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Nexperia推出@@新款@@@@@@LCD偏压@@电源@@@@IC，助力显示设备实现高@@性能@@表@@现@@

judy — Thu, 11 Jan 2024 02:47:31 +0000

延长智能手机和@@@@VR头显的@@电池续航时@@间及视频显示器寿命@@

Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@全新@@的@@具有@@节省空间@@@@、高@@效@@率特性@@的@@两路输出@@@@LCD偏压@@电源@@@@系列@@产品@@@@@@。该系列@@产品@@@@旨在@@延长薄膜晶体管液晶显示器@@（TFT-LCD）面板的@@寿命@@。TFT-LCD面板广泛应用@@于@@各种应用@@中@@@@，包括@@智能手机@@、平板电脑@@、VR头显和@@@@LCD模块@@。

NEX10000为@@80 mA两路输出@@LCD偏压@@电源@@@@，而@@NEX10001可提供@@高@@达@@@@220 mA的@@输出电流@@@@@@。这两款@@@@器件@@均可用@@@@I²C编程两路电压输出@@，仅需一个@@电感器即可为@@@@两个@@@@输出端提供@@支持@@@@，并采用@@@@内部补偿@@，有助于@@减小@@@@PCB面积@@。为@@了尽量减少在@@空间受限应用@@中@@所需的@@电路板面积@@@@，NEX10000/1采用@@WLCSP15的@@封装@@@@，外@@形尺寸@@为@@@@@@1.16 × 1.96 × 0.62 mm，比@@标准@@@@WLCSP15更小@@@@。

Nexperia电源@@和@@信号转换@@业务部门总经理@@@@Irene Deng表@@示@@： “我们非常高@@兴地推出@@这些@@@@LCD偏压@@IC。它们是@@该产品@@组@@合@@中@@的@@首批产品@@@@，充分展现了@@Nexperia为@@满足最新智能手机以@@及@@其@@他@@手持电子设备对功耗和@@小@@尺寸@@@@的@@要求而@@付出的@@努力@@。NEX10000/1还兼具高@@精度输出和@@高@@效@@率输出@@，能够延长电池续航时@@间和@@显示器寿命@@。”

为@@了满足@@TFT-LCD应用@@需要更长电池续航时@@间而@@要解决的@@低@@功耗问题@@，NEX10000/1内置了升压转换@@器@@@@。该转换@@器@@能够根据@@负载电流@@@@，在@@连续导通模式@@（CCM）和@@脉冲频率调制模式@@（PFM）之间@@切换@@，从@@而@@显著提升效率@@。这一特性@@降低@@了器件@@的@@功率@@损耗@@，有助于@@延长设备中@@单节锂离子电池@@、镍锂电池和@@锂聚合物电池的@@续航时@@间@@。这两款@@@@器件@@都采用@@@@2.7 V至@@5 V的@@输入电压范围@@，并具有@@出色的@@输入和@@负载瞬态响应@@。这些@@特性@@可减少输出纹波@@，从@@而@@使@@@@LCD提供@@更稳定的@@图@@像@@，进而@@有助于@@延长@@LCD的@@工作寿命@@。

欲了解@@有关@@@@Nexperia电源@@IC的@@更多信息@@，请访问@@： www.nexperia.com/display-power-ics

关于@@@@Nexperia

Nexperia为@@全球客户提供@@服务@@，每年@@的@@产品@@@@出货量超过@@1,000亿@@件@@。这些@@产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及性能@@@@）方面成为@@行@@业基准@@，获得@@广泛认可@@。Nexperia拥有丰富的@@@@@@IP产品@@组@@合@@和@@持续扩充的@@产品@@@@范围@@，并获得@@了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001标准@@认证@@@@，充分体现了@@公司对于@@@@创新@@、高@@效@@、可持续发展和@@满足行@@业严苛要求的@@坚定承诺@@。

Nexperia首款@@@@SiC MOSFET提高@@了工业@@电源@@开关@@@@应用@@的@@@@安全性@@、稳健性@@和@@@@可靠性标准@@@@

judy — Thu, 30 Nov 2023 01:44:21 +0000

1200 V分立器件@@@@提供@@出色的@@性能@@@@@@，有助于@@加速全球能源转型@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@其@@首款@@@@碳化硅@@@@(SiC) MOSFET，并发布两款@@采用@@@@3引脚@@TO-247封装@@的@@@@1200 V分立器件@@@@，RDS(on)分别为@@@@40 mΩ 和@@80 mΩ。NSF040120L3A0和@@NSF080120L3A0是@@Nexperia SiC MOSFET产品@@组@@合@@中@@首批发布的@@产品@@@@@@，随后@@Nexperia将持续扩大产品@@阵容@@，推出@@多款@@具有@@不同@@RDS(on)的@@器件@@@@，并提供@@@@通孔封装@@和@@表@@面贴装封装@@供选择@@。这次推出@@的@@两款@@器件@@可用@@性高@@@@，可满足电动汽车@@@@@@(EV)充电桩@@、不间断电源@@@@(UPS)以@@及@@太阳能和@@储能系统@@(ESS)逆变器等汽车@@和@@工业@@应用@@对高@@性能@@@@SiC MOSFET的@@需求@@。

Nexperia高@@级总监兼@@SiC产品@@部主管@@Katrin Feurle表@@示@@：“Nexperia和@@三菱电机@@希望这两款@@@@首发产品@@可以@@激发更多的@@创新@@，推动市场@@涌现更多宽禁带器件@@供应商@@。Nexperia现可提供@@@@SiC MOSFET器件@@，这些@@器件@@的@@多个@@参数@@性能@@均超越同类@@产品@@@@，例如@@@@高@@@@RDS(on)、良好的@@温度稳定性@@、较低@@的@@@@体二极管@@压降@@、严格的@@阈值@@电压规格以@@及@@极其@@均衡的@@栅极电荷比@@@@，能够安全可靠地防止寄生导通@@。这是@@我们与@@三菱电机@@承诺合作生产高@@质量@@SiC MOSFET的@@开篇之作@@。毫无疑问@@，在@@未来几年@@里@@，我们将共同推动@@SiC器件@@性能@@的@@发展@@@@。”

三菱电机@@半导体与@@器件@@部功率@@器件@@业务高@@级总经理@@Toru Iwagami表@@示@@：“我们很高@@兴与@@@@Nexperia携手推出@@这些@@新型@@@@@@SiC MOSFET，这也是@@我们合作推出@@的@@首批产品@@@@。三菱电机@@在@@@@SiC功率@@半导体@@方面积@@累了丰富的@@@@专业知识@@，我们的@@器件@@@@实现了多方面特性@@的@@出色平衡@@。”

RDS(on)会影响传导功率@@损耗@@，是@@SiC MOSFET的@@关键性能@@参数@@@@。Nexperia发现这也是@@造成目前@@市场@@上许多@@SiC器件@@的@@性能@@@@受限的@@因素@@，新推出@@的@@@@SiC MOSFET采用@@了创新型@@工艺@@技术@@@@，实现了业界领先的@@温度稳定性@@，在@@25℃至@@175℃的@@工作温度范围内@@，RDS(on)的@@标称值@@仅增加@@@@38%。

Nexperia SiC MOSFET的@@栅极总电荷@@(QG)非常低@@@@，由@@此可实现更低@@@@的@@栅极驱动损耗@@。此外@@@@，Nexperia通过@@平衡栅极电荷@@，使@@QGD与@@QGS比@@率非常低@@@@@@，这一特性@@又进一步提高@@了器件@@对寄生导通的@@抗扰度@@。

除了@@正温度系数外@@@@，Nexperia的@@SiC MOSFET的@@器件@@@@间阈值@@电压@@VGS(th)也超低@@@@，这使@@得器件@@并联工作时@@@@，在@@静态和@@动态条件下@@@@都能实现非常均衡的@@载流性能@@@@。此外@@@@，较低@@的@@@@体二极管@@正向电压@@(VSD)有助于@@提高@@器件@@稳健性@@和@@@@效率@@，同时@@@@还能放宽对异步整流和@@续流操作的@@死区时@@间要求@@。

Nexperia未来还计划推出@@车规级@@MOSFET。NSF040120L3A0和@@NSF080120L3A0现已投入大批量生产@@。请联系@@Nexperia销售代表@@@@获取全套@@SiC MOSFET样品@@。

欲了解@@有关@@@@Nexperia MOSFET的@@更多信息@@，请访问@@：https://www.nexperia.com/sic-mosfets

关于@@@@Nexperia

三菱电机@@与@@@@Nexperia合作开发@@@@SiC功率@@半导体@@

judy — Tue, 14 Nov 2023 03:31:59 +0000

三菱电机@@集团近日@@@@（2023年@@11月@@13日@@）宣布@@，将与@@@@Nexperia B.V. 建立战略合作伙伴关系@@，共同开发@@面向电力电子市场@@的@@碳化硅@@@@（SiC）功率@@半导体@@。三菱电机@@将利用其@@宽禁带半导体技术@@为@@@@Nexperia开发@@和@@供应@@SiC MOSFET芯片@@，用于@@其@@开发@@@@SiC分立器件@@@@。

全球范围内的@@电动汽车@@@@市场@@正在@@不断扩大@@，有望推动@@SiC功率@@半导体@@的@@指数级增长@@，与@@传统硅功率@@半导体@@相比@@@@@@，SiC功率@@半导体@@具有@@更低@@@@的@@损耗@@、更高@@的@@工作温度和@@更快的@@开关@@速度@@。SiC功率@@半导体@@的@@高@@效@@率有望为@@全球脱碳和@@绿色转型做出重大贡献@@。

三菱电机@@在@@@@高@@速列车@@、高@@压工业@@应用@@和@@家用电器@@等领域占据先端地位@@， 2010年@@推出@@了用于@@空调的@@@@SiC功率@@模块@@@@， 2015年@@成为@@新干线子弹头列车全@@SiC功率@@模块@@@@的@@首家供应商@@。三菱电机@@在@@@@开发@@和@@制造@@@@SiC功率@@半导体@@方面积@@累了丰厚的@@专业技术@@@@，生产的@@@@SiC功率@@模块@@@@以@@其@@高@@性能@@和@@高@@可靠性而@@闻名@@。

展望未来@@，三菱电机@@希望加强与@@@@Nexperia的@@合作伙伴关系@@。Nexperia在@@各种分立器件@@@@的@@设计@@@@、制造@@、品质保证和@@供应方面拥有数十年@@经验@@。Nexperia器件@@用于@@汽车@@@@、工业@@、移动和@@消费市场@@@@，为@@低@@碳和@@可持续发展做出贡献@@。三菱电机@@将继@@续提高@@其@@@@SiC芯片@@的@@性能@@@@和@@质量@@，并专注于@@功率@@模块@@@@的@@开发@@@@。

Nexperia双极性分立器件@@@@事业部高@@级副总裁兼总经理@@Mark Roeloffzen表@@示@@：“与@@三菱电机@@的@@这种@@互惠互利战略伙伴关系代表@@着@@Nexperia在@@碳化硅@@的@@发展@@道路上迈出了重要一步@@。三菱电机@@作为@@技术@@成熟的@@@@SiC器件@@和@@模块@@供应商@@，有着良好的@@业绩记录@@。结@@合@@Nexperia在@@分立器件@@@@产品@@和@@封装@@方面的@@高@@质量标准@@@@和@@专业知识@@，我们一定会在@@两家公司之间@@产生积极的@@协同效应@@@@——最终使@@我们的@@客户能够在@@@@他们所服务的@@工业@@@@、汽车@@或@@消费市场@@中@@提供@@高@@能效的@@产品@@@@@@。”

三菱电机@@半导体执行@@官兼集团总裁@@Takemi Masayoshi表@@示@@：“Nexperia是@@工业@@领域的@@领先企业@@，拥有成熟且@@高@@质量的@@分立半导体制造@@技术@@@@。我们很高@@兴能达成这种@@共同开发@@合作伙伴关系@@，这将充分利用两家公司的@@半导体技术@@@@。”

关于@@@@Nexperia

Nexperia（安世半导体@@）总部位于@@荷兰@@，是@@一家在@@欧洲拥有丰富悠久发展历史的@@全球性半导体公司@@，目前@@在@@欧洲@@、亚洲和@@美国共有@@15,000多名员工@@@@。作为@@基础半导体器件@@开发@@和@@生产的@@@@领跑者@@，Nexperia（安世半导体@@）的@@器件@@@@被广泛应用@@于@@汽车@@@@、工业@@、移动和@@消费等多个@@应用@@领域@@，几乎为@@世界上所有@@电子设计@@的@@基本@@功能提供@@支持@@@@。

Nexperia（安世半导体@@）为@@全球客户提供@@服务@@，每年@@的@@产品@@@@出货量超过@@1,000亿@@件@@。这些@@产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及性能@@@@）方面成为@@行@@业基准@@，获得@@广泛认可@@。Nexperia（安世半导体@@）拥有丰富的@@@@@@IP产品@@组@@合@@和@@持续扩充的@@产品@@@@范围@@，并获得@@了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001标准@@认证@@@@，充分体现了@@公司对于@@@@创新@@、高@@效@@、可持续发展和@@满足行@@业严苛要求的@@坚定承诺@@。

关于@@@@三菱电机@@功率@@半导体@@@@

三菱电机@@将功率@@器件@@业务定位为@@我们的@@主要增长业务之一@@，通过@@推出@@更多解决方案来应对碳中@@和@@等社会挑战@@，帮助实现可持续发展社会@@。三菱电机@@提供@@的@@功率@@半导体@@产品@@@@，在@@汽车@@@@、家用电器@@、工业@@设备和@@铁路牵引等各种应用@@中@@实现了显著的@@节能@@。公司将继@@续适时@@对功率@@半导体@@事业进行@@战略投资@@，以@@实现稳健的@@业务增长@@。

三菱电机@@创立于@@@@1921年@@，是@@全球知名的@@综合性企业@@。截止@@2023年@@3月@@31日@@的@@财年@@@@，集团营收@@50036亿@@日@@元@@（约@@合美元@@373亿@@）。作为@@一家技术@@主导型企业@@，三菱电机@@拥有多项专利技术@@@@，并凭借强大的@@技术@@实力和@@良好的@@企业信誉在@@全球的@@电力设备@@、通信@@设备@@、工业@@自@@动化@@、电子元器件@@@@、家电等市场@@占据重要地位@@。尤其@@在@@电子元器件@@@@市场@@@@，三菱电机@@从@@事开发@@和@@生产半导体已有@@@@60余年@@@@。其@@半导体产品@@更是@@在@@变频家电@@、轨道牵引@@、工业@@与@@新能源@@、电动汽车@@@@、模拟@@/数字通讯以@@及@@有线@@/无线通讯等领域得到@@了广泛的@@@@应用@@@@。

Nexperia与@@KYOCERA AVX Salzburg合作为@@功率@@应用@@生产@@650 V碳化硅@@整流二极管@@模块@@@@

judy — Mon, 06 Nov 2023 09:35:45 +0000

双方就@@@@SiC模块@@的@@合作进一步提升了模块@@紧凑度和@@功率@@密度@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@与@@国际著名的@@先进@@电子器件@@供应商@@KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系@@，共同生产新的@@@@650 V、20 A碳化硅@@（SiC）整流器@@模块@@@@，适用于@@@@3 kW至@@11 kW功率@@堆栈设计@@的@@高@@频电源@@应用@@@@，以@@满足工业@@电源@@@@、EV充电站和@@板载充电器等应用@@的@@@@需要@@。此次发布将进一步加深双方长期以@@来保持的@@紧密合作关系@@。

制造@@商对下@@一代功率@@应用@@的@@@@关键需求是@@节省空间@@和@@减轻重量@@。这款@@@@新型@@@@的@@@@SiC整流二极管@@模块@@尺寸@@小@@巧@@，减少了在@@电路板上需要的@@空间@@@@，有助于@@尽可能提高@@功率@@密度@@，降低@@总体系统成本@@@@@@。通过@@结@@合@@使@@用@@顶部散热@@@@(TSC)和@@负温度系数@@(NTC)传感器@@优化了热性能@@@@，NTC会监控器件@@温度@@，并为@@设备或@@系统级预测和@@诊断提供@@实时@@反馈@@。该整流二极管@@模块@@采用@@低@@电感封装@@@@，以@@实现高@@频操作@@，并且@@@@经过验证@@，可以@@在@@高@@达@@@@175℃的@@结@@温下@@工作@@@@。

