@@，具有涓流充电电路@@@@，支持@@100%占空比@@。主要保护@@功能@@@@包括@@@@，欠压锁定@@@@、可配置阈值的@@过流保护@@@@、故障通信和@@自@@动故障清除@@。其输出驱动器@@具有大脉冲电流@@缓冲级@@，同时@@@@可最大限度地规避桥臂直通风险@@。在@@电流@@检测放大时@@@@，可选择是@@否加入@@VSS或@@COM的@@直流分量@@。

MOTIX栅极驱动器@@@@可直接驱动高@@边@@和@@低边@@@@栅通道@@，支持@@高@@达@@1A的@@拉电流@@和@@@@2A的@@灌电流@@@@@@，并且@@具有独立的@@欠压锁定@@@@@@（UVLO）功能@@。这款@@器件@@@@的@@传播延迟为@@@@100 ns，最小死区时@@间为@@@@100 ns，并且@@带有@@内置的@@延迟匹配功能@@@@。因此@@，MOTIX栅极驱动器@@@@可实现高@@开关频率@@@@，并降低@@电平转换损失@@。QFN-32封装@@底部的@@裸露焊盘极大地降低@@了热阻@@，保证了运行的@@可靠性@@。

MOTIX 6ED2742S01Q的@@额定工作温度范围为@@@@-40°C至@@125°C，可轻松驱动单@@个或@@多个并联的@@@@OptiMOS™和@@StrongIRFET™ MOSFET。该@@驱动器@@@@支持@@从@@@@10.8 V至@@120 V的@@电池电压@@@@@@。

供货情况@@

MOTIX 6ED2742S01Q现已开放订购@@。该@@驱动器@@@@采用@@符合工业@@标准@@的@@@@、带底部裸露焊盘的@@@@5 x 5 mm² QFN-32封装@@，所有引脚@@都具有@@ 2 kV HBM ESD保护@@。更多信息@@，请访问@@www.infineon.com/6ED2742。

关于英飞凌@@@@

英飞凌@@科技股份公司@@是@@全球电源系统@@和@@物联网@@领域的@@@@半导体领导者@@。英飞凌@@以@@其产品@@和@@解决方案@@推动低碳化和@@数字化@@进程@@。该@@公司在@@全球拥有约@@56,200名员工@@，在@@2022财年@@@@（截至@@@@9月@@30日@@）的@@收入约为@@@@142亿欧元@@。英飞凌@@在@@法兰克福证券交易所@@上市@@@@（股票代码@@@@：IFX），在@@美国@@的@@@@OTCQX国际场外交易市场@@上市@@@@（股票代码@@@@：IFNNY）。

更多信息@@，请访问@@www.infineon.com

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@推出@@@@采用@@第二代@@MERUS™多电平开关@@技术@@@@的@@全新@@@@@@2 x 37 W音频放大器@@系列@@@@

judy — Mon, 28 Nov 2022 03:21:19 +0000

在@@为@@消费级音箱应用@@设计电池供电@@@@的@@便携式音频设备@@时@@@@，需要最大限度地延长电池续航时@@间@@，并且@@在@@实现紧凑的@@外观设计和@@降低@@系统@@成本@@的@@同时@@@@@@@@，提供出色的@@音质@@，是@@至@@关重要的@@@@。英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX / OTCQX代码@@：IFNNY）推出@@的@@@@MERUS™多电平开关@@技术@@@@，旨在@@降低@@开关损耗@@@@以@@及@@在@@低输出功率和@@高@@输出功率下均实现高@@效的@@音频放大性能@@，为@@此@@类应用@@带来显著优势@@。这款@@全新@@@@的@@@@IC系列@@采用@@了第二代@@MERUS™多电平开关@@放大器技术@@以@@及@@紧凑的@@@@40引脚@@QFN封装@@，主要适用于@@@@电池供电@@@@的@@音箱@@、蓝牙@@/无线@@@@/智能音箱和@@条形音箱@@、会议音箱@@、多声道@@/多房间音频系统@@等@@应用@@@@。

新@@IC系列@@包括@@@@MA2304DNS和@@MA2304PNS两个型号@@。其中@@@@，MA2304DNS集成了@@完全可配置的@@数字信号@@处理器@@（DSP），MA2304PNS内置了音频控制@@器@@@@，具有音量控制@@功能@@@@。这两款器件@@@@均采用@@@@了第二代@@多电平开关@@D类音频放大器@@@@，可无电感工作@@，并提供@@2 x 37 W的@@桥接式负载@@（BTL）额定输出@@。其电源电压@@范围@@（PVDD）为@@10至@@20 V，可提供高@@保真音质@@。自@@带五段式电压@@调制@@，闲置功耗低至@@@@52 mW，所以@@@@无需复杂的@@动态轨道跟踪系统@@@@。这两款器件@@@@的@@空置功耗只有传统@@D类音频放大器@@@@的@@五分之一@@，是@@电池供电@@@@型音箱应用@@的@@理想选择@@@@，可延长电池的@@续航时@@间@@，并降低@@电池单@@元的@@成本@@@@。

