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常关@@D模式@@GaN相比@@常关@@@@E模式@@GaN的@@优势@@

judy — Fri, 08 Sep 2023 03:22:16 +0000

牢固耐用@@@@的@@@@GaN功率半导体@@领先企业阐述其常关@@@@D模式@@平台@@@@设计@@如何利用@@@@GaN的@@固有优势@@，而@@竞争对手@@E模式@@设计@@@@则必须降低@@性能@@@@

牢固耐用@@@@GaN功率半导体@@领域的@@全球领先企业@@Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 宣布发布题为@@The Fundamental Advantages of D-Mode GaN in Cascode Configuration（共源共栅配置@@D模式@@GaN的@@基本优势@@）的@@最新白皮书@@。该白皮书提供@@了有关共源共栅@@（常闭@@）d模式@@GaN平台@@固有优势的@@简要指导@@。重要的@@是@@@@，本文继续解释了@@e模式@@平台@@@@如何要在根本上@@（物理层面@@）削弱一些固有性能@@优势@@，才能@@提供@@常关@@解决方案@@。本白皮书可在此处下载@@：https://bit.ly/wpdmodeganch。

白皮书要点@@

该白皮书介绍了常关@@@@d模式@@GaN平台@@具备的@@几个关键优势@@，包括@@：

1. 实现更高性能@@@@：优异的@@@@TCR (~25%)和@@更低@@的@@动态@@至@@静态导通电阻比@@ (~25%)，从而@@降低@@损耗@@/提高效率@@，并提供@@更优品质因数@@ (FOM)。
2. 轻松保持更高功率运行状态@@：Transphorm d模式@@具有更高的@@饱和@@电流@@，而@@e模式@@必须并联才能@@实现相同的@@电流@@，但这会导致功率密度和@@可靠性@@降低@@@@。
3. 牢固耐用@@@@，易于驱动@@：最耐用@@的@@栅极采用@@硅@@MOSFET SiO2栅极接口@@，不受@@e模式@@的@@@@p栅极限制@@，与硅基驱动器和@@控制器兼容@@。

“宽带隙行业长期以来一直在争论常关@@@@d模式@@GaN或@@e模式@@哪种解决方案更好@@。”Transphorm业务开发和@@营销高级副总裁@@@@Philip Zuk表示@@， “当我们首次@@进入市场时@@@@，我们探索了这两种选择@@，并选择了常关@@@@d模式@@解决方案@@，因为@@这是@@最可靠的@@选择@@，具有最强的@@性能@@和@@广泛的@@驱动器兼容性@@。它还具备全面的@@长期路线图以及@@@@e模式@@反复验证都不具备的@@系统设计@@能@@力@@。本白皮书旨在明确解释我们为何以这种方式设计@@@@GaN，从而@@帮助客户深入了解他们在选择@@GaN器件@@时@@的@@所得所获@@。”

十多年@@来@@，Transphorm凭借最可靠的@@@@GaN平台@@成功引领行业@@，目前现场运行时@@间已超过@@2000亿小时@@@@，支持从低@@功率系统到高功率系统的@@最广泛应用@@@@。公司率先获得@@JEDEC资质@@。率先取得@@AEC-Q101（汽车@@）资格@@。率先发布@@900V平台@@。目前正在开发用@@于@@800 V电动@@汽车@@电池应用@@的@@@@1200 V演示平台@@@@。

Transphorm展示的@@一款四象限开关能@@在微型逆变器和@@双向系统等目标设计@@中将器件@@数量减少两到四个@@。此外@@，这款开关还具备@@5微秒的@@短路承受时@@间@@ (SCCL)，从而@@打开了价值数十亿美元的@@电机控制和@@电动@@汽车@@动力总成应用@@市场@@。

凭借其全面的@@产品@@平台@@@@，该公司@@已经实现了@@从数十瓦到@@7.5千瓦客户产品@@的@@设计@@导入和@@量产@@，其应用@@范围包括@@计算@@（数据中心和@@网@@络电源@@、高性能@@游戏@@、区块链@@、人工智能@@计算@@）、能@@源@@/工业@@（任务关键型@@UPS和@@微型逆变器@@）以及@@消费类适配器@@/快速充电@@器@@（笔记本电脑@@、移动设备@@@@、家用@@电器@@）。该公司@@将这一切归功于其最初为客户提供@@的@@常关@@@@d模式@@设计@@@@。

白皮书概要@@

总体而@@言@@，本白皮书讨论了@@GaN固有的@@物理特点@@。以及@@常关@@@@d模式@@GaN解决方案如何最大限度地发挥这些@@固有优势@@，从而@@创建具有更高可靠性@@@@@@、可设计@@性@@、可驱动性@@、可制造@@性和@@多功能@@性的@@卓越平台@@@@。