Nexperia SiC产品@@部高@@级总监@@Katrin Feurle表@@示@@：“Nexperia和@@KYOCERA AVX在@@此次合作中@@@@，将顶尖的@@碳化硅@@半导体与@@一流的@@模块@@封装@@技术@@相结@@合@@@@@@，将使@@@@Nexperia能够更好地满足市场@@对极高@@功率@@密度的@@电力电子产品@@的@@@@需求@@@@。这款@@@@整流二极管@@模块@@的@@发布是@@@@Nexperia与@@KYOCERA AVX就@@SiC达成长期合作迈出的@@第一步@@。”

KYOCERA AVX Components传感与@@控制部门副总裁@@Thomas Rinschede表@@示@@：“我们很高@@兴进一步深化与@@@@Nexperia成功的@@合作关系@@，携手为@@功率@@电子应用@@生产碳化硅@@模块@@@@。Nexperia在@@制造@@方面的@@专业技术@@加上@@KYOCERA在@@模块@@方面的@@专业知识@@，为@@寻求更高@@功率@@密度并想要使@@用@@宽禁带半导体技术@@的@@@@客户带来了无法抗拒的@@产品@@@@@@。”

Nexperia预计将于@@@@2024年@@第一季度提供@@新款@@@@@@SiC整流二极管@@模块@@的@@样品@@@@。
欲了解@@有关@@@@Nexperia SiC二极管@@产品@@的@@@@更多信息@@@@@@，请访问@@：www.nexperia.cn/sic_diodes。
有关@@SiC整流二极管@@模块@@的@@更多信息@@@@，请联系@@您的@@@@Nexperia或@@Kyocera AVX销售代表@@@@。

关于@@@@Nexperia

KYOCERA AVX简介@@

KYOCERA AVX是@@全球领先的@@先进@@电子器件@@制造@@商@@，旨在@@加速技术@@创新@@，打造更美好的@@未来@@。作为@@以@@共享资源和@@技术@@专业知识为@@宗旨的@@@@KYOCERA Corporation的@@全资子公司@@，KYOCERA AVX在@@全球超过@@15个@@国家或@@地区拥有数十家研发和@@制造@@工厂@@，汇聚了产品@@创新@@、器件@@质量@@、客户服务等各领域的@@出色人才@@，旨在@@通过@@科技创造更美好的@@未来@@。KYOCERA AVX设计@@、开发@@、制造@@并供应技术@@先进@@的@@电容器@@、天线@@、互连产品@@@@、电路保护@@和@@计时@@装置@@、传感器@@、控制器@@、滤波器@@、熔断器@@、二极管@@、电阻器@@、耦合器和@@电感器@@，并针对国际@@5G、物联网@@@@、航空航天@@、汽车@@、消费电子@@、工业@@、医疗和@@军事市场@@进行@@了优化@@。

Nexperia双通道@@@@500 mA RET可在@@@@空间受限的@@应用@@中@@实现高@@功率@@负载开关@@@@@@

judy — Wed, 27 Sep 2023 01:23:18 +0000

采用@@超紧凑型@@DFN2020(D)-6封装@@，并集成@@BJT和@@电阻@@，加倍@@节省空间@@@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@新推出@@全新的@@@@500 mA双通道@@@@内置电阻晶体管@@(RET)系列@@产品@@@@，均采用@@超紧凑型@@@@DFN2020(D)-6封装@@。新系列@@器件@@@@适用于@@@@可穿戴@@设备和@@智能手机中@@的@@负载开关@@@@@@，也可用@@于@@功率@@要求更高@@的@@数字电路@@。例如@@@@空间受限的@@计算@@、通信@@、工业@@和@@汽车@@应用@@@@@@。值@@得注意的@@是@@@@，DFN封装@@的@@@@RET采用@@双重空间节省方案@@，可加倍@@提高@@空间利用率@@。首先@@，通过@@将双极性晶体管@@@@(BJT)和@@电阻@@巧妙地集成到@@单一封装@@中@@@@，可节省@@大量电路板空间@@。此外@@@@，无引脚@@@@DFN封装@@本@@身的@@空间@@效益较高@@@@。这种@@集成和@@封装@@有效融合的@@战略充分凸显了@@Nexperia力求满足当@@代电子设备紧凑空间要求的@@不懈努力@@。

为@@了减少@@188足彩外@@围@@app 数量@@，简化电路板设计@@@@，12款@@新型@@@@RET将双通道@@@@@@BJT与@@偏置电阻组合在@@一起@@，集成在@@同一封装@@中@@@@。同时@@@@还在@@基极@@-发射极路径上并联第二个@@集成电阻@@，以@@创建用于@@设置基极电压的@@分压器@@。进而@@可实现更精细的@@微调和@@更出色的@@关断特性@@@@。由@@于@@@@这些@@内部电阻的@@容差高@@于@@外@@部电阻@@，因此@@RET适合晶体管在@@打开或@@关断状态下@@工作@@的@@开关@@应用@@@@，并有助于@@克服标准@@@@BJT的@@温度依赖性@@。此外@@@@，还能降低@@与@@贴片以@@及@@手动处理相关的@@成本@@@@@@。

此系列@@@@RET器件@@提供@@双@@NPN/NPN、NPN/PNP和@@PNP/PNP选项@@。与@@同类@@竞品器件@@不同@@，Nexperia RET的@@微型@@DFN2020(D)-6封装@@尺寸@@仅为@@@@@@2 mm x 2 mm x 0.65 mm，能够完全提供@@其@@规定的@@@@500 mA输出电流@@@@。该封装@@专门用于@@在@@高@@功率@@应用@@@@中@@@@实现出色的@@热性能@@@@，可在@@@@高@@达@@@@50 V的@@集电极@@@@-发射极电压@@（VCEO，基极开路@@）下@@提供@@高@@达@@@@1 W的@@总输出功率@@@@。

Nexperia RET器件@@提供@@标准@@版和@@车规级@@（符合@@AEC-Q101标准@@）版本@@@@。该产品@@组@@合@@包含@@400多种产品@@@@，包括@@单通道@@和@@双通道@@@@@@RET以@@及@@广泛的@@@@电阻组合@@。Nexperia RET系列@@产品@@@@提供@@@@DFN和@@有引脚@@@@SMD封装@@，能够满足众多应用@@的@@@@不同需求@@。

欲了解@@有关@@@@Nexperia RET产品@@的@@@@更多信息@@@@，请访问@@：http://www.nexperia.cn/rets

关于@@@@Nexperia

Nexperia总部位于@@荷兰@@，是@@一家在@@欧洲拥有丰富悠久发展历史的@@全球性半导体公司@@，目前@@在@@欧洲@@、亚洲和@@美国共有@@15,000多名员工@@@@。作为@@基础半导体器件@@开发@@和@@生产的@@@@领跑者@@，Nexperia的@@器件@@@@被广泛应用@@于@@汽车@@@@、工业@@、移动和@@消费等多个@@应用@@领域@@，几乎为@@世界上所有@@电子设计@@的@@基本@@功能提供@@支持@@@@。
Nexperia为@@全球客户提供@@服务@@，每年@@的@@产品@@@@出货量超过@@1,000亿@@件@@。这些@@产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及性能@@@@）方面成为@@行@@业基准@@，获得@@广泛认可@@。Nexperia拥有丰富的@@@@@@IP产品@@组@@合@@和@@持续扩充的@@产品@@@@范围@@，并获得@@了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001标准@@认证@@@@，充分体现了@@公司对于@@@@创新@@、高@@效@@、可持续发展和@@满足行@@业严苛要求的@@坚定承诺@@。

如@@何选择符合@@应用@@散热@@要求的@@半导体封装@@@@

judy — Thu, 07 Sep 2023 07:05:43 +0000

为@@了满足@@应用@@的@@@@散热@@要求@@，设计@@人员需要比@@较不同半导体封装@@类@@型的@@热特性@@@@。在@@本@@@@188金宝搏@@ 中@@， Nexperia（安世半导体@@）讨论了其@@焊线封装@@和@@夹片粘合封装@@的@@@@散热@@通道@@@@，以@@便设计@@人员选择更合适的@@封装@@@@@@。

焊线器件@@中@@的@@热传导@@如@@何实现@@

焊线封装@@器件@@中@@的@@主要散热@@通道@@是@@从@@结@@参考点到@@印刷电路板@@（PCB）上的@@焊点@@，如@@图@@@@1所示@@。按照一阶近似的@@简单@@算法@@，次要功耗通道@@的@@影响@@（如@@图@@@@所示@@@@）在@@热阻计算中@@可以@@忽略不计@@。

焊线器件@@中@@的@@散热@@通道@@@@

夹片粘合器件@@中@@的@@双热传导@@通道@@@@

夹片粘合封装@@在@@散热@@上与@@焊线封装@@的@@@@区别在@@于@@@@，器件@@结@@的@@热量可以@@沿两条不同的@@通道@@耗散@@出去@@，即通过@@引线框架@@（与@@焊线封装@@一样@@）和@@夹片框架散热@@@@。

夹片粘合封装@@中@@的@@热传导@@@@

结@@到@@焊点@@ Rth（ j-sp ）的@@热阻定义因为@@@@两个@@@@参考焊点的@@存在@@而@@变得更加复杂@@。这些@@参考点的@@温度可能不同@@，导致热阻成为@@一个@@并联网@@络@@。

Nexperia（安世半导体@@）使@@用@@相同方法来提取夹片粘合器件@@和@@焊线器件@@的@@@@ Rth（ j-sp ）值@@。该值@@表@@征从@@芯片@@到@@引线框架再到@@焊点的@@主要散热@@通道@@@@，使@@得夹片粘合器件@@的@@值@@与@@类@@似@@ PCB 布局中@@的@@焊线器件@@值@@相似@@。然而@@@@，在@@提取@@ Rth（ j-sp ）值@@时@@@@，并没有充分利用第二条通道@@@@，因此@@器件@@的@@总体散热@@潜力通常更高@@@@。

事实上@@，第二条关键的@@散热@@通道@@让@@设计@@人员有机会改进@@ PCB 设计@@。例如@@@@，对于@@@@焊线器件@@@@，只能通过@@一条通道@@来散热@@@@（二极管@@的@@大多数热量通过@@阴极引脚@@耗散@@@@）；而@@对于@@@@夹片粘合器件@@@@，两个@@@@端子均可散热@@@@。

半导体器件@@散热@@性能@@的@@仿真实验@@

仿真实验表@@明@@，如@@果@@ PCB 上的@@所有@@器件@@端子都有散热@@通道@@@@，可以@@显著改善热性能@@@@。例如@@@@，在@@ CFP5 封装@@的@@@@ PMEG6030ELP 二极管@@中@@@@（图@@3），35%的@@热量通过@@铜夹片@@传递到@@阳极引脚@@@@，65%的@@热量通过@@引线框架传递到@@阴极引脚@@@@。

CFP5封装@@二极管@@@@

"通过@@仿真实验证实@@，将散热@@片分成两个@@@@部分@@（如@@图@@@@4所示@@）更有利于@@散热@@@@。

如@@果@@将一个@@@@1 cm² 的@@散热@@片@@分成两个@@@@@@0.5 cm² 的@@散热@@片@@，分别放置于@@两个@@@@端子的@@下@@方@@，在@@相同的@@温度下@@@@，二极管@@可以@@耗散@@的@@功率@@会增加@@@@6%。

与@@标准@@的@@@@散热@@设计@@或@@者仅连接在@@阴极处的@@@@6 cm² 散热@@片相比@@@@@@，两个@@@@3 cm² 散热@@片可以@@增加@@约@@@@20%的@@功率@@耗散@@@@。"

散热@@器位于@@不同区域和@@电路板位置的@@散热@@仿真结@@果@@

Nexperia帮助设计@@人员选择更适合其@@应用@@的@@@@封装@@@@

部分半导体器件@@制造@@商不会向设计@@人员提供@@必要信息@@，导致设计@@人员无法确定哪种封装@@类@@型能为@@其@@应用@@提供@@更好的@@散热@@性能@@@@。在@@本@@@@文中@@@@， Nexperia（安世半导体@@）介绍@@了其@@焊线器件@@和@@夹片粘合器件@@中@@的@@散热@@通道@@@@，帮助设计@@人员为@@其@@应用@@做出更好的@@决策@@。

关于@@@@作者@@@@

Martin Röver

Martin Röver于@@2010年@@在@@哥廷根大学获得@@半导体物理学博士学位@@。在@@哥廷根大学短暂的@@博士后工作阶段后@@，他于@@@@2011年@@加入@@恩智浦@@（后加入@@Nexperia），担任双极性晶体管@@@@（BJT）的@@开发@@工程师@@。在@@过去的@@@@12年@@中@@@@，他在@@@@Nexperia公司积累了垂直@@BJT的@@设计@@和@@质量方面的@@经验@@，作为@@分立器件@@@@@@（如@@SMD和@@DFN封装@@）的@@系统架构师@@，并担任产品@@开发@@的@@项目负责人@@。此外@@@@，他还推动热仿真课题@@，如@@RC热模型的@@生成@@，并主持@@Nexperia的@@热主题专家小@@组@@。

文章来源@@：安世半导体@@

Nexperia扩展产品@@组@@合@@@@, 率先推出@@集成式@@5 V负载开关@@@@

judy — Fri, 18 Aug 2023 07:31:34 +0000

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@负载开关@@@@产品@@系列@@@@@@，进一步扩充其@@模拟@@和@@逻辑@@@@产品@@组@@合@@@@。NPS4053是@@本@@次产品@@发布的@@主角@@，这是@@一款@@高@@密度集成电路@@(IC)，凭借小@@巧的@@尺寸@@提供@@优异的@@系统保护@@性能@@@@，可帮助提高@@系统可靠性@@，保障系统安全@@。该器件@@经过优化升级@@，适合应用@@于@@便携式设备@@（如@@笔记本@@电脑@@）、台式电脑@@、扩展坞和@@车载信息娱乐系统@@。

负载开关@@@@是@@各种现代电子系统正常工作必不可少的@@器件@@@@@@。这些@@开关@@在@@以@@受控方式管理从@@电源@@到@@负载的@@电流@@@@@@/电压方面发挥着关键作用@@。在@@典型@@的@@电源@@链中@@@@，NPS4053通常位于@@较靠近负载的@@位置@@，负责管理供电顺序和@@控制浪涌电流@@@@，以@@及@@关闭@@电源@@以@@节省电能@@，因此@@对于@@@@电池供电设备尤其@@重要@@。该解决方案为@@单片式结@@构@@@@，可简化电路设计@@@@，与@@同类@@分立式@@器件@@相比@@@@@@，其@@PCB尺寸@@缩小@@@@85%。

NPS4053的@@工作输入电压为@@@@2.5 V-5.5 V，包含一个@@@@55 mΩ的@@自@@保护@@@@MOSFET，可有效管理流向负载的@@功率@@@@。该器件@@包含可编程限流电路@@，可在@@@@110 mA至@@2.5 A范围内以@@@@+6%的@@精度精准控制负载电流@@@@。该器件@@还提供@@@@“真正的@@@@”反向电流@@阻断功能@@，从@@而@@实现稳健可靠的@@端到@@端系统保护@@@@。为@@进一步加强系统监控性能@@@@，NPS4053还集成了一个@@故障指示器引脚@@@@，可向主机控制器@@发出故障事件警报@@。

NPS4053符合@@包括@@@@UL 62368在@@内的@@多个@@认证@@标准@@@@@@，同时@@@@还提供@@经@@AEC-Q100认证@@的@@版本@@@@@@。为@@了提高@@灵活性@@，该器件@@同时@@@@提供@@有引脚@@封装@@和@@无引脚@@@@@@封装@@@@(HWSON 6)。更多详情@@，请访问@@http://www.nexperia.com/load-switch。

关于@@@@Nexperia
Nexperia总部位于@@荷兰@@，是@@一家在@@欧洲拥有丰富悠久发展历史的@@全球性半导体公司@@，目前@@在@@欧洲@@、亚洲和@@美国共有@@15,000多名员工@@@@。作为@@基础半导体器件@@开发@@和@@生产的@@@@领跑者@@，Nexperia的@@器件@@@@被广泛应用@@于@@汽车@@@@、工业@@、移动和@@消费等多个@@应用@@领域@@，几乎为@@世界上所有@@电子设计@@的@@基本@@功能提供@@支持@@@@。