新@@IC系列@@在@@低输出功率下@@，效率可以@@达到@@@@@@80%以@@上@@，这让多声道@@产品@@能够拥有更长的@@电池续航时@@间@@，提升热管理能力@@@@。多电平开关@@设计放宽了对电磁兼容@@（EMC）的@@要求@@，并以@@较低的@@成本@@实现了全功率范围内的@@无电感应用@@@@。与@@传统的@@@@两级和@@三级@@D类音频放大器@@@@相比@@，新@@IC系列@@通过降低@@电磁干扰@@（EMI）加快了产品@@的@@上市@@时@@间@@，而@@且@@不会影响音频效果和@@系统@@效率@@。这种更低并且@@可调的@@@@EMI在@@电源供电@@的@@多声道@@应用@@中@@@@实现了原本需要散热片或@@传统@@LC滤波器才能实现的@@工业@@设计@@。

高@@阶内部反馈回路凭借较低的@@总谐波失真@@（THD）与@@本底噪声保证了出色的@@音频效果@@。无电感应用@@有助于实现最小输出滤波@@，避免了大电感的@@笨重问题@@，进而@@在@@不限制输出功率的@@情况下降低@@了系统@@成本@@@@。MA2304DNS中@@集成的@@高@@度可配置的@@@@DSP可以@@调整音频@@，让音质更完美@@，并通过均衡@@、限制等@@类似功能@@来调整实际的@@音箱应用@@@@。MA2304PNS为@@利用应用@@处理器或@@连接@@处理器处理音频的@@系统@@提供更加简单@@的@@音量控制@@功能@@和@@音频控制@@器@@@@。

供货情况@@

2 x 37 W第二代多电平@@D类音频放大器@@@@系列@@@@拥有@@MERUS MA2304DNS和@@MA2304PNS两个型号@@，可无电感运行@@，并采用@@@@QFN 6 x 6 mm²封装@@。该@@系列@@产品@@@@现已开放订购@@@@。如@@需了解更多信息@@@@@@，请访问@@www.infineon.com/merus。

关于英飞凌@@@@

英飞凌@@科技股份公司@@是@@全球领先的@@半导体解决方案@@提供商@@，致力于让生活更便捷@@、更安全@@、更环保@@。英飞凌@@的@@@@微电子技术@@是@@通向美好未来的@@关键@@。英飞凌@@在@@全球拥有约@@50,280名员工@@，2021财年@@@@（截至@@@@9月@@30日@@）的@@收入约为@@@@111亿欧元@@。英飞凌@@在@@法兰克福证券交易所@@（股票代码@@@@：IFX）及美国场外交易市场@@@@OTCQX International Premier（股票代码@@@@：IFNNY）上市@@。

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@科技股份公司@@于@@1995年@@正式进入@@中@@国大陆市场@@@@。自@@1995年@@10月@@在@@无锡建立第一家企业以@@来@@，英飞凌@@的@@@@业务取得非常迅速的@@增长@@，在@@中@@国拥有约@@2600名员工@@，已经成为@@英飞凌@@全球业务发展的@@重要推动力@@。英飞凌@@在@@中@@国建立了涵盖研发@@、生产@@、销售@@、市场@@、技术@@支持@@等@@在@@内的@@完整的@@产业链@@，并在@@销售@@@@、技术@@研发@@、人@@才培养等@@方面与@@国内领先的@@企业@@、高@@等@@院校开展了深入的@@合作@@。

英飞凌@@推出@@@@CIPOS Mini IM523系列@@智能功率模块@@@@@@

judy — Thu, 03 Nov 2022 07:37:07 +0000

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX / OTCQX代码@@：IFNNY）推出@@了@@IM523系列@@高@@效智能功率模块@@@@@@（IPM），进一步壮大其@@CIPOS Mini家族的@@产品@@阵容@@@@。该@@系列@@智能功率模块@@@@@@采用@@了全新@@@@的@@@@600V逆导型驱动器@@@@2（RCD2）IGBT技术@@，并且@@带有@@开放式发射极@@。CIPOS IM523系列@@智能功率模块@@@@@@集成多种功率和@@控制@@器@@件来提高@@可靠性@@@@，优化@@PCB尺寸并降低@@系统@@成本@@@@，还可用于控制@@各类低@@、中@@功率的@@变频器中@@的@@三相电机@@，如@@家用电器@@、暖通空调@@@@（HVAC）以@@及@@1.4KW以@@下的@@工业@@风扇和@@@@驱动器@@等@@。

