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常见三相@@@@PFC结构的@@优缺点分析@@，一文@@get√

judy — Tue, 02 Jan 2024 07:44:32 +0000

为@@了满足应用@@的@@要求@@，为@@PFC选择的@@拓扑结构是一个重要考虑因素@@，它们将@@决定整体的@@解决方案@@和@@性能@@。此外@@，并非所有@@拓扑结构都可以满足所有@@要求@@，就@@像@@并非所有@@拓扑结构都支持三电平开关@@或@@双向@@性@@。之前我们介绍过三相@@功率因数校正系统的@@优点和@@设计@@三相@@@@PFC时的@@注意事项@@，本文将@@介绍一些常见的@@三相@@拓扑@@结构并讨论它们的@@优缺点@@。

Vienna整流器@@（三开关@@升压@@@@）
在@@深入研究@@Vienna整流器@@的@@技术细节和@@特征之前@@，有@@必要了解一下@@它的@@历史@@，但更重要的@@是@@，我们要就@@所讨论的@@内容达成共识@@。Vienna整流器@@是一种脉宽调制整流器@@@@，由@@ Johann W. Kolar于@@1993年发明@@。在@@Kolar发明它之前@@，人们使用@@每相单相@@@@（带或@@不带中性线@@）和@@负载共享来平衡相电流@@。如今@@，“Vienna”一词通常主要指三相@@@@AC/DC转换器@@，但有@@时也指@@DC/AC或@@逆变器@@。例如@@，中性点钳位@@ (NPC) 和@@T−NPC三电平拓扑结构有@@时被称为@@@@“Vienna”，即@@使作为@@逆变器工作时也是如此@@。在@@讨论所谓的@@@@“Vienna”转换器@@时@@，建议确定是哪一种@@“Vienna”。

关于@@@@“Vienna”整流器@@的@@特性@@，它是一种三相@@连接升压@@@@PFC，如图@@@@7所示@@。单相@@升压@@@@PFC由@@电感@@、开关@@器件@@和@@整流二极管@@@@组成@@@@。在@@三电平结构中@@，每个半波或@@每个母线电压@@（不包括中间的@@公共接地@@）都有@@一个@@“升压@@”整流二极管@@@@ (DxBy)。然后@@，有@@一个双向@@开关@@@@，由@@一个全波二极管@@整流桥@@@@（DxPy和@@DxZy）和@@其中的@@单向开关@@@@ (Qx)组成@@。我们得到如下@@原理图@@@@@@。

图@@7. Vienna PFC原理图@@@@

开关@@Qx的@@额定电压为@@@@@@600V或@@650V。所有@@二极管@@@@的@@额定电压也可以为@@@@@@600V。这将@@有@@助于@@减少损耗@@@@，因为@@不需要额定电压为@@@@@@1200V的@@器件@@@@。另一方面@@，二极管@@损耗@@很重要@@。电流路径@@中始终有@@两个串联@@的@@高频二极管@@@@。对于@@@@这些二极管@@@@，始终要在@@压降和@@反向@@恢复之间进行折衷@@。

对于@@@@PWM，它非常简单@@，因为@@每相只有@@一个开关@@@@@@。在@@反向@@@@Clark和@@Park帕克反向@@变换之后@@，调制直接应用@@于@@开关@@@@。但是@@，根据输入的@@正弦波方向@@，电流路径@@会发生变化@@。根据输入电压符号和@@@@/或@@电流方向@@/流动@@，二极管@@整流桥@@和@@@@“升压@@”二极管@@“自动@@”参与@@电流路径@@@@。这在@@图@@@@8中得到了很好的@@说明@@。

图@@8.Vienna升压@@PFC电流路径@@（用于@@存储和@@释放@@能量模式@@）和@@相电压@@

如前所述@@，由@@于@@@@电流分别从一相或@@两相流向其余两相或@@一相@@，因此@@上图@@仅画出一条支路@@（或@@一相原理图@@@@@@）。根据运行的@@扇区@@，可以使用@@上述方案导出每个相@@（U、V 或@@ W）的@@两种模式@@（相电压先将@@能量存储在@@升压@@电感器@@中@@，然后@@将@@能量释放到输出电容@@）。

这种@@拓扑结构的@@主要优点是每相使用@@一个开关@@@@@@。即@@使原理图@@@@看起来因所涉及@@的@@二极管@@数量而变得更加复杂@@，但它能使控制变得更加容易@@。该拓扑结构的@@成本@@也很低@@@@，因为@@开关@@数量非常少@@。该拓扑结构是单向的@@@@。

这种@@拓扑结构的@@一个主要缺点是二极管@@数量多@@。电流路径@@中始终有@@两个二极管@@@@，这会影响效率@@。所有@@驱动器都是@@浮地的@@@@，需要特定的@@浮动电源@@。

开关@@的@@选择可以根据功率级@@别@@，采用@@ 超结@@MOSFET或@@ IGBT。对于@@@@更高频率的@@操作和@@@@/或@@更小的@@尺寸@@@@，也可以使用@@@@SiC MOSFET。对于@@@@二极管@@@@，建议使用@@硅@@STEALTH™ 2 或@@SiC二极管@@。

T−NPC升压@@
不同于@@@@“Vienna整流器@@（三开关@@升压@@@@）”部分介绍的@@原版@@“Vienna”，T型@@中性点箝位@@ (T−NPC) 以不同方式实现双向@@开关@@@@。T-NPC不是使用@@整流桥@@将@@单向开关@@转换为@@双向@@开关@@@@，而是使用@@背靠背开关@@配置@@@@，如图@@@@9所示@@。当开关@@未导通且电流与@@此开关@@的@@正常开关@@电流相比@@@@以@@“反向@@”方向流动@@时@@，也可以从体二极管@@导通@@。像@@IGBT这样的@@双极器件@@就@@是这种@@情况@@。使用@@MOSFET等单极器件@@@@，如果需要@@，可以打开开关@@以减少导通损耗@@@@。

图@@9.T−NPC升压@@PFC原理图@@@@

开关@@Qxy的@@额定电压为@@@@@@600V或@@650V。二极管@@DxBy额定电压为@@@@1200V。188足彩外围@@app 数量比@@原来的@@@@Vienna PFC少得多@@。导通损耗@@要低@@得多@@，因为@@一次只有@@一个二极管@@串联@@在@@电流回路中@@。但是@@，由@@于@@@@“升压@@”二极管@@是@@1200V器件@@，开关@@损耗@@略大于@@@@600V二极管@@。由@@于@@@@二极管@@少得多@@@@，因此@@很难预测哪种拓扑结构具有@@最佳效率@@。实际上@@，由@@于@@@@二极管@@数量较少@@，这种@@T−NPC拓扑结构具有@@更好的@@效率@@。图@@10突出显示了其中一相的@@电流路径@@@@。