Nexperia推出@@纽扣电池寿命@@和@@功率@@增强器@@@@

judy — Thu, 13 Jul 2023 02:07:58 +0000

实现长达@@10倍@@电池寿命@@@@，扩展在@@物联网@@@@设备中@@的@@应用@@范围@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia宣布@@推出@@@@NBM7100和@@NBM5100。这两款@@@@IC采用@@了具有@@突破意义的@@创新技术@@@@，是@@专为@@延长不可充电的@@典型@@纽扣锂电池寿命@@而@@设计@@的@@新型@@@@电池寿命@@增强器@@，相比@@@@于@@同类@@解决方案@@，可将@@该类@@电池寿命@@延长@@10倍@@，与@@未使@@用@@电池增强器的@@典型@@纽扣电池相比@@@@@@，使@@用@@该增强器还可将@@电池的@@峰值@@输出电流@@@@能力@@提高@@至@@@@25倍@@。大幅延长工作寿命意味着低@@功率@@物联网@@@@@@(IoT)和@@其@@他@@便携式应用@@中@@的@@废旧电池数量@@将显著减少@@，同时@@@@，过去只能由@@@@AA-或@@AAA-电池提供@@动力的@@应用@@也有望改用纽扣电池@@。

Nexperia的@@模拟@@和@@逻辑@@@@@@IC业务部门总经理@@Dan Jensen表@@示@@：“推出@@这款@@@@电池寿命@@增强器产品@@展示了@@Nexperia拓展电池管理解决方案业务的@@决心@@。我们非常高@@兴推出@@这些@@创新产品@@@@，为@@我们现有的@@@@模拟@@和@@逻辑@@@@@@产品@@助增实力@@。NBM7100和@@NBM5100可显著增强纽扣电池的@@性能@@@@@@，帮助进一步减少物联网@@@@设备@@、可穿戴@@设备和@@其@@他@@消费电子@@应用@@中@@的@@废旧电池@@。”

CR2032和@@CR2025纽扣锂电池的@@能量密度提高@@@@，保质期得到@@延长@@，因此@@，可广泛应用@@于@@多种低@@功率@@应用@@@@，比@@如@@低@@功率@@@@Wi-Fi、LoRa、Sigfox、Zigbee、LTE-M1等技术@@的@@@@相关器件@@@@，以@@及@@NB-IoT收发器@@等@@。但是@@@@，这些@@电池的@@内部电阻相对较高@@@@，化学反应速率也相对较快@@，在@@脉冲负载条件下@@@@@@，其@@可用@@容量可能会降低@@@@@@。为@@了克服这一局限性@@，NBM7100和@@NBM5100中@@设计@@有两个@@@@高@@效@@率@@DC/DC转换@@阶段@@，并且@@@@采用@@智能学习算法@@。第一个@@转换@@阶段@@以@@较低@@速率将电池的@@能量转移到@@电容式@@储能@@188足彩外@@围@@app 。第二个@@阶段利用之前存储的@@能量实现可调节的@@高@@脉冲@@（最高@@@@200 mA）电流@@输出@@，可编程调节范围为@@@@@@1.8 V到@@3.6 V。智能学习算法则负责监测在@@重复负载脉冲周期中@@使@@用@@的@@能量@@，并不断优化第一阶段的@@@@DC/DC转换@@，尽可能减少储能电容中@@的@@残余电荷@@。在@@未执行@@能量转换@@周期@@（即待机状态@@）时@@，这些@@器件@@消耗的@@能量低@@至@@@@@@50 nA。

这两款@@@@器件@@的@@额定工作温度范围是@@@@-40℃至@@85℃，非常适用于@@@@商业室内和@@工业@@户外@@环境@@。当@@电池电量低@@至@@@@无法支持@@工作时@@@@，“低@@电量@@”指示器将会向系统发出警告@@。除此之外@@@@，电池在@@接近寿命终点时@@@@，电压过低@@保护@@设计@@将会阻止向储能电容充电@@。

随附的@@串行@@接口@@可用@@于@@通过@@系统微控制器@@进行@@配置和@@控制@@：NMB7100A和@@NBM5100A版本@@@@采用@@了@@I2C接口@@，而@@NMB7100B和@@NBM5100B版本@@@@则采用@@了串行@@外@@设接口@@@@(SPI)。这些@@器件@@均可用@@于@@延长纽扣电池@@、锂亚硫酰氯电池@@（例如@@@@LS14250 1/2 AA）以@@及@@新兴的@@纸质电池等高@@能量密度的@@锂原电池的@@使@@用@@寿命@@，延长更换电池的@@时@@间间隔@@，从@@而@@减少维护工作@@。除此之外@@@@，NBM5100A/B还设计@@有电容电压平衡引脚@@@@，可为@@@@基于@@@@超级电容器的@@应用@@提供@@支持@@@@。

电池寿命@@增强器特性@@@@：

NBM5100A/B和@@NBM7100A/B电池增强器采用@@小@@型@@DHVQFN16封装@@，尺寸@@为@@@@2.5 mm × 3.5 mm × 0.85 mm。

如@@需进一步了解@@@@@@NBM5100A/B和@@NBM7100A/B，请访问@@：http://www.nexperia.cn/category/1670340681253

关于@@@@Nexperia

Nexperia推出@@新款@@@@@@600 V单管@@IGBT，可在@@@@电源@@应用@@中@@实现出色效率@@

judy — Wed, 05 Jul 2023 01:18:00 +0000

为@@功率@@电子设计@@人员提供@@带有全额快速恢复二极管@@的@@稳健型@@175℃标准@@IGBT。

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@，将凭借@@600 V器件@@系列@@进军绝缘栅双极晶体管@@@@(IGBT)市场@@，而@@30A NGW30T60M3DF将打响进军市场@@的@@第一炮@@。Nexperia在@@其@@庞大的@@产品@@@@组合@@中@@增加@@了@@IGBT，满足了市场@@对于@@@@高@@效@@高@@压开关@@器件@@不断增长的@@需求@@以@@及@@在@@性能@@和@@成本@@@@方面的@@要求@@。这些@@器件@@有助于@@提高@@电源@@转换@@@@和@@电机驱动应用@@中@@的@@功率@@密度@@，包括@@工业@@电机驱动@@（例如@@@@5到@@20 kW (20 kHz)的@@伺服电机@@）、机器人@@、电梯@@、机器操作手@@、工业@@自@@动化@@、功率@@逆变器@@、不间断电源@@@@(UPS)、光伏@@(PV)串联组件@@、EV充电以@@及@@感应加热和@@焊接@@。

IGBT是@@一项相对成熟的@@技术@@@@。尽管如@@此@@，这些@@器件@@的@@市场@@预计将随着太阳能面板和@@电动汽车@@@@@@(EV)充电器的@@日@@益普及而@@有所增长@@。Nexperia的@@600 V IGBT采用@@稳健@@、经济高@@效@@的@@载流子储存沟槽栅场截止@@@@(FS)结@@构@@，在@@最高@@@@@@175℃的@@工作温度下@@可提供@@超低@@导通和@@开关@@损耗性能@@与@@高@@耐用性@@。这可提高@@功率@@逆变器@@@@、感应加热器@@、焊接设备和@@工业@@应用@@@@（如@@电机驱动和@@伺服@@、机器人@@、电梯@@、机器操作手@@和@@工业@@自@@动化@@等@@）的@@效率和@@可靠性@@。

设计@@人员可以@@在@@中@@速@@(M3)和@@高@@速@@(H3)系列@@IGBT之间@@自@@由@@选择@@。这些@@IGBT采用@@非常紧密的@@参数@@分布设计@@@@，允许多个@@器件@@安全地并联连接@@。此外@@@@，与@@竞品@@器件@@相比@@@@其@@热阻更低@@@@@@，因此@@能够提供@@更高@@的@@输出功率@@@@。这些@@IGBT还并联了全电流@@反向软快恢复二极管@@@@。这意味着@@它们适用于@@@@逆变器@@,整流器@@及双向变换电路应用@@@@，在@@过流条件下@@@@更加稳健@@。

Nexperia绝缘栅双极晶体管@@和@@模块@@业务部门总经理@@姜克博士表@@示@@@@：“Nexperia通过@@发布@@IGBT，为@@设计@@人员提供@@了更多的@@电源@@开关@@@@器件@@选择@@，以@@满足广泛的@@@@电源@@应用@@需求@@。IGBT是@@对@@Nexperia现有的@@@@CMOS和@@宽带隙开关@@器件@@系列@@产品@@@@的@@理想补充@@，Nexperia由@@此可为@@@@功率@@电子设计@@师提供@@一站式服务@@。”

这些@@IGBT采用@@无铅@@TO247-3L标准@@封装@@@@，并通过@@严苛的@@@@HV-H3TRB质量标准@@@@，适合室外@@应用@@@@。Nexperia计划在@@本@@@@次产品@@发布后将推出@@@@1200 V IGBT系列@@器件@@@@。欲了解@@有关@@@@Nexperia IGBT的@@更多信息@@，请访问@@：https://www.nexperia.com/igbts

关于@@@@Nexperia

为@@什么所有@@的@@@@SiC肖特基@@二极管@@@@都不一样@@

judy — Fri, 16 Jun 2023 02:41:26 +0000

在@@高@@功率@@应用@@@@中@@@@，碳化硅@@（SiC）的@@许多方面都优于@@硅@@，包括@@更高@@的@@工作温度以@@及@@更高@@效@@的@@高@@频开关@@性能@@@@。但是@@@@，与@@硅快速恢复二极管@@相比@@@@@@，纯@@ SiC 肖特基@@二极管@@@@的@@一些特性@@仍有待提高@@@@。本@@188金宝搏@@ 介绍@@Nexperia（安世半导体@@）如@@何将先进@@的@@器件@@@@结@@构@@与@@创新工艺@@技术@@结@@合@@在@@一起@@，以@@进一步提高@@@@ SiC 肖特基@@二极管@@@@的@@性能@@@@@@@@。

合并@@ PIN 肖特基@@（MPS）结@@构@@可减小@@漏电流@@@@@@

金属@@-半导体接面的@@缺陷是@@导致@@ SiC 肖特基@@二极管@@@@漏电流@@@@的@@主要原因@@。尽管采用@@更厚的@@漂移层可减小@@漏电流@@@@@@，但也会提高@@电阻和@@热阻@@，从@@而@@不利于@@电源@@应用@@@@。为@@解决这些@@问题@@， Nexperia SiC 开发@@了采用@@混合器件@@结@@构@@的@@@@@@ SiC 二极管@@，如@@图@@@@1所示@@。这种@@“合并@@ PiN 肖特基@@”（MPS）可将@@肖特基@@二极管@@@@和@@并联的@@@@ P-N 二极管@@有效地结@@合@@在@@一起@@。

标准@@ SiC 肖特基@@二极管@@@@结@@构@@@@（左@@）和@@ Nexperia 的@@ SiC MPS 二极管@@结@@构@@@@（右@@）

在@@传统肖特基@@结@@构@@的@@@@漂移区内嵌入@@ P 掺杂区@@，与@@肖特基@@阳极的@@金属@@构成@@ p 欧姆接触@@，并与@@轻度掺杂@@ SiC 漂移或@@外@@延层@@构成@@ P-N 结@@。在@@反向偏压@@下@@@@， P 阱将@@“驱使@@@@”最高@@@@场强的@@通用区域向下@@移动到@@几乎没有缺陷的@@漂移层@@，远离有缺陷的@@金属@@势垒区域@@，从@@而@@减小@@总漏电流@@@@@@，如@@图@@@@2所示@@。P 阱的@@物理位置和@@面积@@@@（与@@肖特基@@二极管@@@@的@@尺寸@@相比@@@@@@）以@@及@@掺杂浓度会影响其@@最终特性@@@@，同时@@@@正向压降会抵消漏电流@@@@和@@浪涌电流@@@@。因此@@，在@@漏电流@@@@和@@漂移层厚度相同的@@情况下@@@@， MPS 器件@@可在@@@@更高@@的@@击穿电压下@@运行@@@@。

图@@2：SiC MPS 二极管@@的@@静态@@ I-V 行@@为@@@@（包括@@过流@@）

MPS 二极管@@具有@@更出色的@@浪涌电流@@稳健性@@@@

SiC 器件@@的@@浪涌电流@@性能@@与@@其@@单极性和@@相对较高@@的@@@@漂移层电阻相关@@， MPS 结@@构@@也可以@@提高@@该参数@@性能@@@@。这是@@因为@@@@@@，双极性器件@@的@@差分电阻低@@于@@单极性器件@@@@。正常运行@@时@@@@， MPS 二极管@@的@@肖特基@@器件@@传导几乎所有@@电流@@@@，以@@便像肖特基@@二极管@@@@那样有效运行@@@@，同时@@@@在@@开关@@期间提供@@相同的@@优势@@。在@@高@@瞬态浪涌电流@@事件期间@@，通过@@ MPS 二极管@@的@@电压会超过内置@@ P-N 二极管@@的@@开启电压@@，从@@而@@开始以@@更低@@@@的@@差分电阻传导@@。这可以@@转移电流@@@@，同时@@@@限制耗散@@的@@功率@@@@，并缓解@@ MPS 二极管@@的@@热应力@@。如@@果@@只使@@用@@肖特基@@二极管@@@@@@，而@@不使@@用@@@@ P-N 二极管@@，则必须使@@用@@尺寸@@明显超规格的@@肖特基@@二极管@@@@@@，以@@允许目标应用@@中@@出现瞬时@@过流事件@@。为@@限制过流@@，可并联连接器件@@@@（或@@添加额外@@电路@@），但这会增加@@成本@@@@@@。同样@@， P 阱的@@尺寸@@和@@掺杂需要在@@正向压降@@（正常运行@@期间@@）与@@浪涌承受能力之间@@进行@@权衡@@。具体优化选择取决于@@应用@@@@， Nexperia（安世半导体@@）提供@@适合各种硬开关@@和@@软开关@@应用@@的@@@@二极管@@@@。

MPC 二极管@@的@@反向恢复特性@@@@

除了@@具有@@更出色的@@静态特性@@@@， SiC MPS 二极管@@在@@动态开关@@操作期间也具备诸多优点@@。其@@与@@硅基@@ P-N 二极管@@相比@@@@的@@一个@@显著优势与@@反向恢复特性@@有关@@@@。反向恢复电荷是@@造成硅快速恢复二极管@@功率@@损耗的@@一个@@主要原因@@，因此@@对转换@@器@@效率会有不利影响@@。影响反向恢复电荷的@@参数@@有很多@@，包括@@二极管@@关断电流@@和@@结@@温@@。相比@@@@之下@@@@，只有多数载流子才会影响@@ SiC 二极管@@的@@总电流@@@@，这意味着@@ SiC 二极管@@能够表@@现出几乎恒定的@@行@@为@@@@@@@@，几乎不会有硅快速恢复二极管@@的@@非线性性能@@@@。因此@@，功率@@设计@@人员更容易预测出@@ SiC 的@@行@@为@@@@@@，因为@@@@他们无需考虑各种环境温度和@@负载条件@@。

创新的@@@@“薄型@@ SiC ”二极管@@结@@构@@@@可进一步提高@@@@ MPS 二极管@@的@@性能@@@@@@

Nexperia（安世半导体@@）的@@ MPS 二极管@@在@@制造@@过程中@@减少了芯片@@厚度@@，因此@@具有@@额外@@的@@优势@@。未经过处理的@@@@ SiC 衬底为@@@@ N 掺杂衬底@@，并会生长出@@ SiC 外@@延层@@，以@@形成漂移区@@。衬底最初的@@厚度可达@@500 µm ，但在@@外@@延后@@，这会给背面金属@@的@@电流@@@@和@@热流路径增加@@额外@@的@@电阻和@@热阻@@。因此@@，给定电流@@下@@的@@@@正向压降和@@结@@温也会变得更高@@@@。针对该问题@@， Nexperia（安世半导体@@）的@@解决方案就@@是@@将衬底的@@底面@@“磨薄@@”。在@@此工序中@@@@，材料质量和@@研磨精度至@@关重要@@，以@@避免厚度不均匀@@，进而@@降低@@二极管@@的@@性能@@@@@@@@（这会导致现场应用@@中@@的@@器件@@@@故障@@）。此外@@@@，由@@于@@@@ SiC 的@@硬度更高@@@@（莫氏硬度等级为@@@@9.2至@@9.3，而@@硅的@@硬度等级为@@@@6.5），需要采用@@先进@@的@@制造@@技术@@@@。图@@3显示了@@该工艺@@的@@效果@@，通过@@使@@用@@@@ Nexperia（安世半导体@@）的@@“薄型@@ SiC ”技术@@将衬底厚度减少到@@原来的@@三分之一@@。

