在探讨@@“SiC MOSFET：桥式结构@@中@@Gate-Source电压@@的@@动作@@”时@@，本文先对@@SiC MOSFET的@@桥式结构@@@@和@@工作进行介绍@@，这也是这个主题的@@前提@@。
SiC MOSFET的@@桥式结构@@@@
下面给出的@@电路@@图是在桥式结构@@中@@使用@@SiC MOSFET时@@最简单的@@同步式@@boost电路@@。该电路@@中@@使用的@@@@SiC MOSFET的@@高边@@（HS）和@@低边@@（LS）是交替导通的@@@@，为@@了防止@@HS和@@LS同时@@导通@@，设置了两个@@SiC MOSFET均为@@@@OFF的@@死区时@@间@@。右下方的@@波形表示其门极信号@@（VG）时@@序@@。
该电路@@中@@HS和@@LS MOSFET的@@Drain-Source电压@@（VDS）和@@漏极电流@@（ID）的@@波形示意图如下@@。这是电感@@L的@@电流处于连续动作状态@@，即所谓的@@硬开关状态的@@波形@@。
横轴表示时@@间@@，时@@间范围@@Tk（k=1～8）的@@定义如下@@：
T1： LS为@@ON时@@、MOSFET电流变化的@@时@@间段@@@@
T2： LS为@@ON时@@、MOSFET电压@@变化的@@时@@间段@@@@
T3： LS为@@ON时@@的@@时@@间段@@@@
T4： LS为@@OFF时@@、MOSFET电压@@变化的@@时@@间段@@@@
T5： LS为@@OFF时@@、MOSFET电流变化的@@时@@间段@@@@
T4～T6： HS变为@@@@ON之前的@@死区时@@间@@@@
T7： HS为@@ON的@@时@@间段@@（同步整流时@@间段@@）
T8： HS为@@OFF时@@、LS变为@@@@ON之前的@@死区时@@间@@@@
从下一篇文章开始@@，将以上述内容为@@前提展开介绍@@。希望通过本文大致了解这种@@SiC MOSFET桥式电路@@的@@工作@@、以及电压@@和@@电流的@@波形@@。
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