图@@10.T−NPC升压@@PFC电流路径@@（用于@@存储和@@释放@@能量模式@@）和@@相电压@@

同样的@@反馈方法可以在@@这里与@@@@Clark和@@Park帕克直接和@@反向@@变换使用@@@@，以获得@@PWM信号@@。

由@@于@@@@两个背靠背开关@@共享相同的@@发射极或@@源极引脚节点@@，因此@@驱动器可以直接在@@控制环路之外使用@@相同的@@@@PWM信号@@驱动两个背靠背开关@@@@。否则@@@@，根据正弦波符号@@（正或@@负@@），需要驱动相应的@@开关@@@@。在@@这种@@情况下@@@@，有@@6个开关@@@@要驱动@@。这使得驱动正确开关@@的@@@@PWM解码方案稍微复杂一些@@@@。

在@@这两种情况下@@@@，驱动器都需要像@@原版@@Vienna那样是浮地的@@@@。

这种@@拓扑结构的@@一个优点是有@@源@@188足彩外围@@app 要少得多@@@@。对于@@@@原版@@Vienna，每相有@@@@6个有@@源@@188足彩外围@@app 。如果我们将@@体二极管@@视为@@开关@@的@@一部分@@，则@@T−NPC中每相只有@@@@4个有@@源@@188足彩外围@@app 。另一个优势是较低@@的@@导通损耗@@@@，使这种@@拓扑结构更适合更高的@@功率@@。

T−NPC的@@主要缺点是需要@@1200V二极管@@。这可能会抵消较低@@的@@导通损耗@@带来的@@效率增益@@，并可能影响总体成本@@@@。

T−NPC结构也用作逆变器@@。在@@这种@@情况下@@@@，“升压@@”二极管@@被开关@@取代@@@@，如图@@@@11所示@@。与@@PFC相比@@@@，输出方向是相反的@@@@。这样全部开关@@器件@@都是@@可双向@@工作的@@@@T-NPC拓扑就@@可以做到双向@@功率传输@@，由@@控制回路定义传输方向@@。

图@@11.双向@@T−NPC升压@@PFC原理图@@@@

NPC和@@A−NPC升压@@
双向@@开关@@的@@实现方案再次发生变化@@。NPC拓扑结构使用@@两个开关@@@@@@，分别用于@@每个@@（正或@@负@@）正弦波半周@@期@@。二极管@@桥@@现在@@是一个混合桥@@@@，结合了二极管@@和@@开关@@管@@，如图@@@@12所示@@。两个前端二极管@@用作一种@@“变速箱@@”，用于@@切换正相或@@负相周@@期@@。然后@@，连接到输出端的@@二极管@@和@@接地的@@开关@@管用作升压@@开关@@单元@@。这是显而易见的@@@@，因为@@此处描述的@@所有@@拓扑结构@@（Vienna、T-NPC和@@NPC）都在@@升压@@模式下@@运行@@。

图@@12.NPC升压@@PFC原理图@@@@

开关@@Qxy的@@额定电压为@@@@@@600V或@@650V。所有@@二极管@@@@（DxBy和@@DxPy）的@@额定电压也可以为@@@@600V或@@650V。这将@@有@@助于@@减少损耗@@@@，因为@@不需要额定电压为@@@@@@1200V的@@器件@@@@。另一方面@@，在@@电流路径@@中总是有@@两个组件@@ {即@@1个二极管@@与@@@@（1个二极管@@或@@@@1个开关@@@@）} 串联@@。这种@@NPC拓扑结构比@@@@T-NPC具有@@更高的@@导通损耗@@@@。

同样的@@反馈方法可以在@@这里与@@@@Clark和@@Park帕克直接和@@反向@@变换使用@@@@，以获得@@PWM信号@@。

这里的@@@@3个开关@@@@是浮地的@@@@，需要浮地的@@栅极驱动@@。其他@@3个开关@@@@接地@@，它们不需要浮地驱动器@@。这可以视为@@一种优势@@，但这种@@优势可能被两个原因影响@@。首先@@，根据功率水平@@，可能需要开尔文引脚到开关@@节点来驱动开关@@并提高@@效@@率@@@@。其次@@，为@@避免电流谐波@@，要求正负正弦波相位对称运行@@。这意味着浮动和@@接地栅极驱动信号@@应具有@@相同的@@延迟@@。因此@@，出于@@这个原因@@，浮动开关@@和@@接地开关@@通常使用@@相同的@@驱动原理图@@@@@@。

根据正弦波极性@@（正或@@负@@），需要驱动相应的@@开关@@@@。这使得驱动正确开关@@的@@@@PWM解码方案比@@三开关@@@@Vienna稍微复杂一些@@。此拓扑结构的@@电流路径@@如图@@@@@@13所示@@。

图@@13.Vienna升压@@PFC电流路径@@（用于@@存储和@@释放@@能量模式@@）和@@相电压@@

由@@于@@@@没有@@@@1200V二极管@@，这种@@拓扑结构在@@损耗@@方面具有@@明显优势@@，与@@原版@@ Vienna 相比@@@@，组件更少@@。驱动器配对和@@延迟匹配很关键@@，可以看作是一个缺点@@。

在@@这种@@结构中@@，用开关@@代@@替二极管@@也使拓扑结构成为@@双向@@的@@@@，如图@@@@14所示@@。这种@@结构称为@@@@A−NPC（有@@源中性点钳位@@@@）。