图@@3：与@@标准@@的@@@@ SiC 二极管@@结@@构@@@@（左@@）相比@@@@， Nexperia（安世半导体@@）的@@“薄型@@ SiC ”工艺@@（右@@）可提高@@二极管@@的@@电气性能@@和@@热性能@@@@。

因此@@，从@@结@@点到@@背面金属@@的@@热阻显著降低@@@@，从@@而@@降低@@器件@@的@@工作温度@@，提高@@器件@@的@@可靠性@@（由@@于@@@@具备更高@@的@@浪涌电流@@稳健性@@@@），并降低@@正向压降@@。

总结@@@@

可用@@ SiC 肖特基@@二极管@@@@的@@数量@@和@@类@@型不断增加@@@@，包括@@使@@用@@传统结@@构@@的@@@@@@ SiC 肖特基@@二极管@@@@和@@使@@用@@更先进@@的@@@@ MPS 结@@构@@的@@@@ SiC 肖特基@@二极管@@@@。Nexperia（安世半导体@@）的@@新型@@@@ SiC 肖特基@@二极管@@@@集成了宽带隙半导体材料@@（碳化硅@@）的@@优点@@、 MPS 器件@@结@@构@@及其@@@@“薄型@@ SiC ”技术@@带来的@@额外@@优势@@。凭借其@@在@@工艺@@开发@@和@@器件@@制造@@方面的@@专业知识@@， Nexperia（安世半导体@@）能够进一步提高@@这款@@@@新产品@@@@的@@性能@@@@@@，使@@其@@在@@当@@今@@ SiC 二极管@@市场@@中@@始终保持领先地位@@。

关于@@@@作者@@@@：Sebastian Fahlbusch

Sebastian 在@@电力电子领域拥有十多年@@的@@经验@@，尤其@@是@@在@@碳化硅@@@@（SiC）和@@宽带隙技术@@方面@@。他成功地在@@汉堡联邦国防军大学完成了有关@@使@@用@@@@ SiC-MOSFET 的@@新型@@@@多级功率@@转换@@器@@构想的@@博士学位论文@@。Sebastian 于@@2019年@@加入@@ Nexperia（安世半导体@@）的@@产品@@@@应用@@工程师@@团队@@，他的@@主要工作重点是@@为@@实现新电源@@产品@@提供@@支持@@@@，以@@强化@@ Nexperia（安世半导体@@）的@@功率@@产品@@组@@合@@@@。

Nexperia推出@@支持@@低@@压和@@高@@压应用@@的@@@@@@E-mode GAN FET

judy — Wed, 10 May 2023 02:05:23 +0000

业内唯一可同时@@@@提供@@级联型@@（cascade）和@@增强型@@@@（e-mode）氮化镓@@器件@@的@@供应商@@

Nexperia今天宣布@@@@推出@@@@@@首批支持@@低@@电压@@(100/150 V)和@@高@@电压@@(650 V)应用@@的@@@@E-mode（增强型@@）功率@@GaN FET。Nexperia在@@其@@级联型氮化镓@@产品@@系列@@@@上增加@@了七款@@新型@@@@@@E-mode器件@@，从@@GaN FET到@@其@@他@@硅基功率@@器件@@@@，Nexperia丰富的@@@@产品@@组@@合@@能为@@设计@@人员提供@@最佳的@@选择@@。

Nexperia的@@新产品@@包括@@五款@@额定电压为@@@@650 V的@@E-mode GaN FET（RDS(on)值@@介于@@@@80 mΩ至@@190 mΩ之间@@），提供@@DFN 5x6 mm和@@DFN 8x8 mm两种封装@@@@。这些@@产品@@可在@@@@高@@电压@@(<650 V)、低@@功率@@的@@数据通讯@@/电信@@、消费类@@充电@@、太阳能和@@工业@@应用@@中@@提高@@电源@@转换@@@@效率@@，还可用@@于@@高@@精度无刷直流电机和@@紧凑型服务器设计@@@@，以@@实现更高@@扭矩和@@更大功率@@@@@@。

Nexperia现还提供@@采用@@@@@@WLCSP8封装@@的@@@@100 V (3.2 mΩ) GaN FET和@@采用@@@@FCLGA封装@@的@@@@150 V (7 mΩ) GaN FET。这些@@器件@@适合各种低@@电压@@(<150 V)、高@@功率@@应用@@@@，例如@@@@，数据中@@心使@@用@@的@@高@@效@@@@DC-DC转换@@器@@、快速充电@@（电动出行@@类@@和@@@@USB-C类@@）、小@@尺寸@@@@LiDAR收发器@@、低@@噪声@@D类@@音频放大器以@@及@@功率@@密度更高@@的@@@@消费类@@设备@@（如@@手机@@、笔记本@@电脑和@@游戏主机@@）。

在@@许多@@功率@@转换@@应用@@中@@@@，GaN FET凭借紧凑型解决方案尺寸@@能实现更高@@的@@功率@@效率@@，从@@而@@显著降低@@物料@@(BOM)成本@@@@。因此@@，GaN器件@@在@@主流电力电子市场@@逐渐得到@@了广泛应用@@@@，包括@@服务器计算@@、工业@@自@@动化@@、消费类@@应用@@和@@电信@@基础设施@@。基于@@@@GaN的@@器件@@@@具备快速转换@@@@/开关@@能力@@（高@@dv/dt和@@di/dt），可在@@@@低@@功率@@和@@高@@功率@@转换@@应用@@中@@提供@@出色的@@效率@@。Nexperia的@@E-mode GaN FET具有@@出色的@@开关@@性能@@@@，这得益于@@极低@@的@@@@Qg和@@QOSS值@@，并且@@@@低@@@@RDS(on)有助于@@实现更高@@的@@功率@@效率设计@@@@。

这些@@新器件@@进一步扩充了@@Nexperia丰富的@@@@GaN FET产品@@系列@@@@，适合各种功率@@转换@@的@@应用@@@@。产品@@组@@合@@包括@@支持@@高@@电压@@@@、高@@功率@@应用@@@@的@@@@级联器件@@@@，支持@@高@@电压@@、低@@功率@@应用@@的@@@@@@650 V E-mode器件@@和@@支持@@低@@电压@@、高@@功率@@应用@@@@的@@@@100/150 V E-mode器件@@。此外@@@@，Nexperia E-mode GaN FET采用@@8英寸晶圆生产线制造@@以@@提高@@产能@@，符合@@工业@@级的@@@@JEDEC标准@@。Nexperia的@@GaN器件@@产品@@系列@@@@不断扩充@@，充分体现了@@Nexperia坚守承诺@@，促进优质硅器件@@和@@宽禁带技术@@发展的@@决心@@。

如@@需进一步了解@@@@@@Nexperia推出@@的@@新款@@@@@@@@100 V、150 V和@@650 V E-mode GaN FET，请访问@@：www.nexperia.cn/products/gan-fets

关于@@@@Nexperia

Nexperia推出@@先进@@的@@@@I2C GPIO扩展器@@产品@@组@@合@@@@

judy — Fri, 28 Apr 2023 03:48:17 +0000

采用@@创新的@@@@可配置上拉电阻和@@引脚@@兼容封装@@@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@全新@@16通道@@I2C通用输入输出@@(GPIO)扩展器@@产品@@组@@合@@@@，旨在@@提高@@电子系统的@@灵活性和@@重复利用能力@@。其@@中@@@@一款@@@@GPIO扩展器@@NCA9595采用@@可通过@@寄存器配置的@@内部上拉电阻@@，可根据@@实际需要自@@定义以@@优化功耗@@。当@@需要扩展@@I/O数量@@时@@@@，利用该产品@@组@@合@@可实现简洁的@@设计@@@@，同时@@@@尽可能减少互连@@。这有助于@@设计@@工程师增添新功能@@，而@@且@@不会增加@@@@PCB设计@@复杂性和@@物料成本@@@@@@。

随着服务器@@、汽车@@、工业@@、医疗和@@物联网@@@@@@(IoT)的@@发展@@，需要通过@@微控制器@@进行@@监测的@@传感器@@信号数量@@持续增加@@@@，因此@@用作系统状态指示器的@@发光二极管@@@@(LED)数量@@也相应增加@@@@。在@@微控制器@@设计@@中@@@@，GPIO端口@@数量@@有限@@，许多端口@@供系统内部使@@用@@@@，仅留下@@少量@@I/O用于@@连接传感器@@或@@@@LED。针对这个@@问题@@，采用@@I2C GPIO便可额外@@提供@@@@128个@@I/O通道@@。

Nexperia I2C 16bits GPIO产品@@组@@合@@还包括@@@@NCA9535、NCA9539、NCA9555和@@NCA9595器件@@。这些@@器件@@采用@@引脚@@兼容的@@行@@业标准@@封装@@@@@@（TSSOP24和@@HWQFN24），能够灵活扩展电子系统中@@的@@并行@@@@I/O数量@@，经济且@@高@@效@@@@。该系列@@器件@@@@型号及其@@特性@@如@@下@@所述@@：

NCA9595与@@竞品@@GPIO扩展器@@有所不同@@，它内置一个@@可通过@@寄存器配置的@@内部上拉电阻@@，因此@@无需使@@用@@外@@部上拉电阻@@（节省电路板空间和@@成本@@@@@@），并能够根据@@客户要求实现功耗优化@@。

值@@得注意的@@是@@@@，与@@同类@@竞品器件@@相比@@@@@@，产品@@组@@合@@中@@的@@所有@@器件@@均具备额外@@的@@应用@@特点和@@优势@@——待机电流@@为@@@@2.5 uA（比@@竞品低@@@@28%），输出电容为@@@@4.5 pF（比@@竞品低@@@@45%），传播延迟为@@@@280 ns（比@@竞品快@@6%），功耗更低@@@@@@，GPIO至@@I2C（包括@@反方向@@）响应速度更快@@。所有@@器件@@的@@工作电压范围为@@@@@@1.65 V至@@5.5 V，工作温度范围为@@@@@@-40°C至@@+85°C以@@及@@-40°C至@@+125°C。

进一步了解@@@@Nexperia的@@GPIO扩展器@@产品@@组@@合@@@@。

关于@@@@Nexperia

Nexperia，作为@@半导体基础器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@，其@@产品@@广泛应用@@于@@全球各类@@电子设计@@@@。公司丰富的@@@@产品@@组@@合@@包括@@二极管@@@@、双极性晶体管@@、ESD保护@@器件@@@@、MOSFET器件@@、氮化镓@@场效应@@晶体管@@(GaN FET)以@@及@@模拟@@@@IC和@@逻辑@@IC。Nexperia总部位于@@荷兰@@奈梅亨@@，每年@@可交付@@1000多亿@@件@@产品@@@@，产品@@符合@@汽车@@行@@业的@@严苛标准@@@@。其@@产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及性能@@@@）方面获得@@行@@业广泛认可@@，拥有先进@@的@@小@@尺寸@@@@封装@@技术@@@@，可有效节省功耗及空间@@。

凭借几十年@@来的@@专业经验@@，Nexperia持续不断地为@@全球各地的@@优质企业提供@@高@@效@@的@@产品@@@@及服务@@，并在@@亚洲@@、欧洲和@@美国拥有超过@@14,000名员工@@。Nexperia是@@闻泰科技股份有限公司@@(600745.SS)的@@子公司@@，拥有庞大的@@知识产权组合@@，并获得@@了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001认证@@。

Nexperia针对要求严苛的@@电源@@转换@@@@应用@@推出@@先进@@的@@@@@@650 V碳化硅@@二极管@@@@

judy — Thu, 20 Apr 2023 02:06:26 +0000

合并@@PIN肖特基@@结@@构@@可带来更高@@的@@稳健性@@和@@@@效率@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@650 V碳化硅@@(SiC)肖特基@@二极管@@@@，主要面向需要超高@@性能@@@@、低@@损耗和@@高@@效@@功率@@的@@电源@@应用@@@@。10 A、650 V SiC肖特基@@二极管@@@@满足工业@@级器件@@标准@@@@，可应对高@@电压和@@高@@电流@@应用@@带来的@@挑战@@，包括@@开关@@模式电源@@@@、AC-DC和@@DC-DC转换@@器@@、电池充电基础设施@@、不间断电源@@@@和@@光伏@@逆变器@@，并提高@@持续运行@@性能@@@@。例如@@@@，相比@@@@仅使@@用@@硅基解决方案的@@数据中@@心@@，配备采用@@@@Nexperia PSC1065K SiC肖特基@@二极管@@@@设计@@电源@@的@@数据中@@心将更加符合@@严格的@@能源效率标准@@@@。

PSC1065K具备不受温度影响的@@电容开关@@和@@零恢复性能@@@@，提供@@先进@@的@@性能@@@@以@@及@@出色的@@品质因数@@(QC x VF)。其@@突出的@@开关@@性能@@几乎不受电流@@和@@开关@@速度变化的@@影响@@。PSC1065K的@@合并@@@@PIN肖特基@@(MPS)结@@构@@还具备其@@他@@优势@@，例如@@@@出色的@@浪涌电流@@耐受能力@@，从@@而@@无需额外@@的@@保护@@电路@@。这些@@特性@@可显著降低@@系统复杂性@@，使@@硬件设计@@人员能够在@@@@耐用型高@@功率@@应用@@@@中@@@@，以@@更小@@@@的@@外@@形尺寸@@实现更高@@的@@效率@@。Nexperia作为@@一系列@@高@@质量半导体技术@@产品@@的@@@@供应商@@，声誉良好@@，值@@得设计@@人员信赖@@。

这款@@@@SiC肖特基@@二极管@@@@采用@@真@@2引脚@@(R2P) TO-220-2通孔电源@@塑料封装@@@@。其@@他@@封装@@选项@@@@包括@@表@@面贴装@@(DPAK R2P和@@D2PAK R2P)和@@采用@@@@真@@2引脚@@配置的@@通孔@@(TO-247-2)封装@@，可在@@@@高@@达@@@@175°C的@@高@@压应用@@中@@增强可靠性@@。

Nexperia SiC产品@@组@@高@@级总监@@Katrin Feurle表@@示@@：“在@@当@@前可用@@的@@解决方案中@@@@，我们提供@@的@@高@@性能@@@@SiC肖特基@@二极管@@@@表@@现优异@@，对此我们倍@@感自@@豪@@。随着人们的@@能源意识日@@渐增强@@，我们正致力于@@为@@市场@@带来更多选择和@@便利性@@，以@@满足市场@@对高@@容量@@、高@@效@@率应用@@显著增加@@的@@需求@@@@。”

Nexperia计划不断增加@@其@@@@SiC二极管@@产品@@组@@合@@@@，包括@@工作电压为@@@@650 V和@@1200 V、电流@@范围为@@@@@@6-20 A的@@和@@车规级器件@@@@。新款@@@@SiC二极管@@现可提供@@@@样品@@@@，并于@@近日@@开始量产@@。

如@@需进一步了解@@@@@@Nexperia的@@新款@@@@@@650 V SiC肖特基@@二极管@@@@，请访问@@：www.nexperia.cn/sic_diodes

关于@@@@Nexperia

Nexperia推出@@能源采集@@PMIC，以@@加速开发@@环境友好型能源自@@主式低@@功耗器件@@@@

judy — Fri, 07 Apr 2023 02:27:17 +0000

电容式@@DC-DC转换@@器@@有助于@@节省高@@达@@@@90%的@@BOM成本@@@@

基础半导体器件@@领域的@@专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@能量采集解决方案@@，进一步丰富其@@电源@@管理@@IC系列@@。该方案可简化低@@功耗物联网@@@@@@(IoT)及其@@嵌入式应用@@@@，并增强应用@@性能@@@@。NEH2000BY是@@高@@性能@@电源@@管理集成电路@@(PMIC)，可从@@@@环境中@@收集能源@@（例如@@@@借助光伏@@电池采集光能@@），并给电池或@@储能电容充电@@。凭借此特性@@@@，Nexperia的@@NEH2000BY可为@@@@开发@@体积更小@@@@@@、更环保的@@自@@供电式电子设备提供@@支持@@@@。此外@@@@，该能源采集解决方案还有助于@@减轻每年@@生产和@@废弃的@@数十亿@@电池对环境的@@影响@@。