RCD2 IGBT与@@功能@@全面的@@绝缘体上硅@@@@@@@@（SOI）栅极驱动器@@@@相结合@@，可降低@@整个系统@@的@@功率损耗@@@@。同时@@@@，将带有@@开放式发射极的@@三相逆变器配置集成至@@@@DIP 36x21封装@@中@@@@，这种封装@@理念特别适用于@@需要良好热传导和@@电气隔离的@@电源应用@@@@。该@@系列@@智能功率模块@@@@@@具有同类产品@@中@@更低的@@开关损耗@@@@@@，可实现出色的@@系统@@能效@@，尤其是@@用于高@@开关频率@@应用@@时@@性能表现尤为@@突出@@。

该@@系列@@产品@@@@的@@额定电流@@范围为@@@@6A至@@17 A不等@@@@，击穿电压@@为@@@@600V。内置用于温度监测的@@经过@@UL认证@@的@@@@NTC热敏电阻@@，集成欠压闭锁@@（UVLO）功能@@以@@及@@过流保护@@功能@@@@@@（OCP），可进一步增强系统@@的@@可靠性@@。所采用@@的@@封装@@和@@塑封材料则@@提高@@了@@其防水@@、防潮性能@@。此外@@，该@@智能功率模块@@@@通过集成自@@举电路@@简化了@@PCB布局@@。CIPOS IM523系列@@智能功率模块@@@@@@采用@@工业@@标准@@封装@@@@@@，无需重新@@设计@@PCB即可轻松@@、快速地与@@现有@@Mini IPM（P2P）进行设计转换@@，从@@而@@缩短了产品@@上市@@时@@间@@。

供货情况@@

CIPOS Mini IM523系列@@智能功率模块@@@@@@现已开始量产@@，并已开放订购@@。

如@@需了解更多信息@@@@@@，请访问@@：www.infineon.com/cipos-mini。

如@@需进一步了解英飞凌@@为@@提升能源效率所做出的@@贡献@@@@，请访问@@www.infineon.com/green-energy。

关于英飞凌@@@@

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@和@@湃安德@@@@为@@@@Magic Leap 2开发@@3D深度感应技术@@@@

judy — Tue, 31 May 2022 01:30:04 +0000

实现先进的@@尖端工业@@和@@医疗应用@@@@

增强现实@@(AR)应用@@即将从@@@@根本上改变我们的@@生活和@@工作方式@@。今年@@晚些时@@候@@，AR先锋@@Magic Leap预计将推出@@其最新@@的@@@@@@@@AR设备@@Magic Leap 2。Magic Leap 2专门为@@企业应用@@而@@设计@@，将成为@@市场@@上极具沉浸感的@@企业@@AR头显之一@@。Magic Leap 2符合人@@体工程学设计@@，拥有行业领先的@@光学技术@@和@@强大的@@计算能力@@@@，能使操作人@@员更高@@效地工作@@，帮助公司优化@@复杂的@@流程并支持@@员工的@@无缝协作@@。Magic Leap 2的@@主要功能@@之一是@@@@由英飞凌@@科技股份公司@@@@(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和@@湃安德@@@@(pmd)共同研发的@@@@3D间接飞行时@@间@@(iToF)深度传感技术@@@@。

Magic Leap 2展示了@@REAL3™ 3D图@@像@@传感器@@的@@潜力@@。全新@@@@改进的@@@@IRS2877C飞行时@@间成像器可以@@捕捉到@@用户周围的@@物理环境@@，帮助设备@@理解环境并最终与@@环境互动@@。借助@@3D成像器的@@@@VGA分辨率@@，该@@款成像器可检测到@@多种不同@@物体的@@细节@@。

英飞凌@@和@@湃安德@@@@开发@@的@@飞行时@@间技术@@可实时@@创建精确的@@环境@@3D图@@以@@及@@人@@脸@@、手部细节或@@物体的@@@@3D图@@像@@。这一进步支持@@@@Magic Leap 2的@@精确环境互动@@。此外@@，该@@传感器还能在@@@@Magic Leap 2上实现增强型姿势控制@@@@。英飞凌@@和@@湃安德@@@@对@@3D传感器进行了优化@@@@，将功耗降到@@最低@@、减少了发热@@，从@@而@@延长了@@Magic Leap 2的@@电池寿命@@@@。