图@@14.双向@@NPC升压@@PFC原理图@@@@，也称为@@@@A-NPC升压@@PFC

半桥@@@@PFC升压@@
6-switch、6-Pack，或@@称三相@@半桥@@@@逆变被广泛用于@@驱动电机@@@@，尤其是@@ BLDC 电机@@。当电机@@制动时@@，能量从电机@@的@@旋转中拉出并存储在@@总线电容器中@@。逆变器以反向@@模式工作@@，为@@电机@@轴提供动力@@。它与@@@@PFC的@@功率流相同@@。电源从三相@@电源流向直流母线@@。在@@这种@@断路运行模式下@@@@，电机@@电感器@@用作@@“升压@@”电感器@@。这种@@电机@@制动模式与@@@@PFC模式的@@区别在@@于@@控制回路给出的@@控制策略@@。因此@@，6-switch PFC与@@反向@@模式下@@的@@电机@@逆变器原理图@@@@相同@@（其中负载是源@@，反之亦然@@）。如图@@@@15所示@@，它是最简单的@@拓扑结构@@。所有@@开关@@@@ (Qxy) 都是@@1200V器件@@。在@@任何时候@@，功率流中每相只有@@@@一个开关@@@@@@。这是一种效率上的@@优势@@，可以弥补额定为@@@@1200V的@@器件@@@@的@@不足@@。它也是一个@@ 两电平拓扑结构@@。所以@@，调制是直接的@@@@。如今@@，一些额定电压为@@@@@@900V的@@器件@@@@也可用于@@此拓扑结构@@。那些@@ 900 V 器件@@的@@性能优于@@@@1200V器件@@。这有@@助于@@减少@@650V以上的@@开关@@器件@@的@@缺点@@。

图@@15.双向@@三相@@半桥@@@@两电平升压@@@@PFC

由@@于@@@@我们有@@@@3个接地的@@半桥@@@@@@，使用@@半桥@@@@驱动器构建驱动器要容易得多@@，并且可以使用@@自举等技术来创建浮动电源@@。这使用@@众所周@@知且广泛使用@@@@（在@@电机@@控制应用@@中@@）的@@技术简化了原理图@@@@@@。为@@了更好地理解@@，图@@16显示了返回和@@正向路径@@。由@@于@@@@没有@@@@中间点@@（因为@@它是两电平拓扑结构@@@@），电流路径@@在@@这种@@情况下@@@@不是很明显@@。

图@@16.用于@@存储和@@释放@@（升压@@）能量模式和@@@@相电压@@的@@三相@@半桥@@@@升压@@@@ PFC 电流路径@@

可提供用于@@电机@@驱动的@@功率模块@@，也可用于@@超高功率应用@@的@@@@ PFC 应用@@。此拓扑结构本质上是完全双向@@的@@@@。如本文开头所述@@，主要缺点主要是与@@两电平拓扑结构@@的@@客观优缺点有@@关@@@@。

并联@@单相@@带中性线@@
相比@@@@于@@使用@@具有@@复杂控制@@（通常需要数字控制器@@@@）的@@专用三相@@拓扑@@结构@@，一种更简单的@@替代@@方法是使用@@三个具有@@中性线连接的@@单相@@@@PFC，如图@@@@17所示@@。在@@此配置@@中@@，如果系统不平衡@@，中性线是必不可少的@@@@，即@@使三个单相@@@@@@PFC连接到负载分配控制以在@@三相@@之间平均分配功率也是如此@@。

图@@17.三相@@PFC使用@@3个单相@@@@PFC并联@@

由@@于@@@@单相@@@@PFC非常流行@@，以这种@@方式使用@@似乎更容易@@。有@@人认为@@三个独立转换器@@的@@优势体现在@@发生故障的@@时候@@：即@@使一个失效@@，仍有@@两个可用@@。如果故障不扰乱电网@@@@，那确实如此@@。例如@@，如果输入级@@出现短路故障@@，并且这种@@短路会在@@保险丝熔断之前以某种方式传输到电网@@@@。如果它扰乱了电网@@并且中性点在@@此故障期间发生了变化@@，则@@可以向剩余的@@@@@@PFC施加完整的@@相间电压@@。为@@避免失效@@，剩余的@@@@PFC将@@不得不维持此瞬态电压@@，这会增加@@PFC损耗@@、尺寸@@和@@成本@@@@。

这种@@结构的@@优点是设计@@起来简单得多@@，因为@@单相@@@@PFC被广泛使用@@@@。但是@@，由@@于@@@@需要使用@@中性线@@，使得配电网@@络更加昂贵并且不是最优的@@@@。此外@@，单相@@PFC无法处理几千瓦以上的@@功率@@。若要处理更高的@@功率@@，需要并联@@@@。

三相@@拓扑@@结构总结@@
表@@1总结了每种拓扑结构在@@前面讨论的@@设计@@标准@@方面的@@优缺点@@。

表@@ 1.本文中讨论的@@通用拓扑结构的@@优缺点总结@@

结论@@
三相@@PFC系统很复杂@@，有@@多种可能的@@设计@@来满足相同的@@电气要求@@，需要考虑的@@范围很广@@，需要权衡取舍@@。要为@@每个应用@@找到最佳解决方案@@并非易事@@，需要系统层面和@@组件层面的@@系统专业知识@@。

安森美@@ (onsemi) 能为@@您的@@三相@@电源开发@@助力@@，创造更多价值@@。我们的@@应用@@笔记@@、评估板@@、仿真模型@@和@@专家应用@@团队可助您深入了解三相@@@@PFC 。我们支持开发@@人员根据应用@@要求选择合适的@@拓扑结构@@，并为@@每种情况找到最佳组件@@。

本文转载自@@：安森美@@

Nexperia与@@KYOCERA AVX Salzburg合作为@@功率应用@@生产@@650 V碳化硅@@整流二极管@@@@模块@@

judy — Mon, 06 Nov 2023 09:35:45 +0000

双方就@@@@SiC模块的@@合作进一步提升了模块紧凑度和@@功率密度@@

基础半导体器件@@领域的@@高产能生产专家@@Nexperia今日宣布@@与@@国际著名的@@先进电子器件@@供应商@@KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系@@，共同生产新的@@@@650 V、20 A碳化硅@@（SiC）整流器@@模块@@，适用于@@@@3 kW至@@11 kW功率堆栈设计@@的@@高频电源应用@@@@，以满足工业@@电源@@、EV充电站和@@板载充电器@@等应用@@的@@需要@@。此次发布将@@进一步加深双方长期以来保持的@@紧密合作关系@@。

制造商对下@@一代@@功率应用@@的@@关键需求是节省@@空间@@和@@减轻重量@@。这款新型@@@@的@@@@SiC整流二极管@@@@模块尺寸@@小巧@@，减少了在@@电路板上需要的@@空间@@@@，有@@助于@@尽可能提高@@功率密度@@，降低@@总体系统成本@@@@。通过@@结合使用@@顶部散热@@(TSC)和@@负温度系数@@(NTC)传感器@@优化了热性能@@，NTC会监控器件@@温度@@，并为@@设备或@@系统级@@预测和@@诊断提供实时反馈@@。该整流二极管@@@@模块采用@@低@@电感封装@@@@，以实现高频操作@@，并且经过验证@@，可以在@@高达@@175℃的@@结温下@@工作@@。