NEH2000BY 可帮助简化能源采集解决方案的@@设计@@过程@@，其@@体积比@@其@@他@@竞争产品@@小@@@@20倍@@，且@@无需针对单个@@应用@@进行@@额外@@优化@@。此外@@@@，PMIC采用@@无电感设计@@@@，从@@而@@简化了@@PCB设计@@，显著减少了@@BOM总成本@@@@并缩小@@电路板尺寸@@@@，组装面积@@仅为@@@@@@12 mm²。

为@@更大限度地提高@@转换@@效率@@，能源采集解决方案必须能够适应环境能量的@@波动@@，NEH2000BY采用@@了最大功率@@@@点跟踪@@(MPPT)技术@@，这是@@一种自@@适应算法@@，可优化已采集能源的@@传输方式@@，并可实现高@@达@@@@80%的@@平均转换@@效率@@。这种@@独特的@@@@MPPT算法不仅速度快@@，而@@且@@精度高@@@@，让@@PMIC能够在@@@@1秒钟内适应环境变化@@。这比@@目前@@可用@@的@@任何其@@他@@解决方案都快得多@@，并可以@@大幅提高@@一天内采集到@@的@@能量@@，从@@而@@大大扩展了其@@应用@@领域@@。此外@@@@，NEH2000BY包含自@@我优化功能@@，且@@无需预编程即可自@@主运行@@@@，方便设计@@人员更轻松地利用环境能源给设备供电@@。

Nexperia的@@能源采集解决方案能够在@@@@功耗低@@至@@@@几微瓦的@@应用@@@@（包括@@无线物联网@@@@节点@@、可穿戴@@智能标签和@@电子货架标签@@）中@@，从@@各种环境中@@采集能量@@，以@@帮助节约@@成本@@@@@@。

Nexperia模拟@@和@@逻辑@@@@IC业务部门总经理@@Dan Jensen表@@示@@：“NEH2000BY兼具经济高@@效@@@@、易于@@使@@用@@和@@轻便紧凑等优势@@，将更广泛地用于@@能量采集应用@@@@。有了@@NEH2000BY，那些应用@@将不再需要更换电池或@@者无需电池@@，从@@而@@可显著减少有害废物的@@产生@@，带来巨大的@@环境效益@@。”

NEH2000BY采用@@16引脚@@3 mm × 3 mm QFN封装@@，工作温度范围为@@@@@@-40°C至@@+85°C。

欲了解@@有关@@@@Nexperia能源采集解决方案的@@更多信息@@@@，请访问@@：www.nexperia.com/product/NEH2000BY

关于@@@@Nexperia

Nexperia，作为@@生产大批量基础半导体二极管@@件@@的@@专家@@，其@@产品@@广泛应用@@于@@全球各类@@电子设计@@@@。公司丰富的@@@@产品@@组@@合@@包括@@二极管@@@@、双极性晶体管@@、ESD保护@@二极管@@件@@@@、MOSFET二极管@@件@@、氮化镓@@场效应@@晶体管@@(GaN FET)以@@及@@模拟@@@@IC和@@逻辑@@IC。Nexperia总部位于@@荷兰@@奈梅亨@@，每年@@可交付@@1000多亿@@件@@产品@@@@，产品@@符合@@汽车@@行@@业的@@严苛标准@@@@。其@@产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及性能@@@@）方面获得@@行@@业广泛认可@@，拥有先进@@的@@小@@尺寸@@@@封装@@技术@@@@，可有效节省功耗及空间@@。

Nexperia推出@@首款@@@@采用@@@@SMD铜夹片@@LFPAK88封装@@的@@@@热插拔专用@@@@MOSFET

judy — Wed, 22 Mar 2023 08:02:24 +0000

RDS(on)额外@@降低@@@@40%，功率@@密度提高@@@@58倍@@，适合电信@@和@@热插拔计算应用@@@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@首批@@80 V和@@100 V热插拔专用@@MOSFET(ASFET)，该系列@@产品@@@@采用@@紧凑型@@8x8 mm LFPAK88封装@@，且@@具有@@增强安全工作区@@@@(SOA)的@@特性@@@@。这些@@新型@@@@ASFET针对要求严格的@@热插拔和@@软启动应用@@进行@@了全面优化@@，可在@@@@175°C下@@工作@@，适用于@@@@先进@@的@@电信@@和@@计算设备@@。

凭借数十年@@开发@@先进@@晶圆和@@封装@@解决方案所积累的@@专业知识@@，Nexperia推出@@的@@这款@@@@@@PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N沟道@@ASFET）作为@@其@@产品@@组@@合@@中@@的@@首选@@，在@@紧凑的@@@@8x8 mm封装@@尺寸@@中@@兼顾低@@@@RDS(on)和@@强大线性模式@@（安全工作区@@）性能@@，可满足严苛的@@热插拔应用@@@@要求@@。此外@@@@，Nexperia还发布了一款@@@@80 V ASFET产品@@PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在@@响应计算服务器和@@其@@他@@工业@@应用@@中@@使@@用@@@@48 V电源@@轨的@@增长趋势@@，在@@这些@@应用@@中@@@@，环境条件允许@@MOSFET采用@@较低@@的@@@@@@VDS击穿电压额定值@@@@。

在@@热插拔和@@软启动应用@@中@@@@，具有@@增强型@@@@SOA的@@ASFET越来越受市场@@欢迎@@。当@@容性负载引入带电背板时@@@@，这些@@产品@@强大的@@线性模式性能@@对于@@@@高@@效@@可靠地管理浪涌电流@@必不可少@@。当@@ASFET完全导通时@@@@，低@@RDS(on)对于@@@@最大限度地降低@@@@I2R损耗也同样@@重要@@。除了@@RDS(on)更低@@@@且@@封装@@尺寸@@更紧凑之外@@@@，Nexperia的@@第三代增强@@SOA技术@@与@@前几代@@D2PAK封装@@相比@@@@@@还实现了@@10% SOA性能@@改进@@（在@@ 50 V、1 ms 条件下@@@@，电流@@分别为@@@@@@33 A和@@30 A）。

Nexperia的@@另一项创新在@@于@@@@，用于@@热插拔的@@新型@@@@@@ASFET完整标示了@@25°C和@@125°C下@@的@@@@SOA特性@@。数据手册中@@提供@@了经过全面测试的@@高@@温下@@@@SOA曲线@@，设计@@工程师无需进行@@热降额计算@@，并显著扩展了实用的@@高@@温下@@@@SOA性能@@。

到@@目前@@为@@止@@，适合热插拔和@@计算应用@@的@@@@@@ASFET通常采用@@较大尺寸@@的@@@@D2PAK封装@@(16x10 mm)。LFPAK88封装@@是@@@@D2PAK封装@@的@@@@理想替代@@选项@@@@，空间节省效率高@@达@@@@60%。PSMN2R3-100SSE的@@RDS(on)仅为@@@@2.3 mΩ，相较于@@现有器件@@至@@少降低@@了@@40%。 LFPAK88不仅将功率@@密度提高@@@@了@@58倍@@，还提供@@两倍@@的@@@@ID(max)额定电流@@@@以@@及@@超低@@热阻和@@电阻@@@@。该产品@@结@@合@@了@@Nexperia先进@@的@@晶圆和@@铜夹片@@封装@@技术@@的@@@@功能优势@@，包括@@占用空间更小@@@@@@、RDS(on)更低@@@@以@@及@@@@SOA性能@@更优@@。Nexperia还提供@@采用@@@@5x6 mm LFPAK56E封装@@的@@@@25 V、30 V、80 V和@@100 V ASFET系列@@产品@@@@，并针对需要更小@@@@@@PCB管脚尺寸@@@@的@@低@@功耗应用@@进行@@了优化@@。

有关@@新型@@@@ASFET的@@更多详细信息@@，请访问@@：nexperia.cn/asfets-for-hotswap-and-soft-start

关于@@@@Nexperia

Nexperia推出@@适用于@@@@@@24 V电源@@系统的@@车载网@@络@@ESD保护@@产品@@@@

judy — Mon, 06 Mar 2023 07:29:15 +0000

各种封装@@@@、电容等级和@@@@36 V VRWM为@@商用车辆应用@@提供@@了设计@@灵活性@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今天推出@@符合@@@@AEC-Q101标准@@的@@产品@@@@组合@@@@，其@@中@@@@包含六个@@@@ESD保护@@器件@@@@(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在@@保护@@@@LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和@@SENT等车载网@@络@@(IVN)中@@的@@总线免受静电放电@@@@(ESD)和@@其@@他@@瞬变造成的@@损坏@@。随着数据传输速率的@@提高@@和@@车载电子含量的@@增加@@@@，ESD保护@@的@@需求@@变得越来越重要@@，提供@@正确的@@保护@@类@@型已成为@@设计@@工程师的@@巨大挑战@@。

与@@汽车@@和@@小@@型车辆中@@的@@电池电压相比@@@@@@，24 V电源@@通常用于@@卡@@车和@@商用车辆@@。24 V系统中@@的@@敏感信号线通常需要工作电压高@@于@@@@32 V的@@ESD保护@@器件@@@@进行@@保护@@@@。为@@满足这些@@要求@@，Nexperia将该产品@@组@@合@@设计@@为@@最大反向截止@@电压为@@@@36 V，并提供@@@@达@@22 kV的@@ESD保护@@。此性能@@与@@低@@箝位电压@@VCL= 48 V（IPP = 1 A时@@）相结@@合@@@@，可为@@@@IVN提供@@卓越的@@系统级鲁抗冲击能力@@。

考虑到@@车载网@@络的@@规格以@@及@@易于@@设计@@性@@，Nexperia以@@SOT23和@@SOT323封装@@提供@@这一产品@@组@@合@@@@，并提供@@@@4.3 pF、6 pF和@@10 pF三种不同的@@超低@@电容等级@@，有助于@@确保接口@@之间@@的@@@@流畅通信@@且@@不影响信号完整性@@。此类@@组合可最大限度地提高@@@@PCB设计@@的@@灵活性@@，并为@@设计@@工程师提供@@多种性能@@选项@@@@。

关于@@@@新款@@@@器件@@的@@更多信息@@@@，包括@@产品@@规范和@@数据手册@@，请访问@@：Nexperia.com的@@产品@@@@组合@@页面@@。

关于@@@@Nexperia

为@@什么使@@用@@双极性晶体管@@驱动功率@@@@@@LED？

judy — Mon, 06 Feb 2023 06:32:46 +0000

作者@@ Nima Lotfi

大功率@@@@LED灯串@@（例如@@@@汽车@@前灯中@@用的@@灯串@@@@）要求电流@@恒定@@，也就@@是@@无论环境温度和@@输入电压如@@何波动变化@@，电流@@都保持稳定@@。电流@@稳定可以@@确保@@@@LED灯串@@的@@亮度水平恒定@@，有助于@@延长其@@工作寿命@@。驱动功率@@@@LED有几种解决方案@@。较完善的@@分立式@@方案是@@将精密并联稳压器@@和@@功率@@双极性晶体管@@组合@@，采用@@电流@@吸收器配置@@。

分立式@@LED驱动电路图@@@@

在@@升压转换@@器@@的@@输出级使@@用@@线性调节@@，可将@@24 V电源@@电压转换@@为@@@@72 V，为@@两个@@@@并联的@@@@@@LED灯串@@提供@@所需的@@高@@电压@@。两个@@@@并联的@@@@100 V NPN晶体管的@@基极端子使@@用@@可调精度并联稳压器@@控制@@，使@@其@@在@@线性区域内工作@@。反馈回路中@@的@@电阻决定负载电流@@的@@大小@@@@，因此@@最亮工作模式下@@的@@@@总电流@@消耗为@@@@1 A。

使@@用@@BJT稳定可靠地工作@@

通过@@使@@用@@@@红外@@摄像机检查电路@@（图@@2），可以@@看到@@即使@@在@@最亮设置下@@@@，BJT的@@温度也远远低@@于@@最大允许上限@@。与@@集成式解决方案相比@@@@@@，这种@@分立式@@方案还为@@@@PCB上的@@散热@@管理@@提供@@了更多的@@灵活性@@。当@@输入电压波动为@@@@1 V时@@，LED灯串@@的@@亮度和@@温度不会发生变化@@，表@@明该解决方案具有@@稳健性@@@@。即使@@环境温度攀升到@@@@50 ℃，电路仍能可靠运行@@@@。

PCB和@@使@@用@@红外@@摄像机得到@@的@@热图@@像@@

采用@@DPAK封装@@，热性能@@出色@@

Nexperia的@@MJD系列@@功率@@双极性晶体管@@采用@@@@DPAK封装@@，具有@@出色的@@热功耗@@，非常适合此应用@@@@。该解决方案使@@用@@两个@@@@符合@@汽车@@标准@@的@@@@MJD31C大功率@@@@100 V 3 A NPN双极晶体管@@，但对于@@@@需要更精密线性稳压器的@@应用@@@@，则可用@@增益更高@@的@@@@MJD31CH-Q替代@@MJD31CA。

这些@@器件@@的@@基极电流@@均由@@@@TLVH431 A级精密并联稳压器@@控制@@，最大灌电流@@达到@@@@70 mA。在@@输出级进行@@线性调节的@@另一个@@优点是@@不会引入额外@@的@@电磁干扰@@(EMI)，这也是@@汽车@@环境中@@的@@一个@@关键考虑因素@@。

可持续运行@@@@

在@@大功率@@@@@@LED灯串@@中@@实现稳健持续运行@@@@，要求无论温度和@@输入电压如@@何波动变化@@，电流@@都能保持稳定@@。分立式@@高@@电压电流@@吸收器拓扑使@@用@@@@Nexperia的@@MJD系列@@功率@@双极性晶体管@@以@@及@@精密@@TLVH并联稳压器@@，以@@高@@性价比@@的@@简单@@解决方案来确保@@LED亮度恒定@@。

更多详情@@，请访问@@：www.nexperia.com/products/MJD

关于@@@@作者@@@@

Nima Lotfi

Nima在@@汉堡工业@@大学取得电气工程硕士学位后@@，在@@Nexperia实习了一年@@@@，目前@@在@@该公司担任应用@@工程师@@@@。目前@@，他专注于@@功率@@分立器件@@@@领域@@，特别是@@双极性功率@@方面@@。

文章来源@@：Nexperia

了解@@RET的@@开关@@特性@@@@@@

judy — Fri, 03 Feb 2023 07:22:54 +0000

可通过@@基极电流@@开启或@@关闭@@双极结@@型晶体管@@(BJT)。但是@@@@，由@@于@@@@基极@@-发射极二极管@@两端的@@压降在@@很大程度上取决于@@温度@@，因而@@@@在@@许多@@应用@@中@@@@，需要一个@@串联电阻将基极电流@@保持在@@所需水平@@，从@@而@@确保@@BJT稳定安全地工作@@。阅读本@@文@@，了解@@如@@何使@@用@@@@RET来应对标准@@@@BJT的@@温度依赖性@@。

为@@了减少@@元器件@@数量@@@@、简化电路板设计@@@@，配电阻晶体管@@将一个@@或@@两个@@@@双极性晶体管@@与@@偏置电阻组合在@@一起@@@@，集成在@@同一个@@晶片上@@。替代@@方案包括@@在@@基极@@-发射极路径上并联第二个@@集成电阻@@，以@@创建用于@@设置基极电压的@@分压器@@。这可以@@提供@@更精细的@@微调和@@更好的@@关断特性@@@@。由@@于@@@@这些@@内部电阻的@@容差高@@于@@外@@部电阻@@，因而@@@@ RET 适合晶体管在@@打开或@@关断状态下@@工作@@的@@开关@@应用@@@@。因此@@，RET 有时@@被称为@@数字晶体管@@。本@@文讨论了在@@开关@@应用@@中@@使@@用@@@@RET进行@@设计@@时@@的@@@@一些关键操作参数@@@@。

配电阻晶体管@@(RET)

电压和@@电流@@@@(VI)参数@@

IC/IIN 是@@指@@RET的@@电流@@@@增益@@ hFE，其@@中@@@@的@@@@IIN包括@@基极电流@@和@@流经@@@@ R2 的@@电流@@@@（IR2 = VBE/R2）。因此@@，hFE 比@@ RET 小@@，后者只有一个@@串联基极电阻@@R1。因为@@@@输入电流@@从@@基极分流@@，所以@@@@ R2 值@@越低@@@@，hFE 值@@就@@越小@@@@。从@@表@@@@1可看出这一点@@。VCEsat 是@@ RET 开关@@处于@@导通状态@@时@@集电极@@@@-发射极的@@残余电压@@。