具体来说@@，本白皮书探讨了二维电子气通道@@ (2DEG) 的@@作用@@@@，这是@@一种在@@GaN HEMT栈中自发形成的@@自然现象@@。由于所有@@@@GaN平台@@（包括@@e模式@@）的@@核心都是@@常开@@d模式@@平台@@@@，本文将继续研究@@2DEG和@@整个平台@@的@@性能@@如何取决于是@@选择@@d模式@@还是@@@@e模式@@来关闭平台@@@@。

最后纠正有关常关@@@@d模式@@和@@@@e模式@@器件@@性能@@的@@一些误区@@。

白皮书获取方式@@

此白皮书可通过以下链接@@免费下载@@：www.transphormchina.com/document/wp-dmode-gan-advantages。

关于@@ Transphorm

Transphorm, Inc.是@@GaN创新的@@全球领先企业@@，为高电压功率转换应用@@设计@@和@@制造@@高性能@@@@、高可靠性@@@@的@@@@GaN半导体@@。Transphorm拥有庞大的@@功率@@GaN知识产权组合@@，包括@@超过@@1000个自有或@@授权专利@@@@。Transphorm生产了业界首款符合@@@@JEDEC和@@AEC-Q101标准@@的@@高电压@@GaN半导体@@器件@@@@。公司的@@垂直一体化器件@@业务模式@@能@@够实现在设计@@@@、制造@@、器件@@和@@应用@@支持@@@@等每一个开发阶段进行创新@@。Transphorm的@@创新推动电力电子技术突破了硅材料的@@局限@@，实现了@@99%以上的@@效率@@@@，使功率密度提高@@50%，系统成本降低@@@@20%。Transphorm总部位于加州戈莱塔市@@，在戈莱塔和@@日本会津设有制造@@业务@@。若要了解更多信息@@，请访问@@http://www.transphormchina.com。敬请关注我们@@的@@@@Twitter@transphormusa和@@微信@@@ Transphorm_GaN。

Transphorm推出低@@成本的@@@@SuperGaN FET驱动器解决方案@@

judy — Fri, 09 Jun 2023 08:42:21 +0000

Transphorm FET利用@@简单的@@半桥门驱动器实现高达@@99%的@@效率@@，验证了在超过@@一千瓦的@@宽广功率范围内具有成本效益的@@设计@@方案@@

Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是@@全球@@下一代电力系统中的@@@@GaN（氮化镓@@）技术领导者@@，最近推出了一款高性能@@@@、低@@成本的@@驱动器解决方案@@@@。该设计@@方案适用@@于@@LED照明@@、充电@@、微逆变器@@、UPS和@@游戏电脑等低@@到中功率应用@@@@，进一步巩固了公司在@@30亿美元电力市场中对上述领域客户的@@价值定位@@。

与竞争对手需要定制驱动器或@@门保护装置的@@电平转换电路的@@@@e-mode氮化镓@@器件@@解决方案不同@@，Transphorm的@@SuperGaN® FET器件@@因与现成驱动器配对而@@易于驱动@@@@。这一强大能@@力为客户在使用@@@@Transphorm器件@@时@@带来成本优势@@。新定义的@@解决方案采用@@了高速@@、非隔离@@、高压半桥门驱动器@@，进一步降低@@了系统的@@总成本@@，而@@不会影响@@GaN FET器件@@或@@系统性能@@@@。

Transphorm高级副总裁@@、业务拓展和@@市场营销负责人@@Philip Zuk表示@@：“我们的@@通常断开型氮化镓@@平台@@能@@够与知名现成驱动器配合使用@@@@，因此@@更具竞争力@@。能@@够选择驱动器是@@一项重要优势@@。客户可根据不同程度的@@性能@@优势选择驱动器@@，同时@@让电力系统成本更加可控@@。这对价格敏感@@的@@终端市场尤为重要@@。”他继续说道@@：“Transphorm器件@@提供@@的@@是@@更高的@@性能@@@@，即@@能@@够让客户基于所需的@@最终结果构建@@BOM，尽可能@@以更具成本效益的@@方式实现所需性能@@@@。”

Transphorm还推荐了各种其他驱动器@@，这些@@驱动器具有高隔离电压等级@@（控制到输出驱动信号@@）、短传播延迟时@@间@@、快速开关时@@间和@@可编程死区时@@间等优点@@，非常适合高功率应用@@@@。