Magic Leap首席技术@@官@@Julie Green表示@@：“精确和@@实时@@地感知环境是@@增强现实@@应用@@的@@关键@@。Magic Leap 2将提供一个更加身临其境的@@用户体验@@@@。这些@@卓越的@@功能@@将有助于更加无缝地连接@@物理世界和@@数字世界@@。”

英飞凌@@电源和@@传感器系统@@部门@@总裁兼指定首席营销官@@Andreas Urschitz表示@@：“我们在@@专业环境中@@引入了我们的@@@@3D成像器技术@@@@。在@@这种环境中@@@@，精确性和@@可靠性是@@挽救生命的@@特征@@。”

“最新@@的@@@@@@3D飞行时@@间技术@@将为@@医疗保健和@@工业@@部门实现新@@的@@@@增强和@@混合现实应用@@@@。它将从@@@@根本上改变我们的@@生活和@@工作方式@@。”

湃安德@@首席执行官@@@@Bernd Buxbaum表示@@：“我们的@@技术@@帮助@@Magic Leap 2以@@毫米@@级精度探测物理环境中@@的@@物体位@@置@@。虚拟物体能够被放置在@@现实世界中@@@@，并且@@当用户在@@房间里走动时@@@@，其还可以@@保持原位@@@@，而@@当有其他真实物体出现在@@@@它们前面时@@@@，虚拟物体会被遮挡住@@。它在@@明亮的@@阳光下或@@完全黑暗的@@环境中@@也能可靠地工作@@，而@@其他深度感应解决方案@@在@@这样的@@环境下很快就会达到@@@@极限@@。”

越来越多的@@@@AR将被应用@@于利用这些@@技术@@进步的@@工业@@和@@医疗环境@@。例如@@@@一家位@@于慕尼黑的@@数字医疗技术@@公司@@Brainlab将其人@@工智能驱动的@@@@、针对@@患者的@@解剖学分段可视化软件@@与@@@@Magic Leap的@@空间计算相结合@@，加深外科医生对病人@@解剖结构的@@理解@@。

2022 年@@汉诺威工业@@博览会的@@参会者可以@@在@@@@ 9 号展厅@@ D36 展位@@@@（易福门电子@@）体验@@ Magic Leap 2 的@@现场演示@@。

关于湃安德@@@@

湃安德@@(pmd)是@@是@@全球领先的@@基于@@@@CMOS的@@3D飞行时@@间数字成像技术@@供应商@@，总部位@@于德国锡根@@，在@@美国@@、中@@国和@@韩国设有子公司@@。该@@公司成立于@@2002年@@，在@@飞行时@@间应用@@和@@@@PMD测量原理及应用@@领域拥有超过@@450项全球专利@@。pmd 的@@3D传感器系统@@和@@软件@@可应用@@于工业@@自@@动化@@、汽车以@@及@@广泛的@@消费者市场@@领域@@，如@@增强现实@@@@、智能手机@@、无人@@机和@@扫地机器人@@@@等@@@@。

更多信息@@，请浏览湃安德@@官网@@@@：www.pmdtec.com 。

关于英飞凌@@@@

英飞凌@@科技股份公司@@是@@全球领先的@@半导体解决方案@@提供商@@，其产品@@使人@@们生活更轻@@松@@、更安全@@、更环保@@。英飞凌@@致力于利用其微电子技术@@让人@@们拥有更美好的@@未来@@。英飞凌@@全球员工人@@数约为@@@@50,280人@@，在@@ 2021 财年@@@@（截至@@@@ 9 月@@ 30 日@@）创造了约@@ 111 亿欧元@@的@@收入@@。

英飞凌@@在@@法兰克福证券交易所@@（股票代码@@@@：IFX）和@@美国柜台交易市场@@@@OTCQX International Premier（股票代码@@@@：IFNNY）挂牌上市@@@@。您可以@@浏览@@www.infineon.com获取更多信息@@@@。