测量@@ hFE 的@@测试条件是@@施加@@ 0.5 mA 的@@基极电流@@和@@@@ 10 mA 的@@集电极@@@@电流@@@@。Vi(off)是@@ RET 器件@@关闭@@时@@的@@@@输入电压@@。在@@这种@@情况下@@@@，集电极@@泄漏电流@@@@为@@@@ 100µA，集电极@@-发射极电压@@(VCE)为@@ 5 V。表@@中@@提供@@的@@@@ V(Ioff)max 较低@@值@@是@@@@ RET 驱动级的@@最大@@允许输出电平@@。该条件必须要满足@@，以@@确保@@ RET 在@@关断状态下@@@@可以@@安全运行@@@@。当@@测试处于@@导通状态@@的@@@@ RET 时@@，VI(on)min 是@@最关键的@@参数@@@@。用于@@驱动@@ RET 的@@电路必须能够提供@@该电压电平@@，以@@确保@@安全开启@@。导通状态是@@指@@集电极@@@@-发射极电压@@为@@@@ 0.3 V 时@@，集电极@@电流@@为@@@@ 10 mA 的@@状态@@。RET 数据手册中@@规定的@@@@ VI 额定值@@仅针对这些@@测试条件有效@@。RET 需通过@@更大的@@基极驱动电压@@ VI(on)来获得@@更大的@@开关@@电流@@@@。图@@2 显示了@@ RET 晶体管的@@电压@@-电流@@(VI)开关@@特性@@@@。

▶VI < VI(off)max：所有@@RET器件@@均保证处于@@关断状态@@@@

▶Vi < Vi(off)typ：典型@@RET处于@@关断状态@@

▶Vi < Vi(off)typ：典型@@RET处于@@导通状态@@

▶VI > VI(on)min：所有@@RET器件@@均保证处于@@导通状态@@@@

表@@ 1 显示了@@导通和@@关断状态的@@输入电压对@@ Nexperia NHDTC 系列@@ RET 中@@的@@电阻分压器配置的@@依赖性@@。在@@ VI(off)条件下@@@@，会有一个@@微小@@的@@基极电流@@流过晶体管@@（约@@0.3 µA）。关闭@@ RET 所需的@@电压典型@@值@@@@与@@电阻比@@@@ R1/R2 有关@@。当@@晶体管关闭@@时@@@@，可以@@通过@@@@ R2 或@@基极@@-发射极二极管@@两端的@@压降目标来计算此值@@@@。对于@@@@ NHDTC 系列@@，该电压大约@@为@@@@ 580 mV。因此@@，电阻比@@为@@@@ 1 时@@的@@@@ VI(off) 值@@具有@@相同的@@电压@@(表@@1中@@的@@第@@1-3行@@)。由@@于@@@@上述原因@@，当@@ R2 为@@ 47 kΩ，且@@ R1 值@@为@@@@ 2.2 kΩ、4.7 kΩ 或@@ 10 kΩ时@@，关断状态的@@典型@@电压值@@均会较低@@@@。VI(off) max 需为@@偶数值@@@@，以@@确保@@器件@@在@@图@@@@ 2 中@@最左@@侧的@@深绿色阴影区域内运行@@@@。

Nexperia的@@RET产品@@组@@合@@

正确选择电阻分压器至@@关重要@@，以@@确保@@ RET 的@@控制电压范围与@@驱动级相匹配@@。所需的@@集电极@@@@或@@负载电流@@会影响为@@导通状态提供@@的@@基极电流@@@@。可使@@用@@较低@@的@@@@@@ R1 和@@/或@@ 流经@@ R2 的@@较小@@旁路电流@@来设置较高@@的@@@@集电极@@@@电流@@@@@@。

除了@@通用系列@@@@，Nexperia（安世半导体@@）还提供@@具有@@增强功能的@@@@ RET 器件@@，例如@@@@，NHDTA/NHDTC 系列@@ RET(见表@@@@1)的@@ VCEO 为@@ 80 V。这一特性@@使@@得这些@@器件@@非常适合@@ 48 V 汽车@@应用@@@@。PDTB 和@@ PBRN 系列@@ RET 支持@@ 500/600 mA 的@@集电极@@@@电流@@@@，并可用@@于@@开关@@功率@@继@@电器和@@功率@@@@ LED。

有关@@温度的@@注意事项@@

在@@实际应用@@中@@@@，需密切关注@@VI参数@@的@@温度漂移@@。BJT 的@@ VBE 随温度升高@@而@@降低@@@@，其@@中@@@@系数约@@为@@@@ -1.7mV/K 至@@ -2.1mV/K。如@@图@@@@ 3 所示@@，对于@@@@独立的@@@@ BJT，hFE 也会每开尔文增加@@约@@@@ 1%。

典型@@直流电流@@增益与@@集电极@@电流@@呈函数关系@@

VI(on) 为@@ IC 的@@函数@@，因此@@在@@相同的@@@@ VCE 下@@，需要更高@@的@@输入电压来驱动更多的@@集电极@@@@电流@@@@@@。低@@环境温度需要更高@@的@@输入电压@@，因为@@@@ VBE 增加@@，hFE 会降低@@@@。因此@@需要在@@低@@温下@@打开@@ RET 开关@@，这是@@应用@@的@@@@关键操作条件@@，并且@@@@需要足够的@@@@输入电压才能正确打开器件@@@@（图@@4）。

典型@@导通状态输入电压与@@集电极@@电流@@呈函数关系@@

在@@关断状态下@@@@，高@@温条件非常关键@@。因此@@，驱动电路必须设计@@为@@在@@最高@@@@@@应用@@温度下@@输出电压远低@@于@@@@ VI(off) 典型@@值@@@@（图@@5）。

典型@@导通状态输入电压与@@集电极@@电流@@呈函数关系@@

简单@@，但安全可靠@@

RET 是@@一种相对简单@@的@@器件@@@@@@，非常适合开关@@应用@@@@。尽管如@@此@@，设计@@人员必须了解@@影响其@@运行@@的@@参数@@@@，包括@@开关@@电压和@@电流@@@@@@，以@@及@@其@@受温度影响的@@情况@@。本@@篇@@188金宝搏@@ 文章提供@@了一些设计@@技巧@@，目的@@是@@确保@@ Nexperia（安世半导体@@）的@@ RET 在@@目标应用@@中@@安全可靠地运行@@@@。

关于@@@@作者@@@@

Burkhard Laue

1984年@@，Burkhard 在@@布伦瑞克大学获得@@电气工程学学位@@。同年@@@@，他加入飞利浦半导体@@，担任开发@@和@@系统工程师一职@@，从@@事数字视频处理方面的@@工作@@，重点研究运动补偿帧速率转换@@和@@视频增强特性@@@@。2010 年@@，他转变研究重心@@，加入恩智浦半导体位于@@德国汉堡的@@分立器件@@@@团队@@。在@@ Nexperia（安世半导体@@）担任应用@@营销经理一职时@@@@，他的@@主要工作是@@保护@@计算和@@移动通信@@中@@的@@超高@@速接口@@@@。

Nexperia (安世半导体@@)

Nexperia（安世半导体@@），作为@@生产大批量基础半导体二极管@@件@@的@@专家@@，其@@产品@@广泛应用@@于@@全球各类@@电子设计@@@@。公司丰富的@@@@产品@@组@@合@@包括@@二极管@@@@、双极性晶体管@@、ESD保护@@二极管@@件@@@@、MOSFET二极管@@件@@、氮化镓@@场效应@@晶体管@@(GaN FET)以@@及@@模拟@@@@IC和@@逻辑@@IC。Nexperia 总部位于@@荷兰@@奈梅亨@@，每年@@可交付@@1000多亿@@件@@产品@@@@，产品@@符合@@汽车@@行@@业的@@严苛标准@@@@。其@@产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及性能@@@@）方面获得@@行@@业广泛认可@@，拥有先进@@的@@小@@尺寸@@@@封装@@技术@@@@，可有效节省功耗及空间@@。

文章来源@@：安世半导体@@

Nexperia发布用于@@汽车@@和@@工业@@应用@@的@@@@@@650 V超快恢复整流管@@@@

judy — Tue, 22 Nov 2022 03:07:47 +0000

不断扩大的@@@@CFP功率@@二极管@@@@产品@@组@@合@@@@@@再添新产品@@@@

2022年@@11月@@22日@@：基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今天宣布@@@@，旗下@@面向工业@@和@@汽车@@领域的@@铜夹片@@@@FlatPower (CFP)封装@@二极管@@@@系列@@产品@@@@组合@@再添新产品@@@@。新增产品@@包括@@@@4个@@采用@@@@CFP3和@@CFP5封装@@的@@@@650 V、1 A器件@@，可应用@@于@@车载充电器@@(OBC)和@@电动汽车@@@@逆变器@@，以@@及@@工业@@应用@@中@@的@@功率@@转换@@器@@@@、PV逆变器和@@电源@@@@。标准@@产品@@包括@@@@PNU65010ER (CFP3)和@@PNU65010EP (CFP5)，符合@@AEC-Q101标准@@的@@产品@@@@包括@@@@PNU65010ER-Q (CFP3)和@@PNU65010EP-Q (CFP5)。

这些@@汽车@@级和@@工业@@级的@@整流管@@可合理地优化超快速软开关@@行@@为@@@@和@@低@@正向压降@@，以@@尽可能降低@@高@@频应用@@中@@的@@功率@@损耗@@。与@@SMA/B封装@@器件@@相比@@@@@@，新产品@@采用@@@@CFP管脚尺寸@@@@，可节省@@电路板空间@@，并在@@不影响电气性能@@的@@情况下@@@@，为@@可靠的@@高@@密度设计@@提供@@支持@@@@。这些@@650 V二极管@@器件@@已被一级汽车@@和@@工业@@供应商应用@@于@@多款@@设计@@中@@@@。

Nexperia持续加大投资@@，扩大产能@@，以@@满足市场@@对于@@@@@@CFP封装@@产品@@不断增长的@@需求@@@@。为@@满足高@@电压功率@@应用@@的@@@@广大需求@@，Nexperia计划进一步扩大@@650 V表@@面贴装的@@快恢复整流管@@@@（高@@达@@30 A），在@@市场@@上提供@@超越同行@@的@@丰富产品@@组@@合@@@@。对于@@@@电流@@额定值@@超过@@10 A的@@产品@@@@，客户可在@@@@选择正向电压规格时@@@@，在@@超快恢复和@@快恢复开关@@产品@@间进行@@选择@@。

首批采用@@@@CFP封装@@的@@@@更高@@额定电流@@@@@@（2 A和@@3 A）的@@器件@@@@计划将于@@明年@@第一季度正式发布@@。其@@余采用@@@@DPAK/D2PAK封装@@的@@@@零件计划将在@@@@2023年@@下@@半年@@及@@2024年@@间陆续发布@@，并且@@@@也会推出@@标准@@版和@@车规级版本@@@@@@。

关于@@@@新款@@@@器件@@的@@更多信息@@@@，包括@@产品@@规范和@@数据手册@@，请访问@@：www.nexperia.com/automotive-recovery-rectifier。关于@@@@Nexperia完整的@@@@CFP功率@@二极管@@@@产品@@组@@合@@@@@@，请访问@@www.nexperia.com/cfp。

关于@@@@Nexperia

Nexperia推出@@用于@@热插拔的@@全新特定型应用@@@@MOSFET (ASFET)，SOA性能@@翻倍@@@@

judy — Mon, 21 Nov 2022 06:17:30 +0000

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@ Nexperia（安世半导体@@）近日@@宣布@@扩展其@@适用于@@@@热插拔和@@软启动的@@@@ ASFET 产品@@组@@合@@，推出@@ 10 款@@全面优化的@@@@ 25V 和@@ 30V 器件@@。新款@@@@器件@@将业内领先的@@安全工作区@@@@（SOA）性能@@与@@超低@@的@@@@ RDS(on)相结@@合@@@@，非常适合用于@@@@ 12V 热插拔应用@@@@，包括@@数据中@@心服务器和@@通信@@设备@@@@。

多年@@来@@，Nexperia（安世半导体@@）致力于@@将成熟的@@@@ MOSFET 专业知识和@@广泛的@@@@应用@@经验结@@合@@起来@@，增强器件@@中@@关键@@ MOSFET 的@@性能@@@@，满足特定应用@@的@@@@要求@@，以@@打造市场@@领先的@@@@ ASFET。自@@ ASFET 推出@@以@@来@@，针对电池隔离@@（BMS）、直流电机控制@@、以@@太网@@供电@@（POE）和@@汽车@@安全气囊等应用@@的@@@@产品@@优化升级不断取得成功@@。

浪涌电流@@给热插拔应用@@@@带来了可靠性挑战@@。为@@了应对这一挑战@@，增强型@@ SOA MOSFET 领域的@@前沿企业@@ Nexperia（安世半导体@@）专门针对此类@@应用@@进行@@了全面升级@@，设计@@了适用于@@@@热插拔和@@软启动的@@@@ ASFET 产品@@组@@合@@，并增强了@@ SOA 性能@@。与@@之前的@@技术@@相比@@@@@@，PSMNR67-30YLE ASFET的@@ SOA(12V @100mS)性能@@提高@@到@@了@@ 2.2 倍@@，同时@@@@ RDS(on)（最大值@@@@）低@@至@@@@ 0.7mΩ。与@@未优化器件@@相比@@@@@@，新款@@@@器件@@不仅消除了@@@@ Spirito 效应@@（表@@示@@为@@@@ SOA 曲线@@的@@更高@@压区域中@@更为@@陡峭的@@斜向下@@曲线@@@@），还同时@@@@保持了整个@@电压和@@温度范围内的@@出色性能@@@@。

Nexperia（安世半导体@@）通过@@在@@@@ 125℃ 下@@对新款@@@@器件@@进行@@完全表@@征@@，并提供@@@@高@@温下@@的@@@@@@ SOA 数据曲线@@@@，消除了@@热降额设计@@的@@必要性@@，从@@而@@为@@设计@@人员提供@@进一步支持@@@@。

8 款@@新产品@@@@（3款@@25V和@@5款@@30V）现已可选择@@ LFPAK56 或@@ LFPAK56E 封装@@，其@@中@@@@ RDS(on)范围为@@@@ 0.7mΩ 到@@ 2mΩ，可适用于@@@@@@大多数热插拔和@@软启动应用@@@@。其@@他@@ 2 款@@ 25V 产品@@的@@@@ RDS(on)更低@@@@，仅为@@@@ 0.5mΩ，预计将于@@@@未来几个@@月@@内发布@@。

Nexperia 适用于@@@@ 36V 电池系统@@的@@特定应用@@@@ MOSFET

judy — Thu, 27 Oct 2022 08:11:13 +0000

36V 锂离子电池是@@当@@今工具和@@户外@@动力设备的@@常用电源@@@@。由@@ 36V 电池供电的@@产品@@@@得益于@@高@@功率@@输出和@@较长的@@电池寿命@@@@，同时@@@@也相对较轻且@@易于@@使@@用@@@@。然而@@@@，36V 电池的@@高@@能量密度也需要实现高@@效@@和@@安全的@@电池隔离@@。

隔离的@@需求@@源于@@该技术@@固有的@@安全风险@@。锂离子电池含有易燃电解质@@：如@@果@@损坏或@@充电或@@放电@@不正确@@，可能会导致火灾或@@爆炸@@。为@@了安全地对电池进行@@充电和@@放电@@@@，并将它们与@@负载隔离@@，电池系统@@设计@@人员通常使@@用@@@@ MOSFET，如@@图@@@@ 1 所示@@。

△ 图@@ 1：典型@@应用@@电路中@@的@@简单@@高@@边放电@@@@ MOSFET

这种@@ MOSFET 最常见的@@要求是@@@@：

▶足够的@@@@Vds漏源电压额定值@@@@。

▶低@@导通电阻@@，可降低@@导通损耗@@。

▶较高@@的@@@@Id额定电流@@@@，使@@ MOSFET 可以@@处理大功率@@@@应用@@中@@的@@峰值@@过载和@@故障电流@@@@。

▶较低@@的@@@@Idss漏电流@@@@，降低@@电池长时@@间不工作时@@的@@@@放电@@率@@。

▶坚固的@@封装@@@@和@@良好的@@板级可靠性@@。这对于@@@@暴露于@@恶劣环境@@（例如@@@@极端温度或@@振动@@）的@@应用@@非常重要@@。

设计@@人员在@@评估高@@边放电@@@@ MOSFET 选择时@@考虑的@@其@@他@@因素包括@@@@：

▶较高@@的@@@@雪崩能力@@。当@@快速隔离大电流@@负载时@@@@，通常会在@@电池故障保护@@机制下@@@@.断开时@@常触发的@@事件@@，高@@雪崩能量可能会通过@@@@ MOSFET 耗散@@。