Nexperia SiC产品部高级@@总监@@Katrin Feurle表@@示@@：“Nexperia和@@KYOCERA AVX在@@此次合作中@@，将@@顶尖的@@碳化硅@@半导体与@@一流的@@模块封装@@技术相结合@@，将@@使@@Nexperia能够更好地满足市场对极高功率密度的@@电力电子产品的@@需求@@。这款整流二极管@@@@模块的@@发布是@@Nexperia与@@KYOCERA AVX就@@SiC达成长期合作迈出的@@第一步@@。”

KYOCERA AVX Components传感与@@控制部门副总裁@@Thomas Rinschede表@@示@@：“我们很高兴进一步深化与@@@@Nexperia成功的@@合作关系@@，携手为@@功率电子应用@@生产碳化硅@@模块@@。Nexperia在@@制造方面的@@专业技术加上@@KYOCERA在@@模块方面的@@专业知识@@，为@@寻求更高功率密度并想要使用@@宽禁带半导体技术的@@客户带来了无法抗拒的@@产品@@。”

Nexperia预计将@@于@@@@2024年第一季度提供新款@@@@SiC整流二极管@@@@模块的@@样品@@。
欲了解有@@关@@@@Nexperia SiC二极管@@产品的@@更多信息@@，请访问@@：www.nexperia.cn/sic_diodes。
有@@关@@SiC整流二极管@@@@模块的@@更多信息@@，请联系您的@@@@Nexperia或@@Kyocera AVX销售代@@表@@@@。

关于@@@@Nexperia

Nexperia总部位于@@荷兰@@，是一家在@@欧洲拥有@@丰富悠久发展历史的@@全球性半导体公司@@@@，目前在@@欧洲@@、亚洲和@@美国共有@@@@15,000多名员工@@。作为@@基础半导体器件@@开发@@和@@生产的@@领跑者@@，Nexperia的@@器件@@@@被广泛应用@@于@@汽车@@@@、工业@@、移动和@@消费@@等多个应用@@领域@@，几乎为@@世界上所有@@电子设计@@的@@基本功能提供支持@@。

Nexperia为@@全球客户提供服务@@，每年的@@产品出货量超过@@1,000亿件@@。这些产品在@@效率@@（如工艺@@、尺寸@@、功率及@@性能@@）方面成为@@行业基准@@，获得广泛认可@@。Nexperia拥有@@丰富的@@@@IP产品组合和@@持续扩充的@@产品范围@@，并获得了@@IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和@@ISO 45001标准@@认证@@@@，充分体现了公司@@对于@@@@创新@@、高效@@、可持续发展和@@满足行业严苛要求的@@坚定承诺@@。

KYOCERA AVX简介@@

KYOCERA AVX是全球领先的@@先进电子器件@@制造商@@，旨在@@加速技术创新@@，打造更美好的@@未来@@。作为@@以共享资源和@@技术专业知识为@@宗旨的@@@@KYOCERA Corporation的@@全资子公司@@@@，KYOCERA AVX在@@全球超过@@15个国家或@@地区拥有@@数十家研发和@@制造工厂@@，汇聚了产品创新@@、器件@@质量@@、客户服务等各领域的@@出色人才@@，旨在@@通过@@科技创造更美好的@@未来@@。KYOCERA AVX设计@@、开发@@、制造并供应技术先进的@@电容器@@、天线@@、互连产品@@、电路保护和@@计时装置@@、传感器@@、控制器@@、滤波器@@、熔断器@@、二极管@@、电阻器@@、耦合器和@@电感器@@@@，并针对国际@@5G、物联网@@@@、航空航天@@、汽车@@、消费@@电子@@、工业@@、医疗和@@军事市场进行了优化@@。

Vishay推出@@业内先进的@@标准@@整流器@@与@@@@TVS二合一解决方案@@@@

judy — Thu, 17 Aug 2023 02:09:19 +0000

节省@@空间@@型@@器件@@采用@@小型@@@@FlatPAK 5 x 6封装@@，内置@@3 A，600 V标准@@整流器@@和@@@@200 W TRANSZORB® TVS

日前@@，威世科技@@Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代@@号@@：VSH）宣布@@，推出@@业内先进的@@标准@@整流器@@与@@@@瞬变电压抑制器@@（TVS）二合一器件@@@@---R3T2FPHM3，为@@汽车@@应用@@提供新型@@@@表@@面贴装解决方案@@@@。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用@@氧化物平面芯片结设计@@和@@共阴极电路配置@@@@，将@@3 A，600 V标准@@整流器@@和@@@@200 W TRANSZORB® TVS组合在@@小型@@@@FlatPAK 5 x 6封装@@中@@。

日前@@发布的@@@@器件@@工作温度@@@@ -55 °C 至@@ +175 °C，适用于@@@@各种高可靠性汽车@@应用@@@@，包括传感器@@单元的@@二级@@保护@@、分布式气囊@@模块@@、功率分配器下@@的@@低@@功率@@DC/DC转换器@@。双片解决方案@@在@@单一封装@@中@@组合两种不同的@@技术@@，节省@@PCB空间@@，简化布局@@，并降低@@这些应用@@的@@总体成本@@@@。与@@标准@@@@TVS串联@@，R3T2FPHM3为@@设计@@师提供完整的@@低@@钳位电压比@@@@ > 24 V解决方案@@。

二合一器件@@@@的@@整流器@@正向压降低@@至@@@@@@0.86 V，有@@助于@@减少功率损耗@@并提高@@效@@率@@@@，TVS的@@击穿电压为@@@@27 V。R3T2FPHM3的@@ESD能力符合@@IEC 61000-4-2标准@@（空气放电和@@接触放电模式@@）；MSL湿度敏感度等级@@达到@@@@J-STD-020规定的@@@@1级@@，LF最大峰值为@@@@260 °C；模塑耐火等级@@达到@@@@UL 94 V-0。器件@@符合@@RoHS标准@@，无卤素@@，通过@@AEC-Q101认证@@。

R3T2FPHM3现可提供样品并已实现量产@@，供货周@@期为@@@@12周@@。

VISHAY简介@@
Vishay 是全球最大的@@分立半导体和@@无源电子@@188足彩外围@@app 系列@@产品制造商之一@@，这些产品对于@@@@汽车@@@@、工业@@、计算@@、消费@@、通信@@、国防@@、航空航天@@和@@医疗市场的@@创新设计@@至@@关重要@@。服务于@@全球客户@@，Vishay承载着科技基因@@——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc. 是在@@纽约证券交易所上市@@（VSH）的@@“财富@@1,000 强企业@@”。有@@关@@Vishay的@@详细信息@@，敬请浏览网@@站@@ www.vishay.com。