英飞凌@@推出@@@@新@@一代@@@@EiceDRIVER™ 2EDN栅极驱动器@@@@芯片@@@@

judy — Tue, 29 Mar 2022 03:01:51 +0000

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE代码@@：IFX / OTCQX代码@@：IFNNY）近日@@推出@@了@@新@@一代@@@@EiceDRIVER™ 2EDN栅极驱动器@@@@芯片@@@@系列@@@@。新@@器件@@是@@对现有@@2EDN驱动器@@芯片@@产品@@线@@的@@补充@@，可减少外接组件的@@数量@@，并节省设计空间@@，从@@而@@实现更高@@的@@系统@@效率@@、卓越的@@功率密度和@@持续的@@系统@@稳健性@@。随着新@@产品@@的@@推出@@@@，2EDN系列@@驱动器@@芯片@@可广泛应用@@于服务器@@、电信设备@@@@、DC-DC转换器@@、工业@@SMPS、电动汽车充电@@桩@@、电机控制@@@@、低速轻型电动汽车@@、电动工具@@、LED照明和@@太阳能系统@@@@等@@应用@@中@@@@@@，提升功率开关器件@@@@的@@性能@@。

新@@一代@@EiceDRIVER 2EDN驱动器@@芯片@@系列@@包括@@@@稳定可靠的@@双通道@@低边@@@@4 A/5 A栅极驱动器@@@@IC。它不仅适用于@@高@@速功率@@MOSFET，还适用于@@基于@@宽禁带@@（WBG）材料的@@开关器件@@@@@@。这些@@栅极驱动器@@@@可以@@助力工程师满足不同@@封装@@尺寸的@@设计要求@@，确保系统@@在@@进入@@欠压闭锁@@(UVLO)状态之前安全关断@@，并加快@@UVLO功能@@的@@响应速度@@，从@@而@@确保系统@@的@@稳定运行@@，增强抗干扰能力@@@@。

新@@一代@@EiceDRIVER 2EDN驱动器@@芯片@@系列@@共有@@14款器件@@@@，采用@@了各种不同@@的@@@@封装@@形式@@@@。除了可兼容@@、可替代互换的@@@@8引脚@@DSO、TSSOP和@@WSON封装@@之外@@，英飞凌@@现在@@@@还提供超小尺寸的@@@@6引脚@@SOT23封装@@（2.8 x 2.9 mm2）和@@TSNP封装@@（1.1 x 1.5 mm2）。SOT23和@@TSNP封装@@取消了不常使用@@的@@使能@@（EN）信号@@，因而@@能够有效节省空间@@、优化@@系统@@设计@@，从@@而@@提高@@功率密度@@，并提升板上温度循环@@（TCoB）的@@稳健性@@。

设计师可以@@选用@@4 V或@@8 V UVLO选项@@，以@@便在@@异常状况下为@@电源开关提供瞬时@@@@UVLO保护@@。实质上@@，这些@@新@@产品@@缩短了@@UVLO迟滞时@@间@@，进入@@UVLO模式@@的@@速度更快@@，而@@且@@从@@启动和@@突发模式@@到@@@@UVLO功能@@做出响应的@@速度加快了一倍@@以@@上@@@@。此外@@，它们还具有高@@度精准@@、确切的@@轨到@@轨输出@@，以@@及@@VDD 在@@ 1.2 V时@@的@@快速有源输出钳位@@@@。钳位@@作用通常@@仅需@@20 ns即可实现@@，这进一步提高@@了@@系统@@的@@稳健性@@@@。

供货情况@@

新@@一代@@EiceDRIVER 2EDN栅极驱动器@@@@芯片@@@@（2EDNxx3xx）采用@@5种不同@@的@@@@封装@@形式@@：8引脚@@DSO、TSSOP、WSON封装@@，以@@及@@6引脚@@SOT23和@@TSNP封装@@。英飞凌@@现已开始向客户提供样品@@。TSNP封装@@型号将于@@@@2022年@@第二季度上市@@@@。

如@@欲了解更多信息@@@@@@，敬请访问@@@@ www.infineon.com/2edn

关于英飞凌@@@@

英飞凌@@在@@法兰克福证券交易所@@（股票代码@@@@：IFX）及美国场外交易市场@@@@OTCQX International Premier（股票代码@@@@：IFNNY）上市@@。更多信息@@，请访问@@www.infineon.com

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@将推出@@全新@@@@的@@天线@@调谐开关@@

judy — Fri, 11 Mar 2022 08:20:13 +0000

随着联网@@设备@@数量的@@迅速增长@@，客户希望产品@@的@@设计和@@功能@@可以@@带来更好的@@用户体验@@@@。这给射频工程师带来了巨大挑战@@，由于@@产品@@在@@新@@功能@@@@@@、性能以@@及@@创新@@的@@@@外观尺寸等@@方面的@@要求@@越来越高@@@@，使得天线@@设计变得日@@趋复杂@@。特别是@@@@5G技术@@的@@引入@@，要求在@@终端设备@@有限的@@空间内放置更多的@@天线@@以@@实现更多的@@频段覆盖@@，这无疑給天线@@设计带来了进一步的@@挑战@@。所有这些@@因素都可能会影响到@@天线@@的@@性能@@。