中低@@功率应用@@@@（如电源适配器@@@@、游戏笔记本电脑@@充电@@器@@、LED照明@@以及@@两轮和@@三轮车充电@@器等@@）对价格敏感@@。这些@@类型产品@@中的@@电源系统通常不需要安全隔离等高级功能@@@@。因此@@，使用@@高级驱动器可能@@会不必要地增加物料清单@@ (BOM) 的@@成本@@。

性能@@分析@@

半桥门驱动器与@@Transphorm的@@PQFN88封装@@650V、72mΩ器件@@ TP65H070LSG型号进行了测试@@，可用@@于桥式拓扑@@，如谐振半桥@@、电压谐振逆变器@@、正弦波逆变器或@@主动钳位反激@@。

测试结果表明@@，在开关频率小于@@等于@@150kHz时@@，无论是@@否使用@@散热器或@@强制风冷@@，低@@成本驱动器解决方案@@均表现良好@@。在某些配置中@@，该解决方案最终实现了@@接近@@99%的@@效率@@。

应用@@笔记获取@@

如需进一步了解上述解决方案@@，请下载题为@@《Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications》（适用@@于中低@@功率@@GaN FET应用@@的@@低@@成本@@、高密度@@、高电压硅驱动器@@）的@@应用@@笔记@@，链接@@：https://bit.ly/3MTfQtB。

关于@@ Transphorm

Transphorm, Inc.是@@氮化镓@@革命的@@全球领导者@@，致力于设计@@@@、制造@@和@@销售用@@于高压电源转换应用@@的@@高性能@@@@、高可靠性@@@@氮化镓@@半导体@@功率@@188足彩外围@@@@app 。Transphorm拥有最庞大的@@功率氮化镓@@知识产权组合@@之一@@，持有或@@取得授权的@@专利@@超过@@1,000多项@@，在业界率先生产经@@JEDEC和@@AEC-Q101认证的@@高压氮化镓@@半导体@@@@188足彩外围@@@@app 。归功于垂直整合的@@商业模式@@@@，公司能@@够在产品@@和@@技术开发的@@每一个阶段进行创新@@，包括@@设计@@@@、制造@@、188足彩外围@@@@app 和@@应用@@支持@@。Transphorm的@@创新使电力电子设备@@突破硅的@@局限性@@，以使效率超过@@99%、将功率密度提高@@50%以及@@将系统成本降低@@@@@@20%。Transphorm的@@总部位于加州戈利塔@@，并在戈利塔和@@日本会津设有制造@@工厂@@。如需了解更多资讯@@，请访问@@www.transphormusa.com。欢迎在@@Twitter：@transphormusa和@@微信@@：@Transphorm_GaN关注我们@@。

Transphorm推出六款可与@@e-mode设备@@实现引脚对引脚@@兼容的@@@@SuperGaN FET产品@@

judy — Thu, 04 May 2023 06:08:15 +0000

Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是@@一家提供@@高可靠性@@@@@@、高性能@@氮化镓@@@@（GaN）功率转换产品@@的@@领军企业和@@全球供应商@@。公司宣布推出六款表面贴装器件@@@@（SMD），采用@@行业标准@@@@PQFN 5x6和@@8x8封装@@。这些@@SMD提供@@Transphorm专利@@SuperGaN® d-mode双开关常闭@@式平台@@所带来的@@可靠性@@和@@性能@@优势@@，并采用@@为竞品@@e-mode GaN器件@@常用@@的@@封装@@配置@@。因此@@，这六款设备@@可在@@e-mode GaN解决方案中轻松用@@作第一设计@@源@@，或@@用@@作引脚对引脚@@兼容的@@插拔式替换@@和@@@@/或@@第二来源@@。

对于需要@@SuperGaN平台@@的@@额外热性能@@的@@电源系统@@，Transphorm另提供@@采用@@经优化@@Performance封装@@的@@@@SMD。无论何种封装@@@@，所有@@Transphorm器件@@都具有易于设计@@和@@驱动@@的@@特点@@，因为@@d-mode配置使用@@的@@是@@与@@GaN HEMT配对的@@低@@电压@@Silicon MOSFET。该平台@@配置还允许使用@@标准@@的@@现成品控制器和@@@@/或@@驱动器@@，进一步提升了@@Transphorm系列产品@@@@的@@卓越驱动性和@@可设计@@性@@@@。