Vishay推出@@额定电流@@高达@@7 A的@@新款@@@@60 V、100 V和@@150 V TMBS®整流器@@

judy — Thu, 06 Jul 2023 01:51:21 +0000

器件@@厚度仅为@@@@0.88 mm，有@@效节省@@空间@@@@，采用@@易于@@吸附焊锡的@@侧边焊盘@@封装@@@@，可改善热性能并提高@@效@@率@@@@

日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代@@号@@：VSH）宣布@@，推出@@五款新系列@@@@60 V、100 V和@@150 V表@@面贴装沟槽式@@MOS势垒肖特基@@（TMBS®）整流器@@---VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和@@VxNM153，这些器件@@采用@@薄型@@易于@@吸附焊锡的@@侧边焊盘@@@@DFN3820A封装@@。VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和@@VxNM153额定电流@@7 A，达到@@业界先进水平@@，电流密度比@@传统@@@@SMA（DO-214AC）封装@@器件@@@@高@@50 %，比@@SMF（DO-219AB）封装@@器件@@@@高@@12 %，为@@商业@@、工业@@、能源和@@车载应用@@提供节省@@空间@@的@@高效@@解决方案@@@@，每种产品都有@@@@汽车@@级@@@@@@AEC-Q101认证@@版本@@。

日前@@发布的@@@@Vishay General Semiconductor整流器@@首度采用@@@@Vishay新型@@@@Power DFN系列@@DFN3820A封装@@，占位面积@@@@3.8 mm x 2.0 mm，典型@@@@厚度仅为@@@@0.88 mm，可以更加有@@效地利用@@PCB空间@@。与@@传统@@@@SMB （DO-214AA）、传统@@SMA（DO-0214AC）和@@ SOD128封装@@相比@@@@@@，封装@@尺寸@@分别减小@@60 %、44 %、35 %。同时@@，器件@@经过优化的@@铜材设计@@和@@先进的@@芯片贴装技术可实现优异热性能@@，并可在@@更高额定电流@@下@@运行@@。整流器@@额定电流@@等于@@或@@高于@@@@SMA（DO-214AC）、SMB（DO-214AA）和@@SOD128封装@@器件@@@@。

器件@@适用于@@@@低@@压高频逆变器@@、DC/DC转换器@@、续流二极管@@@@、缓冲电路@@、极性保护@@、反向@@电流阻断和@@@@LED背光@@。典型@@@@车载应用@@包括电动@@车@@（EV）和@@混合动力汽车@@@@@@（HEC）气囊@@、电机@@和@@燃油泵电控系统@@；高级@@驾驶辅助系统@@（ADAS）、激光雷达@@、摄像@@头@@系统@@；以及@@@@48 V电源系统@@、充电器@@、电池管理系统@@（BMS）。此外@@，整流器@@可提高@@发电@@、配电和@@储电@@；工业@@自动@@化设备和@@工具@@；消费@@电子@@和@@电器@@；笔记本电脑和@@台式机@@；以及@@@@通信@@设备的@@性能@@。

VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和@@VxNM153工作温度@@达@@+175 °C，同时@@正向压降低@@至@@@@@@0.45 V，达到@@业界先进水平@@，有@@助于@@降低@@功耗@@，提高@@效@@率@@。易于@@吸附焊锡的@@侧边焊盘@@DFN3820A封装@@方便焊点自动@@光学检查@@（AOI），不必进行@@X光检查@@。整流器@@非常适合自动@@拾放贴片加工@@，潮湿灵敏度等级@@@@（MSL）达到@@J-STD-020标准@@1级@@，LF最大峰值为@@@@260 °C。器件@@符合@@RoHS标准@@，无卤素@@，亚光镀锡引脚满足@@JESD 201标准@@2级@@锡须测试@@要求@@。

器件@@规格表@@@@@@：

系列@@		V2NL63, V3NL63, V5NL63, V7NL63	V2NM63, V3NM63, V5NM63, V7NM63	V2N103, V3N103, V5N103, V7N103	V2NM103, V3NM103, V5NM103, V7NM103	V2NM153, V3NM153, V5NM153, V7NM153
IF(AV) (A)		2, 3, 5, 7	2, 3, 5, 7	2, 3, 5, 7	2, 3, 5, 7	2, 3, 5, 7
VR (V)		60	60	100	100	150
IFSM (A)		50 - 120	50 – 120	50 - 120	50 - 120	50 - 120
VF 典型@@@@值@@(V)	25 °C 条件下@@@@	0.5 – 0.52	0.58 - 0.59	0.6 – 0.64	0.63 – 0.67	0.85 – 0.9
VF 典型@@@@值@@(V)	125 °C条件下@@@@	0.45 – 0.48	0.5 – 0.64	0.54 – 0.57	0.55 – 0.58	0.62 – 0.64
IR 典型@@@@值@@ (mA) at	125 °C条件下@@@@	1.8 - 5	0.2 – 0.8	2.5 – 9	0.6 – 2.5	0.8 – 3
IR 最大值@@ (mA)	25 °C 条件下@@@@	0.05 – 0.11	0.01 – 0.015	0.15 – 0.33	0.03 – 0.16	0.02 – 0.07
IR 最大值@@ (mA)	125 °C条件下@@@@	4 - 13	1 – 2.5	8 – 25	2 - 8	2 - 7
TJ最大值@@ (°C)		150	175	150	175	175

Vishay推出@@首款采用@@@@@@Power DFN系列@@DFN3820A封装@@的@@@@200 V FRED Pt® Ultrafast整流器@@

judy — Wed, 21 Jun 2023 01:55:15 +0000

该款@@200 V器件@@厚度仅为@@@@0.88 mm，采用@@易于@@吸附焊锡的@@侧边焊盘@@封装@@@@，可改善热性能并提高@@效@@率@@@@

日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代@@号@@：VSH）宣布@@，推出@@四款新系列@@@@200 V FRED Pt® 超快恢复整流器@@@@@@---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和@@5 A VS-5EAH02xM3，这些器件@@采用@@薄型@@易于@@吸附焊锡的@@侧边焊盘@@@@DFN3820A封装@@。这四款新器件@@为@@商业@@@@、工业@@和@@车载应用@@提供节省@@空间@@的@@高效@@解决方案@@@@，每种产品都有@@@@Vishay汽车@@级@@@@AEC-Q101认证@@版本@@。