英飞凌@@科技股份公司@@（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）将进一步扩展其@@尺寸极小的@@即用型天线@@调谐器@@产品@@组合@@@@，为@@射频工程师提供支持@@@@。英飞凌@@凭借自@@身在@@射频方面的@@深厚专业知识和@@多年@@的@@技术@@开发@@经验@@，进一步提升了天线@@的@@效率@@。继@@BGSA147ML10成功推向市场@@之后@@@@，英飞凌@@将推出@@全新@@@@的@@天线@@调谐开关@@，进一步增强其创新@@型天线@@调谐器@@的@@产品@@阵容@@@@。这些@@器件@@适用于@@@@Sub-7.2 GHzNR应用@@，可支持@@@@智能手机@@、笔记本电脑@@、可穿戴设备@@@@、VR耳机@@、智能家居设备@@和@@其他蜂窝设备@@的@@@@4G和@@5G网@@络连接@@@@。

BGSA144ML10、BGSA400ML10和@@BGSA403ML10天线@@调谐器@@采用@@@@1.1 x 1.5 mm2 TSLP 10引脚@@封装@@@@；BGSA14M2N10则@@采用@@@@ 0.95 x 1.3 mm2 TSNP 10 引脚@@封装@@@@，焊盘间距为@@@@350 μm。

供货情况@@

天线@@调谐器@@的@@技术@@参数如@@下@@@@：

中@@射频电压@@@@

BGSA14M2: SP4T，最小尺寸@@0.95 x 1.3 mm2，45 VRF
BGSA147M: SP4T，带谐振控制@@电路@@@@ ，1.1 x 1.5 mm2，45 VRF，与@@BGSA144M引脚@@兼容@@
BGSA403M: 4SPST, 1.1 x 1.5 mm2, 50 VRF，与@@BGSA400M引脚@@兼容@@

高@@射频电压@@@@

BGSA144M: SP4T，带谐振控制@@电路@@@@ ，1.1 x 1.5 mm2，80 VRF，与@@BGSA147M引脚@@兼容@@
BGSA400M: 4SPST, 1.1 x 1.5 mm2，90 VRF，与@@BGSA403M引脚@@兼容@@

更多信息@@，敬请访问@@@@www.infineon.com/antenna-tuner。

关于英飞凌@@@@

英飞凌@@科技股份公司@@是@@全球领先的@@半导体科技公司@@，我们让人@@们的@@生活更加便利@@、安全和@@环保@@。英飞凌@@的@@@@微电子产品@@和@@解决方案@@将带您通往美好的@@未来@@。2021财年@@@@（截止@@9月@@30日@@），公司的@@销售@@额达@@110.6亿欧元@@，在@@全球范围内拥有约@@50,280名员工@@。2020年@@4月@@，英飞凌@@正式完成了对赛普拉斯半导体公司的@@收购@@@@，成功跻身全球十大半导体制造商之一@@。英飞凌@@在@@法兰克福证券交易所@@（股票代码@@@@：IFX）和@@美国柜台交易市场@@@@ OTCQX International Premier（股票代码@@@@：IFNNY）挂牌上市@@@@。更多信息@@，请访问@@www.infineon.com

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@推出@@@@EiceDRIVER™ F3增强型系列@@栅极驱动器@@@@@@

judy — Thu, 10 Mar 2022 03:09:20 +0000

现代电力电子器件@@需要尽可能实现更高@@的@@系统@@效率@@，这也促使器件@@的@@功率密度不断提高@@@@。然而@@@@，一旦发生短路故障@@，就会对高@@价值系统@@构成威胁@@。为@@了避免这种状况的@@发生@@，并为@@系统@@提供可靠的@@保护@@@@，英飞凌@@科技股份公司@@（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布推出@@@@EiceDRIVER™ F3 （1ED332x）增强型系列@@栅极驱动器@@@@@@，进一步壮大其@@EiceDRIVER™ 增强型隔离栅极驱动器@@@@的@@产品@@阵容@@@@。该@@系列@@栅极驱动器@@@@能够提供可靠且全面的@@保护@@@@，防止短路故障的@@发生@@，让包括@@@@IGBT在@@内的@@传统功率开关以@@及@@@@CoolSIC™宽禁带器件@@得到@@有效保护@@@@。该@@系列@@栅极驱动器@@@@专为@@@@工业@@驱动@@、太阳能系统@@@@、电动汽车充电@@、储能系统@@@@及商用@@空调@@等@@应用@@而@@设计@@。