▶较大的@@安全工作区@@@@（SOA）。在@@故障情况下@@@@，当@@过载期间试图@@关闭@@电机时@@@@，放电@@晶体管通常会在@@其@@电阻大幅上升时@@会短暂进入线性模式@@。在@@这些@@条件下@@@@@@，电池电压会在@@高@@负载电流@@下@@衰减@@，并且@@@@ MOSFET 栅极电压可能不足以@@确保@@晶体管完全导通@@。具有@@较大@@的@@@@ SOA 的@@ MOSFET 可以@@承受这些@@条件@@。

▶较低@@的@@@@栅极泄漏电流@@@@@@，以@@避免在@@线性模式下@@发生不必要的@@关断事件@@。

在@@包含@@ 10 节串联电池的@@电池组中@@@@，电压通常为@@@@ 36V；最大充电电压为@@@@ 42 V。额定击穿电压介于@@@@ 45 V 和@@ 52.5 V 之间@@的@@@@ MOSFET 可提供@@至@@少@@ 80% 的@@降额@@。

然而@@@@，在@@这些@@应用@@中@@@@通常使@@用@@@@ 60 V MOSFET，因为@@@@它提供@@了更高@@的@@降额@@@@。但这是@@以@@雪崩等级@@、SOA、栅极电荷和@@泄漏性能@@等其@@他@@因素为@@代价的@@@@。在@@许多@@ MOSFET 中@@，硅结@@构@@会使@@元胞之间@@单元间距变窄@@，以@@实现低@@导通电阻@@@@，但是@@@@会影响@@ SOA 变弱并降低@@雪崩能量@@。

因此@@，设计@@工程师已经习惯于@@接受效率和@@隔离能力之间@@的@@@@折衷@@。然而@@@@，来自@@@@ Nexperia 的@@最新特定应用@@@@ 50 V 和@@ 55 V MOSFET 避免了这样的@@折衷@@。它们得益于@@卓越的@@超结@@技术@@@@，可产生较低@@的@@@@导通电阻@@，而@@不会影响其@@他@@参数@@的@@性能@@@@@@。

例如@@@@，采用@@ LFPAK88铜夹片@@封装@@的@@@@@@ Nexperia PSMNR90-50SLH 在@@ 10 V 栅源电压下@@具有@@@@@@ 0.9 mΩ的@@最大@@导通电阻@@。且@@最大漏极电流@@额定值@@可达@@ 410 A。尽管导通电阻很低@@@@ ，并且@@@@具有@@最佳的@@@@ SOA 电流@@能力@@，在@@ 40 V/Tp=1 ms下@@具有@@@@8.1 A 电流@@，如@@图@@@@ 2 所示@@。

△ 图@@ 2：PSMNR90-50SLH MOSFET 的@@ 40 V/1 ms SOA 图@@

对于@@@@更多空间受限的@@应用@@@@，具有@@ 200 A 额定电流@@@@的@@@@ 50 V 和@@ 55 V 器件@@也可采用@@@@ 5 mm x 6 mm LFPAK56E 封装@@。

除了@@优化用于@@@@ 36V 电池系统@@的@@关键参数@@外@@@@，Nexperia 还优化这些@@@@ MOSFET 在@@高@@温下@@的@@@@运行@@能力@@。在@@ 175°C和@@ 100% Vds 电压额定值@@下@@进行@@了@@ 1,000 小@@时@@@@的@@@@高@@温反向偏置寿命测试@@ (HTRB)。

根据@@ MIL-STD-750-1 M1038 Method A标准@@，60 V 器件@@的@@行@@业标准@@是@@在@@@@ 175°C和@@80%的@@漏源电压额定值@@@@@@（48 V）下@@工作@@ 1,000 小@@时@@@@。

广泛的@@@@ MOSFET 产品@@选择@@

Nexperia 放电@@ MOSFET 采用@@ 100% 铜夹片@@LFPAK 封装@@。该封装@@坚固耐用@@，提供@@较高@@的@@@@板级可靠性和@@出色的@@热性能@@@@。LFPAK 封装@@适用于@@@@汽车@@以@@及@@工业@@和@@消费类@@应用@@@@。

△ 具有@@较大@@ SOA 的@@ Nexperia MOSFET适用于@@@@ 36V 锂电池系统@@应用@@@@

Nexperia (安世半导体@@)

Nexperia成功增强其@@@@CFP功率@@二极管@@@@的@@范围@@

judy — Thu, 13 Oct 2022 08:44:39 +0000

基础半导体器件@@领域的@@高@@性能@@生产专家@@ Nexperia（安世半导体@@）近日@@宣布@@推出@@@@其@@快速扩展的@@铜夹片@@@@ FlatPower（CFP）封装@@二极管@@@@系列@@的@@最新产品@@@@，主要应用@@于@@工业@@和@@汽车@@领域@@。

此最新产品@@含有@@ 32 个@@平面肖特基@@二极管@@@@以@@及@@@@ 8 个@@超快恢复整流二极管@@@@，均封装@@在@@@@ CFP15B 中@@。包含通用型号和@@符合@@@@ AEC-Q101 车规标准@@的@@带@@ Q 的@@器件@@@@。通过@@将多种版本@@@@的@@器件@@@@推向市场@@@@，Nexperia（安世半导体@@）强调了其@@扩大产能@@@@、加快向体积更小@@@@和@@热优化的@@封装@@@@过渡的@@承诺@@。让@@工程师仅从@@一家供应商即可获取市场@@上最为@@广泛的@@@@@@ CFP 封装@@二极管@@@@产品@@组@@合@@@@@@。

这些@@新平面肖特基@@二极管@@@@的@@工作范围为@@@@@@ 30-100 V 和@@ 3-15 A 。针对低@@正向电压优化的@@版本@@@@@@（VF）（包括@@ PMEG100V080ELPE/-Q）可在@@@@防反应用@@中@@提供@@低@@导通损耗和@@高@@效@@率@@，实现经济高@@效@@的@@@@ DC-DC 转换@@器@@。这些@@二极管@@件@@还有低@@漏电流@@@@版本@@@@@@，配备超低@@反向电流@@和@@出色的@@高@@温工作性能@@@@，可提供@@优异的@@稳健性@@@@，防止热失控@@。8 个@@ 200 V 单通道@@快恢复整流二极管@@@@（PNE200xxEPE/-Q系列@@）携带@@ 4-10 A 的@@平均正向电流@@@@（IF），并补充了@@ Nexperia（安世半导体@@）现有的@@@@双通道@@@@快恢复整流二极管@@@@。

使@@用@@此体积更小@@@@@@、功率@@密度更高@@的@@@@ CFP15B 封装@@来替代@@@@ DPAK 或@@ SMB/C 封装@@，不仅可保持同等水平的@@电气性能@@@@，还能最多节省@@ 60% 的@@电路板空间@@。这种@@耐用的@@封装@@@@设计@@可延长二极管@@件@@的@@工作时@@间并提高@@板级可靠性@@。其@@优化的@@引脚@@间距可确保焊点均匀分布@@，提高@@自@@动光学检测@@（AOI）性能@@。此解决方案尤其@@适用于@@@@依赖先进@@高@@密度设计@@的@@现代化的@@@@ ADAS、EV、LED 照明或@@@@ ECU 应用@@。

有关@@更多信息@@，包括@@产品@@规范和@@数据手册@@，请访问@@官网@@@@。

Nexperia发布具备市场@@领先效率的@@晶圆级@@12和@@30V MOSFET

judy — Wed, 27 Jul 2022 03:01:01 +0000

DSN1006和@@DSN1010中@@的@@三款@@全新@@器件@@可在@@@@空间受限的@@应用@@中@@节省电力并简化散热@@管理@@@@

基础半导体器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今天宣布@@@@推出@@@@@@PMCB60XN和@@PMCB60XNE 30V N沟道@@小@@信号@@Trench MOSFET，该产品@@采用@@超紧凑晶圆级@@DSN1006封装@@，具有@@市场@@领先的@@@@RDS(on)特性@@，在@@空间受限和@@电池续航运行@@至@@关重要的@@情况下@@@@，可使@@电力更为@@持久@@。

新型@@MOSFET非常适合智能手机@@、智能手表@@@@、助听器和@@耳机等高@@度小@@型化电子产品@@@@，迎合了更智能@@、功能更丰富的@@@@趋势@@，满足了增加@@系统功耗的@@需求@@@@。

RDS(on)与@@竞争器件@@相比@@@@性能@@提升了@@25%，可最大限度降低@@能耗@@，提高@@负载开关@@@@和@@电池管理效率@@。其@@卓越的@@性能@@@@还表@@现在@@自@@发热降低@@@@，从@@而@@增强可穿戴@@设备的@@用户舒适度@@。

具体而@@言@@，在@@VGS =4.5V时@@，PMCB60XN和@@PMCB60XNE的@@最大@@RDS(on)分别为@@@@50mΩ和@@55mΩ。因此@@，在@@市场@@上类@@似的@@@@30V MOSFET中@@，PMCB60XN和@@PMCB60XNE单个@@芯片@@面积@@导通电阻最低@@@@。此外@@@@，PMCB60XNE在@@集成于@@@@1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的@@DSN1006小@@型外@@形中@@@@，还可提供@@额定@@2kV ESD保护@@（人体模型@@ – HBM）。这两款@@@@MOSFET的@@额定漏极电流@@最高@@@@均可达@@4A。

除了@@采用@@@@DSN1006封装@@的@@@@这两款@@@@@@MOSFET外@@，Nexperia还推出@@了一款@@采用@@@@DSN1010封装@@的@@@@12V N沟道@@Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在@@VGS = 4.5 V时@@的@@@@最大@@@@RDS(on)为@@16mΩ，在@@0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸@@下@@可具备市场@@领先的@@效率@@。

30V PMCB60XN和@@PMCB60XNE以@@及@@12V PMCA14UN现已供货@@，可从@@@@Nexperia获得@@。更多详情@@，请访问@@https://www.nexperia.com/mosfets

关于@@@@Nexperia

Nexperia推出@@全新电平转换@@器@@@@以@@支持@@传统和@@未来的@@手机@@SIM卡@@

judy — Fri, 24 Jun 2022 03:27:28 +0000

基础半导体器件@@领域的@@专家@@ Nexperia（安世半导体@@）近日@@宣布@@推出@@@@其@@电平转换@@器@@@@系列@@的@@新晋产品@@@@：NXT4557GU 和@@ NXT4556UP。新器件@@可实现下@@一代低@@压手机基带处理器与@@用户身份模块@@@@（SIM）卡@@的@@无缝连接@@。随着处理器的@@几何尺寸@@向个@@位数纳米节点发展@@，先进@@ SOC 的@@核心电压也正逐渐下@@降@@。此发展趋势导致对电压转换@@器@@的@@需求@@日@@益增加@@@@，以@@将@@ SOC 连接到@@其@@他@@标准@@处理设备和@@@@ I/O 端口@@（如@@传统的@@@@Class B和@@Class C SIM卡@@）。

NXT4557GU 和@@ NXT4556UP 是@@双电源@@转换@@@@器@@，支持@@主机处理器侧@@ 1.08 V 至@@ 1.98 V 电压等级@@，SIM 卡@@侧@@ 1.62 V 至@@ 3.6 V 电压等级@@。以@@上工作范围让@@这两款@@@@器件@@能够适配传统的@@@@ Class B（3.0 V ± 10%）和@@Class C（1.8 V ± 10%）的@@电压等级@@@@，同时@@@@还能保持与@@未来@@SIM卡@@接口@@标准@@的@@电压等级@@@@@@（1.2 V±10%）相兼容@@。

NXT4557GU 和@@ NXT4556UP 均具备双向@@ IO、单向复位和@@时@@钟通道@@功能@@，同时@@@@其@@智能@@ ONE SHOT 电路可实现超低@@通道@@传播延迟@@。两款@@器件@@的@@低@@工作电流@@@@（8µA）和@@待机电流@@@@（仅为@@@@1µA）有助于@@尽可能延长手机电池的@@续航时@@间@@。集成的@@上拉电阻有益于@@进一步降低@@待机模式的@@功耗@@，同时@@@@也可降低@@整体系统@@BOM成本@@@@并节省空间@@@@。NXT4557GU 采用@@一个@@使@@能@@（EN）引脚@@，并使@@用@@无引脚@@@@@@ XQFN10 封装@@，而@@ NXT4556UP 为@@自@@动使@@能@@，并采用@@@@ 0.35mm 间距的@@超小@@@@ WLCSP9 封装@@。

Nexperia 高@@级产品@@经理@@@@ Vikram Singh Parihar 表@@示@@："如@@果@@发生系统崩溃或@@意外@@拆除电池@@，SIM 卡@@上的@@电源@@会迅速对地放电@@@@，阻止接口@@器件@@执行@@关机程序@@。Nexperia 的@@ NXT4557GU 和@@ NXT4556UP 通过@@有序关闭@@信号来处理意外@@关机情况@@，帮助避免任何不当@@写入和@@数据损坏@@。"

查看更多信息@@（产品@@规格和@@数据手册@@）
NXT4557GU ：https://www.nexperia.com/products/analog-logic-ics/asynchronous-interfac...
NXT4556UP：https://www.nexperia.com/products/analog-logic-ics/asynchronous-interfac...

Nexperia的@@USB4 ESD二极管@@件@@实现了保护@@和@@性能@@的@@出色平衡@@

judy — Thu, 16 Jun 2022 02:31:47 +0000

基于@@@@TrEOS的@@保护@@技术@@可提供@@行@@业领先的@@插入损耗和@@回波损耗@@@@，有助于@@满足有限的@@系统预算要求@@

基础半导体器件@@领域的@@专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@两款@@经优化的@@静电放电@@@@(ESD)保护@@二极管@@件@@@@，适用于@@@@高@@速数据线中@@的@@重定时@@器和@@信号中@@继@@器@@。PESD2V8Y1BSF专为@@保护@@@@USB4 (Thunderbolt)接口@@而@@设计@@@@，而@@PESD4V0Y1BCSF可适用于@@@@@@USB4以@@及@@HDMI 2.1。这两款@@@@产品@@均使@@用@@@@Nexperia的@@成熟@@TrEOS技术@@，集低@@钳位@@、低@@电容和@@高@@稳健性@@优势于@@一身@@。

重定时@@器和@@信号中@@继@@器是@@设计@@高@@速@@USB4接口@@常用的@@器件@@@@@@。它们需要电路板走线变更短@@，从@@而@@降低@@寄生电感@@，但也会意外@@地降低@@整体系统级@@ESD稳健性@@。PESD2V8Y1BSF和@@PESD4V0Y1BCSF较低@@的@@@@超快传输线路脉冲@@(vfTLP)峰值@@钳位电压@@，甚至@@低@@于@@标准@@@@I(V) TLP曲线@@中@@无明显的@@触发电压的@@@@USB4保护@@解决方案@@。这有助于@@补偿保护@@器件@@@@和@@重定时@@器之间@@减少的@@电感@@，从@@而@@提高@@整体系统级@@ESD稳健性@@。为@@达到@@@@ESD的@@预算损耗建议值@@@@，这两款@@@@器件@@均可提供@@超低@@插入损耗@@（10 GHz下@@为@@@@-0.29 dB）和@@回波损耗@@（10 GHz下@@为@@@@-20.6 dB）。与@@其@@他@@解决方案不同的@@是@@@@，电容不会随工作电压增加@@@@，可提供@@完整的@@@@@@RF性能@@直到@@反向截止@@电压@@。

相较于@@其@@他@@@@ESD保护@@二极管@@件@@@@，PESD2V8Y1BSF和@@PESD4V0Y1BCSF可直接放置在@@所保护@@器件@@@@的@@连接器旁边@@，因此@@可提供@@更大的@@设计@@灵活性@@。这意味着@@交流耦合电容也会受到@@保护@@@@。此外@@@@，它将大部分线路电感置于@@@@ESD保护@@和@@被保护@@器件@@@@之间@@@@，以@@优化系统的@@@@ESD性能@@。Nexperia高@@级产品@@经理@@@@Stefan Seider表@@示@@：“Nexperia通过@@提供@@尽可能降低@@@@ESD保护@@对总预算影响的@@器件@@@@@@，帮助设计@@工程师在@@预算有限的@@情况下@@@@，满足高@@速@@USB4数据线的@@插入损耗和@@回波损耗@@要求@@。这两款@@@@器件@@在@@优化系统级@@ESD稳健性@@和@@@@RF性能@@之间@@实现了出色的@@平衡@@。”

为@@了向下@@兼容可通过@@@@USB Type-C连接的@@旧接口@@标准@@@@（如@@USB3.2），PESD2V8Y1BSF设有@@2.8 V的@@反向截止@@电压@@VRWM，而@@PESD4V0Y1BCSF的@@VRWM为@@4 V，因此@@还可适用于@@@@@@@@HDMI 2.1。两款@@器件@@均使@@用@@@@TrEOS技术@@，其@@RF性能@@在@@动作电压范围内均不会下@@降@@。除了@@USB4和@@HDMI 2.1以@@外@@@@，两款@@器件@@还可用@@于@@保护@@@@PCIe和@@DisplayPort接口@@。

关于@@@@新款@@@@保护@@二极管@@件@@@@的@@更多信息@@@@，包括@@产品@@规范和@@数据手册@@，请访问@@：

https://www.nexperia.com/USB-C_ESD

https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/Selecting-ESD-pro...