日前@@发布的@@@@Vishay Semiconductors 整流器@@首度采用@@@@Vishay新型@@@@Power DFN系列@@DFN3820A封装@@，占位面积@@@@3.8 mm x 2.0 mm，典型@@@@厚度仅为@@@@0.88 mm，可以更加有@@效地利用@@PCB空间@@。同时@@，器件@@经过优化的@@铜材设计@@和@@先进的@@芯片贴装技术可实现优异热性能@@，并可在@@更高额定电流@@下@@运行@@。

VS-1EAH02xM3、VS-2EAH02xM3、VS-3EAH02xM3和@@VS-5EAH02xM3高度比@@相同占位的@@@@ SMP（DO-220AA）封装@@器件@@@@低@@@@12 %，而额定电流@@增加一倍@@。此外@@，整流器@@额定电流@@等于@@或@@大于@@体积较大的@@传统@@@@ SMB（DO-214AA）和@@ SMC（DO-214AB）封装@@，以及@@@@eSMP® 系列@@SlimSMA（DO-221AC）、SlimSMAW（DO-221AD）和@@ SMPC（TO-2778A）封装@@器件@@@@。

器件@@适用于@@@@高频逆变器@@、DC/DC转换器@@、续流二极管@@@@、钳位和@@缓冲电路@@@@、极性保护@@和@@@@LED背光@@。典型@@@@车载应用@@包括电动@@车@@（EV）和@@混合动力汽车@@@@@@（HEC）双电压喷射驱动器@@、压电驱动器@@、发动机控制单元@@（ECU）；高级@@驾驶辅助系统@@（ADAS）、激光雷达@@、摄像@@头@@、防抱死刹车系统@@（ABS）；以及@@@@48 V电源系统@@、充电器@@、电池管理系统@@（BMS）。此外@@，整流器@@可提高@@工业@@自动@@化设备和@@工具@@@@、消费@@电子@@和@@电器@@、通信@@和@@医疗设备的@@性能@@。

VS-1EAH02xM3、VS-2EAH02xM3、VS-3EAH02xM3和@@VS-5EAH02xM3反向@@漏电流小于@@@@1 μA，工作温度@@-55 °C至@@+175 °C，同时@@正向压降低@@至@@@@@@0.71 V，有@@助于@@降低@@功耗@@，提高@@效@@率@@。易于@@吸附焊锡的@@侧边焊盘@@DFN3820A封装@@方便焊点自动@@光学检查@@（AOI），不必进行@@X光检查@@。整流器@@非常适合自动@@拾放贴片加工@@，潮湿灵敏度等级@@@@（MSL）达到@@J-STD-020标准@@1级@@，LF最大峰值为@@@@260 °C。器件@@符合@@RoHS标准@@，无卤素@@，亚光镀锡引脚满足@@JESD 201标准@@2级@@锡须测试@@要求@@。

器件@@规格表@@@@@@：

产品编号@@	IF(AV) (A)	VR (V)	IFSM (A)	IF下@@VF和@@TJ			TJ 最大值@@ (°C)	封装@@	Vishay 汽车@@级@@@@
产品编号@@	IF(AV) (A)	VR (V)	IFSM (A)	VF (V)	IF (A)	TJ (°C)	TJ 最大值@@ (°C)	封装@@	Vishay 汽车@@级@@@@
VS-1EAH02-M3	1	200	32	0.72	1	150	175	DFN3820A	No
VS-1EAH02HM3	1	200	32	0.72	1	150	175	DFN3820A	Yes
VS-2EAH02-M3	2	200	54	0.71	2	150	175	DFN3820A	No
VS-2EAH02HM3	2	200	54	0.71	2	150	175	DFN3820A	Yes
VS-3EAH02-M3	3	200	61	0.73	3	150	175	DFN3820A	No
VS-3EAH02HM3	3	200	61	0.73	3	150	175	DFN3820A	Yes
VS-5EAH02-M3	5	200	102	0.72	5	150	175	DFN3820A	No
VS-5EAH02HM3	5	200	102	0.72	5	150	175	DFN3820A	Yes

新型@@@@DFN3820A封装@@FRED Pt超快恢复整流器@@@@@@现以出样并可量产@@，供货周@@期为@@@@12周@@。

Vishay推出@@反向@@恢复性能达到@@业界先进水平@@的@@@@ FRED Pt® 第五代@@@@600 V Hyperfast恢复整流器@@@@

judy — Tue, 11 Oct 2022 02:39:26 +0000

12 A 和@@ 15 A 器件@@有@@@@X 型@@和@@新的@@@@W型@@两种速度@@类型@@@@@@@@，Qrr 低@@至@@@@ 75 nC，经过改进的@@@@ Erec 提高@@了效率@@

日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代@@号@@：VSH）宣布@@，推出@@四款采用@@@@@@TO-220 FullPAK 2L全隔离封装@@的@@@@新型@@@@@@FRED Pt® 第五代@@@@600 V Hyperfast恢复整流器@@@@---12 A VS-E5TW1206FP-N3和@@VS-E5TX1206FP-N3以及@@@@15 A VS-E5TW1506FP-N3 和@@VS-E5TX1506FP-N3。该系列@@的@@整流器@@反向@@恢复性能达到@@业界先进水平@@@@，提高@@中频逆变器和@@软硬开关@@或@@谐振电路的@@效率@@。

Vishay Semiconductors日前@@发布的@@@@器件@@反向@@恢复电荷@@（Qrr）低@@于@@前代@@解决方案@@@@ 60 %，同时@@恢复损耗@@降低@@@@ 90 %。此外@@，与@@最接近的@@竞品相比@@@@@@，整流器@@反向@@恢复能量@@（Erec）提高@@10 %，软恢复有@@助于@@降低@@@@ EMI，在@@整个工作温度@@范围内更稳定地运行@@，从而提高@@热性能@@。

通过@@最新推出@@第@@5代@@600 V FRED Pt 系列@@整流器@@@@，Vishay将@@高端@@Si技术的@@优势扩展到不同的@@电路拓扑结构@@，包括传统@@和@@无桥@@功率因数校正@@（PFC）前端配置@@@@。器件@@可用作工业@@应用@@@@ AC/DC 和@@DC/DC 功率级@@输出和@@@@ PFC 整流器@@，适用于@@@@空调@@、非车载充电器@@@@、照明@@、混合太阳能逆变器和@@@@UPS，在@@不影响性能的@@情况下@@保证系统可靠性和@@稳定性@@。