EiceDRIVER F3增强型系列@@栅极驱动器@@@@@@采用@@爬电距离为@@@@8mm的@@DSO 16 300 mil宽体封装@@@@。这款@@单@@路隔离栅极驱动器@@@@具有高@@达@@300 kV/us的@@超高@@共模瞬态抗扰度@@（CMTI），以@@及@@高@@达@@8.5 A的@@典型@@输出电流@@@@@@。离散性小的@@通道至@@通道传播延迟匹配有助于最大限度地降低@@死区时@@间@@，提高@@系统@@效率@@，并减少谐波失真@@。该@@系列@@栅极驱动器@@@@提供短路箝位@@@@、主动关断及有源米勒钳位@@等@@保护@@功能@@@@@@。

EiceDRIVER F3增强型系列@@栅极驱动器@@@@@@适用的@@功率范围较宽@@，可支持@@@@40 V绝对最大输出电压@@@@。此外@@，该@@系列@@栅极驱动器@@@@耐高@@温@@、适用于@@快速开关应用@@@@，能够在@@恶劣的@@环境中@@正常使用@@@@，是@@驱动传统@@IGBT、IGBT7及碳化硅@@@@@@（SiC）MOSFET的@@理想选择@@。并且@@，由于@@具备高@@达@@2300 V的@@额定电压@@@@，它可支持@@@@阻断电压@@超过@@1200 V的@@电源开关@@。该@@系列@@栅极驱动器@@@@还获得了@@UL 1577和@@VDE 0884-11（加强绝缘@@）认证@@，确保了其在@@应用@@中@@@@的@@@@高@@可靠性@@@@，并保证了较长的@@使用@@寿命@@@@。

供货情况@@

EiceDRIVER™ F3增强型系列@@栅极驱动器@@@@@@以@@及@@@@EVAL-1ED3321MC12N评估板@@现已开放订购@@@@。如@@需了解更多信息@@@@@@，请访问@@www.infineon.com/gdenhanced。

了解英飞凌@@为@@提升能源效率所做出的@@贡献@@，请访问@@：www.infineon.com/green-energy。

关于英飞凌@@@@

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@推出@@@@全新@@@@@@的@@@@MOTIX™ BTN99xx系列@@智能半桥@@驱动集成芯片@@@@

judy — Wed, 02 Mar 2022 06:13:25 +0000

继@@发布@@BTN89xx获得成功之后@@@@，英飞凌@@科技股份公司@@（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出@@了@@全新@@@@的@@@@MOTIX™ BTN99xx（NovalithIC™+）系列@@智能半桥@@驱动集成芯片@@@@。该@@芯片@@在@@单@@@@个封装@@内集成了@@@@P沟道@@高@@边@@@@MOSFET和@@N沟道@@低边@@@@MOSFET，以@@及@@多个智能驱动@@IC。BTN99xx将凭借其易用性@@、良好的@@保护@@功能@@@@和@@可扩展性@@，成为@@汽车应用@@的@@理想选择@@@@。此外@@，由于@@BTN99xx在@@单@@@@个坚固封装@@中@@@@集成了@@多种不同@@功能@@@@，尤其适用于@@一些需要严格控制@@@@PCB面积的@@应用@@@@。值得一提的@@是@@@@，它还具备高@@可靠性@@@@，非常适合@@座椅控制@@@@、电动尾门和@@侧滑门@@、燃油泵@@等@@应用@@@@。

英飞凌@@科技高@@级副总裁兼汽车电子事业部车身功率器件@@@@业务总经理@@Andreas Doll表示@@：“MOTIX BTN89xx（NovalithIC+）在@@推出@@市场@@后大获成功@@，无论是@@知名度还是@@美誉度都很高@@@@。自@@2015年@@以@@来@@，我们已向全球各地的@@汽车客户交付了@@5亿多颗@@MOTIX BTN89xx芯片@@。我们新@@推出@@的@@@@@@BTN99xx系列@@芯片@@采用@@小型@@HSOF-7封装@@，与@@上一代产品@@相比@@，可节省@@60%的@@占板空间@@。”

这款@@新@@器件@@采用@@英飞凌@@先进的@@逐片和@@层叠工艺@@，集成在@@坚固的@@封装@@之中@@@@。得益于英飞凌@@最新@@的@@@@@@@@MOSFET技术@@和@@创新@@的@@@@芯片@@减薄工艺@@，在@@25°C条件下@@，BTN99xx的@@常态路径电阻可大幅降低@@@@47%，下降至@@@@5.30 mΩ，同时@@@@，其电流@@限值可提高@@至@@@@75 A。因此@@，BTN99xx可以@@说@@是@@市面上一款独具特色的@@@@、具有成本@@效益的@@解决方案@@@@，适用于@@小型化的@@大电流@@@@PWM（脉冲宽度调制@@）电机驱动器@@@@。