Transphorm业务拓展和@@营销高级副总裁@@@@Philip Zuk表示@@：“Transphorm持续生产强大的@@@@GaN器件@@组合@@，覆盖了当今最广泛的@@功率范围@@。通过推出这些@@行业标准@@封装@@@@，我们进一步巩固了我们的@@低@@功率策略@@，而@@在此前@@，我们刚刚发布了与@@Weltrend半导体@@共同开发的@@@@SiP封装@@。现在客户可以选择如何利用@@@@SuperGaN的@@优势@@，不论是@@通过@@Performance封装@@、引脚对引脚@@e-mode兼容的@@行业标准@@@@封装@@还是@@通过系统级封装@@@@。”

SuperGaN插拔式替换@@的@@优势@@@@

经证明@@，用@@SuperGaN d-mode FET替换@@e-mode器件@@能@@够降低@@传导损耗@@，提供@@更高的@@性能@@和@@更低@@的@@工作温度@@，从而@@实现更长的@@寿命可靠性@@@@。这是@@由于与@@e-mode GaN常闭@@式设备@@相比@@@@，d-mode GaN常闭@@式设备@@从根本上具有内在的@@优势@@@@。最近的@@一次@@直接比较便可为此提供@@证明@@，该测试用@@@@72 mΩ SuperGaN技术替换@@了@@280W游戏笔记本电脑@@充电@@器@@的@@@@50 mΩ e-mode设备@@：https://bit.ly/diraztbISP。

在充电@@器分析中@@，SuperGaN FET可以在控制器的@@输出电压范围内工作@@（而@@e-mode需要电平转换@@），且温度更低@@@@。SuperGaN的@@电阻温度系数@@（TCR）约比@@e-mode低@@ 25%，有助于降低@@传导损耗@@。此外@@，外围@@188足彩外围@@@@app 数量减少了@@20%，表明原材料成本也更低@@@@。

行业标准@@的@@@@SMD系列产品@@@@

Transphorm的@@行业标准@@@@PQFN设备@@清单如下@@：

这些@@设备@@共享的@@主要特点包括@@@@：

符合@@JEDEC标准@@

动态@@RDS(on)eff生产测试@@

市场领先的@@稳健设计@@@@，宽栅极安全裕度@@，瞬态过电压能@@力@@

极低@@的@@逆向恢复电荷@@

减少交叉损耗@@

目标应用@@@@

72 mΩ FET的@@优化设计@@适用@@于数据通信@@、广泛的@@工业@@@@、光伏逆变器@@、伺服电机@@、计算系统和@@普通消费类应用@@@@。

150、240和@@480 mΩ FET的@@优化设计@@适用@@于功率适配器@@、低@@功率开关电源@@、照明@@和@@低@@功率消费类应用@@@@。

供货情况@@

所有@@行业标准@@设备@@目前提供@@样品@@，可以在此处申请@@：https://www.transphormusa.com/en/products/#sampling 。

关于@@Transphorm

Transphorm, Inc.是@@全球@@GaN革命的@@领导者@@，为高电压功率转换应用@@设计@@和@@制造@@高性能@@@@、高可靠性@@@@的@@@@GaN半导体@@。Transphorm拥有庞大的@@功率@@GaN知识产权组合@@，包括@@超过@@1000个自有或@@授权专利@@@@，生产了业界首款符合@@@@JEDEC和@@AEC-Q101标准@@的@@高电压@@GaN半导体@@器件@@@@制造@@商@@。公司的@@垂直一体化器件@@商业模式@@利于每一个开发阶段的@@创新@@，包括@@设计@@@@、制造@@、器件@@和@@应用@@支持@@@@。Transphorm的@@创新推动电力电子技术突破了硅材料的@@局限@@，实现了@@99%以上的@@效率@@@@，使功率密度提高@@50%，系统成本降低@@@@20%。Transphorm总部位于加州戈莱塔市@@，在戈莱塔和@@日本会津设有制造@@业务@@。欲了解更多信息@@，请访问@@www.transphormusa.com。敬请关注我们@@的@@@@Twitter@transphormusa和@@微信@@@ Transphorm_GaN。

Transphorm的@@快速充电@@器@@和@@电源适配器@@用@@@@GaN器件@@2021年@@12月出货量突破@@@@100万大关@@

judy — Fri, 14 Jan 2022 08:28:13 +0000

展现了该公司@@强大的@@产能@@实力和@@在高功率多千瓦产品@@领域的@@持续领先地位@@

Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布@@，该公司@@2021年@@12月份的@@@@SuperGaN® Gen IV场效应晶体管@@(FET)出货量突破@@100万大关@@。这一里程碑进一步证实了该公司@@之前宣称的@@大规模量产合格封装@@器件@@的@@实力@@@@，同时@@其市场份额正在不断增长@@。这也意味着该公司@@@@2021日历年@@度下半年@@出货量是@@@@2021日历年@@度上半年@@的@@@@3倍以上@@。值得一提的@@是@@@@，这也突显了@@Transphorm持续的@@生态系统扩张@@，出货的@@@@FET将用@@于亚太区新老客户生产的@@@@45W至@@300W电源适配器@@和@@快速充电@@器@@应用@@@@。