VS-E5TW1206FP-N3、VS-E5TX1206FP-N3、VS-E5TW1506FP-N3和@@ VS-E5TX1506FP-N3 有@@X型@@和@@新的@@@@W型@@两种速度@@类型@@@@@@@@。对于@@@@高达@@100k Hz的@@CCM模式和@@@@ 350K Hz 低@@di/dt的@@谐振电路来说@@，W型@@整流器@@的@@优点是@@Qrr低@@，X型@@整流器@@的@@优势在@@于@@正向电压低@@@@。器件@@符合@@RoHS标准@@，无卤素@@，工作温度@@达@@+175 °C，绝缘电压为@@@@2500 V。

器件@@规格表@@@@@@：

产品编号@@	V_R (V)	I_F(AV) (A)	+125 °C下@@V_F 典型@@@@值@@ (V)	t_rr (ns)	Q_rr 典型@@@@值@@. (nC)	封装@@
VS-E5TW1206FP-N3	600	12	1.75	16	75	TO-220 FullPAK 2L
VS-E5TW1506FP-N3	600	15	1.5	17	97	TO-220 FullPAK 2L
VS-E5TX1206FP-N3	600	12	1.36	17	130	TO-220 FullPAK 2L
VS-E5TX1506FP-N3	600	15	1.3	19	180	TO-220 FullPAK 2L

新型@@@@FRED Pt整流器@@现可提供样品@@。量产供货周@@期为@@@@@@20周@@。

VISHAY简介@@

Vishay 是全球最大的@@分立半导体和@@无源电子@@188足彩外围@@app 系列@@产品制造商之一@@，这些产品对于@@@@汽车@@@@、工业@@、计算@@、消费@@、通信@@、国防@@、航空航天@@和@@医疗市场的@@创新设计@@至@@关重要@@。服务于@@全球客户@@，Vishay承载着科技基因@@——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在@@纽约证券交易所上市@@（VSH）的@@“财富@@1,000 强企业@@”。有@@关@@Vishay的@@详细信息@@，敬请浏览网@@站@@ www.vishay.com。

Vishay推出@@新款@@@@FRED Pt®第五代@@@@Hyperfast和@@Ultrafast恢复整流器@@@@

judy — Tue, 13 Sep 2022 02:31:03 +0000

600 V和@@ 1200 V器件@@，提高@@汽车@@@@、太阳能和@@@@UPS应用@@效率@@

日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代@@号@@：VSH）宣布@@，推出@@15款采用@@@@SOT-227小型@@封装@@的@@@@新型@@@@@@FRED Pt® 第五代@@@@600 V 和@@ 1200 V Hyperfast和@@Ultrafast恢复整流器@@@@。Vishay Semiconductors整流器@@导通和@@开关@@损耗@@在@@同类器件@@中达到@@先进水平@@，提高@@高频逆变器和@@软开关@@或@@谐振电路的@@效率@@。

日前@@发布的@@@@器件@@可与@@@@MOSFET或@@高速@@@@IGBT配合使用@@@@，适用于@@@@PFC、电动@@（EV）/ 混合动力汽车@@@@（HEV）电池充电站输出整流级@@@@、太阳能逆变器增压级@@和@@@@UPS。这些应用@@环境下@@@@，整流器@@导通损耗@@低@@于@@前代@@器件@@@@，同时@@反向@@恢复损耗@@低@@@@@@。此外@@，SOT-227封装@@的@@@@半导体器件@@与@@铜基板绝缘@@，便于@@搭建通用散热器和@@小型@@总成@@。

30A / 600 V器件@@采用@@单相@@桥@@式配置@@@@，60 A - 300 A / 600 V - 1200 V 器件@@采用@@双二极管@@@@配置@@@@。整流器@@有@@@@X型@@Hyperfast和@@H型@@Ultrafast两种速度@@类型@@@@@@。H型@@整流器@@的@@优点是@@导通损耗@@低@@@@，X型@@整流器@@的@@优势在@@于@@恢复速度@@快@@。器件@@工作温度@@达@@@@+175 °C。

器件@@规格表@@@@@@：

产品编号@@	配置@@	V_R (V)	V_FM(V)	I_FAV (A)	t_rr (ns) 典型@@@@值@@	Q_rr (nC) 典型@@@@值@@	速度@@ 类型@@@@	R_thJC (°C/W) 最大值@@
VS-U5FH30BA60	单相@@桥@@	600	1.6	30	57	300²	H	1.39
VS-U5FH60FA60	双二极管@@@@	600	1.37	30¹	61	400²	H	0.95
VS-U5FH120FA60	双二极管@@@@	600	1.36	60¹	67	600²	H	0.7
VS-U5FH150FA60	双二极管@@@@	600	1.34	75¹	70	600⁴	H	0.54
VS-U5FH300FA60	双二极管@@@@	600	1.36	150¹	76	900⁵	H	0.35
VS-U5FH60FA120	双二极管@@@@	1200	2.08	30¹	54	1300⁶	H	1.1
VS-U5FH120FA120	双二极管@@@@	1200	1.99	60¹	71	2300⁷	H	0.69
VS-U5FH240FA120	双二极管@@@@	1200	1.99	120¹	98	3400⁸	H	0.38
VS-U5FX60FA60	双二极管@@@@	600	1.6	30¹	57	300²	X	0.95
VS-U5FX120FA60	双二极管@@@@	600	1.6	60¹	63	400³	X	0.7
VS-U5FX150FA60	双二极管@@@@	600	1.6	75¹	65	360⁴	X	0.54
VS-U5FX300FA60	双二极管@@@@	600	1.6	150¹	72	400⁵	X	0.35
VS-U5FX60FA120	双二极管@@@@	1200	2.91	30¹	41	800⁶	X	1.1
VS-U5FX120FA120	双二极管@@@@	1200	2.75	60¹	46	1200⁷	X	0.69
VS-U5FX240FA120	双二极管@@@@	1200	2.8	120¹	60	1600⁸	X	0.38