关于@@@@Nexperia

Nexperia继@@续扩充采用@@小@@型@@DFN封装@@、配有侧边可湿焊盘@@的@@分立器件@@@@产品@@@@

judy — Fri, 29 Apr 2022 06:46:59 +0000

基础半导体元器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia，今日@@宣布@@@@其@@分立式@@器件@@系列@@推出@@新品@@，新器件@@采用@@无引脚@@@@@@DFN封装@@，配有侧边可湿焊盘@@ (SWF)。这些@@器件@@坚固耐用@@，节省空间@@，有助于@@满足下@@一代智能电动汽车@@@@的@@应用@@需求@@。Nexperia的@@所有@@产品@@系列@@@@都符合@@@@AEC-Q101标准@@，包括@@：

采用@@DFN1110D-3封装@@的@@@@BC817QBH-Q和@@BC807QBH-Q系列@@45V 500mA NPN/NPN通用三极管@@。

采用@@DFN1006BD-2封装@@的@@@@BAT32LS-Q和@@BAT42LS-Q通用肖特基@@二极管@@@@@@。

采用@@DFN1006BD-2封装@@的@@@@BAS21LS-Q高@@速开关@@二极管@@@@。

采用@@DFN1110D-3封装@@的@@@@PDTA143/114/124/144EQB-Q系列@@50V 100mA PNP配电阻三极管@@(RET)产品@@系列@@@@。

采用@@DFN1110D-3封装@@的@@@@2N7002KQB（60V，N沟道@@Trench MOSFET）和@@BSS84AKQB（50V，P沟道@@Trench MOSFET）。

如@@今@@，新型@@汽车@@中@@使@@用@@的@@电子@@188足彩外@@围@@app 数量@@越来越多@@，对电路板空间的@@需求@@随之增大@@，无引脚@@@@DFN封装@@与@@@@SOT23封装@@相比@@@@@@，可节省@@90%的@@空间@@，有助于@@减少电路板空间需求@@。侧边可湿焊盘能够对焊点质量进行@@可靠的@@自@@动光学检测@@(AOI)。Nexperia的@@DFN封装@@拥有出色的@@散热@@性能@@@@，Ptot值@@高@@@@，在@@通过@@了业界延长寿命和@@可靠性测试的@@产品@@@@中@@是@@最坚固的@@@@。

Nexperia双极性分立器件@@@@业务部资深副总裁兼总经理@@Mark Roeloffzen表@@示@@：“Nexperia率先开发@@出侧边可湿焊盘的@@@@DFN封装@@，现在@@可提供@@一系列@@符合@@@@AEC-Q101标准@@的@@小@@型无引脚@@@@封装@@分立式@@器件@@@@。目前@@，已有@@460多种不同的@@大批量器件@@采用@@最近发布的@@@@DFN1412D-3、DFN1110D-3和@@DFN1006BD-2封装@@。Nexperia推出@@更多采用@@小@@型封装@@的@@@@器件@@@@，旨在@@为@@设计@@工程师提供@@更多机会@@，帮助他们打造面向未来的@@设计@@@@，在@@未来的@@移动应用@@中@@发挥作用@@。随着汽车@@行@@业主要一级供应商在@@设计@@中@@采用@@和@@投入@@，这项新技术@@已经取得了成功@@。”

新器件@@现可提供@@@@样品@@@@，并于@@近日@@开始量产@@。有关@@更多信息@@，包括@@产品@@规范和@@数据手册@@，请访问@@ www.nexperia.com/automotiveDFN

关于@@@@Nexperia
Nexperia，作为@@生产大批量基础半导体器件@@的@@专家@@，其@@产品@@广泛应用@@于@@全球各类@@电子设计@@@@。公司丰富的@@@@产品@@组@@合@@包括@@二极管@@@@、双极性晶体管@@、ESD保护@@器件@@@@、MOSFET器件@@、氮化镓@@场效应@@晶体管@@(GaN FET)以@@及@@模拟@@@@IC和@@逻辑@@IC。Nexperia总部位于@@荷兰@@奈梅亨@@，每年@@可交付@@1000多亿@@件@@产品@@@@，产品@@符合@@汽车@@行@@业的@@严苛标准@@@@。其@@产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及性能@@@@）方面获得@@行@@业广泛认可@@，拥有先进@@的@@小@@尺寸@@@@封装@@技术@@@@，可有效节省功耗及空间@@。

凭借几十年@@来的@@专业经验@@，Nexperia持续不断地为@@全球各地的@@优质企业提供@@高@@效@@的@@产品@@@@及服务@@，并在@@亚洲@@、欧洲和@@美国拥有超过@@12,000名员工@@。Nexperia是@@闻泰科技股份有限公司@@(600745.SS)的@@子公司@@，拥有庞大的@@知识产权组合@@，并获得@@了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001认证@@。

Nexper推出@@可覆盖整个@@@@MOSFET工作温度范围的@@先进@@电热模型@@@@

judy — Thu, 24 Mar 2022 03:07:17 +0000

新模型还可在@@@@原型设计@@前对@@EMC性能@@进行@@调查@@

基础半导体元器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia（安世半导体@@）今日@@宣布@@@@MOSFET器件@@推出@@全新增强型@@电热模型@@@@。半导体制造@@商通常会为@@@@MOSFET提供@@仿真模型@@，但一般仅限于@@在@@典型@@工作温度下@@建模的@@少量器件@@参数@@@@。Nexperia的@@全新先进@@模型可捕获@@-55℃至@@175℃的@@整个@@工作温度范围的@@一系列@@完整器件@@参数@@@@。

这些@@先进@@模型中@@加入了反向二极管@@恢复时@@间和@@电磁兼容性@@(EMC)，大大提升了器件@@整体精度@@。参数@@可帮助工程师建立精确的@@电路和@@系统级仿真@@，并在@@原型设计@@前对电热及@@EMC性能@@进行@@评估@@。模型还有助于@@节省时@@间和@@资源@@，工程师此前需要确保他们的@@设计@@可以@@在@@@@（不太可能的@@@@）最坏情况下@@工作@@@@，而@@现在@@能够在@@@@特定温度范围内对设计@@进行@@仿真@@。

Nexperia与@@一家一级@@OEM合作开发@@@@了这些@@模型@@，目前@@仅有@@Nexperia能够满足其@@要求@@。Nexperia应用@@工程师@@Andy Berry表@@示@@：“这些@@全新的@@先进@@电热模型@@旨在@@为@@设计@@人员提供@@最高@@@@可信度的@@电路仿真结@@果@@。”“在@@双脉冲测试中@@@@，模型对真实器件@@行@@为@@@@做出了精确预测@@，证明其@@具有@@出色的@@高@@精度@@。我们的@@合作伙伴在@@初步反馈中@@表@@示@@@@，这些@@模型是@@他们所见过最为@@精确的@@模型@@。”

继@@Nexperia广受欢迎的@@交互式应用@@笔记发布之后@@，这些@@先进@@的@@电热模型@@是@@由@@我们的@@工程师团队专为@@广大工程师朋友设计@@的@@一系列@@支持@@工具中@@的@@最新一款@@@@，计划在@@未来几个@@月@@内发布@@。此种可支持@@外@@部活动的@@新工具旨在@@尽可能为@@@@Nexperia的@@客户提供@@无缝的@@器件@@@@设计@@@@。

有关@@更多信息@@，请访问@@：www.nexperia.com/advanced-support-tools

关于@@@@Nexperia

Nexperia，作为@@生产大批量基础半导体器件@@的@@专家@@，其@@产品@@广泛应用@@于@@全球各类@@电子设计@@@@。公司丰富的@@@@产品@@组@@合@@包括@@二极管@@@@、双极性晶体管@@、ESD保护@@器件@@@@、MOSFET器件@@、氮化镓@@场效应@@晶体管@@(GaN FET)以@@及@@模拟@@@@IC和@@逻辑@@IC。Nexperia总部位于@@荷兰@@奈梅亨@@，每年@@可交付@@1000多亿@@件@@产品@@@@，产品@@符合@@汽车@@行@@业的@@严苛标准@@@@。其@@产品@@在@@效率@@（如@@工艺@@@@、尺寸@@、功率@@及性能@@@@）方面获得@@行@@业广泛认可@@，拥有先进@@的@@小@@尺寸@@@@封装@@技术@@@@，可有效节省功耗及空间@@。

Nexperia扩展用于@@汽车@@以@@太网@@@@的@@@@ESD保护@@解决方案@@产品@@组@@合@@@@

judy — Tue, 22 Feb 2022 02:13:21 +0000

符合@@IEEE 100BASE-T1和@@1000BASE-T1开放技术@@联盟标准@@@@的@@以@@太网@@@@ESD保护@@器件@@@@

基础半导体器件@@领域的@@专家@@Nexperia（安世半导体@@）今日@@宣布@@@@扩展其@@备受赞誉的@@汽车@@以@@太网@@@@@@ESD保护@@器件@@@@产品@@组@@合@@@@。3款@@全新@@ESD保护@@器件@@@@符合@@@@AEC-Q101标准@@以@@及@@@@IEEE 100BASE-T1和@@1000BASE-T1开放技术@@联盟标准@@@@，专用于@@保护@@两条总线线路免受@@ESD和@@其@@他@@瞬变造成的@@损坏@@。

PESD2ETH1GXT-Q、PESD1ETH1GLS-Q和@@PESD1ETH1GXLS-Q均采用@@硅基工艺@@@@，与@@压敏电阻等替代@@@@ESD保护@@解决方案@@相比@@@@@@，具有@@多项优势@@。它们的@@可靠性更高@@@@，改进的@@@@1 pF（最大值@@@@）二极管@@电容可确保信号完整性更高@@@@。这些@@ESD保护@@器件@@@@完全符合@@@@IEEE 100BASE-T1和@@1000BASE-T1开放技术@@联盟测试规范@@，意味着客户无需自@@行@@认证@@@@。在@@测试条件下@@@@@@，它们的@@性能@@@@优于@@@@AEC-Q101认证@@标准@@@@2倍@@，确保可满足车规级质量的@@严苛标准@@@@，并提供@@@@出色的@@可靠性@@。与@@其@@他@@竞争产品@@相比@@@@@@，它们结@@合@@了硅技术@@和@@回弹特性@@@@，可降低@@钳位电压和@@残余电流@@@@。这些@@ESD保护@@器件@@@@提供@@超小@@型有引脚@@@@(SOT23)和@@无引脚@@@@@@(DFN1006BD-2/SOD882BD)封装@@选择@@，可提供@@出色的@@设计@@灵活性@@。无引脚@@@@封装@@具有@@可湿锡焊接侧焊盘@@，可实现自@@动光学检测@@(AOI)，从@@而@@提高@@装配良率@@。

如@@需了解@@新型@@@@PESD2ETH1GXT-Q (SOT23)、PESD1ETH1GLS-Q (SOD882BD)和@@PESD1ETH1GXLS-Q (SOD882BD)汽车@@以@@太网@@@@ESD保护@@器件@@@@，包括@@产品@@规格和@@数据手册@@@@，请访问@@www.nexperia.com/automotive-ethernet-esd-protection

关于@@@@Nexperia

Nexperia推出@@全系列@@低@@电流@@稳压器二极管@@@@

judy — Thu, 27 Jan 2022 06:53:28 +0000

全系列@@产品@@@@涵盖从@@@@1.8V至@@75V的@@各种应用@@@@

基础半导体元器件@@领域的@@高@@产能生产专家@@Nexperia今日@@宣布@@@@推出@@@@@@全系列@@低@@电流@@稳压器二极管@@@@@@。50µA齐纳二极管@@@@系列@@提供@@@@3种不同的@@表@@贴@@(SMD)封装@@选项@@@@，采用@@超小@@型分立式@@扁平无引脚@@@@@@(DFN)封装@@以@@及@@符合@@@@AEC-Q101标准@@的@@器件@@@@@@，为@@客户提供@@了更多选择和@@灵活性@@。这些@@高@@效@@率二极管@@在@@低@@测试电流@@@@(50μA)下@@的@@@@性能@@@@@@，非常适合移动@@、可穿戴@@、汽车@@和@@工业@@应用@@中@@的@@低@@偏置电流@@和@@便携式电池供电设备@@。

Nexperia产品@@经理@@Paula Stümer表@@示@@：“DFN1006BD-2封装@@器件@@配有侧边可湿锡焊盘@@(SWF)，解决了尺寸@@@@、性能@@及耐受性等多方面问题@@，应用@@范围广泛@@，我们提供@@各种采用@@@@DFN技术@@的@@@@50μA齐纳二极管@@@@产品@@组@@合@@@@@@，支持@@1.8V至@@75V的@@宽电压范围@@。这些@@器件@@也可以@@采用@@引脚@@@@SMD封装@@，供客户灵活选择@@。”

每种封装@@选项@@@@都有@@40种新类@@型@@，标称工作电压范围为@@@@@@1.8V至@@75V，该系列@@提供@@@@SOT23 (BZX8450)、SOD323 (BZX38450)和@@SOD523 (BZX58550)超薄型@@表@@贴封装@@@@，以@@及@@无引脚@@@@@@DFN1006BD-2 (BZX8850S)封装@@。齐纳二极管@@@@的@@非重复反向峰值@@功耗@@≤40 W，总功耗@@≤300 mW，动态电阻低@@@@。齐纳二极管@@@@还可提供@@@@Q产品@@组@@合@@，符合@@AEC-Q101和@@ISO/TS16949汽车@@质量标准@@@@@@。越来越多的@@非汽车@@应用@@@@需要额外@@的@@质量相关服务@@，例如@@@@PPAP（生产零件批准过程@@）以@@及@@更长的@@供货计划@@，而@@上述@@Q产品@@组@@合@@器件@@能够满足这些@@需求@@。

DFN紧凑型封装@@尺寸@@@@ (1.0 mm x 0.6 mm x 0.47 mm)，适合替代@@@@PCB上的@@大尺寸@@有引脚@@封装@@@@，可节省@@多达@@60%的@@空间@@。该器件@@配具有@@侧边可湿锡焊盘@@(SWF)，可确保在@@@@PCB上焊接时@@@@，焊料沿芯片@@侧面流动@@。该技术@@支持@@自@@动光学检测@@(AOI)，确保满足汽车@@行@@业的@@高@@安全性和@@可靠性质量要求@@。DFN封装@@齐纳二极管@@@@的@@@@P(tot)值@@较高@@@@，运行@@温度比@@有引脚@@器件@@低@@@@，因此@@可提高@@系统可靠性@@。

Nexperia继@@续在@@开发@@新技术@@和@@提高@@内部产能方面加大投入@@。50µA齐纳二极管@@@@现可提供@@@@样品@@@@@@，并已投入大批量生产@@。有关@@更多信息@@，包括@@产品@@规格和@@数据手册@@@@，请访问@@：www.nexperia.com/50-microA-zener

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