MOTIX BTN99xx进一步完善和@@增强了英飞凌@@当前的@@@@MOTIX电机控制@@@@IC产品@@组合@@。该@@产品@@组合@@介于分立门驱动器@@和@@基于@@@@Arm®处理器的@@高@@度集成的@@嵌入式功率电机控制@@@@产品@@之间@@。BTN99xx系列@@芯片@@包括@@@@BTN9970LV和@@BTN9990LV两种型号@@，均采用@@@@7 x 8 mm²的@@HSOF-7封装@@。

供货情况@@

BTN9970LV现已投产@@，BTN9990LV将于@@2022年@@2月@@开始发售@@。更多信息@@，敬请访问@@@@www.infineon.com/btn99xx。点击@@此处@@可访问@@MOTIX™ BTN99x0LV在@@线@@培训课程@@。点击@@此处@@可访问@@MOTIX™车用全桥式芯片@@论坛@@（MOTIX™ Bridges Automotive Forum）。

关于英飞凌@@@@

英飞凌@@在@@法兰克福证券交易所@@（股票代码@@@@：IFX）和@@美国柜台交易市场@@@@ OTCQX International Premier（股票代码@@@@：IFNNY）挂牌上市@@@@。更多信息@@，请访问@@www.infineon.com

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英飞凌@@中@@国@@

英飞凌@@推出@@@@带有@@@@SPI接口@@的@@车用双通道@@高@@压侧栅极驱动器@@@@@@EiceDRIVER™ 2ED4820-EM

judy — Thu, 10 Feb 2022 02:27:04 +0000

48V电池系统@@@@可用于轻度混合动力电动汽车@@、卡车@@、电动多轮车和@@太阳能电池板电池组等@@多类不断增长的@@市场@@@@。这些@@锂离子@@ 电池系统@@@@需要获得正负电压@@防护@@。此外@@，如@@果出现过流@@，此类电池必须能够在@@数微秒内@@，快速可靠地与@@负载断开@@。由于@@电池组可能并非专用于一辆车@@，因此@@，状态诊断和@@过流保护@@阈值配置非常重要@@。

为@@满足这些@@需求@@，英飞凌@@科技股份公司@@（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出@@了@@EiceDRIVER™ 2ED4820-EM，这是@@@@一款带@@SPI接口@@的@@智能栅极驱动器@@@@@@。这款@@栅极驱动器@@@@可与@@英飞凌@@@@80/100V OptiMOS TM MOSFET搭配使用@@@@，并可用于@@48V网@@络中@@的@@大电流@@负载开关@@。

EiceDRIVER APD系列@@中@@的@@这款@@智能双通道@@高@@压侧栅极驱动器@@@@@@2ED4820-EM能承受低至@@@@-90 V的@@负电压@@@@（Vbat），以@@及@@高@@达@@+105 V的@@正电压@@@@ —— 在@@短路或@@接触不良情况下@@，就可能会出现这样的@@大范围电压@@波动@@状况@@。此外@@，这款@@驱动器@@包含一个用于高@@压侧或@@低压侧电流@@测量的@@电流@@@@检测放大器@@。低压侧测量可利用电池管理系统@@现有的@@分流电阻@@，从@@而@@有助于降低@@成本@@@@、PCB占板空间以@@及@@总体功耗@@。通过两个集成输出通道@@，该@@驱动器@@@@还可实现对专用预充电路@@径的@@控制@@@@，或@@将电池的@@充电与@@放电电流@@路径分离@@@@，从@@而@@进一步减少@@PCB占板空间和@@总体成本@@@@。

供货情况@@

2ED4820-EM目前已投产@@。该@@产品@@为@@@@QM器件@@，并附带安全应用@@说@@明@@，以@@便用于功能@@安全应用@@@@。为@@加快设计导入进度@@，英飞凌@@提供了配备@@EiceDRIVER APD 2ED4820-EM的@@ 评估板@@和@@ 参考板@@供客户订购@@。欲了解更多信息@@@@和@@仿真@@模型@@@@，请点击@@@@ 此处@@。为@@便于集成@@，我们还提供了@@ 培训视频@@。

如@@欲详细了解英飞凌@@在@@能源效率领域的@@@@贡献@@，敬请访问@@@@： www.infineon.com/green-energy