¹每二极管@@@@

² I_F = 30 A, dI_F/dt = 1000 A/μs, V_R = 400 V, T_J = 25 °C

³ I_F = 60 A, dI_F/dt = 1000 A/μs, V_R = 400 V, T_J = 25 °C

⁴ I_F = 75 A, dI_F/dt = 1000 A/μs, V_R = 400 V, T_J = 25 °C

⁵ I_F = 150 A, dI_F/dt = 1000 A/μs, V_R = 400 V, T_J = 25 °C

⁶ I_F = 30 A, dI_F/dt = 1000 A/μs, V_R = 800 V, T_J = 25 °C

⁷ I_F = 60 A, dI_F/dt = 1000 A/μs, V_R = 800 V, T_J = 25 °C

⁸ I_F = 120 A, dI_F/dt = 1000 A/μs, V_R = 800 V, T_J = 25 °C

新型@@@@FRED Pt整流器@@现可提供样品@@。量产供货周@@期为@@@@@@26周@@。

VISHAY简介@@

Vishay 是全球最大的@@分立半导体和@@无源电子@@188足彩外围@@app 系列@@产品制造商之一@@，这些产品对于@@@@汽车@@@@、工业@@、计算@@、消费@@、通信@@、国防@@、航空航天@@和@@医疗市场的@@创新设计@@至@@关重要@@。服务于@@全球客户@@，Vishay承载着科技基因@@——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在@@纽约证券交易所上市@@（VSH）的@@“财富@@1,000 强企业@@”。有@@关@@Vishay的@@详细信息@@，敬请浏览网@@站@@ www.vishay.com。

整流器@@

Vishay推出@@新款@@@@第@@5代@@TO-244封装@@FRED Pt® 600 V Ultrafast整流器@@

judy — Mon, 22 Aug 2022 08:31:14 +0000

日前@@，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代@@号@@：VSH）宣布@@，推出@@四款新型@@@@@@TO-244 封装@@第@@5代@@ FRED Pt® 600 V Ultrafast 整流器@@---VS-VS5HD240CW60、VS-VS5HD300CW60、VS-VS5HD480CW60和@@VS-VS5HD600CW60。Vishay Semiconductors整流器@@新款@@@@240 A、300 A、480 A和@@ 600 A具有@@出色导通和@@开关@@损耗@@特性@@，能有@@效提高@@中频功率转换器@@以及@@@@软硬开关@@或@@谐振电路的@@效率@@。

该整流器@@导通损耗@@低@@于@@@@TO-244封装@@竞品@@FRED Pt Ultrafast解决方案@@。同时@@，反向@@恢复损耗@@低@@@@，可提高@@各种工业@@应用@@的@@效率@@，如高频焊接和@@压载水管理系统@@。高速@@、耐高温的@@@@VS-VS5HD240CW60、VS-VS5HD300CW60、VS-VS5HD480CW60和@@VS-VS5HD600CW60器件@@适用于@@@@工业@@应用@@@@，Qrr 典型@@@@值@@低@@至@@@@@@260 nC，快速恢复时间仅为@@@@52 ns，工作温度@@最高可达@@+175℃。

新款@@FRED Pt整流器@@现可提供样品@@并已实现量产@@@@，供货周@@期为@@@@40周@@。

VISHAY简介@@

Diodes推出@@节省@@空间@@的@@萧特基@@ (Schottky) 整流器@@

judy — Thu, 05 May 2022 01:54:43 +0000

Diodes 公司@@ (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布@@推出@@一系列@@以超小型@@芯片级@@封装@@@@ (CSP) 的@@高电流萧特基@@ (Schottky) 整流器@@ ， SDM5U45EP3 (5A、45V)、SDM4A40EP3 (4A、40V) 及@@ SDT4U40EP3 (4A、40V) 达到@@业界同级@@最高电流密度@@，满足市场对于@@@@尺寸@@更小@@、更高功率的@@电子系统需求@@。

每款装置适用于@@@@各种用途@@，可作为@@阻流或@@反极性保护@@二极管@@@@、电性过压保护二极管@@@@，及@@自由@@转轮二极管@@@@。本系列@@整流器@@@@专为@@空间@@有@@限的@@产品应用@@所设计@@@@，如可携式@@、行动式与@@穿戴式装置@@，以及@@@@物联网@@@@硬件等@@。

三者之中最顶级@@的@@@@ SDT4U40EP3 是业界最小的@@@@ 4A 沟槽萧特基整流器@@@@，史无前例地采用@@了@@ 1608 封装@@规格@@。相较于@@它牌装置@@，可节省@@@@ 90% 的@@ PCB 面积@@。具备@@ 800A/cm2 的@@电流密度@@，堪称沟槽式萧特基产品中的@@业界翘楚@@，归功于@@专利申请中的@@创新阴极设计@@与@@制程@@。所产生的@@超低@@顺向电压效能@@ (典型@@@@值@@为@@@@ 0.47V) 可将@@功率损耗@@降到最低@@@@，实现更高效@@率的@@系统设计@@@@。此外@@，卓越的@@突崩耐量@@ (avalanche capability) 可确保在@@瞬态电压等极端运作条件下@@@@仍稳固耐用@@。

采用@@ X3-TSN1616-2 封装@@的@@@@ SDM5U45EP3 尺寸@@为@@@@ 2mm2，而采用@@@@X3-TSN1608-2 封装@@的@@@@ SDM4A40EP3 与@@ SDT4U40EP3 的@@尺寸@@为@@@@@@ 1.28mm2，有@@助于@@系统设计@@业者在@@现代@@化@@、高度整合的@@消费@@性产品中获得最大的@@电路板可用空间@@@@。这些超薄@@ CSP 封装@@尺寸@@为@@@@@@ 0.25mm (典型@@@@) ，拥有@@更短的@@导热路径@@，可实现更佳的@@功耗@@、更低@@的@@热能@@ BOM 成本@@，并提升可靠性@@。

如需索取预供样品@@，请至@@@@：www.diodes.com/about/contact-us/sales-support/ 。

关于@@@@ Diodes Incorporated

Diodes 公司@@(Nasdaq：DIOD) 是一家标准@@普尔小型@@股@@ 600 指数和@@罗素@@ 3000 指数成员公司@@@@，为@@消费@@电子@@@@、计算@@、通信@@、工业@@和@@汽车@@市场的@@全球领先公司@@提供高质量半导体产品@@。我们拥有@@丰富的@@@@产品组合以满足客户需求@@，内容包括分立@@、模拟@@、逻辑与@@混合信号@@产品以及@@@@先进的@@封装@@技术@@。我们广泛提供特殊应用@@解决方案@@与@@解决方案@@导向销售@@，加上全球@@ 31 个站点涵盖工程@@、测试@@、制造与@@客户服务@@，使我们成为@@高产量@@、高成长的@@市场中的@@优质供货商@@。详细信息请参阅@@ www.diodes.com 。