Transphorm用@@于紧凑型功率转换应用@@的@@@@SuperGaN产品@@系列目前包括@@三款@@650V器件@@：480 mΩ FET、300 mΩ FET以及@@150 mΩ FET。这些@@器件@@采用@@标准@@的@@@@PQFN 5x6和@@8x8封装@@，并可在@@150°C下满足@@JEDEC认证标准@@@@。

与竞品@@GaN半导体@@（即@@e-mode和@@IC GaN）相比@@，SuperGaN器件@@的@@主要优势包括@@@@：

更小的@@裸片尺寸@@，更优越的@@性能@@@@：数据显示@@，与低@@通阻器件@@相比@@@@，SuperGaN平台@@可提供@@更高的@@效率@@@@。

易于设计@@和@@驱动@@：SuperGaN平台@@的@@专利@@架构包括@@一个具有通用@@接口的@@集成硅@@FET，不需要过多的@@外围@@电路@@。这个接口允许使用@@流行的@@@@、现成的@@带有集成驱动的@@控制器@@；能@@

一流的@@质量@@+可靠性@@：基于超过@@300亿小时@@@@的@@运行@@，实用@@中的@@@@Transphorm器件@@FIT（失效率@@）小于@@0.3；这意味着从统计上来看@@，在超过@@10亿小时@@@@的@@运行@@时@@间内@@，失效次@@数少于@@0.3次@@。

Transphorm总裁兼联合创始人@@Primit Parikh表示@@：“我们很高兴能@@与我们的@@供应商和@@客户合作@@，实现每月@@100万的@@量产目标@@。这表明我们在快速增长的@@快速充电@@器@@和@@电源适配器@@领域正在赢得不断增长的@@市场份额@@，也证明了我们大规模生产高性能@@@@、高可靠性@@@@GaN器件@@的@@实力@@。Transphorm在低@@功率和@@多千瓦高功率应用@@方面都极具吸引力@@，突显了我们技术的@@领先地位@@。我们的@@实力@@，再加上前一季度获得的@@超过@@4500万美元的@@融资@@，为我们在@@2022年@@继续扩张和@@增长提供@@了一个强劲的@@积极势头@@。”

Transphorm完整的@@产品@@组合目前包括@@各种封装@@的@@@@@@650V和@@900V器件@@。此产品@@组合的@@技术优势在很大程度上得益于该公司@@的@@垂直整合能@@力@@。这种运营模式@@在@@GaN半导体@@行业并不常见@@，但能@@助力@@Transphorm掌控其器件@@的@@设计@@@@、外延晶片@@（原始材料@@）和@@制造@@流程@@。因此@@，Transphorm目前能@@够在广泛的@@电源应用@@领域@@（电源适配器@@、数据中心和@@游戏@@PSU、加密货币矿机@@、汽车@@变流器@@、可再生能@@源@@逆变器等@@）满足广泛的@@功率转换需求@@（45W至@@10+ kW）。

关于@@Transphorm

Transphorm, Inc.是@@氮化镓@@革命的@@全球领导者@@，致力于设计@@@@、制造@@和@@销售用@@于高压电源转换应用@@的@@高性能@@@@、高可靠性@@@@的@@@@氮化镓@@半导体@@功率器件@@@@。Transphorm拥有最庞大的@@功率氮化镓@@知识产权组合@@之一@@，持有或@@取得授权的@@专利@@超过@@1,000多项@@，在业界率先生产经@@JEDEC和@@AEC-Q101认证的@@高压氮化镓@@半导体@@@@器件@@@@。得益于垂直整合的@@业务模式@@@@，该公司@@能@@够在产品@@和@@技术开发的@@每一个阶段进行创新@@@@：设计@@、制造@@、器件@@和@@应用@@支持@@@@。Transphorm的@@创新正在使电力电子设备@@突破硅的@@局限性@@，以使效率超过@@99%、将功率密度提高@@40%以及@@将系统成本降低@@@@@@20%。Transphorm的@@总部位于加州戈利塔@@，并在戈利塔和@@日本会津设有制造@@工厂@@。如需了解更多信息@@，请访问@@www.transphormusa.com。欢迎在@@Twitter @transphormusa和@@在微信@@@Transphorm_GaN上关注我们@@@@。